JPS5930299A - 集積回路 - Google Patents

集積回路

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JPS5930299A
JPS5930299A JP57138529A JP13852982A JPS5930299A JP S5930299 A JPS5930299 A JP S5930299A JP 57138529 A JP57138529 A JP 57138529A JP 13852982 A JP13852982 A JP 13852982A JP S5930299 A JPS5930299 A JP S5930299A
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JP
Japan
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input
output
signal
memory
microprocessor
Prior art date
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Pending
Application number
JP57138529A
Other languages
English (en)
Inventor
Shozo Satake
佐竹 省三
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS5930299A publication Critical patent/JPS5930299A/ja
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は集積回路に関し、特に論理回路とメモリとを内
蔵する集積回路に関する。
従来技術 近年、半導体集積回路の高集積化が進展し、大規模な論
理回路と、それと接続された大容量のRAM+ROMな
どのメモリを内蔵した半導体集積回路が実現している。
従来の斯る半導体集積回路においでは、内部のメモリに
対しては論理回路を介してのみアクセスできる構成であ
ったため、内部メモリの充分なテストを行なうことがで
きないという欠点があった。
具体例で説明すると、第1図は内部にRAM。
ROMをもつ1チツプタイプのマイクロプロセッサのブ
ロック図である。マイクロプロセッサユニット(以下M
PU)101には、外部ピンからクロック信号126と
リセット信号127が入力される。
MPU101からはアドレスバス120、f一タバス1
2L入入出力読出倍信号以下IOR)122、入出力書
込み信号(以下IOW)128、メモリ読出し信号(以
下MgMR)1’24、メモリ書込み信号(以下MEM
W)125が出力している。アドレスバス120、デー
タバス121は入出力ボート104。
105、 106, 10? 、およびFL A M 
102、ROMl(13に入力している。IO几倍信号
122IOWO号123は入出力ポート104, 10
5, 106 、 107に入力している。MEMR信
号124はRAM102および凡OM108に人力L、
MEMW信号125は几AM102に入力している。入
出力ボート104 、105 、106 、107は外
部ピンとの双方向信号が接続されている。また、ROM
108の中にはプログラムが格納されている。
この1チツプマイクロプロセツサは、リセット信号12
7を入力後、クロック信号127を入力することによっ
て動作する。すなわち、MPU101はROM103ヘ
アドレスバス120を介してアドレスを出力し\MEM
R信号124を出力してROM103から命令を読出し
、その命令に従った動作を行なう。これらの命令を順次
実行するなかで、MP U 101は入出力ボート10
4 、105 、106 、107 、あるいはR,A
 M 102をアドレスバス120とIOR信号122
、IOW信号123、MEMR信号124、MEMW信
号124で制御することによって、データバス121を
介してRA M 102に対する読み書き、外部とのデ
ータのやりとりを行なう。
しだがって、RA、M102またはROM10Bのテス
トは、ROM10B内のプログラムの実行を通してしか
、つまり制御論理であるM P U 101を介在させ
た形でしか行ない得ない。このような方法では、メモリ
単体を直接テストする場合はど充分なテストを期待でき
ないし、また一般にテストにも長時間を要する。
発明の目的 本発明の目的は、叙上の如き問題点の解決を図り、内部
メモリの充分なテストを可能としだ集積回路を提供する
ことにある。
しかして本発明は、メモリと、このメモリの制両に少な
くとも関与する論理回路とを内蔵した集積回路において
、外部ピンを通じてテストモードが指定された場合に、
上記の論理回路を上記の論理回路を上記のメモリから切
り離す回路と、上記の論理回路の関与なしに上記のメモ
リに対して外部ピンより直接的にアクセスするだめの回
路を有することを特徴とする集積回路を要旨とするもの
である。
以下、一実施例について本発明を説明する。
発明の実施例 第2図は、本発明の一実施例である1チツプマイクロプ
ロセツサのブロック図である。
マイクロプロセッサユニット(MPUI )には、外部
ピンからクロック信号z6とリセット信号27を入力す
る。まだ、リセット信号27はモード設定フリップフロ
ップ10のCLK入力に与えられる。MPU1はアドレ
スバス20、データバス2J1、I 01.(信号22
、IOW信号2B、MEMR信号24、MEMW信号2
5をバッファ回路11?介して出力する。まだ、モード
設定フリップフロップ10のD入力には入出カポ−トロ
への外部信号(外部ピンからの信号)の1本が入力され
、その外部信号の状態をリセット信号27が与えられた
時にラッチする。モード設定回路10の出力は、バッフ
ァ回11811及び入出力ボート4゜5.6に接続する
バッファ回路1−1は、モード設定フリップフロップ1
0がセット状態で、その出力が″0″レベルのときはM
 P U 1とアドレスバス20、データバス21、各
信号22〜z5を接続する。しかし、モード設定フリッ
プ70ツブ]、0がリセット状態のとき(テストモード
状態)、バッファ回路11はMPU1のバス20.21
および1号22〜25を切り離す。
例えば、バッファ回路11は第3図に示すように、一群
のMOS)ランジスタMをモード設定フリップフロップ
10の出力で一勢に制御し、テストモード時に全IVf
O8)ラノジスタMを不導通(高インピーダンス)状態
(lこする構成とすることができる。
バッファ回路11 ヲ介L タアドレスバス20、デー
タバス21、IOR信号22、IOW信号23、M E
 M I(信号z4、MEMW信号z5は、入出力ボー
ト4,5,6,7、およびI(−A M 2.1(0M
8へ接所する。
入出力ボート4,5は第4図に示す如き同−構成である
(一方の入出力ボートのみ図示しである)。
同図において、アドレスバス20はデコーダ80に人力
し、デコーダ80の出力は2個のANDゲート81.8
1C入力する。’ (1’ R(Lf号22はANDゲ
ート81に入力し、IOW信号28//1ANDゲート
82に入力する。また、モード設定フリップフロップ1
0の出力は2個のANDゲート81.82に入力すると
同時に、ドライバ88の制御信号とし2てインバータ8
6を介して入力する。このドライバ88はテストモード
時にのみ動作状態となり、外部ピンからアドレスを直接
入力できるようになる。
ドラ・fバ3Bはドラ・rバ84の入力、ドライバ35
の出力とワイヤードANDされた外部信号が入力さね、
そのトライバ88の出力はアドレスバス20にワイヤー
ドANDする。ドライバ84はANDゲート81の出力
によって制御され、出力はデータバス21に接続さ八る
。ドライバ35はANDゲート32の出力によって制御
され、データバス21のf−夕と外部へ出力する。
以上のように、人出力ボート仝、5は同じ回路形式とけ
なるが、アドレスバスzOに必要な信号を入出力ボート
4.5の外部信号に1つずつ割付けている。
入出カポ−トロの構成を第5図に示す。アドレスバスz
Oはデコーダ40に入力し、デコーダ40の出力は2個
のANDゲー)41.42に入力する。JO几信号z2
はANDゲート41に入力し、LOW信号28はAND
ゲート42に入力する。また、モード設定フリップフロ
ップ10の出力は21固のANDゲート41,421C
入力すると同時に、ドライバ48へ制御信号としてイン
バータ46を介して入力する。このドライバ48はテス
トモード時のみ動作状態となり、外部ピンから信号22
〜z5を直接入力することができる。
ドライバ48は、ドライバ44の入力およびドライバ4
5の出力とワイヤードANDされた外部信号が人力され
、そのドライバ48の出力はl−0R信号22XLOW
信号28、MEMR(124、f1MW信号25とワイ
ヤードANDする。ドライバ44はANDゲート41の
出力によって制御され、出力はデータバス21にワイヤ
ードANDされる。ドライバ45はANDゲート42の
出力によって制(財)され、データバス21のデータを
外部ピンへ出力する。
入出カポ−ドアの構成を第6図に示す。アドレスバス2
0はデコーダ5oに入力し、デコーダ50の出力は2個
のANDゲート51.52に入力する。、L](、信号
22けANDゲート51に入力し、I OR信号28は
ANDゲート52に入力する。入出カポ−ドアの外部信
号はドライバ58に入力し、またドライバ54の出力と
ワイヤードANDされて−る。ドライバ58はANDメ
ート51に制御され、ドライバ58の出力はデータバス
21にワイヤードANDされている。ドライバ541d
ANDゲート52に制御され、データバス21を入力し
ている。
つぎに動作を説明する。
モード設定フリップフロップ1oのD入力と接続の外部
ピンI/c”1”レベルを印加し、リセット信号25を
入力すると、このフリップフロップがセット状態となり
、その出力が1”1ノベルになる。
したがって、バッファ回路11は導通し、入出カポ−)
4,5.6のドライバ33.46が働がない状態VCな
る。また、入出力ボート4,5.6のドライバ84!、
85,4、!、46r、t(勿論、入出カポ−ドアのド
ライバ58.54も)アドレスバス20で選択的に動作
させることが可能となる。
このモード時の動作は第1図に示した従来例と同様であ
るので、これ以上の説明は割愛し、本発明の特徴である
テストモード時の動作の説明に進む。
モード設定フリップフロップ1oのD入力に接続の外部
ピンに“0″レベルを与え、リセット信号2?を入力す
ることにより、この7ソツプフロツプをリセットするこ
とでテストモードに切り替わる。すなわち、バッファ回
路11が高インピーダ・ンス状態となり、MPUIが切
り離される。また、入出力ボート4,5のドライバ83
と、入出カポ−トロのドライバ48が動作状態となり、
これらドライバを通じ、外部ピンよりアドレスバス20
および信号22〜z5を面接的に操作することがOT能
となる。入出力ボート4,5.6のドライバ84.85
.4,4.45は抑止される。なお、入出力ポードアけ
通膚モード時と同様に動作する。
この様な構成であるから、MPU1を介在さ斗ることな
く、内部のR,A M 2および几OMBに対して外部
ビンより直接的にアクセスし、、RAM2および几O1
lを充分にテストすることが可能となる。
まず、RAM2へのデータの書込みを説明する。
この時の動作タイミングは第7図の通りである。
すなわち、外部ビンよりアドレスを入出力ポート4.5
を通じてアドレスバス20に入力fる。まだ、人出カポ
−ドアに接続の外部ビンにデータを与え、入出カポ−ト
ロを通じてM E M W信号25と■0凡信号22を
図示のタイミングで外部ビンより人力する。こitによ
り、RAM2の指定アドレスに人力データが書き込まれ
る。
RA M 2捷たは−RC)M8からのデータの読出し
は、第8図のタイミング図に示すようにして行なうこと
ができる。すなわち、入出力ボート手、5を通じて、外
部ビンよりアドレスをアドレスバス20に乗せる。そし
て、入出カポ−トロを通じてMEM几信号24とIOW
信号28を入力すると、14 A M 2またはRQ 
M 8の指鷲アドレスの記憶データが入出カポ−ドアを
コ巾じて外部に読み出される。
発明の効果 以上に詳述した如く、本発明VCよる果オlt回路は、
内部のメモリを外部より直接アクセスして充分なテスト
を容易に行なうことができ、またそのfkj果として、
集積回路内の不良解析をより確実かつ迅速に行なうこと
もdJ能である。
なお、不発明は前・水のようなlチップ・フィクロプロ
セッサに限らず、メモリと、そのメモリの制御に少なく
とも関与する論理回路を白飯した奥僅回路に広く適用し
、同様の効J卜をダし得るものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の1チツグマ・fクロプロセッサのブロッ
ク図、第2図は本発明の一実柿例である1チップマイ−
クロプロセッサのブロック図、第8図は第2図中のバッ
ファ回路の一例を示すt1路図、第4図ないし第6図は
第2図中の各入出力ポートの一例をそれぞれ示す詳側ブ
ロック図、第7図および第8図は第2図中のRAMまた
はROMに対する外部からのアクセス動作を説明するタ
イミング図である。 1・・・マイクロプロセッサユニツ)(MPU)、2・
・・R,、AM、  8・・・R・OM、 4.5.6
.7・・・入出力ポート、20・・・アドレスバス、2
1・・・データバス、10・・・モード設定フリップフ
ロップ、11・・・バッファ回路。 第1図 +02                 103第2
図 ″)f−3図 0 第4図 1.0 オフ図 (RAr’j八a)Wへite B(J第8図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)メモリと、このメモリの制(2)に少なくとも関
    与する論理回路とを内蔵した集積回路において、外部ピ
    ンを通じてテストモードが指定された場合に、上記の論
    理回路を上記のメモリから切り離す回路と、上記の論理
    回路の関与なしに上記のメモリに対し外部ピンより直接
    的にアク九4するための回路を有することを特徴とする
    集積回路。
JP57138529A 1982-08-11 1982-08-11 集積回路 Pending JPS5930299A (ja)

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JP57138529A JPS5930299A (ja) 1982-08-11 1982-08-11 集積回路

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ID=15224279

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JP (1) JPS5930299A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0276047A2 (en) * 1987-01-16 1988-07-27 Hitachi, Ltd. Microcomputer with built-in EPROM
EP0310111A2 (en) * 1987-10-02 1989-04-05 Hitachi, Ltd. Memory incorporating logic LSI and method for testing the same LSI

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0276047A2 (en) * 1987-01-16 1988-07-27 Hitachi, Ltd. Microcomputer with built-in EPROM
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