JPS59231542A - ホトエツチング用ガラスマスク - Google Patents
ホトエツチング用ガラスマスクInfo
- Publication number
- JPS59231542A JPS59231542A JP58106174A JP10617483A JPS59231542A JP S59231542 A JPS59231542 A JP S59231542A JP 58106174 A JP58106174 A JP 58106174A JP 10617483 A JP10617483 A JP 10617483A JP S59231542 A JPS59231542 A JP S59231542A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- chip
- pattern
- rectangular
- glass mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/42—Alignment or registration features, e.g. alignment marks on the mask substrates
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、例えば半導体装置製造過程のホトエツチン
グ工程において、半導体ウニへの複数のウェハチップそ
れぞれに所定の回路パターンを形成する際に使用される
ホトエツチング用ガラスマスクに関する。
グ工程において、半導体ウニへの複数のウェハチップそ
れぞれに所定の回路パターンを形成する際に使用される
ホトエツチング用ガラスマスクに関する。
一般に半導体装置製造過程のホトエツチング工程におい
ては、ホトエツチング用のガラスマスクが使用される。
ては、ホトエツチング用のガラスマスクが使用される。
第１図は例えば１０倍体画像のガラスマスク１１を示す
もので、このマスク１１は複数のマスクチップ１２ａ〜
１２ｆを備えている。このマスクチップ１２ａ〜１２１
には、それぞれ図示しない半導体ウェハのウェハチップ
に形成しようとする所定の回路パターンに対応したエツ
チングパターンが形成されるもので、このエツチングパ
ターンは例えばガラスマスク１１面に遮光性のマスクク
ロム等を設は込光伸域と不透光領域とを形成してなる。
もので、このマスク１１は複数のマスクチップ１２ａ〜
１２ｆを備えている。このマスクチップ１２ａ〜１２１
には、それぞれ図示しない半導体ウェハのウェハチップ
に形成しようとする所定の回路パターンに対応したエツ
チングパターンが形成されるもので、このエツチングパ
ターンは例えばガラスマスク１１面に遮光性のマスクク
ロム等を設は込光伸域と不透光領域とを形成してなる。
すなわち、このガラスマスク１１のエツチングパターン
の透光領域に対応して、半導体ウニへ面に塗布されたレ
ジスト膜キｆの感光Ｂφを霧光除去し、この感光膜の除
去された領域の半導体ウェハ面に対して半導体素子を形
成することにより所定の回路・母ターンを得るようにす
るものである。
の透光領域に対応して、半導体ウニへ面に塗布されたレ
ジスト膜キｆの感光Ｂφを霧光除去し、この感光膜の除
去された領域の半導体ウェハ面に対して半導体素子を形
成することにより所定の回路・母ターンを得るようにす
るものである。
上記ガラスマスク１１のマスクチップ１２＆〜１２１そ
れぞれに形成したエツチングパターンは、実際に半導体
クエへに対して露光を行なうまでに、何回となく検査さ
れるもので、この場合、エッチングノやターンの欠陥検
査装置としては、通常、４Ｆ３めて検査粘度の占い比較
検査装置が使用される。この比較＠査装置は、例えばガ
ラスマスク１１面の隣接する２つのマスクチップ１２＊
、１２ｂそれぞれに形成された同一エツチングパターン
を、それぞれ同時に電子ビーム等で走査することにより
比較検査するもので、この場合、例えば一方のマスクチ
ップ１２ａに形成されたエツチングノ＜？ターンを予め
正常パターンと認識しておけば、他方のマスクチップ１
２ｂが被倹査チップとなる。つまり、それぞれのマスク
チップ／ ２ ａ 、 、／ ２ ｂを走査する電子ビ
ーム信号がそれぞれ同一信号とならない時に、その電子
ビームの走査位置に対応する部分の被検査チップ′／２
ｂ面には、異常・母ターンが生じていると判断されるも
のである。
れぞれに形成したエツチングパターンは、実際に半導体
クエへに対して露光を行なうまでに、何回となく検査さ
れるもので、この場合、エッチングノやターンの欠陥検
査装置としては、通常、４Ｆ３めて検査粘度の占い比較
検査装置が使用される。この比較＠査装置は、例えばガ
ラスマスク１１面の隣接する２つのマスクチップ１２＊
、１２ｂそれぞれに形成された同一エツチングパターン
を、それぞれ同時に電子ビーム等で走査することにより
比較検査するもので、この場合、例えば一方のマスクチ
ップ１２ａに形成されたエツチングノ＜？ターンを予め
正常パターンと認識しておけば、他方のマスクチップ１
２ｂが被倹査チップとなる。つまり、それぞれのマスク
チップ／ ２ ａ 、 、／ ２ ｂを走査する電子ビ
ーム信号がそれぞれ同一信号とならない時に、その電子
ビームの走査位置に対応する部分の被検査チップ′／２
ｂ面には、異常・母ターンが生じていると判断されるも
のである。
こ＼で、上記比較検を装置の比較定貫範囲は、それぞれ
のマスクチップ１２ｇ、１２ｂの対向するチップコーナ
Ａ−Ｂまでてあり、この検査装置にガラスマスク１１を
設Ｗ−゛する際には、検査装置の走査原点に対して、何
Ｊ１か一方のマスクチップ１２ａもしくは１２ｂのチッ
プコーナＡが一致するように設「しなければならない。
のマスクチップ１２ｇ、１２ｂの対向するチップコーナ
Ａ−Ｂまでてあり、この検査装置にガラスマスク１１を
設Ｗ−゛する際には、検査装置の走査原点に対して、何
Ｊ１か一方のマスクチップ１２ａもしくは１２ｂのチッ
プコーナＡが一致するように設「しなければならない。
しかし上記のように槽成されるガラスマスク１１では、
例えばマスクチップ１２１〜１２１それぞれに形成した
エツチングパターンが透光領域である場合には、その他
のマスクチップ１２ａ〜１２ｆ内の領域およびガラスマ
スク１１令′１域はずべて不透光領域となる。すなわち
、この場合マスクチップ１２ｎ〜１２ｆそれぞれの外周
境界線は非常に不明瞭なものであり、そのチップコーナ
人を見つけるまでには多くの時間を必要としてしまう。
例えばマスクチップ１２１〜１２１それぞれに形成した
エツチングパターンが透光領域である場合には、その他
のマスクチップ１２ａ〜１２ｆ内の領域およびガラスマ
スク１１令′１域はずべて不透光領域となる。すなわち
、この場合マスクチップ１２ｎ〜１２ｆそれぞれの外周
境界線は非常に不明瞭なものであり、そのチップコーナ
人を見つけるまでには多くの時間を必要としてしまう。
したがって、比較検査装置の走査原点に対して、例えば
マスクチップ１２＆のチップコーナ人を短時間で正確に
一致させるのは不可能な状態となり、実際上、検査装置
゛の走査原点には、例えば第２図にマスクチップ１２ａ
のチップコーナＡ付近を拡大して示すように、チップコ
ーナＡに最も近いエツチングパターン部Ａ１等を一致さ
せるようにしている。この場合、比較検査装置の比較走
査範ｕ１」が正確に設定されない状態となり、異常パタ
ーンの生じているマスクチップを見逃してしまう恐れが
ある。
マスクチップ１２＆のチップコーナ人を短時間で正確に
一致させるのは不可能な状態となり、実際上、検査装置
゛の走査原点には、例えば第２図にマスクチップ１２ａ
のチップコーナＡ付近を拡大して示すように、チップコ
ーナＡに最も近いエツチングパターン部Ａ１等を一致さ
せるようにしている。この場合、比較検査装置の比較走
査範ｕ１」が正確に設定されない状態となり、異常パタ
ーンの生じているマスクチップを見逃してしまう恐れが
ある。
この発明は上記のよう人問題点に’Ｉ’ａみ力されたも
ので、例えば比較検査装置の検査原点に対してマスクチ
ップのチップコーナを一致設定する際に、多くの時間を
損失してしまうことなく、簡単且つ正確に設定すること
ができるようになるホトエツチング用ガラスマスクを提
供することを目的とする。
ので、例えば比較検査装置の検査原点に対してマスクチ
ップのチップコーナを一致設定する際に、多くの時間を
損失してしまうことなく、簡単且つ正確に設定すること
ができるようになるホトエツチング用ガラスマスクを提
供することを目的とする。
すなわちこの発明に係るホトエツチング用ガラスマスク
は、株数のマスクチップのうち少なくとも１つ以上のマ
スクチップのチップコーナに連続するチップ外周辺の延
長上に、所定面積以下の襟数の矩形ツクターンを一定の
却９則性を保持して配列設定したものである。
は、株数のマスクチップのうち少なくとも１つ以上のマ
スクチップのチップコーナに連続するチップ外周辺の延
長上に、所定面積以下の襟数の矩形ツクターンを一定の
却９則性を保持して配列設定したものである。
以下図面によりこの発明の一実施例を説明する。
第３図は例えば１０倍体画館のガラスマスク２０を示す
もので、このマスク２θは例えば２つのマスクチップ２
１ｈ、２１ｂを４ｆｉσえている。
もので、このマスク２θは例えば２つのマスクチップ２
１ｈ、２１ｂを４ｆｉσえている。
このマスクチップ２１＊、２１ｂそれぞれには、半導体
ウニへの被数のウニ八チップそれぞれに対し、て、ホト
エツチングして形成１７ようとする所定の回路パターン
に対応したエツチング・母ターン２２ｍ 、２２ｂが形
成されるもので、この場合、例えばエラチングミ４ター
ン２２ ａ 、 ２２ｂ部を透光領域で形成したとすれ
は、他のマスクチップ２１ｍ、２１ｂ面およびマスク２
０面は“不透光領域となる。
ウニへの被数のウニ八チップそれぞれに対し、て、ホト
エツチングして形成１７ようとする所定の回路パターン
に対応したエツチング・母ターン２２ｍ 、２２ｂが形
成されるもので、この場合、例えばエラチングミ４ター
ン２２ ａ 、 ２２ｂ部を透光領域で形成したとすれ
は、他のマスクチップ２１ｍ、２１ｂ面およびマスク２
０面は“不透光領域となる。
第４図はこのガラスマスク２０の一方のマスクチツブ２
１ｈのチップコーナＡ付近を拡大して示すもので、この
チップコーナＡ部には矢印で示すようなＸおよびｙ方向
に対して、ネオ数の矩形パターン２３ ａ 、 ２３
ｂ 、 ＝および２４ａ。
１ｈのチップコーナＡ付近を拡大して示すもので、この
チップコーナＡ部には矢印で示すようなＸおよびｙ方向
に対して、ネオ数の矩形パターン２３ ａ 、 ２３
ｂ 、 ＝および２４ａ。
２４ｂ、・・・を配列設定する。この矩形／？パターン
３ ａ 、 ２３ ｂ 、−および２４ ｍ 、 ２
４ ｂ 、 ・・・は、それぞれマスクチップ２１ｍの
横および縦のチップ外周辺２５ｍ、２５ｂの連続延長上
に配列されるもので、この場合、例えばこの矩形ノ臂タ
ーン２３ ａ 、 ２３ ｂ 、−および２４ＩＬ。
３ ａ 、 ２３ ｂ 、−および２４ ｍ 、 ２
４ ｂ 、 ・・・は、それぞれマスクチップ２１ｍの
横および縦のチップ外周辺２５ｍ、２５ｂの連続延長上
に配列されるもので、この場合、例えばこの矩形ノ臂タ
ーン２３ ａ 、 ２３ ｂ 、−および２４ＩＬ。
２４ｂ、・・・部それぞれは、マスクチップ２１＆面の
エツチングパターン２２ｇに対応して透光領域で形成さ
れる。ここで、上記矩形ツクターン２３ ａ 、 ２３
ｂ 、−および２４ ａ 、 ２４ ｂ 、 −それ
ぞれは、一定間隔７ｔ−の規則性を保持して配列される
もので、また、その矩形面積は、ホトエツチング時に半
導体ウエノＸ＝にツクターン形成されることのない、例
えばａ ｘ ｂ ＝ ５μｍ×１μｍ程度の所定面積以
下に設定される。
エツチングパターン２２ｇに対応して透光領域で形成さ
れる。ここで、上記矩形ツクターン２３ ａ 、 ２３
ｂ 、−および２４ ａ 、 ２４ ｂ 、 −それ
ぞれは、一定間隔７ｔ−の規則性を保持して配列される
もので、また、その矩形面積は、ホトエツチング時に半
導体ウエノＸ＝にツクターン形成されることのない、例
えばａ ｘ ｂ ＝ ５μｍ×１μｍ程度の所定面積以
下に設定される。
すなわちこのように構成されるガラスマスクにおいて、
例えばマスクチップ２１ｍ、２１ｂそれぞれのエツチン
グパターン２２ａ、２２ｂを比較検査装置で検査する際
に、検査装置の走査原点に対して一方のマスクチップ２
１ａのチップコーナＡを一致設定する場合には、まずマ
スクチップ２１ｍのチップコーナＡ部に連続して配列し
たＸまたはｙ方向何れか一方の矩形ツヤターン２３ ｍ
、 ２３ ｂ 、 ・・・または２４ ｈ 、 ２４
ｂ。
例えばマスクチップ２１ｍ、２１ｂそれぞれのエツチン
グパターン２２ａ、２２ｂを比較検査装置で検査する際
に、検査装置の走査原点に対して一方のマスクチップ２
１ａのチップコーナＡを一致設定する場合には、まずマ
スクチップ２１ｍのチップコーナＡ部に連続して配列し
たＸまたはｙ方向何れか一方の矩形ツヤターン２３ ｍ
、 ２３ ｂ 、 ・・・または２４ ｈ 、 ２４
ｂ。
・・・を睨つけ出す。これにより、ブーツブコーナＡは
、！一つけ出した矩形ノ？ターン２．９ａ、ｊ？Ｊｂ。
、！一つけ出した矩形ノ？ターン２．９ａ、ｊ？Ｊｂ。
・・・または２４ ａ ａ ２４ ｂ ＋・・・に沼う
ようにしてガラスマスク２０をＸまたはｙ方向に平行移
動するだけで発見可能な駄態となり、例えば、チップ外
周辺２５ｍ、２５ｂ部が全面的に不透光領域であって、
マスクチップ２１＆、２１ｂそれぞれの外周境界線が不
明瞭である場合でも、チップコーナ人は検査装置の検査
ＬＣへ点に対して正確に一致設定されるようになる。。
ようにしてガラスマスク２０をＸまたはｙ方向に平行移
動するだけで発見可能な駄態となり、例えば、チップ外
周辺２５ｍ、２５ｂ部が全面的に不透光領域であって、
マスクチップ２１＆、２１ｂそれぞれの外周境界線が不
明瞭である場合でも、チップコーナ人は検査装置の検査
ＬＣへ点に対して正確に一致設定されるようになる。。
したがって、比較検査装置の比較走査範囲は、それぞれ
のマスクチップ２１ｍおよび２１ｂのチップコーナＡ〜
Ｂの間に正確に設定されるようになり、それぞれのチッ
プ２１ｍ、２１ｂ面は余す所なく完全に検査されるよう
になる。
のマスクチップ２１ｍおよび２１ｂのチップコーナＡ〜
Ｂの間に正確に設定されるようになり、それぞれのチッ
プ２１ｍ、２１ｂ面は余す所なく完全に検査されるよう
になる。
尚、上記実施例では、矩形パターン２３ａ。
２３ｂ、・・・および２４＊、２４ｂ、・・・それぞれ
をマスクチップ２１＃Ｌ領域外に配列しているが、この
矩形パターン２３ｈ 、２３ｂ 、・・・および２４ａ
、２４ｂ、・・・は半導体ウェハに対してノＪ？ターン
形成されないものなので、マスクチップ２１ａのチップ
外周辺２６ｈおよび２５ｂ上に直接配列するようにして
もよい。また、このような矩形パターンは、各種検査装
置に内装されるバーニヤ目盛等に対応するように配列し
てもよい。
をマスクチップ２１＃Ｌ領域外に配列しているが、この
矩形パターン２３ｈ 、２３ｂ 、・・・および２４ａ
、２４ｂ、・・・は半導体ウェハに対してノＪ？ターン
形成されないものなので、マスクチップ２１ａのチップ
外周辺２６ｈおよび２５ｂ上に直接配列するようにして
もよい。また、このような矩形パターンは、各種検査装
置に内装されるバーニヤ目盛等に対応するように配列し
てもよい。
以上のようにこの発明によれば、例えばマスクチップの
外周辺が不明瞭である場合でも、多くの時間を浪貿する
ことなく１比較検有装置の検査原点に対してマスクチッ
プのチップコーナを簡単且つ正？ｉｌｆに一致設定する
ことができ、このガラスマスクのエツチングノやターン
なＣＱＭする際の作県性を大幅に向上することが可能と
なる。
外周辺が不明瞭である場合でも、多くの時間を浪貿する
ことなく１比較検有装置の検査原点に対してマスクチッ
プのチップコーナを簡単且つ正？ｉｌｆに一致設定する
ことができ、このガラスマスクのエツチングノやターン
なＣＱＭする際の作県性を大幅に向上することが可能と
なる。
第１図は従来のガラスマスクを示す図、２１２図はこの
ガラスマスクのチップコーナ付近を拡大して示す図、第
３図はこの発明の一実施例に係るホトエツチング用ガラ
スマスクを説明する図、第４図はこのガラスマスクのチ
ップコーナ付近を拡大して示す図である。 ２０・・・ガラスマスク、２１ｍ、２１ｂ・・・マスク
チップ、２２ｍ、２２ｂ・・・エツチングパターン、２
３ ｍ 、 ２３ ｂ 、 −、２４ａ 、 ２４ ｂ
、 −・・・・・・矩形パターン、２５＊、２５ｂ、
・・・チップ外周辺。
ガラスマスクのチップコーナ付近を拡大して示す図、第
３図はこの発明の一実施例に係るホトエツチング用ガラ
スマスクを説明する図、第４図はこのガラスマスクのチ
ップコーナ付近を拡大して示す図である。 ２０・・・ガラスマスク、２１ｍ、２１ｂ・・・マスク
チップ、２２ｍ、２２ｂ・・・エツチングパターン、２
３ ｍ 、 ２３ ｂ 、 −、２４ａ 、 ２４ ｂ
、 −・・・・・・矩形パターン、２５＊、２５ｂ、
・・・チップ外周辺。
Claims (1)
- 半導体ウニへのウェハチップそれぞれに形成する回路ノ
ぐターンに対応したエツチングパターンが形成される複
数のマスクチップを備えたホトエツチング用ガラスマス
クにおいて、少なくとも１つのマスクチップのチップ外
周辺の連続延長上に所定面積以下の複数の矩形・母ター
ンを一定の規則性を保持して配列設定したことを特徴と
するホトエツチング用ガラスマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58106174A JPS59231542A (ja) | 1983-06-14 | 1983-06-14 | ホトエツチング用ガラスマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58106174A JPS59231542A (ja) | 1983-06-14 | 1983-06-14 | ホトエツチング用ガラスマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59231542A true JPS59231542A (ja) | 1984-12-26 |
Family
ID=14426882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58106174A Pending JPS59231542A (ja) | 1983-06-14 | 1983-06-14 | ホトエツチング用ガラスマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59231542A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6093511A (en) * | 1994-06-30 | 2000-07-25 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing semiconductor device |
-
1983
- 1983-06-14 JP JP58106174A patent/JPS59231542A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6093511A (en) * | 1994-06-30 | 2000-07-25 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing semiconductor device |
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