JPS5923438B2

JPS5923438B2 - 放電管を含む電気回路配置

Info

Publication number: JPS5923438B2
Application number: JP54078680A
Authority: JP
Inventors: ヒユ−ベルタス・マシアス・ジヨセフ・シエルミン; ジヨセフ・コ−ネリス・モ−ケンス; アドリアナス・マリナス・ヨハンネス・デ・ベ−ル
Original assignee: Koninklijke Philips Electronics NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1978-06-27
Filing date: 1979-06-23
Publication date: 1984-06-01
Also published as: US4253043A; SE446365B; SE7905533L; GB2024545B; DE2925691A1; SE8503457L; IT7923817A0; ATA445079A; NL179622C; AU4835679A; JPS556789A; HU180046B; BE877246A; AU523925B2; FR2430162A1; IT1121903B; AT384338B; IN152427B; ES481867A1; NL7806889A

Description

【発明の詳細な説明】本発明は放電管を具える電気回路配置に関するものであ
り、本発明の電気回路配置は予熱可能電極が設けられて
いる少なくとも１個の気体およびまたは蒸気放電管と、
この放電管を点弧し給電するための手段とを具えている
ものである。

本発明の電気回路は少なくとも前記放電管とコンデンサ
を含む安定器との直列接続回路によつて相互接続された
２つの入力端子を有し、これら入力端子はＶＢを前記直
列接続回路に配設させた放電管の全アーク電圧とすると
き０．６５Ｂおよび１．４ＶＢ間の電圧実効値の交流電
源に接続するためのものであり：さらに前記入力端子か
ら離れて面する前記予熱可能電極の端部を半導体スィツ
チング素子を具えている回路を経て前記直列接続回路内
に含まれている他の放電管電極に接続してあり；さらに
前記放電管の作動状態においては、前記半導体スイツチ
ング素子を前記電源の電圧の各サイクルの第２四半部お
よび第４四半部に制御回路によつて導通にするものであ
る。このような形の既知電気回路配置は例えば米国特許
第３９９７８１４号明細書（あるいは特開昭５０−１３
２７７７号）に開示されており、その場合には放電管は
ランプである。

この既知装置の利点は安定器が比較的小形である点であ
る。しかしながら、この既知電気回路配置においては、
放電管の始動期間に電極間電圧が上昇して予熱可能電極
が冷状態である場合にも放電管を点弧し得るようになる
という欠点がある。このような点弧は放電管の寿命を低
減するという欠点がある。本発明の目的は予熱可能電極
が冷状態にある間は放電管を点弧しないようした前述し
た如き形の電気装置を提供することにある。本発明によ
る電気回路配置は、特許請求の範囲記載の如くの構成を
特徴とする。

この電気回路配置によれば、非直線回路素子が低オーム
抵抗状態にあるために、例えばランプの形態の放電管の
始動期間に放電管電極間の電圧が高くなるのを妨げるこ
とが出来る利点がある。

このため予熱可能電極が冷状態にある間はランプの点弧
を妨げるので、放電管のスィツチング寿命を増大するこ
とが出来る。尚スイツチング寿命とは放電管が使用出来
なくなる前にその放電管をスイツチオンする回数を意味
するものと解する。前述したところによれば予熱可能電
極を他の放電管電極に接続している。この他の放電管電
極をその放電管の第２電極とし得るしまたは第２のすな
わちさらに別の放電管の電極とし得る。尚、この場合、
第２放電管も同様に入力端子間の前述した直列接続回路
内に含ませたものである。本発明回路に用いる半導体ス
ィツチング素子は例えば２個のサイリスタを逆並列接続
したものから成る。

半導体スイツチング素子の制御回路の人力枝路を２つの
放電管電極間に接続することが出来る。

さらに非直線回路素子を２つの放電管電極間に例えば直
接接続し得る。この非直線回路素子を、例えば、正の温
度係数を有する抵抗（以下ＰＴＣ抵抗ともいう）とし得
る。

その場合にはこの抵抗の冷状態におけるそのオーム抵抗
は放電管の点弧期間中は低く、そのため放電管の電極間
に高電圧が生ずるのを妨げる。ＰＴＣ抵抗の高オーム抵
抗状態を得るためには、例えば、この抵抗を例えば低圧
ナトリウム蒸気放電管のような放電管の近くに置いてそ
の作動（または点灯）状態にあるときこの放電管により
このＰＴＣ抵抗を比較的高い温度に保持する。本発明の
電気回路配置の好適実施例においては、前記半導体スイ
ツチング素子の制御回路の第１入力枝路を前記電気回路
配置の入力端子に接続し、前記非直線回路素子は前記半
導体スイツチング素子の前記制御回路の第２入力枝路の
一部分であり、さらに該非直線回路素子の低オーム抵抗
状態においては前記制御回路の前記第２入力枝路によつ
て構成される部分の時定数は該第２入力枝路によつて前
記半導体スイツチング素子を導通にする程に小さいよう
にすることが出来る。

この好適実施例によれば、非直線回路素子は制御回路に
のみ存在するので、この素子を物理的にやや小さくし得
るという利点がある。

すなわち、その場合にはこの非直線回路素子が安定器を
経て流れる全電流を流し得ることは必要ではない。前述
した第２人力枝路によつて構成される制御回路部分の時
定数が小さいので、放電管の始動期間中は第１人力枝路
によつてではなく第２人力枝路によつて半導体スィツチ
ング素子を導通にする。これがため、これら２つの入力
枝路に供給する各電圧について考慮することは勿論であ
る。本発明による電気回路配置の前述した好適実施例に
おいて、非直線回路素子を電圧依存抵抗（以下ＤＲ抵抗
ともいう）とすることも出来る。

このようにすると、この回路素子が放電管の点弧に直ち
に応動するという利点がある。すなわちこの場合にはＶ
ＤＲ抵抗として設けたこの非直線回路素子が放電管の点
弧後に直ちにその高オーム抵抗状態になる。この場合に
は、半導体スィツチング素子の制御は制御回路の第１入
力枝路によつて行なわれる。以下さらに本発明による電
気回路配置のこの好適実施例においての放電管の始動に
ついて説明する。

前述したように、放電管のアーク電圧（ＶＢ）の実効値
は主電圧の実効値とはほんのわずかしか異ならない。こ
の実施例における入力端子を主電圧端子に接続すると、
第１人力枝路によつて半導体スイツチング素子が一旦導
通とされ、よつて電流を流し、この電流が安定器の一部
分を形成しているコンデンサを充電する。この充電動作
に応答して第２入力枝路の両端間電圧が供給される主電
圧の次の半サイクルに高い値となり、その結果ＤＲ抵抗
を低オーム抵抗状態にする。この場合、半導体スィツチ
ング素子がＶＤＲ抵抗を経て急速に導通となるために、
放電管の電極間に高電圧が生じるのを妨げる。この状態
は半導体スイツチング素子を経て流れる電流によつて予
熱可能電極が加熱され続いて放電管が点弧されるまで続
く。これがため、放電管の始動期間中はこの第１入力枝
路は半導体スイツチング素子を最初にトリガするノこ
とを除いては何ら作用しない。前述した実施例において
は、さらに、放電管の始動期間中、半導体スイツチング
素子を第２入力枝路によつて主として導通にするが、放
電管の作動状態においてはこの半導体スイツチング素子
をｒ第１入力枝路によつてのみ導通にすることが出来る
。

斯して半導体スイツチング素子の制御を放電管の始動状
態と作動状態との間で分離することが出来る。電気回路
配置の放電管を１個の放電管とするこＯとが出来る。

主電圧が２２０であるとすると、この放電管のアーク電
圧ＶＢを約１５５および３４０間とし得るので、この電
圧は主電圧に近（・。このことは主電圧が０，６５ＶＢ
および１．４ＶＢの限界値間にあることを意味する。高
いア一ク電圧は、例えば、放電管の電極間隔を大きく選
定することによつておよびまたは放電管の直径を小さく
選定することによつて実現出来る。さらにこの高アーク
電圧を放電管内に具合良くガラスウールを分布させるこ
とによつても得ることが出来る。本発明による電気回路
の他の好適実施例においては、第２放電管を前記入力端
子を相互接続する前記直列接続回路内に含ませ、よつて
前記半導体スイツチング素子を含む回路がこの直列配置
された前記放電管を分路するようにすることが出来る。

この好適実施例によれば、通常のアーク電圧を有する放
電管を使用することが出来る。例えば、夫々約１０５Ｖ
のアーク電圧を有している２個のランプの直列回路を２
２０Ｖの供給主電圧から作動させることが出来るという
利点がある。さらにこの好適実施例において、２つの前
記放電管の各々は２つの予熱可能電極を具え、一番外の
電極の、入力端子から離れて面する端部を前記半導体ス
ィツチング素子を経て相互接続することが出来る。

このように構成することにより、マルチランプ装置の利
点と共に半導体スイツチング素子が２つの予熱可能電極
の予熱を確実に行ない得るという利点を得る。

「一番外の電極」とは２つの放電管の直列接続回路の各
端部に配設させた放電管のこれら電極を意味すると解す
る。前述した後者の好適実施例において、さらに最も内
部の２つの電極を補助変成器に接続し、この補助変成器
の一次巻線が安定器の一部分から成るようにすることが
出来る。

このように構成することにより、簡単な方法で放電管の
最も内側の２つの電極の予熱を行ない得るという利点が
ある。

この場合、電極予熱を確実に行なう安定器の当該部分は
誘導性部分である。本発明によるさらに他の好適実施例
においては、２つの放電管を低圧水銀蒸気放電管とする
ことが出来る。このように構成することにより、普通に
組合わせた放電管を有する簡単な点灯回路配置では小形
の安定器とこれら放電管を作動するための電子装置との
みが必要となるにすぎないという利点がある。

半導体スイツチング素子をその制御回路と共に）例えば
、個別の補助装置として設けることが出来る。

このような補助装置は好ましくは３つの入力端子を具え
、これら入力端子の２つは双方向性サイリスタ特性を有
する半導体スイツチング素子を経て接続されており、さ
らに非直線回路素子とコンデンサとを具えるある回路は
この半導体スィツチング素子を分路しており、さらに第
３入力端子は抵抗を経て前記コンデンサに接続されてい
る。

このような補助装置はそれが簡単であるという利点があ
る。以下、図面により本発明の実施例につき説明する。

第１図において、１および２は電圧が約２２０Ｖであつ
て周波数が５０Ｈｚの交流電圧源に接続するための入力
端子を示す。

この端子１をコンデンサ３に接続する。このコンデンサ
３の他端を変成器５の第１の一次巻線４に接続する。こ
の変成器の二次巻線を５ａで示す。この一次巻線４の他
端を低圧水銀蒸気放電管７の予熱可能電極６に接続する
。この放電管７は８で示す第２予熱可能電極を有してい
る。この放電管７と直列に同様な低圧水銀蒸気放電管９
を配列する。この放電管９は予熱可能電極１０および１
１を含んでいる。この場合、予熱可能電極８を電極１０
に接続する。さらに電極１１を第２の一次巻線１２を経
て入力端子２に接続する。これら巻線４と１２とを以つ
て放電管７および９の安定器の誘導性部分を構成する。
これら電極６および１１を正の温度特性（ＰＴＣ）の抵抗２１と双方向性サイリスタ特性を有す
る半導体スイツチング素子２２との直列回路によつて相
互接続する。

この半導体スイツチング素子２２の制御電極を抵抗２３
を経て電極１１に接続する。このスイツチング素子２２
の制御電極と抵抗２３との接続点を抵抗２４に接続する
。この抵抗２４の他端をシリコンバイラテラルスイツチ
（Ｓ．Ｂ．Ｓ）としての降伏素子に接続する。この降伏
素子２５の他端を負の温度係数（ＮＴＣ）を有する温度
感知抵抗２６に接続する。この抵抗２６の他端を抵抗２
１に接続する。この抵抗２７の他端を放電管９の電極１
１に接続する。この半導体スィツチング素子２２の制御
回路の第１入力枝路は抵抗３０，３１、可変抵抗３２お
よびコンデンサ３３の直列接続回路を具えている。この
入力枝路の一端を入力端子１とコンデンサ３との間に接
続し、この入力枝路の他端を放電管９の電極１１に接続
する。半導体スイツチング素子２２の制御回路の第２入
力枝路は電圧依存抵抗としての非直線回路素子４０と、
抵抗４１とコンデンサ３３とを具えている。このコンデ
ンサ３３は第４および第２人力枝路に共通である。この
第２入力枝路は半導体スイツチング素子２２を分路して
いる。さらに、抵抗３１，３２およびコンデンサ３３の
直列接続回路を、導通方向を逆にして接続した２つのツ
エナーダイオード５０および５１の直列接続回路によつ
て、分路する。

変成器の二次巻線５ａを電極８および１０へ接続する回
路は双方向性サイリスタ特性を有するスイツチング素子
（トライアツク）を含んでいる。

このスイツチング素子６０の制御電極をその主電極へ２
つのツエナーダイオード６１および６２の直列接続回路
を経て接続する。次にこの回路の動作につき説明する。

端子１，２を２２０Ｖ，５０Ｈｚの電圧源に接続すると
、回路１，３０，３１，３２，３３，１１，１２，２を
電流が流れて、コンデンサ３３を充電してその電圧は素
子２５のスレツシヨールド値に達する。この時のスイツ
チング素子２２が導通してコンデンサ３が充電される（
バイアス電圧となる）。電流の零交差によつて素子２２
が再び非導通となる。この場合、電極６と１１との間に
はコンデンサ３のバイアス電圧に基づいて比較的高い電
圧が形成され、この電圧は電圧依存抵抗４０のオーム抵
抗値を低くする程に高い電圧である。この電圧に応答し
て、この場合比較的低い抵抗値となつている抵抗４０を
経てコンデンサ３３が急激に充電される。降伏素子２５
のスレツシヨールド値に再び達すると直ちに半導体スイ
ツチング素子２２がその制御電極を経て導通となる。そ
の後に回路１，３，４，６，２１，２２，１１，１２を
経て人力端子２へと電流が流れる。また巻線４および１
２を経て電流が流れるために巻線５ａに電圧が誘起され
、そのため電極８および１０が確実に予熱される。スイ
ツチング素子２２を経る電流が半サイクルの終了時にそ
の保持電流値以下に落ち込むと、このスイツチング素子
は再び非導通となる。前述したように、このスイツチン
グ素子２２は次の半サイクルに入力回路４０，４１，３
３を経て再び導通となる。この工程が続いて行なわれて
放電管７および９が点弧する。その場合電極６と１１と
の間の電圧はこれら２つの放電管のアーク電圧を合わせ
た電圧に等しくなるが、この電圧は電圧依存抵抗４０を
低いオーム抵抗状態に保持するには不十分な電圧である
。このため第１入力枝路３０，３１，３２，３３によつ
て半導体スイツチング素子２２を導通にする状態を得る
。主電源電圧の各半サイクル期間に、コンテンサ３３を
これら抵抗３０ないし３２を経て充電してスレツシヨー
ルド素子２５の降伏電圧値にまでする。次にスィツチン
グ素子２２の制御電極がパルスを受信すると、これに応
答してこのスイツチング素子が導通となる。安定器の一
部分を形成するコンデンサ３によつて、特に放電管の両
端子間に再点弧するために十分な電圧が常に存在するよ
うにし得る。ツエナーダイオード５０および５１の直列
接続回路によつて、放電管の作動すなわち点灯状態にお
いて半導体スイツチング素子２２を導通にする半サイク
ル中の瞬時が端子１および２間の主電圧の変動にのみ微
小程度依存するようにする。主電流を一定に保持するた
めに、第１人力枝路を端子１と電極１１との間に接続す
る。

すなわちこのことは半導体スイツチ２２が導通となる瞬
時に合うように巻線１２を経る電流によつて主電圧に対
して生ずる移相を考慮することが出来ることを意味する
。放電管７および９の始動中、コンデンサ３３はすでに
早期に抵抗４０および４１を経てスレツシヨールド素子
２５の降伏電圧に達しているので、実際には人力枝路３
０，３１，３２の動作は急激に妨げられる。

また何らかの理由によつて、電極６および１１間の電圧
が再び高い値に増大すると、抵抗４０はスイツチング素
子２２を十分急速に導通にし得るのでこのような高電圧
が生ずるのを妨げることが出来る。放電管７および９を
点弧すると、変成器の巻線５ａの端子間電圧は低減して
ツエナーダイオード６１および６２の降伏電圧に最早達
しない程度になる。

このため半導体スイツチング素子６０を導通させる作用
が終了し、そのため内側の電極８および１０の予熱も終
了する。すなわち、放電管が作動状態にある場合には電
極８および１０の温度はこれら２つの管７および９内で
の放電によつてすでに十分なレベルになつている。周囲
温度が低い場合には、ＮＴＣ抵抗２６が放電管の再点弧
を保証する。第１の具体的な実施例においては、各放電
管の長さは約１．２ｍであつてその管径は約２６ｕであ
る。

充填ガスはアルゴンから成つている。これら２つのラン
プのアーク電圧（ＶＢ）は約１２５Ｖである。その場合
各ランプの消費電力は約３４Ｗである。コンデンサ３、
巻線４および１２の組合わせを具える安定器の消費電力
は約９Ｗであるので、全消費電力は７７Ｗである。この
系の効率すなわち安定器を含む全回路の効率は約８８ル
ーメン／ワットである。始動期間中、管電極間の電圧が
約３５０Ｖの最小電圧に達している場合にはＶＤＲ抵抗
４０は低オーム抵抗状態になつていく。このため、電極
が冷状態にある間は管の点弧は妨げられる。本発明によ
らない回路の場合に＆ちこのＶＤＲ抵抗４０が存在して
おらず他の点におい二ては同一の構成であつても電極
６と１１との間の電圧は増大して約１２００Ｖに達し得
る。その場合には電極が尚も冷状態にあつても放電管を
点弧させてしまう。主電圧を１１８としその周波数を６
０Ｈｚとｚする第２実施例においては、２つの放電管
の各長さを同様に１．２ｍとした。

また、この実施例はアルゴン−クリプトンを含有し外径
が３８７１１Ｊ１ｔの低圧水銀蒸気放電灯に係るもので
ある。これらの各ランプのアーク電圧（ＶＢ）は約８３
Ｖである。この場合、各ランプの消費電力は約３２Ｗで
ある。安定器の消費電力は約７．５Ｗであるので、主電
源からは７１．５Ｗの電力を必要とし、その効率は約７
９ルーメン／ワットである。第２図は１１８Ｖ１６０Ｈ
ｚの電源に接続するための本発明の第３実施例を示す回
路である。

この図示の実施例では、第１図の２つの放電管７および
９を使用する代わりに、１．５ｍの長さの唯一個の低圧
水銀蒸気放電灯６０を使用している。尚、第１図の構成
成分と同一の構成成分には同一符号を附して示す。この
放電管６０の外径は２６ｕである。また充填ガスはアル
ゴンである。さらにアーク電圧（ＶＢ）は約１４５Ｖで
ある。この場合、放電管の消費電力は約５９Ｗである。
安定器の消費電力は８Ｗである。従つて、主電源からは
約６７Ｗの電力を消費する。この放電管の内壁はけい光
層を含み、このけい光層は３価のユーロピウムによつて
活性化された酸化イツトリウムと、テルピウムによつて
酸化されたアルミン酸セリウムマグネシウムと２価のユ
ーロピウムによつて活性化されたアルミン酸バリウムマ
グネシウムを含んでいる。この場合、この系の効率は約
８４ルーメン／ワットである。上述した３つの実施例に
おいて、回路素子の値を次の表に示す。

尚、第１および第２実施例において、ＶＤＲ抵抗４０の
カタログ番号はフイリツブス２３２２５９４／１４７１
２であり、第２実施例においてはフイリツプス２３２２
５９４／１３５１２でぁる。

これら３つの各実施例は電気回路を０．６５ＶＢおよび
１，４ＶＢ間の主電圧端子に接続するという条件を満た
している。すなわち、第１実施例においては、主電圧は
２２０ＶであつてＢは２Ｘ１２５Ｖ＝２５０である。こ
の場合にはこの主電圧は０．６５ＶＢ＝１６５Ｖおよび
１．４ＶＢ３５０Ｖの間にある。第２実施例においては
、主電圧は１１８ＶでありＶＢ二２Ｘ８３Ｖ＝１６６Ｖ
である。この場合には主電圧は０，６５ＶＢ一１１０Ｖ
および１．４ＶＢ＝２３０Ｖの間にある。第３実施例に
おいては主電圧は１１８でありＶＢ二１４５である。こ
の場合には主電圧は０．６５ＶＢ＝９５Ｖおよび１．４
Ｂ＝２００Ｖの間にある。上述した各実施例において、
始動期間中はＤＲ抵抗４０のオーム抵抗値は実際にル」
＼さくて無視し得る。

残りの抵抗４１のオーム抵抗値は第２人力枝路４０，４
１，３３の時定数を著しく小さくしてコンデンサ３３を
この枝路を経て急速に充電させ、従つて半導体スイツチ
ング２２を導通させるような値である。この始動期間中
は抵抗３０，３１および３２を含んでいる第１人力枝路
はそれ以上作用しない。さらに、各実施例において、回
路３０，３１および３２のオーム抵抗値は高いので、１
個またはそれ以上の放電管の作動状態においては、電源
の各半サイクルの第２半部まではコンデンサ３３の電圧
は素子２５の降伏電圧に達しない，その場合にはこれは
半導体スイツチング素子２２を導通にする。

本発明による前述した回路によれば、主電圧に近い比較
的高いランプアーク電圧のために比較的小形の安定器と
これらランプの寿命を長くするように放電管を点弧する
始動回路とを結合させることによって、ランプの寿命を
長くするようにランプを点弧するためにエネルギーと材
料とを節約し得るランプ回路を提供することが出来ると
いう利点がある。

第１図および第２図において、番号２１およびそれより
先の回路部分を普通のグロー放電スタータの容器と同じ
寸法の容器に収容することが出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による第１電気回路配置の電気回路を示
すブロック線図、第２図は本発明による第２電気回路配
置の電気回路を示すブロック線図である。１，２・・・・入力端子、３，３３・・・コンデンサ、
４・・・第１の一次巻線、５・・・変性器、５ａ・・・
二次巻線、６，８，１０，１１・・・予熱可能電極、７
，９・・・水銀蒸気放電管、１２・・・第２の一次巻線
、２１，２３，２４，２６，２７，３０〜３２，４１。

Claims

【特許請求の範囲】１予熱可能電極６を備える少なくとも１個の気体蒸気
放電管７、９を具え、該放電管７、９を点弧し給電する
ための手段として、少なくとも前記放電管とコンデンサ
３を含む安定器３、４との直列接続回路３、４、７、９
、１２によつて相互接続された２個の入力端子１、２を
有しており、該入力端子１、２はＶＢを前記直列接続回
路内に配設された前記放電管７、９の全アーク電圧とす
るとき０．６５ＶＢ〜１．４ＶＢ間にある電圧実効値を
有する交流電源に接続するためのものであり、さらに前
記入力端子１、２から離れて面している予熱可能電極６
の端部を、制御電極を備えた半導体スイッチング素子２
２を具える回路２１、２２を経て、前記直列接続回路内
に含まれる他の放電管電極１１に接続してあり、さらに
前記放電管７の作動状態においては前記電源の電圧の各
サイクルの第２四半部および第４四半部に前記スイッチ
ング素子２２を前記半導体スイッチング素子２２の制御
電極に接続された制御回路によつて導通にするように構
成した放電管を具える電気回路配置において、前記予熱
可能電極６および前記放電管電極１１を非直線回路素子
４０を経て相互接続し、該非直線回路４０をその端子間
電圧が高い場合には低いオーム抵抗値を有するタイプの
非直線回路素子とし、前記半導体スイッチング素子２２
の前記制御回路２３〜５１は第１および第２入力枝路を
備え、該第１入力枝路３０、３１、３２、３３を前記電
気回路配置の入力端子１に接続し、前記非直線回路素子
４０を前記半導体スイッチング素子２２の前記制御回路
の第２入力枝路４０、４１、３３の一部分として構成し
たことを特徴とする放電管を含む電気回路配置。２前記非直線回路素子４０は電圧依存抵抗であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電気回路配置
。３第２放電管９を前記入力端子１、２を相互接続する
前記直列接続回路内に含ませ、よつて前記半導体スイッ
チング素子２２を含む回路がこの直列配置された前記放
電管７、９を分路することを特徴とする特許請求の範囲
第１項または第２項に記載の電気回路配置。４予熱可能電極６を備える２個の気体蒸気放電管７、
９を具え、該放電管７、９を点弧し給電するための手段
として、少なくとも前記放電管とコンデンサ３を含む安
定器３、４との直列接続回路３、４、７、９、１２によ
つて相互接続された２個の入力端子１、２を有しており
、該入力端子１、２はＶＢを前記直列接続回路内に配設
された前記放電管７、９の全アーク電圧とするとき０．
６５ＶＢ〜１．４ＶＢ間にある電圧実効値を有する交流
電源に接続するためのものであり、さらに前記入力端子
１、２から離れて面している予熱可能電極６の端部を、
制御電極を備えた半導体スイッチング素子２２を具える
回路２１、２２を経て、前記直列接続回路内に含まれる
他の放電管電極１１に接続してあり、さらに前記放電管
７の作動状態においては前記電源の電圧の各サイクルの
第２四半部および第４四半部に前記スイッチング素子２
２を前記半導体スイッチング素子２２の制御電極に接続
された制御回路によつて導通にするように構成した放電
管を具える電気回路配置において、前記予熱可能電極６
および前記放電管電極１１を非直線回路素子４０を経て
相互接続し、該非直線回路４０をその端子間電圧が高い
場合には低いオーム抵抗値を有するタイプの非直線回路
素子とし、前記半導体スイッチング素子２２の前記制御
回路２３〜５１は第１および第２入力枝路を備え、該第
１入力枝路３０、３１、３２、３３を前記電気回路配置
の入力端子１に接続し、前記非直線回路素子４０を前記
半導体スイッチング素子２２の前記制御回路の第２入力
枝路４０、４１、３３の一部分として構成し、２つの前
記放電管７、９の各々は２つの予熱可能電極を具え、一
番外の電極６、１１の、入力端子１、２から離れて面す
る端部を前記半導体スイツチング素子２２を経て相互接
続することを特徴とする放電管を含む電気回路配置。５さらに最も内部の２つの電極８、１０を補助変成器
５に接続し、この補助変成器の一次巻線４が安定器３、
４の一部分から成ることを特徴とする特許請求の範囲第
４項記載の電気回路配置。６前記２つの放電管７、９は低圧水銀放電管であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の電気回路配
置。