CN210926030U - 一种高pid抗性的晶硅钝化减反射膜 - Google Patents
一种高pid抗性的晶硅钝化减反射膜 Download PDFInfo
- Publication number
- CN210926030U CN210926030U CN201921662305.3U CN201921662305U CN210926030U CN 210926030 U CN210926030 U CN 210926030U CN 201921662305 U CN201921662305 U CN 201921662305U CN 210926030 U CN210926030 U CN 210926030U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- refraction layer
- refraction
- layer
- antireflection film
- crystalline silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本实用新型涉及一种高PID抗性的晶硅钝化减反射膜，包括第一折射层、第二折射层和第三折射层；第一折射层设于第三折射层的下方，第二折射层设于第一折射层和第三折射层之间，第一折射层、第二折射层和第三折射层的折射率依次降低；本实用新型提高了钝化效果，进而在保持较低反射率的前提下提高了电池转换效率，并具有非常优良的抗PID衰减特性，且制备简单方便。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种高PID抗性的晶硅钝化减反射膜。
背景技术
传统太阳能多晶硅电池表面的SiNx钝化减反射膜几乎都因折射率较低使得PID衰减较为严重；目前市场为了追求优良的抗PID衰减特性，主要方法是通过提高SiNx膜层的折射率来实现，但电池转换效率较常规工艺降低1-2％；还有方法就是使用紫外电离、高频臭氧发生器生成的臭氧O3氧化硅片表面，生成较薄的SiOx层或使用笑气N2O PECVD法直接在硅片表面沉积一层SiOx薄膜，使电池具有一定的PID抗性，但是也导致电池转换效率较低，有待于进一步改进。
实用新型内容
针对上述现有技术的现状，本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种提高了钝化效果，进而在保持较低反射率的前提下提高了电池转换效率，并具有非常优良的抗PID衰减特性，且制备简单方便的高PID抗性的晶硅钝化减反射膜。
本实用新型解决上述技术问题所采用的技术方案为：一种高PID抗性的晶硅钝化减反射膜，包括第一折射层、第二折射层和第三折射层，其特征在于，所述第一折射层设于第三折射层的下方，所述第二折射层设于第一折射层和第三折射层之间，所述第一折射层和第二折射层为SiNx层，所述第三折射层为SiOxNy层，所述第一折射层、第二折射层和第三折射层的折射率依次降低；所述第一折射层的厚度为5～25nm；所述第二折射层的厚度为25～50nm；所述第三折射层的厚度为10～50nm。
优选地，所述第一折射层的折射率为2.2～2.45。
优选地，所述第二折射层的折射率为1.90～2.2。
优选地，所述第三折射层的折射率为1.5～1.8。
与现有技术相比，本实用新型的优点在于：本实用新型提高了钝化效果，进而在保持较低反射率的前提下提高了电池转换效率，并具有非常优良的抗PID衰减特性，且制备简单方便。
附图说明
图1为本实用新型的结构图。
具体实施方式
如图1所示，一种高PID抗性的晶硅钝化减反射膜，包括第一折射层1、第二折射层2和第三折射层3；第一折射层1设于第三折射层3的下方，第二折射层2设于第一折射层1和第三折射层3之间，第一折射层1和第二折射层2为SiNx层，第三折射层3为SiOxNy层，第一折射层1、第二折射层2和第三折射层3的折射率依次降低；第一折射层1的折射率为2.2～2.45，厚度为5～25nm；第二折射层2的折射率为1.90～2.2，厚度为25～50nm；第三折射层3的折射率为1.5～1.8，厚度为10～50nm。
制备步骤如下：
(1)将硅片进行扩散和刻蚀等工艺；
(2)刻蚀后硅片进入PECVD炉体后，通入流量为3SLPM氧气2min，直接升温15min，待温度达到450℃再抽空；
(3)再在硅片表面依次沉积折射率按一定规律依次降低的第一折射层1、第二折射层2和第三折射层3；
(4)使用传统电池印刷工艺印刷背电极、铝背场、正栅线和正电极，并烧结。
经过检测发现，本方案中的钝化减反射膜的光电转换效率增大且PID抗性有较大的提升。具体数据见下表1：
表1本实施例获得的太阳能电池的光电转换效率及PID
从表1可以看出：该方法制备的钝化减反射多层膜工艺效率增益0.35％，主要电性能参数都有不同程度对的增益；同时双85条件96小时PID(电势诱导衰减)功率衰减只有0.7％，192小时PID衰减为2.6％。
传统太阳能多晶硅电池表面的钝化减反射膜几乎都因折射率较低使得PID衰减较为严重；目前市场为了追求优良的抗PID衰减特性，主要方法是通过提高SiNx膜层的折射率来实现，但电池转换效率较常规工艺降低1-2％；还有方法就是使用紫外电离、高频臭氧发生器生成的臭氧O3氧化硅片表面，生成较薄的SiOx层或使用笑气N2O PECVD法直接在硅片表面沉积一层SiOx薄膜，使电池具有一定的PID抗性，但是也导致电池转换效率较低；本实用新型提高了钝化效果，进而在保持较低反射率的前提下提高了电池转换效率，并具有非常优良的抗PID衰减特性，且制备简单方便。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的技术人员应当理解，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行同等替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神与范围。
Claims (4)
1.一种高PID抗性的晶硅钝化减反射膜，包括第一折射层、第二折射层和第三折射层，其特征在于，所述第一折射层设于第三折射层的下方，所述第二折射层设于第一折射层和第三折射层之间，所述第一折射层和第二折射层为SiNx层，所述第三折射层为SiOxNy层，所述第一折射层、第二折射层和第三折射层的折射率依次降低；所述第一折射层的厚度为5～25nm；所述第二折射层的厚度为25～50nm；所述第三折射层的厚度为10～50nm。
2.根据权利要求1所述的一种高PID抗性的晶硅钝化减反射膜，其特征在于，所述第一折射层的折射率为2.2～2.45。
3.根据权利要求1所述的一种高PID抗性的晶硅钝化减反射膜，其特征在于，所述第二折射层的折射率为1.90～2.2。
4.根据权利要求1所述的一种高PID抗性的晶硅钝化减反射膜，其特征在于，所述第三折射层的折射率为1.5～1.8。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201921662305.3U CN210926030U (zh) | 2019-09-30 | 2019-09-30 | 一种高pid抗性的晶硅钝化减反射膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201921662305.3U CN210926030U (zh) | 2019-09-30 | 2019-09-30 | 一种高pid抗性的晶硅钝化减反射膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN210926030U true CN210926030U (zh) | 2020-07-03 |
Family
ID=71368058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201921662305.3U Expired - Fee Related CN210926030U (zh) | 2019-09-30 | 2019-09-30 | 一种高pid抗性的晶硅钝化减反射膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN210926030U (zh) |
-
2019
- 2019-09-30 CN CN201921662305.3U patent/CN210926030U/zh not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6980079B2 (ja) | 太陽電池 | |
| US5336623A (en) | Process for producing integrated solar cell | |
| TWI459577B (zh) | 具改良表面保護膜之結晶矽太陽電池的製造方法 | |
| WO2019119817A1 (zh) | 一种太阳能异质结电池及其制备方法 | |
| CN109004038B (zh) | 太阳能电池及其制备方法和光伏组件 | |
| CN115621333A (zh) | 双面隧穿氧化硅钝化的背接触太阳能电池及其制备方法 | |
| CN105810779A (zh) | 一种perc太阳能电池的制备方法 | |
| CN104900722A (zh) | 一种具有三层减反射膜的晶体硅太阳能电池及其制备方法 | |
| CN104916710A (zh) | 一种高pid抗性的高效多晶多层钝化减反射膜结构 | |
| CN110444609B (zh) | 一种抗电势诱导衰减的背面膜层结构、制备方法、用途及太阳能电池 | |
| CN115332366A (zh) | 一种背钝化接触异质结太阳电池及其制备方法 | |
| CN105161547A (zh) | 一种用于背钝化太阳电池的叠层膜及其制备方法以及一种背钝化太阳电池 | |
| WO2024021895A1 (zh) | 太阳能电池及制备方法、光伏组件 | |
| CN210926030U (zh) | 一种高pid抗性的晶硅钝化减反射膜 | |
| CN107681020A (zh) | 一种提高平面硅异质结太阳电池长波长光响应的方法 | |
| CN113066893A (zh) | 一种双面perc太阳电池及其制备方法 | |
| CN110965044A (zh) | 降低perc电池电致衰减的介质钝化膜及其制备方法 | |
| CN115763604A (zh) | 一种新型高反射异质结电池器件结构及工艺 | |
| CN113921619A (zh) | 太阳能电池及其正面膜层结构及其制备方法、组件及系统 | |
| CN210156405U (zh) | 具有氢退火tco导电膜的异质结电池结构 | |
| CN111628044A (zh) | 一种硅太阳能电池的表面钝化处理方法和系统 | |
| CN111883597A (zh) | Perc电池的复合钝化膜、制备方法及perc电池 | |
| CN105702749B (zh) | 高pid抗性的多晶多层钝化减反射膜及其制备方法 | |
| CN204732419U (zh) | 一种高pid抗性的高效多晶多层钝化减反射膜结构 | |
| CN220065712U (zh) | 一种perc电池的减反射膜及电池 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Zhang Yiyuan Inventor after: Hou Chengcheng Inventor after: Guan Zisheng Inventor after: Yin Yue Inventor before: Zhang Yiyuan Inventor before: Hou Chengcheng Inventor before: Guan Zisheng Inventor before: Yin Yue |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20200703 Termination date: 20210930 |