JPS59195880A - アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 - Google Patents
アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法Info
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- JPS59195880A JPS59195880A JP58070514A JP7051483A JPS59195880A JP S59195880 A JPS59195880 A JP S59195880A JP 58070514 A JP58070514 A JP 58070514A JP 7051483 A JP7051483 A JP 7051483A JP S59195880 A JPS59195880 A JP S59195880A
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Links
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は共通透明基板上に透明電極、アモルファスシリ
コン（以下ａ −Ｓ ｉと記す）層、金属電極を順次積
層して複数の太陽電池素子を構成し、各素子を直列接続
するために一つの素子の金属電極の端部が隣接素子の透
明電極の端部と接触せしめられる太陽電池を製造する際
に、金属電極のパターンを金属層のエツチングにより形
成するようなａ−８ｉ太陽電池の製造方法に関する。
コン（以下ａ −Ｓ ｉと記す）層、金属電極を順次積
層して複数の太陽電池素子を構成し、各素子を直列接続
するために一つの素子の金属電極の端部が隣接素子の透
明電極の端部と接触せしめられる太陽電池を製造する際
に、金属電極のパターンを金属層のエツチングにより形
成するようなａ−８ｉ太陽電池の製造方法に関する。
第１図およびそのＡ −Ａ／線断面図である第２図は従
来のそのような太陽電池の構造を示し、透明絶縁基板、
例えばガラス板１の上に、例えばＩＴＯなどの透明導電
膜からなる透明電極２が分離された複数の区域に被着し
、その上に点を打って示したａ −Ｓ ｉ層３が透明電
極２の一部分２１を露出させるように形成され、さらに
その上に斜線で示した金属電極４が積層されている。金
属電極４は金属を全面に蒸着し、エツチングによってａ
−８ｉ層３を挾んで透明電極２と対向すると共に端部４
１が透明電極２の露出部２１と重なるようなパターンに
形成する。しかしこの場合エツチング液が透明電極の露
出部２１１こ触れるので、エツチングによる水素還元作
用および金属と透明導電膜との間の電池効果により透明
電極２が金属電極４と共にエツチングされてしまい、透
明導電膜が劣化したり、所望の形状の透明電極が得られ
なくなる。
来のそのような太陽電池の構造を示し、透明絶縁基板、
例えばガラス板１の上に、例えばＩＴＯなどの透明導電
膜からなる透明電極２が分離された複数の区域に被着し
、その上に点を打って示したａ −Ｓ ｉ層３が透明電
極２の一部分２１を露出させるように形成され、さらに
その上に斜線で示した金属電極４が積層されている。金
属電極４は金属を全面に蒸着し、エツチングによってａ
−８ｉ層３を挾んで透明電極２と対向すると共に端部４
１が透明電極２の露出部２１と重なるようなパターンに
形成する。しかしこの場合エツチング液が透明電極の露
出部２１１こ触れるので、エツチングによる水素還元作
用および金属と透明導電膜との間の電池効果により透明
電極２が金属電極４と共にエツチングされてしまい、透
明導電膜が劣化したり、所望の形状の透明電極が得られ
なくなる。
本発明は上−（の欠点を除き、上側に積層された金属電
極パターン形成のためのエツチング時に下側に存在する
透明電極が俊敏されないようなａ−８ｉ太陽電池の製造
方法を提供することを目的とする。
極パターン形成のためのエツチング時に下側に存在する
透明電極が俊敏されないようなａ−８ｉ太陽電池の製造
方法を提供することを目的とする。
本発明は冒頭に述べたような太陽電池の製造方法におい
て、金属電極パターン形成のためのエツチング時に透明
電極がａ −Ｓ ｉ層あるいは形成されるべき金属電極
領域によって包われでいるこきにより、エツチング液が
透明電極に触れないようにして上述の目的を達成する。
て、金属電極パターン形成のためのエツチング時に透明
電極がａ −Ｓ ｉ層あるいは形成されるべき金属電極
領域によって包われでいるこきにより、エツチング液が
透明電極に触れないようにして上述の目的を達成する。
本発明の一実施例を示す第３図およびそのＢ−Ｂ′線断
面図である第４図において、第１図および第２図の従来
例と異なる点は金属電極４の端部４１の面積が大きくさ
れ、ａ−８ｉ層３の縁部まで延びて透明電極の端部２１
を完全に覆っている。さらに端に配置された素子の透明
電極の端部２２の上にもａ−８ｉＪｉｉ３の上まで達す
る金属層４２が設けられている。従って金属を全面に蒸
着した後、このような金属電極４のパターンおよび金属
層４２をエツチングで形成する際には、エツチング液が
透明導電膜に触れることがない。金属層４２はこの太陽
電池の端子として用いられる。
面図である第４図において、第１図および第２図の従来
例と異なる点は金属電極４の端部４１の面積が大きくさ
れ、ａ−８ｉ層３の縁部まで延びて透明電極の端部２１
を完全に覆っている。さらに端に配置された素子の透明
電極の端部２２の上にもａ−８ｉＪｉｉ３の上まで達す
る金属層４２が設けられている。従って金属を全面に蒸
着した後、このような金属電極４のパターンおよび金属
層４２をエツチングで形成する際には、エツチング液が
透明導電膜に触れることがない。金属層４２はこの太陽
電池の端子として用いられる。
第５図およＱ・そのＣ−Ｃ／線断面図である第６図は別
の実施例であり、この場合はａ −Ｓ ｉ層３の面積を
大きくして金属電極の端部４１の下まで延び、金属電極
の端部４１と共に透明電極の端部２１を覆っている。ま
た端の素子の透明電極の端部２２の上をａ−８ｉ ％
３１が覆っている。従って金属電極パターン形成時には
エツチング液が透明導電膜に触れることがなく、透明電
極がいためられることがない。なお端の素子の透明電極
の端部２２の上のハツチングして示したａ−８ｉ層３１
は後の工程でエツチングに′より除かれ、透明電極の端
部２２を端子として役立てる。このａ−ｓｒ）−３１の
エツチングは金属電極４を適当なマスクで覆って行えば
、金属と透明導電膜との間の電池効果が無いため透明電
極の損傷は少ない。
の実施例であり、この場合はａ −Ｓ ｉ層３の面積を
大きくして金属電極の端部４１の下まで延び、金属電極
の端部４１と共に透明電極の端部２１を覆っている。ま
た端の素子の透明電極の端部２２の上をａ−８ｉ ％
３１が覆っている。従って金属電極パターン形成時には
エツチング液が透明導電膜に触れることがなく、透明電
極がいためられることがない。なお端の素子の透明電極
の端部２２の上のハツチングして示したａ−８ｉ層３１
は後の工程でエツチングに′より除かれ、透明電極の端
部２２を端子として役立てる。このａ−ｓｒ）−３１の
エツチングは金属電極４を適当なマスクで覆って行えば
、金属と透明導電膜との間の電池効果が無いため透明電
極の損傷は少ない。
これらの実施例においては一つのａ−８ｉ層３の領域に
一つの素子の金属電極４と隣接素子の金属電極端部４１
が接触することになるが、両電極間に存在するａ−８ｉ
層のシート抵抗が高いので隣接素子間が短絡されること
はない。
一つの素子の金属電極４と隣接素子の金属電極端部４１
が接触することになるが、両電極間に存在するａ−８ｉ
層のシート抵抗が高いので隣接素子間が短絡されること
はない。
以上述べたように、本発明に基づ（ａ−８ｉ太陽電池の
製造方法ｌこおいては金属電極のパターニングのための
エツチング時にエツチング液が透明電極を構成する透明
導電膜に触れないようにａ −８ｉ層あるいは金属層で
覆うので、エツチング液による透明電極の劣化が防止で
き、 ａ−８ｔ太陽電池の安定した製造が可能になり
、得られる効果は極めて大きい。
製造方法ｌこおいては金属電極のパターニングのための
エツチング時にエツチング液が透明電極を構成する透明
導電膜に触れないようにａ −８ｉ層あるいは金属層で
覆うので、エツチング液による透明電極の劣化が防止で
き、 ａ−８ｔ太陽電池の安定した製造が可能になり
、得られる効果は極めて大きい。
第１図は従来のａ −Ｓ ｉ太陽電池の部分平面図、第
２図はそのＡ −Ａ／線断面図、第３図は本発明の一実
施例の部分平面図、第４図はそのＢ −Ｂ／線断面図、
第５図は別の実施例の部分平面図、第６図はそのＣ−Ｃ
／線断面図である。 １・・・ガラス板、２，２１・・・透明電極、３，３１
・・・ａ −Ｓ ｉ層、４．４１・・・金属電極。 第５図 慈２図 第４図 第６図
２図はそのＡ −Ａ／線断面図、第３図は本発明の一実
施例の部分平面図、第４図はそのＢ −Ｂ／線断面図、
第５図は別の実施例の部分平面図、第６図はそのＣ−Ｃ
／線断面図である。 １・・・ガラス板、２，２１・・・透明電極、３，３１
・・・ａ −Ｓ ｉ層、４．４１・・・金属電極。 第５図 慈２図 第４図 第６図
Claims (1)
- １）共通透明基板上に透明電極、アモルファスシリコン
層、金属電極を順次積層して複数の太陽電池素子を構成
し、各素子を直列接続するために一つの素子の金属電極
の端部が隣接素子の透明電極の端部と接触せしめられる
太陽電池を製造する際に、金属電極のパターンを金属層
のエツチングにより形成する方法において、金属層のエ
ツチング時に透明電極がアモルファスシリコン層あるい
は形成されるべき金属電極領域によって覆われているこ
とを特徴とするアモルファスシリコン太陽電池の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58070514A JPS59195880A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58070514A JPS59195880A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59195880A true JPS59195880A (ja) | 1984-11-07 |
Family
ID=13433712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58070514A Pending JPS59195880A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59195880A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5796576A (en) * | 1980-12-08 | 1982-06-15 | Seiko Epson Corp | Thin-film solar cell |
-
1983
- 1983-04-21 JP JP58070514A patent/JPS59195880A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5796576A (en) * | 1980-12-08 | 1982-06-15 | Seiko Epson Corp | Thin-film solar cell |
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