JPS63110674A - 光電変換素子 - Google Patents
光電変換素子Info
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- JPS63110674A JPS63110674A JP61257403A JP25740386A JPS63110674A JP S63110674 A JPS63110674 A JP S63110674A JP 61257403 A JP61257403 A JP 61257403A JP 25740386 A JP25740386 A JP 25740386A JP S63110674 A JPS63110674 A JP S63110674A
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Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、例えばファクシミリ等の原稿読取装置に使
用される光電変換素子に関し、特に光電変換材料として
アモルファス半導体等を用いたものに関する。
用される光電変換素子に関し、特に光電変換材料として
アモルファス半導体等を用いたものに関する。
第５図は、例えば予稿集５昭和６１年度で子通信学会通
信部門全国大会１−３１’に記載の、アモルファス半導
体を光電変換材料として用いた従来の光電変換素子の上
面図であり、第６図はその断面図である。図において、
（１）は基板、例えばガラス基板、（２）はガラス基板
（１）上に複数個形成された下部雪極、（３）は真性ア
モルファス半導体層、（４）＋、を不純物、例えばボロ
ンをドープしたアモルファス半導体７＠、（５）は上部
電極、この例では透明声極である。
信部門全国大会１−３１’に記載の、アモルファス半導
体を光電変換材料として用いた従来の光電変換素子の上
面図であり、第６図はその断面図である。図において、
（１）は基板、例えばガラス基板、（２）はガラス基板
（１）上に複数個形成された下部雪極、（３）は真性ア
モルファス半導体層、（４）＋、を不純物、例えばボロ
ンをドープしたアモルファス半導体７＠、（５）は上部
電極、この例では透明声極である。
第５図、第６図に示した従来の光電変換素子の製法につ
いて説明する。ガラス基板（１）上に、複数個の下部電
極（２）を形成する。次に、真性アモルファス半導体層
（３）、不純物をドープしたアモルファス半纏体層（４
）、上部透明電極ｆ５１を連続成膜する。
いて説明する。ガラス基板（１）上に、複数個の下部電
極（２）を形成する。次に、真性アモルファス半導体層
（３）、不純物をドープしたアモルファス半纏体層（４
）、上部透明電極ｆ５１を連続成膜する。
不純物をドープしたアモルファス半導体５ （４１は導
で率が高いので、解像度の低下を防ぐため不要な部分を
取り除く必要があり、上部透明ヨ極（５）と不純物をド
ープしたアモルファス半導体層（４）を連続エツチング
する。最後に、真性アモルファス半導体層（３）をエツ
チングし、第５図、第６図に示す従来の光で変換素子が
得られる。
で率が高いので、解像度の低下を防ぐため不要な部分を
取り除く必要があり、上部透明ヨ極（５）と不純物をド
ープしたアモルファス半導体層（４）を連続エツチング
する。最後に、真性アモルファス半導体層（３）をエツ
チングし、第５図、第６図に示す従来の光で変換素子が
得られる。
従来の光電変換素子において、上部電極（５）と不純物
をドープしたアモルファス半導体層（４）を速続エツチ
ングしていたため、上部電極（５）と不純物をドープし
たアモルファス半導体層（４）の断面が一致してしまい
、この部分に電界が集中しゃすく静彎気放胃による素子
破壊層び、電気特性の劣化を引き起し、光電変換素子の
歩留り、信頼性を低下させていた。
をドープしたアモルファス半導体層（４）を速続エツチ
ングしていたため、上部電極（５）と不純物をドープし
たアモルファス半導体層（４）の断面が一致してしまい
、この部分に電界が集中しゃすく静彎気放胃による素子
破壊層び、電気特性の劣化を引き起し、光電変換素子の
歩留り、信頼性を低下させていた。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、靜７党放雷による素子破壊及び、電気特性の
劣化を防止し、光電変換素子の歩留り、信頼性の向上を
図る事を目的とする。
たもので、靜７党放雷による素子破壊及び、電気特性の
劣化を防止し、光電変換素子の歩留り、信頼性の向上を
図る事を目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る光で変換素子は、上部電極の端面よりも
半導体層が突出した構造をとるものである。
半導体層が突出した構造をとるものである。
この発明において、上部電極の端面よりも、半導体層が
突出した構造をとる事により、この部分での市界集中を
緩和し、静雫気放雷による素子破壊及び？ｖ僚時特性劣
化が防止され、光電変換素子の歩留り、信頼性が向上す
る。
突出した構造をとる事により、この部分での市界集中を
緩和し、静雫気放雷による素子破壊及び？ｖ僚時特性劣
化が防止され、光電変換素子の歩留り、信頼性が向上す
る。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は本発明の一実施、例による光電変換素子の上面図、
第２図はその断面図である。
図は本発明の一実施、例による光電変換素子の上面図、
第２図はその断面図である。
図において、（１）は基板、例えばガラス基板である。
このガラス基板（１）上に下部！！７ ％ （２１とし
て、例えば膜厚０．１〜０．３μｍのクロム薄膜を複数
個形成さねている。さらに、下部電極（２）を帯状に被
覆する様に真性アモルファス半導体層（３）として例え
ばアンドープの水素化アモルファスシリコン膜が０．６
〜２ｐｙ＋ 形成さね、その上に、不純物をドープし
たアモルファス半導体Ｒ（４）として、例えばボロンを
ドープした水素化アモルファスシリコン膜が０．０１〜
０．１１ｔｒｎ形成される。
て、例えば膜厚０．１〜０．３μｍのクロム薄膜を複数
個形成さねている。さらに、下部電極（２）を帯状に被
覆する様に真性アモルファス半導体層（３）として例え
ばアンドープの水素化アモルファスシリコン膜が０．６
〜２ｐｙ＋ 形成さね、その上に、不純物をドープし
たアモルファス半導体Ｒ（４）として、例えばボロンを
ドープした水素化アモルファスシリコン膜が０．０１〜
０．１１ｔｒｎ形成される。
さらに、上部ｒ！！極（５）として例えば膜厚０．１〜
０．３μｍの酸化インジウムすず薄膜が形成される。
０．３μｍの酸化インジウムすず薄膜が形成される。
この光−変換素子においては、上部？７７Ｎ （５１の
パターニングされた端面に９界が集中しても、不純物を
ドープしたアモルファス半導体層（４）により、市界が
緩和され、電界集中による素子破壊及び光電変換素子の
電気特性の劣化を防ぐことかでＡる。
パターニングされた端面に９界が集中しても、不純物を
ドープしたアモルファス半導体層（４）により、市界が
緩和され、電界集中による素子破壊及び光電変換素子の
電気特性の劣化を防ぐことかでＡる。
この発明において、上部透明９極（５１ｆＰ例えばフォ
トレジストを用いてエツチングした後、−文フオドレジ
ストをはく離し、再びフォトレジストを形成し、上部透
明電極（５）のエツチングされた端面よりも、不純物を
ドープしたアモルファス半導体＠（４）が突出した、す
なわちはみだした構造となるようにエツチングする。最
後に真性アモルファス半導体層（３）をエツチングし、
ｆｆ１１図、第２図に示すような光で変換素子が得られ
る。
トレジストを用いてエツチングした後、−文フオドレジ
ストをはく離し、再びフォトレジストを形成し、上部透
明電極（５）のエツチングされた端面よりも、不純物を
ドープしたアモルファス半導体＠（４）が突出した、す
なわちはみだした構造となるようにエツチングする。最
後に真性アモルファス半導体層（３）をエツチングし、
ｆｆ１１図、第２図に示すような光で変換素子が得られ
る。
なお、上部電極（５）は例えばマスク蒸着法等によって
パターニングしても良い。
パターニングしても良い。
また、上記実施例では、上部透明ｒｒ！極（５）を直線
状にエツチングしたが、第３図に示す様に、下部電極（
２）上の上部透明電極（５）を凹形にエツチングしても
良い。また第４図に示す様に、下部で極（２）上の不純
物をドープしたアモルファス半導体層（４）全凸形に残
しても同様の効果が得られる。
状にエツチングしたが、第３図に示す様に、下部電極（
２）上の上部透明電極（５）を凹形にエツチングしても
良い。また第４図に示す様に、下部で極（２）上の不純
物をドープしたアモルファス半導体層（４）全凸形に残
しても同様の効果が得られる。
また、不純物をドープしたアモルファス半導体層（４）
としてボロンをドープしたが、リンを用いても良い。さ
らに、アモルファス半導体層を２層構造としたが、ボロ
ンをドープしたアモルファス半導体層、真性アモルファ
ス半導体層、リンをドープしたアモルファス半導体層の
３層構造あるいはこの逆の構造でも良い。
としてボロンをドープしたが、リンを用いても良い。さ
らに、アモルファス半導体層を２層構造としたが、ボロ
ンをドープしたアモルファス半導体層、真性アモルファ
ス半導体層、リンをドープしたアモルファス半導体層の
３層構造あるいはこの逆の構造でも良い。
また、下部電極（２）としてクロム薄膜を用いたが、チ
タン、アルミニウム、ニッケル、白金、金、あるいはこ
れらを多層に積層したものを用いても良いＯ さらに、上部透明電極（５）として酸化インジウムすず
を用いたが、酸化すず、酸化カドミウムインジウムを用
いても良い。
タン、アルミニウム、ニッケル、白金、金、あるいはこ
れらを多層に積層したものを用いても良いＯ さらに、上部透明電極（５）として酸化インジウムすず
を用いたが、酸化すず、酸化カドミウムインジウムを用
いても良い。
また、ガラス基板（１）の代わりに、セラミック基板、
シリコン基板等を用いても良い。
シリコン基板等を用いても良い。
以上のように、この発明によれば、上部電極の端面より
半導体層が突出した構造をとるので、この部分でのゴ界
集中を緩和し、静胃気放弯による素子破壊及び雷気特性
の劣化が防止され、光電変換素子の歩留り、信頼性が向
上する効果がある。
半導体層が突出した構造をとるので、この部分でのゴ界
集中を緩和し、静胃気放弯による素子破壊及び雷気特性
の劣化が防止され、光電変換素子の歩留り、信頼性が向
上する効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による光電変換素子の上面
図、第２図はその断面図、第３図、第４図はそれぞれこ
の発明の他の実施例による光Ｉｆ換素子を示す上面図、
第５図は従来の光電変換素子を示す上面図、＠６図はそ
の断面図である。 図において、（１）は基板、（２）は下部電極、（３）
は真性アモルファス半導体層、（４）は不純物をドープ
したアモルファス半導体層、（５）は上部電極である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示すもの
とする。
図、第２図はその断面図、第３図、第４図はそれぞれこ
の発明の他の実施例による光Ｉｆ換素子を示す上面図、
第５図は従来の光電変換素子を示す上面図、＠６図はそ
の断面図である。 図において、（１）は基板、（２）は下部電極、（３）
は真性アモルファス半導体層、（４）は不純物をドープ
したアモルファス半導体層、（５）は上部電極である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示すもの
とする。
Claims (3)
- （１）上部電極と基板に設けられた下部電極間に半導体
層が介在する構造を有する光電変換素子において、上記
上部電極の端面より上記半導体層が突出していることを
特徴とする光電変換素子。 - （２）上部電極に透明電極を用いたことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の光電変換素子。 - （３）半導体層としてアモルファス半導体を用いたこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の
光電変換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61257403A JPS63110674A (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 | 光電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61257403A JPS63110674A (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 | 光電変換素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63110674A true JPS63110674A (ja) | 1988-05-16 |
Family
ID=17305891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61257403A Pending JPS63110674A (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 | 光電変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63110674A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100524686B1 (ko) * | 1997-06-30 | 2005-12-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치의 막들림 방지 방법 |
-
1986
- 1986-10-28 JP JP61257403A patent/JPS63110674A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100524686B1 (ko) * | 1997-06-30 | 2005-12-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치의 막들림 방지 방법 |
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