JPS6144448A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6144448A
JPS6144448A JP60043891A JP4389185A JPS6144448A JP S6144448 A JPS6144448 A JP S6144448A JP 60043891 A JP60043891 A JP 60043891A JP 4389185 A JP4389185 A JP 4389185A JP S6144448 A JPS6144448 A JP S6144448A
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JP
Japan
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lead
whisker
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contact
electrode
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JP60043891A
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English (en)
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JPS6149816B2 (ja
Inventor
Toshiyuki Shikanaka
鹿中　利行
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12032—Schottky diode

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は単一能動領域を有する半導体基板の表面に４体
金属の盛り上げ等に工抄凸状Ｏ電極を形成、された構造
を有するダイオードに関するものでｋる。
従来、この種のダイオードは、能動領域部分を覆うよう
にメッキ等により凸状の電極を形成し、その部分にリボ
ン状の金属接続体く以下ウィスカリードと呼ぶ）を接触
させ、ガラス等で封止した構造が一般的である。第１図
は従来構造を示す断面図で、１は封止ガラス、２はウィ
スカリード、３は半導体基板、４はヘッダをそれぞれ示
す。
そこで、ウィスカリード２と半導体基板３との接触部を
拡大してみるならば、第２図に示すように、半導体基板
３の表面に能動領域５を覆うようにして凸状電極６が形
成されており、ウィスカリード２と電極６がウィスカリ
ード２から圧力を伴りて接触している。
この構造を有するダイオードではガラス封止すゐ際に１
クイスカリードを伝わって能動領域部に熱が加えられ、
或いはウィスカリードよりの圧力が直接能動領域に加え
られるため、電気的特性を労、化させる欠点は免れ得な
かった。
本発」玉これらの欠点を解決す゛るため、半導体基板の
能動領域以外の位置に引き出し電極を介して凸状の電極
を形成したものである。
次に図面を参照して説明する。第３図（ａ）及び（ｂ）
は本発明の一実施例を示すショットキ・バリア・ダイオ
ードの断面図及び基板表面図で、ウィスカリード２はシ
ョットキ・バリア形成用金属と引き出し電極用金属の２
層構造からなる金ｊ！Ａ７のうち、酸化膜８上に位置す
る部分く形成された凸形電極６＆〜６ｄと接触している
。上記ウィスカリードは例えば厚さ約８０μ、　Ｍ。
ＫＡｕメ、キをしたものが用いられる。
本発明によれば、能動領域以外の位置く凸形電極が形成
されウィスカリードと接触されているため、ウィスカリ
ードよりの圧力が直接能動領域に加えられることがない
。又、能動領域とウィスカリードの間に空間を有してい
るため、封止時の能動領域への熱の伝導は従来構造のも
のより少なくなる。
以上説明し木工うに１従来構造のものと比較して能動領
域ベクィスカリードより直接圧力と熱が加えられにくい
ため、製造歩留りは著しく向上する。
なお、上記実施例では引き出し電極７は能動領域５から
縦横十文字に引き出され、そのそれぞれの端部に凸形電
極６ｍ、６ｂ、６ｅ、６ｄを形成した場合について説明
したが、引き出し電極及び凸形電極の形状は必要に応じ
て適宜変更してもかまわないことは勿論である。例えば
、引き出し電極の数を増減することも自由であるし、ま
た凸形電極をリング状にしてもかまわないＯ
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の封止したダイオードを示す断面図、第２
図はウィスカリードと電極の接触部を示す拡大断面図、
第３図（＆）及び（ｂ）はそれぞれ本発明の一実施例を
示す断面図及び基板の平面図である。 １・・・封止ガラス、　　　　２・・・ウィスカリード
３・・・半導体基板、　　　４・・・へ、ダ。 ５・・・能動領域、　　　　６・・・凸形電極。 ７・・・引き出し電極、　　　８・・・酸化膜。 ζ 代理人　弁理士　　内　原　　、・省 ゝ・ざ゛ 第１臼

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 能動部を表面に有する半導体基板と、該能動部の少なく
    とも１部を露出して半導体基板表面上をおおう絶縁被膜
    と、前記能動部と接して前記絶縁被膜上に延在する電極
    配線と、該電極配線の前記絶縁被膜上の部分に形成され
    た突起電極と、該突起電極に圧力をともなつて接触する
    外部リード接続用金属接続体とを有し、前記突起電極は
    複数個有し、それぞれ前記能動部から離して分配配置さ
    れていることを特徴とする半導体装置。
JP60043891A 1985-03-06 1985-03-06 半導体装置 Granted JPS6144448A (ja)

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JPS6144448A true JPS6144448A (ja) 1986-03-04
JPS6149816B2 JPS6149816B2 (ja) 1986-10-31

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Cited By (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02308752A (ja) * 1989-05-23 1990-12-21 Nakagawa Tekkosho:Kk 凍結魚体の表面処理方法

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JPS5924282A (ja) * 1982-07-31 1984-02-07 Anritsu Corp 金属検出装置

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4931507U (ja) * 1972-06-19 1974-03-19

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JPH0523731B2 (ja) * 1989-05-23 1993-04-05 Nakagawa Tekkosho

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JPS6149816B2 (ja) 1986-10-31

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