JPS5863179A - 光起電力装置 - Google Patents
光起電力装置Info
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- JPS5863179A JPS5863179A JP56162320A JP16232081A JPS5863179A JP S5863179 A JPS5863179 A JP S5863179A JP 56162320 A JP56162320 A JP 56162320A JP 16232081 A JP16232081 A JP 16232081A JP S5863179 A JPS5863179 A JP S5863179A
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- JP
- Japan
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- photovoltaic
- amorphous silicon
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- film
- silicon film
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、例えばグロー放電法によって生成されるアモ
ルファスシリコン膜を利用した複数の光起電力素子を直
列または並列に接続してなる光起電力装置に関する。
ルファスシリコン膜を利用した複数の光起電力素子を直
列または並列に接続してなる光起電力装置に関する。
第１．第２図はそのような光起電力装置の一例を示し、
第２図は厚さ方向が誇張された寸法で示されている。ガ
ラス基板１の上にスパッタリングあるいはＣＶＤ法によ
りＩｎ２０ｇ 、Ｉｎ２０ｇ −８ｎＯ２（工Ｔｏ）、
ＳｎＯ２などからなる透明導電膜の複数の領域２が形成
され、それを覆って一面にアモルファスシリコン層３が
設けられている。アモルファスシリコン層３は、例えば
ＳｉＨ４と適宜混合されるドーピング元素化合物の混合
ガスをグロー放電分解することによって順次生成された
ｐ、ｉ、ｎ ３層よりなる。
第２図は厚さ方向が誇張された寸法で示されている。ガ
ラス基板１の上にスパッタリングあるいはＣＶＤ法によ
りＩｎ２０ｇ 、Ｉｎ２０ｇ −８ｎＯ２（工Ｔｏ）、
ＳｎＯ２などからなる透明導電膜の複数の領域２が形成
され、それを覆って一面にアモルファスシリコン層３が
設けられている。アモルファスシリコン層３は、例えば
ＳｉＨ４と適宜混合されるドーピング元素化合物の混合
ガスをグロー放電分解することによって順次生成された
ｐ、ｉ、ｎ ３層よりなる。
さらにシリコン層３をはさんで透明導ｔＪｉｕ２と対向
する金属電極膜４が設けられている。金属電極膜４はＡ
Ｉ 、 Ｎｉ 、 ＣＹ 、 Ａｇ 、 Ｔｉ 、 Ｍ
ｏなどの蒸着あるいはスパッタリングで被着する。光電
変換活壜 性領域を形成するシリコンＨｉｓに入射する光により生
じた起電力を直列に接続するため、透明導電膜２および
金属電極膜ζをそｔｌぞれＷ、艮して接続部５および６
を設け、それが部分的に重ねられている。シリコン１−
３は各素子間にも連続して存在するが、これはアモルフ
ァスシリコン力１０４Ｑｔ−ｒｎ程度の高抵抗であるこ
とを利用［７て、シリコン層自体で各素子間が絶縁でき
ることに基づく。
する金属電極膜４が設けられている。金属電極膜４はＡ
Ｉ 、 Ｎｉ 、 ＣＹ 、 Ａｇ 、 Ｔｉ 、 Ｍ
ｏなどの蒸着あるいはスパッタリングで被着する。光電
変換活壜 性領域を形成するシリコンＨｉｓに入射する光により生
じた起電力を直列に接続するため、透明導電膜２および
金属電極膜ζをそｔｌぞれＷ、艮して接続部５および６
を設け、それが部分的に重ねられている。シリコン１−
３は各素子間にも連続して存在するが、これはアモルフ
ァスシリコン力１０４Ｑｔ−ｒｎ程度の高抵抗であるこ
とを利用［７て、シリコン層自体で各素子間が絶縁でき
ることに基づく。
しかしこのような光起電力装置は次の欠点を有する。
１、透明導電膜２は水分を吸着しやすく、金属電極Ｍ４
との重なり部分で腐食が起きやすい。
との重なり部分で腐食が起きやすい。
２、透明導電膜２は生成時あるいは使用中に汚染されや
すく、光の透過率が低下しやすい。
すく、光の透過率が低下しやすい。
３．透明導電膜２．半導体膜３．金属電極膜この形成の
ため、スパッタリング、 ＣＶＤ 、 会員蒸着・など
の種々の方法を適用しなければならず、工程が複雑で多
種の設備を必要とする。
ため、スパッタリング、 ＣＶＤ 、 会員蒸着・など
の種々の方法を適用しなければならず、工程が複雑で多
種の設備を必要とする。
本発明はこれらめ欠点を除き、少ない設備を用いて製作
でき、しかも信頼性の高い光起電力装置を提供すること
を目的とする。
でき、しかも信頼性の高い光起電力装置を提供すること
を目的とする。
この目的は光起電力装置がそれぞれアモルファスシリコ
ン膜からなる光電変換活性領域を有する複数の光起電力
素子を光照射時に低抵抗のアモルファスシリコン膜によ
って直列または並列に接続してなることによって達成さ
れる。
ン膜からなる光電変換活性領域を有する複数の光起電力
素子を光照射時に低抵抗のアモルファスシリコン膜によ
って直列または並列に接続してなることによって達成さ
れる。
本発明は最近のアモルファスシリコン成膜技術の進歩に
より、ｐ１＠あるいはｎ層の光照射時の抵抗がそれぞれ
１〜１０Ω個、０．１〜１軸となる現象に基づく。
より、ｐ１＠あるいはｎ層の光照射時の抵抗がそれぞれ
１〜１０Ω個、０．１〜１軸となる現象に基づく。
以下図を引用して本発明の実施例について説明する。第
３図および第２図と同様厚さ方向に誇張された第４図に
おいて、ガラス基板１の上にそれぞれ分離して形成され
る光起電力素子１０は９層１１゜１層１２およびｎ層１
３よりなるｐｉｎ構造を有し、ガラス板１を通して入射
する光によって光起電力を生ずる。この内９層］ｌ、お
よびｎ７ｄ１３はそれぞれ接続部１４ 、１５を有する
形状にされている。このような形状は、グロー放電分解
により一面に生成されたアモルファスシリコン膜から不
要部を選択エツチング法により除去するか、あるいは成
膜時に不要部をマスクで覆うことによって得ることがで
きる。これらのｐ層、１層、ｎ層は同一のグロー放電分
解装置を用い反応ガスの組成を変化させること、すなわ
ちＳｉＨ４ガスにｐ層生成の際にはＢ２Ｈ６ガスを、ｎ
層生成の際にはＰＨｓガスを添加することによって生成
することができる。各素子１０相互の接続はｐ層および
ｎ層の接続部１４ 、１５を重ねることによって行なわ
れる。ｐ層およびｎ層は光照射時、すなわち素子１．１
０の光起電力発生時に低抵抗になるため、光起電力は低
いパワーロスによって直列（第３図の場合）または並列
に接続される。
３図および第２図と同様厚さ方向に誇張された第４図に
おいて、ガラス基板１の上にそれぞれ分離して形成され
る光起電力素子１０は９層１１゜１層１２およびｎ層１
３よりなるｐｉｎ構造を有し、ガラス板１を通して入射
する光によって光起電力を生ずる。この内９層］ｌ、お
よびｎ７ｄ１３はそれぞれ接続部１４ 、１５を有する
形状にされている。このような形状は、グロー放電分解
により一面に生成されたアモルファスシリコン膜から不
要部を選択エツチング法により除去するか、あるいは成
膜時に不要部をマスクで覆うことによって得ることがで
きる。これらのｐ層、１層、ｎ層は同一のグロー放電分
解装置を用い反応ガスの組成を変化させること、すなわ
ちＳｉＨ４ガスにｐ層生成の際にはＢ２Ｈ６ガスを、ｎ
層生成の際にはＰＨｓガスを添加することによって生成
することができる。各素子１０相互の接続はｐ層および
ｎ層の接続部１４ 、１５を重ねることによって行なわ
れる。ｐ層およびｎ層は光照射時、すなわち素子１．１
０の光起電力発生時に低抵抗になるため、光起電力は低
いパワーロスによって直列（第３図の場合）または並列
に接続される。
このような光起電力装置では素子間の接続に金属電極膜
、あるいは透明導電膜を用いていないので、吸湿、腐食
あるいは光の透過率の低下のおそれがなく、高温、高湿
（例えば６０℃、９５％ＲＨ）状態でも信頼性良好に使
用できる。しかし場合によっては一方の電極に金属膜あ
るいは透明導電膜を用いそれと低抵抗アモルファスシリ
コン膜とを接続することによって十分な信頼性を得るこ
とも可能である。
、あるいは透明導電膜を用いていないので、吸湿、腐食
あるいは光の透過率の低下のおそれがなく、高温、高湿
（例えば６０℃、９５％ＲＨ）状態でも信頼性良好に使
用できる。しかし場合によっては一方の電極に金属膜あ
るいは透明導電膜を用いそれと低抵抗アモルファスシリ
コン膜とを接続することによって十分な信頼性を得るこ
とも可能である。
以上述べたように本発明はアモルファスシリコン膜を用
いた光起電力素子を光照射時に低抵抗のアモルファスシ
リコン膜を用いて接続して光起電力装置を構成するもの
で、金属電極膜、透明導電膜の少なくとも一方は用いな
くてもすむため信頼性が向上できるとともに、グロー放
電分解のみによって装置を製作することもできるので工
程が簡単になるなど得られる効果は極めて大きい。
いた光起電力素子を光照射時に低抵抗のアモルファスシ
リコン膜を用いて接続して光起電力装置を構成するもの
で、金属電極膜、透明導電膜の少なくとも一方は用いな
くてもすむため信頼性が向上できるとともに、グロー放
電分解のみによって装置を製作することもできるので工
程が簡単になるなど得られる効果は極めて大きい。
第１図は従来の光起電力装置の一例の平面図、第２図は
その断面図、第３図は本発明の一実施例の平面図、第４
図はその断面図である。 ５ − ト・・ガラス基板、１０・・・光起電力素子、１１・・
・アモルファスシリコンｐｆ＠ｄ、１２・・・アモルフ
ァスシリコｙ１層、Ｉｓ・・・アモルファスシリコンｎ
ｊ＠。 ６−
その断面図、第３図は本発明の一実施例の平面図、第４
図はその断面図である。 ５ − ト・・ガラス基板、１０・・・光起電力素子、１１・・
・アモルファスシリコンｐｆ＠ｄ、１２・・・アモルフ
ァスシリコｙ１層、Ｉｓ・・・アモルファスシリコンｎ
ｊ＠。 ６−
Claims (1)
- １）それぞれアモルファスシリコン膜からなる光電変換
活性領域を有する複数の光起電力素子が光照射時に低抵
抗のアモルファスシリコン膜によって直列または並列に
接続されたことを特徴とする光起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56162320A JPS5863179A (ja) | 1981-10-12 | 1981-10-12 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56162320A JPS5863179A (ja) | 1981-10-12 | 1981-10-12 | 光起電力装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5863179A true JPS5863179A (ja) | 1983-04-14 |
Family
ID=15752283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56162320A Pending JPS5863179A (ja) | 1981-10-12 | 1981-10-12 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5863179A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61237423A (ja) * | 1985-04-15 | 1986-10-22 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 非晶質半導体上への電極形成法 |
| JPH02177374A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-07-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置 |
| KR20020066471A (ko) * | 2001-02-12 | 2002-08-19 | 신현규 | 아이티오 단면 도전 필름에 전원을 공급하기 위한 평면 단자 |
| US7492028B2 (en) | 2005-02-18 | 2009-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and manufacturing method of the same, and a semiconductor device |
| JP2014143333A (ja) * | 2013-01-25 | 2014-08-07 | Ricoh Co Ltd | 固体色素増感型太陽電池、固体色素増感型太陽電池モジュール |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55123176A (en) * | 1979-03-15 | 1980-09-22 | Sharp Corp | Thin film solar cell |
-
1981
- 1981-10-12 JP JP56162320A patent/JPS5863179A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55123176A (en) * | 1979-03-15 | 1980-09-22 | Sharp Corp | Thin film solar cell |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61237423A (ja) * | 1985-04-15 | 1986-10-22 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 非晶質半導体上への電極形成法 |
| JPH02177374A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-07-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置 |
| KR20020066471A (ko) * | 2001-02-12 | 2002-08-19 | 신현규 | 아이티오 단면 도전 필름에 전원을 공급하기 위한 평면 단자 |
| US7492028B2 (en) | 2005-02-18 | 2009-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and manufacturing method of the same, and a semiconductor device |
| US7936037B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and manufacturing method of the same, and a semiconductor device |
| JP2014143333A (ja) * | 2013-01-25 | 2014-08-07 | Ricoh Co Ltd | 固体色素増感型太陽電池、固体色素増感型太陽電池モジュール |
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