JPH02135786A - 太陽電池セル - Google Patents

太陽電池セル

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JPH02135786A
JPH02135786A JP63290990A JP29099088A JPH02135786A JP H02135786 A JPH02135786 A JP H02135786A JP 63290990 A JP63290990 A JP 63290990A JP 29099088 A JP29099088 A JP 29099088A JP H02135786 A JPH02135786 A JP H02135786A
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layer
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electrode
semiconductor layer
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Shigeru Kitabi
北陽 滋
Takao Oda
織田 隆雄
Hideo Matsumoto
松本 秀雄
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は太陽電池セルに関し、特に、複数個の太陽電池
セルを直列接続して光発電に使用する際に、太陽電池セ
ルが一部影になった時に発生する太陽電池セルの逆電圧
破壊を防止できるとともに太陽電池モジュールの出力低
下を最小限にとどめることのできる太陽電池セルに関す
るものである。
〔従来の技術〕
太陽電池セルは、基本的には1つのp−n接合を有する
ダイオードである。そして、太陽電池セルを実際に発電
用として使用する際には、個々の素子の発電電圧が低い
ために複数個のセルを直列に接続し、全体の発生電圧が
所定の電圧になるようにして使用していた。しかし、こ
のような状態で、直列接続されたセルの一部が影になっ
た場合、影になったセルには、直列接続された他のセル
が発生する電圧が、太陽電池セルをダイオードとして見
た場合の逆方向電圧として印加されることになり、この
場合この影になったセルが電流を阻止するようになるた
め、太陽電池モジュールとしての出力は大幅に低下する
。さらには、この時に太陽電池セルの逆方向耐量が小さ
いと、破壊現象が起こり太陽電池セルとしての機能を低
下、若しくは消滅せしめることになる。
これを防止するためには、太陽電池セルの逆方向耐圧を
高めるか、若しくは直列段数の発生電圧が1セルの逆阻
止能力を越えない範囲毎に、太陽電池セルの接合と逆並
列に別途ダイオードを挿入し、素子に加えられる逆方向
電圧をバイパスする方法がある。
ここでまず、太陽電池セルの逆方向耐圧を高めることは
、ベース層の不純物濃度を下げることにより実現される
が、一般的に、太陽電池セルは浅いp−n接合が必要で
あり、特に宇宙用太陽電池セルでは短波長感度を高める
ためにp−n接合の深さは0.3〜0.5μm以下にす
る必要がある。
しかし、数百Vの逆耐圧を得るに必要な不純物濃度を有
するベース層に対して、このようなp−n接合を拡散に
よって実現することは、実験的には可能であっても量産
的には困難である。さらに、GaAs太陽電池セルにお
いては、結晶成長過程で02等の不純物が混入すること
等により低不純物濃度のベース層を形成することは困難
であり、得られる逆耐圧はせいぜい数十Vである。この
ように、太陽電池セルの逆耐圧を高めることには限度が
あり、充電圧発電システムでの使用は困難であった。
また、上述のように太陽電池セルの接合と逆並列にダイ
オードを挿入し、素子に加えられる逆方向電圧をバイパ
スする方法は、システムとしては有効な方法であるが、
外部逆並列ダイオードのためのスペースが必要になるば
かりでなく、ダイオード接続によるコストアップにもつ
ながり、さらには部品数の増加によりシステムの信頼性
が低下することになる。特に、高信頼性を要求される宇
宙用等では、これは大きな問題である。
そこで、他の方法として、太陽電池セル中に逆並列接続
された独立したダイオードを組み込んで形成することに
より、上述の外1部逆並列ダイオード挿入と同様の効果
を得る方法がある。そしてこのようにバイパスダイオー
ドを単体で内蔵するためには、一般的に太陽電池のn(
1))層とバイパスダイオードのn (p)層とを電気
的に分離し、絶縁基板上に分離された2つの太陽電池構
造(p−n接合)を形成し、一方を太陽電池機能部、他
方をバイパスダイオード部として作用させることが考え
られている。例えば、第3図〜第5図は特開昭57−2
04180号公報に示されたこのような構造の太陽電池
素子を示す図であり、第1図は太陽電池の平面図、第2
図及び第3図は第1図のa−a゛線及びb−b’線の断
面図を示す。これら各図において、1はGaAs等の半
絶縁性基板であり、基板1上にはより広い一方の側にn
形のGaAs層2.  p形のGaAs層3.及びp形
のAI  GaA s 184が、また、より狭い他方
の側にn形のGaAs層5.  p形のGaAs層6.
及びp形のAJ  GaAs層7がそれぞれ形成されて
おり、n形GaAs層2ないしp形AI GaAs層4
により太陽電池を、n形GaAs層5ないしp形AlG
aAs層7により逆電圧防止ダイオードを構成している
。8は反射防止膜を兼ねた絶縁膜である。
そして、正側電極9によりp形AlGaAs層4とn形
GaAs層5が、負側電極10によってn形GaAs層
2とp形AI GaAs層7とが接続されている。
従って上記構成では、通常状態において、太陽電池を形
成しているn形GaAs層2に負の電位、p形GaAs
層3に正の電位を発生するが、n形GaAs層5とp形
GaAs層6で形成されたダイオードに対しては逆方向
となるために、このダイオードは太陽電池の動作に影響
することはなく、また、この状態で太陽電池に逆方向の
電圧、即ち、n形GaAs層2に正の電圧、p形GaA
s層3に負の電圧が印加されると、n形GaAs層5と
p形GaAs層6で形成されたダイオードにとってはそ
のn形GaAs層6が負の電圧、p形GaAs層7が正
の電圧となって順方向となり、太陽電池のn形GaAs
層2.  I)形GaAs層3にはダイオードの順方向
電圧降下分の電圧しか加わらず、結果的に太陽電池は逆
方向電圧に対してダイオードより保護されることとなる
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、このような第3図ないし第5図に示す構
造の太陽電池セルの場合、基板1として半絶縁性基板を
用いているため、太陽電池機能部の受光面とは反対の電
極を基板裏面に形成することができず、絶縁基板上に形
成されたn型GaAs層2の一部を受光面の一部に露出
させ、その上にn電極10を形成する必要がある。この
ために大面積太陽電池セルの場合等には特に、n型Ga
As層2の横方向抵抗により太陽電池の内部直列抵抗が
増大し、変換効率が低下することになる。
さらには、受光面の一部にn電極2を形成することによ
り、有効受光面積が減少して変換効率が低下することと
なる。また、0層2の一部を受光面の一部に露出させる
ためには、9層3のウェットエッチ等による選択的除去
に際してエツチング深さを厳密に制御しなければならな
いが、このように9層3と0層2とが同一材料で形成さ
れている場合には呈ッチングの深さの厳密な制御は非常
に困難であった。さらに太陽電池セルを複数個直列に接
続して使用する際には、表電極と外部コネクターとの溶
接箇所にかなり大きな入熱がかかり、部分的には500
℃以上にも達することがある。
しかしながら、G a A s太陽電池の場合では太陽
電池セル機能部のp−n接合の深さは上述のように0.
5μm程度が限度であり、入熱によりp−n接合がダメ
ージを受けて特性が劣化したり、GaAsのクラックの
発生が起き易いなどの問題点があり、溶接条件上の制約
が多かった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、同一半導体基板内に逆並列ダイオードを内
蔵するとともに、逆並列ダイオードの起電力発生を防止
でき、高効率の太陽電池セルを簡単なプロセスにより実
現し得る太陽電池セルを提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る太陽電池セルは、第1導電型の半導体基
板の太陽電池機能部形成面側の一部に、逆並列ダイオー
ドとして第2導電形の第1半導体層を形成した後、逆並
列ダイオード部を除いた基板表面に第2導電型の第2半
導体層、第1導電型の第3半導体層を順次形成して太陽
電池機能部を形成する。このとき、半導体基板表面と太
陽電池機能部とのp−n接合を逆方向電圧阻止能がほと
んど無い接合とする。さらに逆並列ダイオード部全面を
覆うように第3半導体層と第1半導体層を電気的に接続
する表面層電極金属層を形成するとともに、基板裏面に
他方の電極を形成するようにしたものである。
〔作用〕
本発明の太陽電池セルにおいては、逆並列ダイオード部
を表面層電極金属層で覆うようにしたので、逆並列ダイ
オードの接合部分に到達可能な光発電に寄与する波長の
光を完全に遮断することができ、逆導通太陽電池セルに
於ける逆並列ダイオードの起電力発生の防止が可能とな
る。また、直列接続された太陽電池セルの一部が影にな
った場合には、逆並列ダイオード部が順バイアスされる
ので、太陽電池セルとして本来の機能を有するp−n接
合に逆電圧が印加されるのを防止できる。
また、逆並列ダイオードは、基板内にp−n接合を配す
ることによる電気的な分離により形成したので、逆並列
ダイオード作成の工程を大幅に簡略化できる。また、さ
らには逆並列ダイオード上の電極部は外部コネクター溶
接箇所に使用でき、有効受光面積の減少を防止できる。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例をGaAs/Ge太陽電池セル
を例にとって説明する。
第1図は本発明の一実施例による太陽電池セルの断面構
造を示す図であり、図において、100はp形Ge層、
102はp形Ge層100の主表面に形成されたn形G
e層、201はn形GaAS高濃度不純物層、202は
格子整合層、203はn形GaAs層、204はp形G
aAs層、205はAI  GaAsF3!、301は
選択拡散用マスク、302は反射防止膜、401は太陽
電池セルルミ極、402は太陽電池セルルミ極(溶接電
極)、403は太陽電池セルn電極である。
また、第2図(a)〜(8)は第1図の太陽電池セルの
製造方法を示す工程断面図であり、以下、図に従って製
造方法を説明する。
まず、第2図a)に示すように、100〜300μmの
基板厚を有するn形Ge基板100の両面に、選択拡散
用マスクとしてCVD法(ChemicalVapor
 Deposition ;化学蒸着法)により約10
0OAの膜厚に窒化珪素膜301を形成する。ここで、
基板の不純物表面濃度は後に形成するn形GaAs高濃
度不純物層とのオーミックコンタクトをとりやすくする
ために、少なくとも1×1017C11−3以上、望ま
しくは約1×10目C諺−3程度としておく。すなわぢ
、不純物濃度がI X 10 l7cm−3以下の基板
を用いる場合は、予め基板のp形の表面の太陽電池機能
部を形成する領域の所定の部分にB(ボロン)の拡散に
より高濃度p形層を形成しておく必要がある。
その後、第2図(b)に示すように写真製版技術により
所定の部分の窒化珪素膜301を除去し、この窓を通し
てP(リン)の拡散を行い、n形Ge層102を形成す
る。
次に、第2図(c)に示すように表面側(受光面側)の
窒化珪素膜301を除去した後1. G a A s太
陽電池としての機能を持つp−n接合を形成するために
、M O−CV D (Metal Organic 
Chemical Vapor Deposjtlon
 :有機金属化学蒸着)法、 MBE (Molecu
lar Beam Epltaxy;分子線エピタキシ
ー)法等により100〜100OAの層厚のn形の高不
純物GaAs層201、AlGaAs層とGaAsF3
とを各膜厚100Aで交互に積層した超格子層からなる
格子整合層202、層厚3〜5μmのn形GaAs層2
03、層厚0.3〜0゜5μmのp形GaAs層204
.及び層厚0. 1μm以下のp形AlxGat+−x
+ AS層(x=0゜8〜0.9)205を順次形成す
る。この時、n形高不純物GaAs層201の不純物濃
度は約1X I O”cs+−3以上とすることが望ま
しい。更に、少なくともGe基板表面のp−n接合部分
を含む、エピタキシャル成長層の所定部分をエツチング
によって除去し、太陽電池機能部及び逆並列ダイオード
部を分離独立させる。
次いで、第2図(d)に示すように反射防止膜及びメタ
ル配線用絶縁膜としての窒化珪素ff!l302を形成
する。
その後、第2図(e)に示すように表裏両面の所定の場
所の窒化珪素膜302及びp型AlGaAs層205を
写真製版技術により除去し、逆並列ダイオード及び太陽
電池機能部の所定箇所にスパッタ又は蒸着により電極金
属層を形成する。即ち、太陽電池の表電極401はp形
GaAs層204及びn形Ge層102をつなぐように
形成し、裏面電極403はp形Ge基板の裏面全面に形
成する。この時、表電極は少なくともGe基板100表
面のp−n接合部分及びn形Ge層102を含む部分を
完全に覆うように形成する。さらに、本太陽電池セルを
人工衛星の電源用等の宇宙用として用いる場合は、太陽
電池セルの電極と外部コネクターとの接続はパラレルギ
ャップ等の溶接によることが多いので、その際には、表
電極は外部接続コネクターとの溶接箇所として使用する
ために、5ml11×10111111程度の面積が必
要であり、n形Ge層102上の電極401はこれを満
たすようにパターン設計するとよい。
次に動作について説明する。
以上のような構造の太陽電池セルにおいては、受光面に
光を受けた時は、p形G a A s Et 204及
びn形GaAs層203の間に光起電力が発生し、陽電
極401を正に、陰電極403を負とする電池として動
作する。また、p形Ge層100とn形Ge、1ffl
102により形成されるp−n接合の逆並列ダイオード
は太陽電池セルの本来の発電方向とは逆方向の発電機能
があるが、全面が電極金属402に覆われており、入射
光は電極金属によって遮蔽されるため逆方向に発電して
太陽電池セル性能を疎外することはない。また、外部接
続電極401,403を介して直列接続された太陽電池
セルモジュールに於いて、一部の太陽電池セルが影にな
ると逆電圧が印加され、陽電極401が負、陰電極40
3が正にバイアスされるが、このときは逆並列ダイオー
ド部が順バイアスされることとなり、陰電極403から
逆並列ダイオード部を介して陽電極401へ電流が流れ
る。従って、太陽電池セルとして本来の発電機能を有す
るp−n接合には逆電圧が印加されるととはない。
上述のように、本発明による太陽電池セルは、逆方向導
通能力を有するので、逆方向電圧によって素子が破壊さ
れることはなく、また、外部にダイオードを挿入する必
要がないことから、システムとしての部品数を増加しな
くてもよい― また、逆並列ダイオードは基板にp−n
接合を形成するだけで、その後の選択エツチングにより
独立させられるため、工程を簡略化することができる。
さらに、太陽電池セル表電極401の外部コネクターと
の溶接時には、n形Ge層102上への電極を溶接箇所
とすることにより、太陽電池セル機能部のp−n接合へ
のダメージやGaAsのクラックを完全に防止すること
ができる。また、電極金属の半導体基板への密着強度は
、絶縁膜上よりも優れており、n形Ge層102上の電
極は優れた溶接電極となるとともに、n形Ge層102
上にある程度面積が必要な溶接用電極を形成することに
より、受光面にバイパスダイオードを形成することに起
因する仔効受光面積の減少を押さえることが可能となる
なお、上記実施例では、p  on  n形GaAs/
Ge太陽電池セルを例にあげたが、本発明はこれに限ら
す亀 p  on  n、n  On  pを問わず、
GaAs/Si太陽電池セル等その他いずれの太陽電池
セルにも適用し得ることは言うまでもない。
また、上記実施例の製造方法によれば、I)  n接合
を含む太陽電池機能部を基板全面に形成し、その後エツ
チングによって逆並列ダイオード部を除去しているが、
太陽電池セ能部形成前にGe基板表面のp−n接合部分
及びn (p)形Ge層を含む所定の部分に窒化珪素膜
の如きエピタキシャル成長阻害層を形成した後、p−n
接合を含む層を成長形成することにより最初から独立し
た、太陽電池機能部を形成することも可能である。
〔発明の効果〕
以上のように本発明による太陽電池セルにおいては、半
導体基板の太陽電池機能部形成面側の一部に基板とは反
対の導電形の半導体層を設けてバイパスダイオードを形
成し、バイパスダイオード形成領域を除く基板上に太陽
電池機能部を形成し、このとき、半導体基板表面と太陽
電池機能部とのp−n接合を逆方向電圧阻止能がほとん
ど無い接合とし、さらに太陽電池機能部表面半導体層と
バイパスダイオード部とを電気的につなぐように一方の
電極を形成し、この表面電極金属層によってバイパスダ
イオード部全面を覆い、さらに基板の裏面に他方の電極
を形成するようにしたので、逆並列ダイオードの接合部
分に到達可能な光発電に寄与する波長の光を完全に遮断
することができ、逆導通太陽電池セルに於ける逆並列ダ
イオードの起電力発生の防止が可能となり、また、直列
接続された太陽電池セルの一部が影になった場合には逆
並列ダイオード部が順バイアスされるので、太陽電池セ
ルとして本来の機能を有するp−n接合に逆電圧が印加
されるのを防止できる。また、外部にダイオードを挿入
する必要がないことから、システムとしての部品数を増
加する必要がなくなるとともに、逆並列ダイオードは太
陽電池セ能部形成時に同時に形成してその後の選択エツ
チングによって独立させるようにしたため、工程を簡略
化することができる。また、さらには太陽電池セル表電
極を外部コネクターに溶接する際には、逆並列ダイオー
ド部上の電極を溶接箇所とすることにより、太陽電池セ
ル機能部のp−n接合へのダメージやクラックを完全に
防止することができるとともに、受光面にバイパスダイ
オードを形成したことに起因する有効受光面積の減少を
最小限に抑えられる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の太陽電池セルの断面構造を示す図、第
2図(a)〜(e)は本発明の一実施例にょる太陽電池
セルの各製造工程の概略を示す断面図、第3図は従来の
太陽電池セルの構造を示す平面図、第4図は第3図のa
−a’線断面図、第5図は第3図のb−b’線断面図で
ある。 図中、100・・・p形Ge層(第1の導電形を有する
半導体基板)、102・・・n形Ge層(第2の導電形
を有する第1の半導体層)、201・・・n形GaAs
高濃度不純物層、202・・・格子整合層、203・・
・n形GaAs層(第1の導電形を有する第2の半導体
層)204・・・p形GaAs層(第2の導電形を有す
る第3の半導体層)、205・・・p形AlGaAs層
、301・・・選択拡散用マスク、302・・・反射防
止膜、401・・・太陽電池セルルミ極、402・・・
太陽電池セルルミ極(溶接電極)、403・・・太陽電
池セルn電極。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)相対向する2つの主平面を有する第1導電型の半導
    体基板と、 該半導体基板の第1の主面の一部に形成された第2導電
    型の第1の半導体層と、 該第1の半導体層形成領域を除く上記半導体基板の第1
    の主面上に形成され、上記半導体基板とのp−n接合が
    逆方向電圧阻止能のほとんどない接合である第2導電型
    の第2の半導体層と、該第2の半導体層上に形成された
    第1導電型の第3の半導体層と、 上記第1の半導体層上を覆うように設けられ、上記第3
    の半導体層と上記第1の半導体層とを接続する一方の電
    極と、 上記半導体基板の第2の主面に形成された他方の電極と
    を備えたことを特徴とする太陽電池セル。 2)上記半導体基板の第1の主面に形成された一方の電
    極のうち、上記第1の半導体層上に形成された領域を外
    部コネクター接続箇所とすることを特徴とする請求項1
    記載の太陽電池セル。
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