JPH0290573A - モノリシツク太陽電池及びバイパス・ダイオード・システム - Google Patents
モノリシツク太陽電池及びバイパス・ダイオード・システムInfo
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- JPH0290573A JPH0290573A JP63194704A JP19470488A JPH0290573A JP H0290573 A JPH0290573 A JP H0290573A JP 63194704 A JP63194704 A JP 63194704A JP 19470488 A JP19470488 A JP 19470488A JP H0290573 A JPH0290573 A JP H0290573A
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Classifications
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
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- H01L31/0693—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells the devices including, apart from doping material or other impurities, only AIIIBV compounds, e.g. GaAs or InP solar cells
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- H—ELECTRICITY
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、太陽電池システムに関する。
太陽電池システムの応用に対して、太陽電池は、通常、
直列の−続きにて組み立てられ、それからパネル状に集
められる。直列結合された−続きの太陽電池における個
々の太陽電池が、光を遮られても、−続きの太陽電池の
残りが照射される間は、光電流は、なお、光の遮られた
太陽電池を流れなければならない。この点において、照
射された太陽電池からの出力光電流は、照射されない太
陽電池ダイオードに対し、「逆」方向又は通常非導通方
向にあることが注目される。光を遮られた太陽電池を電
流が流れるとき、その太陽電池は逆降服点にもたらされ
、しばしばそれ以降の性能の劣化の原因となる。この問
題は、ヒ化ガリウム太陽電池に関して特に深刻である。
直列の−続きにて組み立てられ、それからパネル状に集
められる。直列結合された−続きの太陽電池における個
々の太陽電池が、光を遮られても、−続きの太陽電池の
残りが照射される間は、光電流は、なお、光の遮られた
太陽電池を流れなければならない。この点において、照
射された太陽電池からの出力光電流は、照射されない太
陽電池ダイオードに対し、「逆」方向又は通常非導通方
向にあることが注目される。光を遮られた太陽電池を電
流が流れるとき、その太陽電池は逆降服点にもたらされ
、しばしばそれ以降の性能の劣化の原因となる。この問
題は、ヒ化ガリウム太陽電池に関して特に深刻である。
太陽電池を保護するために、逆方向のバイパス！ダイオ
ードが太陽電池ダイオードと並列に配線される。太陽電
池が光を遮られるとき、直列結合さ、れた−続きの太陽
電池における他の太陽電池からの光電流は、順方向にて
バイパス・ダイオードを流れ、こうして光を遮られた太
陽電池を保護する。もちろん、太陽電池が光を遮られな
いとき、バイパス・ダイオードは、逆バイアスされ、そ
して漏れ電流が低い限り無視される。
ードが太陽電池ダイオードと並列に配線される。太陽電
池が光を遮られるとき、直列結合さ、れた−続きの太陽
電池における他の太陽電池からの光電流は、順方向にて
バイパス・ダイオードを流れ、こうして光を遮られた太
陽電池を保護する。もちろん、太陽電池が光を遮られな
いとき、バイパス・ダイオードは、逆バイアスされ、そ
して漏れ電流が低い限り無視される。
別個のバイパス・ダイオードが、一般に、この目的を達
成するために使用され、しばしば費用、複雑さおよび重
量における受容しがたい増大を招く。
成するために使用され、しばしば費用、複雑さおよび重
量における受容しがたい増大を招く。
上記の形式の配置を記載する論文は、Ｒ，Ｍ。
ダイアモンドとＥ、Ｄ、スティールにより、「集積ダイ
オードを有する太陽電池アレイ」と題され、そしてＪ、
Ｆ、フォゲールとり、Ａ、ナツトにより編集された「太
陽電池」と題する書籍（ゴルデン及びブリーチ・サイア
ンス・パブリッシャー社、１２ ブルームズベリウェイ
、ロンドンＷ、Ｃ。
オードを有する太陽電池アレイ」と題され、そしてＪ、
Ｆ、フォゲールとり、Ａ、ナツトにより編集された「太
陽電池」と題する書籍（ゴルデン及びブリーチ・サイア
ンス・パブリッシャー社、１２ ブルームズベリウェイ
、ロンドンＷ、Ｃ。
１１英国、１９７１年）に記載されている。この論文に
おいて記載されたように、バイパス・ダイオードは、シ
リコン太陽電池の裏面に別個に組み立てられたという点
において「一体化」であったが、回路に別々に配線され
なければならながった。
おいて記載されたように、バイパス・ダイオードは、シ
リコン太陽電池の裏面に別個に組み立てられたという点
において「一体化」であったが、回路に別々に配線され
なければならながった。
ヒ化ガリウム太陽電池を作製するための技術と方法にさ
らに一般的に関係する論文は、さらに、次を含む。
らに一般的に関係する論文は、さらに、次を含む。
（１）ｒＧａＡｓ太陽電池生産の概要Ｊ 、Ｙ、Ｃ。
Ｍ、イエー他、１．Ｅ、Ｃ，Ｅ、Ｃ，，１９８４年４月
（２）ｒＧａＡｓ太陽電池のだめのマンチック・プログ
ラムのレビューＪ 、Ｐ、Ａ、イレス、クーアイ・シャ
ーンとＷ、ボーズ、１．Ｅ、Ｅ、Ｅ。
ラムのレビューＪ 、Ｐ、Ａ、イレス、クーアイ・シャ
ーンとＷ、ボーズ、１．Ｅ、Ｅ、Ｅ。
光起電性専門家会議、１９８７年５月６日〜ｌＯ日、ニ
ューオーリンズ、ルイジアナ州、において提出 （３）「ヘテロ構造Ｇ ａ Ａ ｓ ／ Ｇ ｅ太陽電
池」１、Ｒ，に、モリス、Ｋ、１． シャーン他、１．
Ｅ。
ューオーリンズ、ルイジアナ州、において提出 （３）「ヘテロ構造Ｇ ａ Ａ ｓ ／ Ｇ ｅ太陽電
池」１、Ｒ，に、モリス、Ｋ、１． シャーン他、１．
Ｅ。
Ｅ、Ｅ、光起電性専門家会議、１９８７年５月６日〜１
０日、ニューオーリンズ、ルイジアナ州、において提出 こうして、太陽電池アレイにおいてバイパス・ダイオー
ドを使用することが望ましいが、別個の離散的バイパス
・ダイオードの使用は、太陽電池パネル・アセンブリを
非常に複雑にすることが認識された。また、上記の（１
）の論文において記載されたように、別個の結線を必要
とする 「一体化」ダイオードの使用は、同一の不都合
を有する。
０日、ニューオーリンズ、ルイジアナ州、において提出 こうして、太陽電池アレイにおいてバイパス・ダイオー
ドを使用することが望ましいが、別個の離散的バイパス
・ダイオードの使用は、太陽電池パネル・アセンブリを
非常に複雑にすることが認識された。また、上記の（１
）の論文において記載されたように、別個の結線を必要
とする 「一体化」ダイオードの使用は、同一の不都合
を有する。
従って、本発明の主な目的は、前述の不都合を回避する
モノリシックな太陽電池及びバイパス・ダイオード構成
を提供することである。
モノリシックな太陽電池及びバイパス・ダイオード構成
を提供することである。
本発明の特定の例示実施態様により、光の照射を受容す
るために露出された広いｐ−ｎ接合領域を含む広い領域
のヒ化ガリウム太陽電池は、太陽電池の露出表面におい
てｎ形半導体物質を有するが、逆方向バイパス・ダイオ
ードを形成するため／ に、ｐ形物質の小さなアイソレーションされた島の上に
ｎ形半導体物質の付加的小領域を有する。
るために露出された広いｐ−ｎ接合領域を含む広い領域
のヒ化ガリウム太陽電池は、太陽電池の露出表面におい
てｎ形半導体物質を有するが、逆方向バイパス・ダイオ
ードを形成するため／ に、ｐ形物質の小さなアイソレーションされた島の上に
ｎ形半導体物質の付加的小領域を有する。
そして、ｎ形バイパス・）ダイオードの端子をｐ形太陽
電池の出力に結合しそしてｐ形バイパス・ダイオードの
端子を太陽電池のｎ形ゾーンに結合するために、集積回
路金属化技術が使用される。パネル・アセンブリを形成
する際に、太陽電池の各々は七ノリシックに保護された
太陽電池であるために、付加的な電気的結合を行う必要
がない。
電池の出力に結合しそしてｐ形バイパス・ダイオードの
端子を太陽電池のｎ形ゾーンに結合するために、集積回
路金属化技術が使用される。パネル・アセンブリを形成
する際に、太陽電池の各々は七ノリシックに保護された
太陽電池であるために、付加的な電気的結合を行う必要
がない。
本発明の広い見地により、太陽電池は、広い領域のｐ−
ｎ接合を含み、半導体物質の１つの極性を有する第１層
は、入射する太陽の輻射を受容するために露出又は面を
向けられ、そして反対の極性を有する導電形の第２層は
第１層の下にある。
ｎ接合を含み、半導体物質の１つの極性を有する第１層
は、入射する太陽の輻射を受容するために露出又は面を
向けられ、そして反対の極性を有する導電形の第２層は
第１層の下にある。
この第１層の小さな島は、半導体物質の第１層を通って
、第２層までエツチングすることによりアイソレーショ
ンされ、そして反対の極性形を有する半導体物質が、バ
イパス・ダイオードを形成するために、小さな島の頂部
において形成される。
、第２層までエツチングすることによりアイソレーショ
ンされ、そして反対の極性形を有する半導体物質が、バ
イパス・ダイオードを形成するために、小さな島の頂部
において形成される。
絶縁と金属化のための集積回路析出技術が使用され、バ
イパス・ダイオードの外側領域を半導体物質の第１層か
らの太陽電池の出力に結合する。そして半導体物質の他
の極性を有するバイパス・ダイオードの内側領域を反対
の極性形の下側層の太陽電池半導体物質に結合する。
イパス・ダイオードの外側領域を半導体物質の第１層か
らの太陽電池の出力に結合する。そして半導体物質の他
の極性を有するバイパス・ダイオードの内側領域を反対
の極性形の下側層の太陽電池半導体物質に結合する。
ちなみに、太陽又は照射源に面する半導体層は、バイパ
ス・ダイオードの一部分を形成する、外側が透明又は半
透明の半導体層を含む複合層であることが注目される。
ス・ダイオードの一部分を形成する、外側が透明又は半
透明の半導体層を含む複合層であることが注目される。
以下に、ヒ化ガリウム太陽電池に関連して製造プロセス
を詳細に記載する。個々の太陽電池は、しばしば、約２
ｃｍＸ４ｃｍの領域を有する太陽電池を形成される。そ
のような太陽電池に対して、バイパス・ダイオードは、
約１ミリメートル角である。従って、バイパス・ダイオ
ードによって失われる輻射受容領域は最小であり、実質
的に活性太陽電池領域の０．５パーセントよりも小さい
。
を詳細に記載する。個々の太陽電池は、しばしば、約２
ｃｍＸ４ｃｍの領域を有する太陽電池を形成される。そ
のような太陽電池に対して、バイパス・ダイオードは、
約１ミリメートル角である。従って、バイパス・ダイオ
ードによって失われる輻射受容領域は最小であり、実質
的に活性太陽電池領域の０．５パーセントよりも小さい
。
本発明の他の目的、特徴および利点は、以下の詳細な説
明の考察き、添付の図面から明らかになるであろう。
明の考察き、添付の図面から明らかになるであろう。
図面を特に参照すると、第１図は、複数の太陽電池１２
と、複数のバイパス・ダイオード１４とを含む公知の形
式の太陽電池回路を示す。ｒｌＪ記号１６は、太陽電池
１２からの光電流の方向を指示し、その結果出力端子１
８は正であり、そして出力端子２０は負である。従って
、太陽電池１２が太陽又は類似の輻射エネルギー源によ
って照射されるとき、ダイオード１４は逆バイアスされ
、そして本質的に回路から外される。しかし、太陽電池
の１つが、たまたま光を遮られても、電流は関連するバ
イパス・ダイオード１４を流れ続け、その結果、太陽電
池は高い逆電流によって損傷されない。なお、幾つかの
場合において、システムの設計者は、どの太陽電池が、
時刻に応じて光を遮られやすいかを予測することができ
る。そしてそれら特定の太陽電池はバイパス・ダイオー
ドを備え、一方一続きの太陽電池における他の太陽電池
は、並列結合されたバイパス・ダイオードを伴う必要が
ない。
と、複数のバイパス・ダイオード１４とを含む公知の形
式の太陽電池回路を示す。ｒｌＪ記号１６は、太陽電池
１２からの光電流の方向を指示し、その結果出力端子１
８は正であり、そして出力端子２０は負である。従って
、太陽電池１２が太陽又は類似の輻射エネルギー源によ
って照射されるとき、ダイオード１４は逆バイアスされ
、そして本質的に回路から外される。しかし、太陽電池
の１つが、たまたま光を遮られても、電流は関連するバ
イパス・ダイオード１４を流れ続け、その結果、太陽電
池は高い逆電流によって損傷されない。なお、幾つかの
場合において、システムの設計者は、どの太陽電池が、
時刻に応じて光を遮られやすいかを予測することができ
る。そしてそれら特定の太陽電池はバイパス・ダイオー
ドを備え、一方一続きの太陽電池における他の太陽電池
は、並列結合されたバイパス・ダイオードを伴う必要が
ない。
第２図は、本発明の原理を示す太陽電池の概略図であり
、太陽電池が照射されるときの電流径路を示す。さらに
具体的に、第２図の太陽電池２６は、太陽電池ダイオー
ド２８と３０にて示された電流生成領域と、ダイオード
３４にて示されｔ；太陽電池の一部分の上部に取り付け
られ、参照番号３２にて示されたバイパス・ダイオード
とを含む。
、太陽電池が照射されるときの電流径路を示す。さらに
具体的に、第２図の太陽電池２６は、太陽電池ダイオー
ド２８と３０にて示された電流生成領域と、ダイオード
３４にて示されｔ；太陽電池の一部分の上部に取り付け
られ、参照番号３２にて示されたバイパス・ダイオード
とを含む。
なお、第２図に概略的に示された構造は、図面の第４図
乃至第９図に関連して、さらに詳細に示されるであろう
。
乃至第９図に関連して、さらに詳細に示されるであろう
。
第２図を再び参照すると、太陽電池２６が照射されると
き、電流は、参照番号２８と３０にて示された太陽電池
の部分において生成され、そして端子３８から端子４０
へと破線３６にて示されたように流れる。端子４０にお
ける電圧は端子３８における電圧に関して負である。
き、電流は、参照番号２８と３０にて示された太陽電池
の部分において生成され、そして端子３８から端子４０
へと破線３６にて示されたように流れる。端子４０にお
ける電圧は端子３８における電圧に関して負である。
第３図は、第２図に概略的に示されたものと同一の保護
太陽電池を流れる電流を示すが、太陽電池２６は光を遮
られている。さらに具体的には、太陽電池が光を遮られ
ると、電流は、参照番号２８と３０にて示された太陽電
池の主要部分によって生成されない。破線４２によって
示された電流は、−続きの太陽電池における他の太陽電
池によって太陽電池２６を流される（第１図参照）。バ
イパス・ダイオード３２がない場合、参照番号２８と３
０にて示された太陽電池は逆バイアスされ、そして太陽
電池にかかる逆電流又は逆電圧は、逆降服を引き起こし
、永久的に電池を損傷する可能性を有する。しかし、代
わりに、バイパス・ダイオード３２が配置されると、電
流は破線４２によって指示された径路に沿って流れ、そ
して障害は、光を遮られた太陽電池２６に生じない。
太陽電池を流れる電流を示すが、太陽電池２６は光を遮
られている。さらに具体的には、太陽電池が光を遮られ
ると、電流は、参照番号２８と３０にて示された太陽電
池の主要部分によって生成されない。破線４２によって
示された電流は、−続きの太陽電池における他の太陽電
池によって太陽電池２６を流される（第１図参照）。バ
イパス・ダイオード３２がない場合、参照番号２８と３
０にて示された太陽電池は逆バイアスされ、そして太陽
電池にかかる逆電流又は逆電圧は、逆降服を引き起こし
、永久的に電池を損傷する可能性を有する。しかし、代
わりに、バイパス・ダイオード３２が配置されると、電
流は破線４２によって指示された径路に沿って流れ、そ
して障害は、光を遮られた太陽電池２６に生じない。
図面の第４図乃至第９図に関連して、モノリシック・バ
イパス・ダイオードを含む太陽電池の製造に関与した段
階の考察を行う。
イパス・ダイオードを含む太陽電池の製造に関与した段
階の考察を行う。
まず、ヒ化ガリウム太陽電池それ自体を製造する技術は
公知であり、そして上記の論文に述べられている。第４
図を参照すると、太陽電池の下側表面５２は、銀のよう
な導電性物質である。基板５４はｎ形ヒ化ガリウムとす
ることができ、そして太陽電池の厚さの大部分が基板５
４によって占められるために、第４図において縮尺は考
慮していない。第４図に示されたように、付加すべき層
は、上記の論文において幾分詳細に記載されたように、
金属有機化学蒸気析出技術のような公知の技術を使用し
て、エピタキシャルに成長させた。
公知であり、そして上記の論文に述べられている。第４
図を参照すると、太陽電池の下側表面５２は、銀のよう
な導電性物質である。基板５４はｎ形ヒ化ガリウムとす
ることができ、そして太陽電池の厚さの大部分が基板５
４によって占められるために、第４図において縮尺は考
慮していない。第４図に示されたように、付加すべき層
は、上記の論文において幾分詳細に記載されたように、
金属有機化学蒸気析出技術のような公知の技術を使用し
て、エピタキシャルに成長させた。
層５６は、ｎ形ヒ化ガリウムであり、そして層５６とｐ
形ヒ化ガリウムの層５８の間の界面は、太陽光又は他の
類似の輻射が太陽電池の上面に当たるとき、電流が生成
される接合部である。このｐ−ｎ接合は、第４図におい
て参照番号６０にて示される。
形ヒ化ガリウムの層５８の間の界面は、太陽光又は他の
類似の輻射が太陽電池の上面に当たるとき、電流が生成
される接合部である。このｐ−ｎ接合は、第４図におい
て参照番号６０にて示される。
ｐ形ヒ化ガリウム層６２は、アルミニュームの実質的部
分を含み、かつｐ形アルミニューム・ヒ化ガリウムを構
成するが、透明であり、そしてｐ−ｎ接合６０において
生成される電荷又は電流の消散を防ぐために役立つ。ｎ
形ヒ化ガリウムの付加層６４は、次に析出されるエピタ
キシャル層であり、そしてそれは、今までに作製された
太陽電池において通常存在しないという点において新規
のものである。以下に開示されるように、層６４の小部
分における物質が、モノリシック・バイパス・ダイオー
ドの形成において使用される。
分を含み、かつｐ形アルミニューム・ヒ化ガリウムを構
成するが、透明であり、そしてｐ−ｎ接合６０において
生成される電荷又は電流の消散を防ぐために役立つ。ｎ
形ヒ化ガリウムの付加層６４は、次に析出されるエピタ
キシャル層であり、そしてそれは、今までに作製された
太陽電池において通常存在しないという点において新規
のものである。以下に開示されるように、層６４の小部
分における物質が、モノリシック・バイパス・ダイオー
ドの形成において使用される。
付随的に、関連した寸法と厚さの形式の一般的な概念を
与えると、太陽電池全体は、０．３ミリメートル程度の
厚さである。層５６は、約０．０００５センチメートル
厚である。ｐ形半導体物質層５８は、ｏ、ｏｏｏｏｓセ
ンチメートルオーダーの厚さである。層６２は、０．０
０００１センチメートルオーダーの厚さである。そして
バイパス・ダイオードの製作において使用される頂部層
６４は、約０．００００２センチメートル厚である。
与えると、太陽電池全体は、０．３ミリメートル程度の
厚さである。層５６は、約０．０００５センチメートル
厚である。ｐ形半導体物質層５８は、ｏ、ｏｏｏｏｓセ
ンチメートルオーダーの厚さである。層６２は、０．０
０００１センチメートルオーダーの厚さである。そして
バイパス・ダイオードの製作において使用される頂部層
６４は、約０．００００２センチメートル厚である。
第５図を参照すると、従来のレジスト被覆及びエツチン
グ・プロセスにより、頂部層６４の大部分は除去され、
第５図において６４′と指定されｔ；小領域のみを残す
。
グ・プロセスにより、頂部層６４の大部分は除去され、
第５図において６４′と指定されｔ；小領域のみを残す
。
第６図はメサエッチ段階を示し、領域７２と７４はエツ
チングにより削りとられ、第４図において示されたよう
に、関連する総ての層を参照することにより、６４’
６２’と５８′にて示された層の残りの部分を含む約
１ミリメートル角の島を残す。
チングにより削りとられ、第４図において示されたよう
に、関連する総ての層を参照することにより、６４’
６２’と５８′にて示された層の残りの部分を含む約
１ミリメートル角の島を残す。
第７図は、バイパス・ダイオードをモノリシック・ベー
スにおける太陽電池に含む工程の１つとして適用される
、２つの金属接触バッド７６と７８を加えることを示す
。
スにおける太陽電池に含む工程の１つとして適用される
、２つの金属接触バッド７６と７８を加えることを示す
。
第８図は、例えば窒化ケイ素から形成される、不伝導層
または絶縁層８２を加えることを示す。
または絶縁層８２を加えることを示す。
第９図は太陽電池の最終構成を示し、この場合、バイパ
ス・ダイオードの端子７６は、絶縁材料８２の上に析出
されたメタライズされた導電性径路８４によって、太陽
電池の出力導体８６の１つに結合される。別の出力導体
８６′が、第９図の右側に示される。さらに、メタライ
ズされた導体８８が、導電パッド７８をｐ形物質５８′
と６２′とに相互連結し、バイパス・ダイオードの回路
を完成する。
ス・ダイオードの端子７６は、絶縁材料８２の上に析出
されたメタライズされた導電性径路８４によって、太陽
電池の出力導体８６の１つに結合される。別の出力導体
８６′が、第９図の右側に示される。さらに、メタライ
ズされた導体８８が、導電パッド７８をｐ形物質５８′
と６２′とに相互連結し、バイパス・ダイオードの回路
を完成する。
第１θ図は、約４センチメートルに等しい長い側面９４
と、約２センチメートルに等しい狭い寸法９６を有する
太陽電池９２の全体図である。第１０図において拡大し
て示された、１ミリメートル×１ミリメートルの寸法の
小領域９８はバイパス・ダイオードを含む。導電性材料
８６の多数の細い導電ラインは太陽電池を横切って延び
、そして電気的結合８４は、ダイオード９８を出力導体
８６の１つに相互連結することが観察されよう。
と、約２センチメートルに等しい狭い寸法９６を有する
太陽電池９２の全体図である。第１０図において拡大し
て示された、１ミリメートル×１ミリメートルの寸法の
小領域９８はバイパス・ダイオードを含む。導電性材料
８６の多数の細い導電ラインは太陽電池を横切って延び
、そして電気的結合８４は、ダイオード９８を出力導体
８６の１つに相互連結することが観察されよう。
横断方向の導体８６の総てからの電流は、大きな電気的
導体１００によって集められ、そしてこの導体ｌＯＯか
ら、太陽電池は、図面の第１図に概略的に示された形式
により、−続きの太陽電池における隣接する太陽電池に
結合される。
導体１００によって集められ、そしてこの導体ｌＯＯか
ら、太陽電池は、図面の第１図に概略的に示された形式
により、−続きの太陽電池における隣接する太陽電池に
結合される。
結論として、前述の詳細な説明と添付の図面は、本発明
の１つの例示の実施態様に関することが理解されよう。
の１つの例示の実施態様に関することが理解されよう。
しかし、本発明は、上記に記載されたものとは異なる他
の方法および他の構造により実現されうる。こうして、
ヒ化ガリウム以外の物質から作製され、モノリシック・
バイパス・ダイオードを備えた太陽電池は、本発明の原
理により形成される。そして他の公知の半導体処理技術
、マスキング技術、エツチング技術、拡散技術等は、本
発明の精神と範囲を逸脱することなしに、バイパス・ダ
イオードを用いて、モノリシック太陽電池を製作するた
めに総て使用される。第４図乃至第９図に示されたよう
な基板５４はｎ形ヒ化ガリウムである必要はなく、他の
材料から形成されることに注目すべきである。また、透
明ｎ形物質のウィンドー層６２を省略でき、そしてｎ影
領域６４′を層５８に直接に形成することができる。従
って、本発明は、図面に示されかつ上記で記載された実
施態様に正確には制限されない。
の方法および他の構造により実現されうる。こうして、
ヒ化ガリウム以外の物質から作製され、モノリシック・
バイパス・ダイオードを備えた太陽電池は、本発明の原
理により形成される。そして他の公知の半導体処理技術
、マスキング技術、エツチング技術、拡散技術等は、本
発明の精神と範囲を逸脱することなしに、バイパス・ダ
イオードを用いて、モノリシック太陽電池を製作するた
めに総て使用される。第４図乃至第９図に示されたよう
な基板５４はｎ形ヒ化ガリウムである必要はなく、他の
材料から形成されることに注目すべきである。また、透
明ｎ形物質のウィンドー層６２を省略でき、そしてｎ影
領域６４′を層５８に直接に形成することができる。従
って、本発明は、図面に示されかつ上記で記載された実
施態様に正確には制限されない。
本発明の主なる特徴及び態様は以下のとおりである。
１、電気的に直列に結合された複数のモノリシック保護
太陽電池からなる保護太陽電池システムであって、 各該モノリシック保護太陽電池は、 （ａ）ｎ形ヒ化ガリウム半導体物質の下層と、（ｂ）ｐ
−ｎ接合太陽電池を形成するだめの、該ｎ形層の上に重
なるｐ形ヒ化ガリウム半導体物質の層と、 （ｃ）それぞれ、該ｎ形層および該ｎ形層に結合された
第１及び第２の導電性出力手段と、（ｄ）該ｎ形層に延
びる凹部によって該ｎ形層の小領域をアイソレーション
する手段と、（ｅ）バイパス・ダイオードを形成するた
めの、ｐ形物質の該小領域において該ｎ形層の上に重な
るｎ形半導体物質と、 （ｆ）該バイパス・ダイオードのｎ形物質を該第２の導
電性出力手段に結合する第１のメタライズされた導電性
径路手段と、 （ｇ）該バイパス・ダイオードのｐ形物質をｎ形物質の
該下層に結合する第２のメタライズされた導電性径路手
段と、 からなる保護太陽電池システム。
太陽電池からなる保護太陽電池システムであって、 各該モノリシック保護太陽電池は、 （ａ）ｎ形ヒ化ガリウム半導体物質の下層と、（ｂ）ｐ
−ｎ接合太陽電池を形成するだめの、該ｎ形層の上に重
なるｐ形ヒ化ガリウム半導体物質の層と、 （ｃ）それぞれ、該ｎ形層および該ｎ形層に結合された
第１及び第２の導電性出力手段と、（ｄ）該ｎ形層に延
びる凹部によって該ｎ形層の小領域をアイソレーション
する手段と、（ｅ）バイパス・ダイオードを形成するた
めの、ｐ形物質の該小領域において該ｎ形層の上に重な
るｎ形半導体物質と、 （ｆ）該バイパス・ダイオードのｎ形物質を該第２の導
電性出力手段に結合する第１のメタライズされた導電性
径路手段と、 （ｇ）該バイパス・ダイオードのｐ形物質をｎ形物質の
該下層に結合する第２のメタライズされた導電性径路手
段と、 からなる保護太陽電池システム。
２、ｐ形アルミニューム・ヒ化ガリウムの付加ウィンド
ー層は、ｐ形ヒ化ガリウムの各核層の上に重なり、そし
て上に重なった該ｎ形半導体物質は、該アルミニューム
・ヒ化ガリウムから形成されたｐ層物質の上にある上記
ｌに記載の保護太陽電池シス、テム。
ー層は、ｐ形ヒ化ガリウムの各核層の上に重なり、そし
て上に重なった該ｎ形半導体物質は、該アルミニューム
・ヒ化ガリウムから形成されたｐ層物質の上にある上記
ｌに記載の保護太陽電池シス、テム。
３、各該太陽電池はｎ形ヒ化ガリウムの基板を含む上記
ｌに記載の保護太陽電池システム。
ｌに記載の保護太陽電池システム。
４、各該太陽電池はエピタキシャルに形成される上記ｌ
に記載の保護太陽電池システム。
に記載の保護太陽電池システム。
５、各該太陽電池はｎ形ヒ化ガリウムの核層の下に導電
層を備える上記１に記載の保護太陽電池システム。
層を備える上記１に記載の保護太陽電池システム。
６、該第２のメタライズされた導電性径路の両端部の中
間において、該第２のメタライズされた導電性径路手段
を半導体層から電気的に絶縁するための、各該モノリシ
ック太陽電池の表面において層形状の窒化ケイ素絶縁物
質を含む上記ｌに記載の保護太陽電池システム。
間において、該第２のメタライズされた導電性径路手段
を半導体層から電気的に絶縁するための、各該モノリシ
ック太陽電池の表面において層形状の窒化ケイ素絶縁物
質を含む上記ｌに記載の保護太陽電池システム。
７、（ａ）第１の極性形の半導体物質の第１下層と、
（ｂ）ｐ−ｎ接合太陽電池を形成するための、該第１層
の上に重なる第２の極性形の半導体物質の第２層と、 （ｃ）それぞれ、該第１及び第２半導体層に結合された
第１及び第２の導電性出力手段と、（ｄ）該第１層に延
びる凹部によって該第２層の小領域をアイソレーション
する手段と、（ｅ）バイパス・ダイオードを形成するた
めの、該小領域において該第２層の上に重なる該第１の
極性形の半導体物質と、 （ｆ）該バイパス・ダイオードの該第１の極性形の半導
体物質を該第２の導電性出力手段に結合するメタライズ
された導電性径路手段と、（ｇ）該バイパス・ダイオー
ドの第２の極性形の半導体物質を該下層に結合するメタ
ライズされた導電性手段と、 からなるモノリシック保護太陽電池。
の上に重なる第２の極性形の半導体物質の第２層と、 （ｃ）それぞれ、該第１及び第２半導体層に結合された
第１及び第２の導電性出力手段と、（ｄ）該第１層に延
びる凹部によって該第２層の小領域をアイソレーション
する手段と、（ｅ）バイパス・ダイオードを形成するた
めの、該小領域において該第２層の上に重なる該第１の
極性形の半導体物質と、 （ｆ）該バイパス・ダイオードの該第１の極性形の半導
体物質を該第２の導電性出力手段に結合するメタライズ
された導電性径路手段と、（ｇ）該バイパス・ダイオー
ドの第２の極性形の半導体物質を該下層に結合するメタ
ライズされた導電性手段と、 からなるモノリシック保護太陽電池。
８、該第２の極性形の透明半導体物質の付加的ウィンド
ー層は、半導体物質の該第２層の上に重なる上記７に記
載のモノリシック保護太陽電池。
ー層は、半導体物質の該第２層の上に重なる上記７に記
載のモノリシック保護太陽電池。
９、該太陽電池はエピタキシャルに形成される上記７に
記載のモノリシック保護太陽電池。
記載のモノリシック保護太陽電池。
ＩＯ０Ｏ２Ｏ３性形の半導体物質の第１層を形成する段
階と、 ｐ−ｎ接合太陽電池を形成するための、該第１層の上に
重なる第２の極性形の半導体物質の第２層を形成する段
階と、 該第２層の小領域において該第１の極性形の半導体物質
の付加層を形成する段階と、 該付加層が位置する該小領域の回りに完全に延びかつ該
第１層に延びる凹部を形成するために、半導体物質の該
第２層の一部分を除去することにより、バイパス・ダイ
オードをアイソレーションさせかつ形成する段階と、 該第２層に結合された金属性出力導電手段を与える段階
と、 該バイパス・ダイオードの該付加層から、該凹部の表面
を横切り該金属性出力導電手段に延びる絶縁材料の層を
形成する段階と、 該絶縁材料の上に重なるメタライズされた導電層により
、該バイパス・ダイオードの該付加層を該出力導電手段
に結合する段階と、 メタライズされた導電層により、該バイパス・ダイオー
ドの該第２層を半導体物質の該第１層に結合する段階と
、 からなるモノリシック保護太陽電池を形成する方法。
階と、 ｐ−ｎ接合太陽電池を形成するための、該第１層の上に
重なる第２の極性形の半導体物質の第２層を形成する段
階と、 該第２層の小領域において該第１の極性形の半導体物質
の付加層を形成する段階と、 該付加層が位置する該小領域の回りに完全に延びかつ該
第１層に延びる凹部を形成するために、半導体物質の該
第２層の一部分を除去することにより、バイパス・ダイ
オードをアイソレーションさせかつ形成する段階と、 該第２層に結合された金属性出力導電手段を与える段階
と、 該バイパス・ダイオードの該付加層から、該凹部の表面
を横切り該金属性出力導電手段に延びる絶縁材料の層を
形成する段階と、 該絶縁材料の上に重なるメタライズされた導電層により
、該バイパス・ダイオードの該付加層を該出力導電手段
に結合する段階と、 メタライズされた導電層により、該バイパス・ダイオー
ドの該第２層を半導体物質の該第１層に結合する段階と
、 からなるモノリシック保護太陽電池を形成する方法。
第１図は、直列結合された太陽電池と、関連するバイパ
ス・ダイオードを示す回路図。 第２図は、太陽電池が照射された、本発明の原理を示す
太陽電池及びバイパス・ダイオード配置の概略図。 第３図は、太陽電池が光を遮られたときの電流を示す第
２図に類似する図。 第４図乃至第９図は、本発明の原理を例示し、バイパス
・ダイオードを含むモノリシック保護太陽電池の製作に
おける連続段階を示す図。 第１Ｏ図は、バイパス・ダイオードが拡大して示された
、バイパス・ダイオードを含む太陽電池を示す図。 ２．２６．９２・・・・太陽電池、 ４．３２・・・・バイパス・ダイオード、８．２０．３
８．４０・・・・出力端子、８．３０・・・・太陽電池
ダイオード、４・・・・ダイオード、 ２・・・・下側表面、 ４・・・・基板、 ６・・・・ｎ形ヒ化ガリウム層、 ８・・・・ｐ形ヒ化ガリウム層、 ０・・・・ｐ−ｎ接合部、 ２・・・・ｐ形アルミニューム・ヒ化ガリウム層、４・
・・・ｎ形ヒ化ガリウムの付加層、６．７８・・・・金
属接触パッド、 ２・・・・絶縁層、 ４・・・・導電径路、 ６・・・・出力導体、 ８・・・・バイパス・ダイオードを含む小領域、８．１
００・・・・導体。
ス・ダイオードを示す回路図。 第２図は、太陽電池が照射された、本発明の原理を示す
太陽電池及びバイパス・ダイオード配置の概略図。 第３図は、太陽電池が光を遮られたときの電流を示す第
２図に類似する図。 第４図乃至第９図は、本発明の原理を例示し、バイパス
・ダイオードを含むモノリシック保護太陽電池の製作に
おける連続段階を示す図。 第１Ｏ図は、バイパス・ダイオードが拡大して示された
、バイパス・ダイオードを含む太陽電池を示す図。 ２．２６．９２・・・・太陽電池、 ４．３２・・・・バイパス・ダイオード、８．２０．３
８．４０・・・・出力端子、８．３０・・・・太陽電池
ダイオード、４・・・・ダイオード、 ２・・・・下側表面、 ４・・・・基板、 ６・・・・ｎ形ヒ化ガリウム層、 ８・・・・ｐ形ヒ化ガリウム層、 ０・・・・ｐ−ｎ接合部、 ２・・・・ｐ形アルミニューム・ヒ化ガリウム層、４・
・・・ｎ形ヒ化ガリウムの付加層、６．７８・・・・金
属接触パッド、 ２・・・・絶縁層、 ４・・・・導電径路、 ６・・・・出力導体、 ８・・・・バイパス・ダイオードを含む小領域、８．１
００・・・・導体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、電気的に直列に結合された複数のモノリシック保護
太陽電池からなる保護太陽電池システムであって、 各該モノリシック保護太陽電池は、 （ａ）ｎ形ヒ化ガリウム半導体物質の下層と、（ｂ）ｐ
−ｎ接合太陽電池を形成するための、該ｎ形層の上に重
なるｐ形ヒ化ガリウム半導体物質の層と、 （ｃ）それぞれ、該ｎ形層および該ｐ形層に結合された
第１及び第２の導電性出力手段と、 （ｄ）該ｎ形層に延びる凹部によって該ｐ形層の小領域
をアイソレーションする手段と、 （ｅ）バイパス・ダイオードを形成するための、ｐ形物
質の該小領域において該ｐ形層の上に重なるｎ形半導体
物質と、 （ｆ）該バイパス・ダイオードのｎ形物質を該第２の導
電性出力手段に結合する第１のメタライズされた導電性
径路手段と、 （ｇ）該バイパス・ダイオードのｐ形物質をｎ形物質の
該下層に結合する第２のメタライズされた導電性径路手
段と、 からなる保護太陽電池システム。 ２、（ａ）第１の極性形の半導体物質の第１下層と、 （ｂ）ｐ−ｎ接合太陽電池を形成するための、該第１層
の上に重なる第２の極性形の半導体物質の第２層と、 （ｃ）それぞれ、該第１及び第２半導体層に結合された
第１及び第２の導電性出力手段と、 （ｄ）該第１層に延びる凹部によって該第２層の小領域
をアイソレーションする手段と、 （ｅ）バイパス・ダイオードを形成するための、該小領
域において該第２層の上に重なる該第１の極性形の半導
体物質と、 （ｆ）該バイパス・ダイオードの該第１の極性形の半導
体物質を該第２の導電性出力手段に結合するメタライズ
された導電性径路手段と、 （ｇ）該バイパス・ダイオードの第２の極性形の半導体
物質を該下層に結合するメタライズされた導電性手段と
、 からなるモノリシック保護太陽電池。 ３、第１の極性形の半導体物質の第１層を形成する段階
と、 ｐ−ｎ接合太陽電池を形成するための、該第１層の上に
重なる第２の極性形の半導体物質の第２層を形成する段
階と、 該第２層の小領域において該第１の極性形の半導体物質
の付加層を形成する段階と、 該付加層が位置する該小領域の回りに完全に延びかつ該
第１層に延びる凹部を形成するために、半導体物質の該
第２層の一部分を除去することにより、バイパス・ダイ
オードをアイソレーションさせかつ形成する段階と、 該第２層に結合された金属性出力導電手段を与える段階
と、 該バイパス・ダイオードの該付加層から、該凹部の表面
を横切り該金属性出力導電手段に延びる絶縁材料の層を
形成する段階と、 該絶縁材料の上に重なるメタライズされた導電層により
、該バイパス・ダイオードの該付加層を該出力導電手段
に結合する段階と、 メタライズされた導電層により、該バイパス・ダイオー
ドの該第２層を半導体物質の該第１層に結合する段階と
、 からなるモノリシック保護太陽電池を形成する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/083,529 US4759803A (en) | 1987-08-07 | 1987-08-07 | Monolithic solar cell and bypass diode system |
| US83529 | 1987-08-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0290573A true JPH0290573A (ja) | 1990-03-30 |
Family
ID=22178919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63194704A Pending JPH0290573A (ja) | 1987-08-07 | 1988-08-05 | モノリシツク太陽電池及びバイパス・ダイオード・システム |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4759803A (ja) |
| JP (1) | JPH0290573A (ja) |
| DE (1) | DE3826721A1 (ja) |
| FR (1) | FR2619248B1 (ja) |
| GB (1) | GB2208036B (ja) |
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| JP2016541105A (ja) * | 2013-12-20 | 2016-12-28 | サンパワー コーポレイション | 内蔵バイパスダイオード |
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