JPS5928385A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池の製造方法Info
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- JPS5928385A JPS5928385A JP57137900A JP13790082A JPS5928385A JP S5928385 A JPS5928385 A JP S5928385A JP 57137900 A JP57137900 A JP 57137900A JP 13790082 A JP13790082 A JP 13790082A JP S5928385 A JPS5928385 A JP S5928385A
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- Japan
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- annealing
- solar cell
- amorphous
- solar battery
- electrode
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、太陽電池、詳しくはアモルファス太陽電池の
製造方法に関するものである。
製造方法に関するものである。
従来のアモルファス太陽電池の製造方法を第１図を参照
して以下に述べる。
して以下に述べる。
〔第１工程〕−第１図（イ）
ガラス基板１にＩＴＯ，ＳｎＯ，などの透明電極２をス
パッタリング、真空蒸着、スプレ法などで積層し、電流
の取出し電極とする。
パッタリング、真空蒸着、スプレ法などで積層し、電流
の取出し電極とする。
〔第２工程〕−第１図ＣＢ）
プラズマＣＶＤ法によってアモルファスシリコンｐｒ
ｉ、ｏを順次積層して太陽電池３を構成する。
ｉ、ｏを順次積層して太陽電池３を構成する。
〔第３工程〕−第１図（Ｏ
蒸着法によって金属電極、例えば八Ｃを積層して裏面電
極４とする。
極４とする。
〔第４工程〕−第１図の）
透明電極２、裏面電極４からリード線５，６を取り出し
、さらに太陽電池保護用の被覆７を行なう。
、さらに太陽電池保護用の被覆７を行なう。
このような従来の製造方法では金属′１に極として一般
に八ｇが使用されておシ、その形成方法とし、ては、真
空蒸着法、抵抗加熱式真空蒸着法および電子ビーム式真
空蒸着法およびスパッタリング法がとられている。
に八ｇが使用されておシ、その形成方法とし、ては、真
空蒸着法、抵抗加熱式真空蒸着法および電子ビーム式真
空蒸着法およびスパッタリング法がとられている。
電子ビームによる蒸着を行なった場合の太陽電池の変換
効率は下表に示すような効率しか得られず低い値であっ
た。
効率は下表に示すような効率しか得られず低い値であっ
た。
なお変換効率とは、１ｄの面積にあたる太陽光のエネル
ギをｌ ＯＯｍＷ／ｃ−としたときの入力した光を電力
に変換する率をいう。
ギをｌ ＯＯｍＷ／ｃ−としたときの入力した光を電力
に変換する率をいう。
上記表に示されるように、同一の太陽電池でも、常温放
置することによって変換効率が３係から４係に向上する
のが認められた。これは従来から太陽電池の耐久試験で
報告されている現象と異なシ、太陽電池の大幅な効率向
上という特異な現象である。
置することによって変換効率が３係から４係に向上する
のが認められた。これは従来から太陽電池の耐久試験で
報告されている現象と異なシ、太陽電池の大幅な効率向
上という特異な現象である。
本発明は上記の点に着目してなされたものである。
すなわち、本発明者は上記常温時効を効果的に行なうた
めに、裏面にＡ、［を電極を蒸着した太陽電池を種々の
温度でアニール（熱処理）シ、変換効率がどのように変
化するか試験した。第２図はその結果を示す。なお常温
時効とは３０℃で放置したときの時効をいう。
めに、裏面にＡ、［を電極を蒸着した太陽電池を種々の
温度でアニール（熱処理）シ、変換効率がどのように変
化するか試験した。第２図はその結果を示す。なお常温
時効とは３０℃で放置したときの時効をいう。
上記試験から明らかなように、太陽電池は短時間のアニ
ールで急速に変換効率が改善される。
ールで急速に変換効率が改善される。
変換効率はアニール時間が長くなると良くなｐ１アニー
ル効果は２００℃まで温度が高くなる程顕著となる。そ
してアニール温度が２５０℃になると短時間の′アニー
ルでは効率が向上するが、その後低下する。
ル効果は２００℃まで温度が高くなる程顕著となる。そ
してアニール温度が２５０℃になると短時間の′アニー
ルでは効率が向上するが、その後低下する。
以上のように、太陽電池は２００℃、２０分間アニール
することによって効率は３係から１．６係まで上昇し、
著しい改善が認められた。
することによって効率は３係から１．６係まで上昇し、
著しい改善が認められた。
上記アニールの効果がアモルファス膜質の変化によるも
のか、Ａｌ電極もしくはＭ−アモルファス界面現象に基
因するものか調べた。
のか、Ａｌ電極もしくはＭ−アモルファス界面現象に基
因するものか調べた。
すなわち、第３図（３）に示すようにガラス基板ｌに透
明電極２を積層し、その上にアモルファスシリコンｐ、
１＋”を順次積層してから、これの上に、Ｍからなる裏
面電極４を部分的に蒸着して太陽電池を構成した。この
太陽電池の特性は第４図（ト）に示すようになり、七〇
％性は良くない。
明電極２を積層し、その上にアモルファスシリコンｐ、
１＋”を順次積層してから、これの上に、Ｍからなる裏
面電極４を部分的に蒸着して太陽電池を構成した。この
太陽電池の特性は第４図（ト）に示すようになり、七〇
％性は良くない。
しかし上記太陽電池を１５０℃、１．５時間アニールす
ると、第４図（Ｂ）に示すようにその特性は改善された
。
ると、第４図（Ｂ）に示すようにその特性は改善された
。
ついで第３図（Ｂ’）に示すように上記太陽電池に他の
裏面電極４′を蒸着し、その部分の太陽電池特性を測定
すると、第４図（Ｏに示すように第４図囚に示すものと
同様に悪い特性を示す。これはアニールによってアモル
ファス膜の特性が改善されるのではなく、裏面電極４の
蒸着の改善に関係しているのがわかる。上記再蒸着した
他の裏面電極４′を１５０℃、１．５時間ア、−一ルす
るとその特性は第４図の）に示すように効率が改善され
、これにより上記アニールにより蒸着後の裏面電極４．
４′が改善されることが裏付けられる。
裏面電極４′を蒸着し、その部分の太陽電池特性を測定
すると、第４図（Ｏに示すように第４図囚に示すものと
同様に悪い特性を示す。これはアニールによってアモル
ファス膜の特性が改善されるのではなく、裏面電極４の
蒸着の改善に関係しているのがわかる。上記再蒸着した
他の裏面電極４′を１５０℃、１．５時間ア、−一ルす
るとその特性は第４図の）に示すように効率が改善され
、これにより上記アニールにより蒸着後の裏面電極４．
４′が改善されることが裏付けられる。
本発明の実施例としては、第１図に示す従来の製造工程
において、第３工程と第４工程の間にアニールを行なう
。
において、第３工程と第４工程の間にアニールを行なう
。
なお、上記アニールの効果は、抵抗加熱式真空蒸着法に
より裏面電極を形成した太陽電池においても同様の効果
が得られている。
より裏面電極を形成した太陽電池においても同様の効果
が得られている。
本発明は以上のようになり、アモルファス太陽電池でＭ
を電極としたアモルファス太陽は池において、電極を形
成した後アニールしたことにより、裏面′ｒＩＬ極とア
モルファス間の状縛もしくは裏面電極が改善され、変換
効率が大幅に改善された。なお表面電極、例えばくし形
紙極に関しても、実験の結果、同様の効果が得られた。
を電極としたアモルファス太陽は池において、電極を形
成した後アニールしたことにより、裏面′ｒＩＬ極とア
モルファス間の状縛もしくは裏面電極が改善され、変換
効率が大幅に改善された。なお表面電極、例えばくし形
紙極に関しても、実験の結果、同様の効果が得られた。
この現象は従来から学会などで報告されているアニール
による太陽電池の劣化と異なって非常に有利なものであ
る。
による太陽電池の劣化と異なって非常に有利なものであ
る。
第１図（Ｃ）〜ω）は従来の太陽電池の製殆工程を示す
説明図、第２図は太陽電池をアニールしたときの各アニ
ール温度におけるアニール時間に対する変換効果の関係
を示す線図、第３図（３）。 （Ｂ）はアニール効果を調べるために作った太陽電池の
斜視図、第４図囚〜（ハ）はアニールしたときとしない
ときの変換効率を示す線図である。 第１ 図 ＋Ｂ） （Ｄ） （Ａ） （Ｃ） （８） （Ｄ） 電瓜（Ｖ） 手続補正書（自発） 昭和５７年１１月 ９日 特許庁長官 若杉和夫 殿 １、事件の表示 特願昭 ５７−１３７９ｏｏ 号２
、発明の名称 太陽電池の製造方法３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都港区赤坂２丁目３番６号氏名 小松電
子金属株式会社（ほか１名）代表者 油 井
− 自発補正 ６、補正の刻象 ｌ補正の内容 （１）明細書中第２頁２行目の「ｐ、ｉ、ｏを順次・・
・・・・」を「ｐ、ｉ、ｎ各層を順次・・・・・・」と
補正する。 （２）第４頁１１行目の「基因」を「起因」と補正する
。
説明図、第２図は太陽電池をアニールしたときの各アニ
ール温度におけるアニール時間に対する変換効果の関係
を示す線図、第３図（３）。 （Ｂ）はアニール効果を調べるために作った太陽電池の
斜視図、第４図囚〜（ハ）はアニールしたときとしない
ときの変換効率を示す線図である。 第１ 図 ＋Ｂ） （Ｄ） （Ａ） （Ｃ） （８） （Ｄ） 電瓜（Ｖ） 手続補正書（自発） 昭和５７年１１月 ９日 特許庁長官 若杉和夫 殿 １、事件の表示 特願昭 ５７−１３７９ｏｏ 号２
、発明の名称 太陽電池の製造方法３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都港区赤坂２丁目３番６号氏名 小松電
子金属株式会社（ほか１名）代表者 油 井
− 自発補正 ６、補正の刻象 ｌ補正の内容 （１）明細書中第２頁２行目の「ｐ、ｉ、ｏを順次・・
・・・・」を「ｐ、ｉ、ｎ各層を順次・・・・・・」と
補正する。 （２）第４頁１１行目の「基因」を「起因」と補正する
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （リ Ａｌｉ電極としたアモルファス太陽電池において
、電極を形成した後アニールすることを特徴とする太陽
電池の製造方法。 （２） １００〜２００℃の温度範囲で、５〜９０分
間アニールすることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57137900A JPS5928385A (ja) | 1982-08-10 | 1982-08-10 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57137900A JPS5928385A (ja) | 1982-08-10 | 1982-08-10 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5928385A true JPS5928385A (ja) | 1984-02-15 |
Family
ID=15209296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57137900A Pending JPS5928385A (ja) | 1982-08-10 | 1982-08-10 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5928385A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2015060434A1 (ja) * | 2013-10-25 | 2017-03-09 | シャープ株式会社 | 光電変換素子、光電変換モジュール、並びに、太陽光発電システム |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5638873A (en) * | 1976-09-29 | 1981-04-14 | Rca Corp | Semiconductor device with amorphous silicon layer |
-
1982
- 1982-08-10 JP JP57137900A patent/JPS5928385A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5638873A (en) * | 1976-09-29 | 1981-04-14 | Rca Corp | Semiconductor device with amorphous silicon layer |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2015060434A1 (ja) * | 2013-10-25 | 2017-03-09 | シャープ株式会社 | 光電変換素子、光電変換モジュール、並びに、太陽光発電システム |
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