JPS5923117B2 - サイリスタ - Google Patents

サイリスタ

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Publication number
JPS5923117B2
JPS5923117B2 JP11421077A JP11421077A JPS5923117B2 JP S5923117 B2 JPS5923117 B2 JP S5923117B2 JP 11421077 A JP11421077 A JP 11421077A JP 11421077 A JP11421077 A JP 11421077A JP S5923117 B2 JPS5923117 B2 JP S5923117B2
Authority
JP
Japan
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layer
gate
thyristor
cathode
polysilicon
Prior art date
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Expired
Application number
JP11421077A
Other languages
English (en)
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JPS5447492A (en
Inventor
浩 吉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS5447492A publication Critical patent/JPS5447492A/ja
Publication of JPS5923117B2 publication Critical patent/JPS5923117B2/ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
    • H01L29/7404—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action structurally associated with at least one other device
    • H01L29/7408—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action structurally associated with at least one other device the device being a capacitor or a resistor

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Description

【発明の詳細な説明】 本発明はサイリスタにかかり、特にゲート感度の制御性
を良好としたサイリスタに関する。
従来サイリスタのゲート感度のコントロールには一般に
ｐゲート層をｎエミッタ層を突き抜けさせるショーゼッ
トエミッタ構造が用いられている。しかしこの構造では
必要なゲート感度を得るためのショート面積の計算が複
雑であり、かつ常に必要なゲート・カソード間抵抗を得
られるとは限らない。又ショート面積が大きくなるとカ
ソード面積が減少し電流容量が減少してしまう。本発明
の目的はかかる従来技術の欠点を除去した有効なサイリ
スタを提供することである。
本発明の特徴は、カソード領域とこのカソード領域に隣
接するゲート領域との間をポリシリコンで接続したこと
にある。これにより、ゲート層とカソードもしくはアノ
ード層との抵抗はポリシリコン層にドープされた不純物
の量とポリシリコン層の形状とで一義的に定まるから、
所望するゲート感度のコントロールは正確に行なわれる
こととなる。
以下図面に基ずいて本発明を説明する。
第１図Ａ、Ｂは通常のプレーナ−サイリスタに本発明を
実施した場合である。
通常のプレーナー法によりｐ層１、３及びｎ層４を形成
する。’その後３層と４層の表面部分の酸化膜の一部を
除去してポリシリコン抵抗用のコンタクト部とする。そ
の後ポリシリコン層を全面に成長させた後必要な部分を
残し他を除去する。その後の工程は通常のプレーナ−法
に従い電極金属を形成する。このポリシリコン層の抵抗
はポリシリコン層にドープされた不純物の量とその幾何
学的形状により容易に可変されるので、この両方をコン
トロールすることにより、必要な抵抗値が容易に得られ
る。
【図面の簡単な説明】 第１図Ａは本発明の一実施例を示す平面図であり、第１
図Ｂは第１図Ａを切断線ｂ−Ｙ■Ｉに沿つて切断し矢印
の方向を視た断面図である。 尚、図において、１はｐ層（アノード）、２はｎ層、３
はｐ層（ｐゲート）、４はｎ層（力ソー、 ド）５はシ
リコン酸化膜、６はｐゲート電極、Ｔはカソード電極、
８はポリシリコン抵抗である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ カソード領域と該カソード領域に隣接するゲート領
    域とをポリシリコン層で電気的に接続し、他の領域間の
    ＰＮ接合には電気的接続手段を有していないことを特徴
    とするサイリスタ。
JP11421077A 1977-09-21 1977-09-21 サイリスタ Expired JPS5923117B2 (ja)

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JPH0416246Y2 (ja) * 1984-07-27 1992-04-13

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JPS6397251U (ja) * 1986-12-15 1988-06-23

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