JPS592934Y2 - 超音波予備半田付け装置 - Google Patents
超音波予備半田付け装置Info
- Publication number
- JPS592934Y2 JPS592934Y2 JP14638179U JP14638179U JPS592934Y2 JP S592934 Y2 JPS592934 Y2 JP S592934Y2 JP 14638179 U JP14638179 U JP 14638179U JP 14638179 U JP14638179 U JP 14638179U JP S592934 Y2 JPS592934 Y2 JP S592934Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- soldering
- horn
- ultrasonic
- ultrasonic oscillation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
- H01L24/743—Apparatus for manufacturing layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
- H01L2224/743—Apparatus for manufacturing layer connectors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本案は、金属表面上へ予備半田付けする装置に係るもの
である。
である。
従来、金属表面上に積載物を半田付けするには次の方法
が有る。
が有る。
半導体装置の半田付は部の平面図である第1図に示す様
に、Niめっきされた銅からなるステム1のヒートシン
ク2の半田付は設定位置4に半田箔を載せて水素雰囲気
炉中を通過させ、ヒートシンク2上に半田膜3を形成し
、この予備半田膜3上に半導体チップ5を載せて水素雰
囲気炉中を通過させて半田付けする方法である。
に、Niめっきされた銅からなるステム1のヒートシン
ク2の半田付は設定位置4に半田箔を載せて水素雰囲気
炉中を通過させ、ヒートシンク2上に半田膜3を形成し
、この予備半田膜3上に半導体チップ5を載せて水素雰
囲気炉中を通過させて半田付けする方法である。
この場合、第1図に示した様に溶融した半田は不規則な
方向に拡がってしまうことは避けられない。
方向に拡がってしまうことは避けられない。
従って、予備半田膜3を形成する際及び半導体チップ5
を半田付けする際に半田が半導体チップ5の半田付は面
より大きく拡がると、溶融した半田上の半導体チップ5
は、例えば矢印方向に回転または移動したりして、半導
体チップは、所定の位置からずれて半田付けされる。
を半田付けする際に半田が半導体チップ5の半田付は面
より大きく拡がると、溶融した半田上の半導体チップ5
は、例えば矢印方向に回転または移動したりして、半導
体チップは、所定の位置からずれて半田付けされる。
上述の様に、従来の半田付は方法では、例えば第1図の
半導体チップ5をヒートシンク2上の所定の位置に設置
することができず、このためその後の製造工程であるワ
イヤボンディング時に、ポンチ゛イングが所定の箇所に
できなくなり、従って半導体装置製造上の歩留りを高め
ることができないという問題点があった。
半導体チップ5をヒートシンク2上の所定の位置に設置
することができず、このためその後の製造工程であるワ
イヤボンディング時に、ポンチ゛イングが所定の箇所に
できなくなり、従って半導体装置製造上の歩留りを高め
ることができないという問題点があった。
本案の目的は、金属面上に積載物を半田付けする時に、
所定の位置に積載物を半田付けでき、製造工程上の歩留
りを高めることができる超音波予備半田付は装置を提供
することにある。
所定の位置に積載物を半田付けでき、製造工程上の歩留
りを高めることができる超音波予備半田付は装置を提供
することにある。
本案は、予備半田膜の形状及び大きさを、その上に載せ
る積載物のものと同様にすることにより、積載物が溶融
半田上を移動し、所定の位置からはずれて接着すること
がないことを実験により確かめなされたもので、それを
達成するための予備半田付は装置として、先端部の平面
が積載物の形状及び大きさと同等である超音波発振ホー
ンを有することを特徴としている。
る積載物のものと同様にすることにより、積載物が溶融
半田上を移動し、所定の位置からはずれて接着すること
がないことを実験により確かめなされたもので、それを
達成するための予備半田付は装置として、先端部の平面
が積載物の形状及び大きさと同等である超音波発振ホー
ンを有することを特徴としている。
超音波発振ホーンの先端部面即ち半田に接する面を上述
の様にすることにより半田付は時に、通常金属表面上に
存在している酸化膜を発振ホーンの先端部面、つまり積
載物の半田付は面の形状及び大きさだけ取り除くことが
できるので、溶融半田は金属表面と酸化膜表面とのぬれ
性の差により酸化膜が取り除かれた部分内のみに形成さ
れ、その部分以外には形成されず、上述り目的を達成で
きるのである。
の様にすることにより半田付は時に、通常金属表面上に
存在している酸化膜を発振ホーンの先端部面、つまり積
載物の半田付は面の形状及び大きさだけ取り除くことが
できるので、溶融半田は金属表面と酸化膜表面とのぬれ
性の差により酸化膜が取り除かれた部分内のみに形成さ
れ、その部分以外には形成されず、上述り目的を達成で
きるのである。
第2図は本案の超音波発振ホーン先端部6の横断面a及
び平面図すであり、第3図は本案の角型ホーン6を取付
けた超音波予備半田付装置の構造図である。
び平面図すであり、第3図は本案の角型ホーン6を取付
けた超音波予備半田付装置の構造図である。
超音波発振ホーン6の先端6′を角型にして、予熱した
被半田付金属面上1,2にホーン形状と同様な半田箔を
載せ溶融した後、超音波発振ホーン6を降下させ、溶融
半田に面接触させてからホーン超音波を印加させると金
属面2上の酸化膜は破壊され、第4図aのように金属面
2上に超音波発振ホーン先端6′形状と同形の予備半田
膜3が得られる。
被半田付金属面上1,2にホーン形状と同様な半田箔を
載せ溶融した後、超音波発振ホーン6を降下させ、溶融
半田に面接触させてからホーン超音波を印加させると金
属面2上の酸化膜は破壊され、第4図aのように金属面
2上に超音波発振ホーン先端6′形状と同形の予備半田
膜3が得られる。
第4図すのようにその上に構造物たとえば角型Siチッ
プ5を載せて水素雰囲気中等で半田付けしても溶融した
半田膜は、金属表面上の酸化膜上に流れ出すことなく、
それにより積載物も所定の位置からずれて半田付けされ
ることは生じない。
プ5を載せて水素雰囲気中等で半田付けしても溶融した
半田膜は、金属表面上の酸化膜上に流れ出すことなく、
それにより積載物も所定の位置からずれて半田付けされ
ることは生じない。
従って、本実施例では、半田付けの後工程におけるワイ
ヤボンディング時においての歩留りが向上するという効
果がある。
ヤボンディング時においての歩留りが向上するという効
果がある。
本案によれば定位置に所要形状の予備半田付部を形成す
ることが出来るので歩留りよく半導体装置を生産するこ
とが出来る。
ることが出来るので歩留りよく半導体装置を生産するこ
とが出来る。
更に、半田として、フラックスレスの半田を用いれば、
特に酸化膜との濡れ性が悪いので、予備半田が所定の箇
所に、より精度良く形成できるという効果がある。
特に酸化膜との濡れ性が悪いので、予備半田が所定の箇
所に、より精度良く形成できるという効果がある。
第1図は従来方法における半田接合状態の説明図、第2
図は本案の超音波発振ホーン先端構造の断面と平面図、
第3図は超音波発振ホーンを組込んだ超音波予備半田付
方法の説明図、第4図は本案による実施例を示す説明図
である。 1・・・ステム、2・・・ヒートシンク、3・・・予備
半田膜、4・・・Siチップ定位置、5・・・Siチッ
プ、6超音波発振ホーン、6′・・・ホーン先端、7・
・・加熱ヒータ、8・・・予熱板、9・・・予熱体、1
0・・・雰囲気ボックス。
図は本案の超音波発振ホーン先端構造の断面と平面図、
第3図は超音波発振ホーンを組込んだ超音波予備半田付
方法の説明図、第4図は本案による実施例を示す説明図
である。 1・・・ステム、2・・・ヒートシンク、3・・・予備
半田膜、4・・・Siチップ定位置、5・・・Siチッ
プ、6超音波発振ホーン、6′・・・ホーン先端、7・
・・加熱ヒータ、8・・・予熱板、9・・・予熱体、1
0・・・雰囲気ボックス。
Claims (1)
- 不活性雰囲気中で、超音波発振ホーンを溶融半田に接触
して振動させ、金属面上に多角形の積載物を予備半田付
けする装置において、超音波発振ホーン先端部の半田に
接する面を上記の多角形の形状をもつ積載物の半田付は
面と同等な形状及び大きさをもたせたホーンを備えたこ
とを特徴とする超音波予備半田付は装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14638179U JPS592934Y2 (ja) | 1979-10-24 | 1979-10-24 | 超音波予備半田付け装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14638179U JPS592934Y2 (ja) | 1979-10-24 | 1979-10-24 | 超音波予備半田付け装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5665767U JPS5665767U (ja) | 1981-06-02 |
JPS592934Y2 true JPS592934Y2 (ja) | 1984-01-26 |
Family
ID=29377540
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14638179U Expired JPS592934Y2 (ja) | 1979-10-24 | 1979-10-24 | 超音波予備半田付け装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS592934Y2 (ja) |
-
1979
- 1979-10-24 JP JP14638179U patent/JPS592934Y2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5665767U (ja) | 1981-06-02 |
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