JPH0128689Y2 - - Google Patents

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JPH0128689Y2
JPH0128689Y2 JP1981174401U JP17440181U JPH0128689Y2 JP H0128689 Y2 JPH0128689 Y2 JP H0128689Y2 JP 1981174401 U JP1981174401 U JP 1981174401U JP 17440181 U JP17440181 U JP 17440181U JP H0128689 Y2 JPH0128689 Y2 JP H0128689Y2
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JP
Japan
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semiconductor region
conductivity type
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thyristor
electrode
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JP1981174401U
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案はPNPN4層よりなる高感度サイリスタ
のゲート特性に関するものである。
一般にサイリスタは、第1図に示すような構造
を有している。第1図において、最下層のP型エ
ミツタ層1はサイリスタのアノード部でもある。
P型エミツタ層1の上面にN型ベース層2が配置
され、N型ベース層2の上にP型ベース層3が配
置され、P型ベース層3にはN型不純物の選択拡
散により、サイリスタのカソード部でもあるN型
エミツタ層4が設けられている。P型エミツタ層
1の下面側には、アノード電極11、N型エミツ
タ層4の表面にはカソード電極12、P型ベース
層3にはゲート電極13がそれぞれ設けられてい
る。
サイリスタにおける電気的特性の重要なものの
一つとしてゲート特性、特にゲートトリガ電流
(以下Igtと略す)があるが高感度サイリスタにお
いては通常Igtは数μA程度であり、使用上小さす
ぎて少しのノイズで誤動作を起こし易いという欠
点があつた。実用上Igtは高感度サイリスタとし
ての特徴を損なうことなく、又誤動作を起こしに
くいという面から数10μA程度が望まれている。
そこでサイリスタとしての他の特性を損なうこと
なく、Igtを大きくする方法として第2図に示す
様にPベース層3の表面近傍に例えばイオン注
入、N型不純物の低濃度拡散等の方法により低濃
度のP層5を設け、この層を通してサイリスタの
トリガに寄与しない無効電流を流して、Igtを増
大させる方法が考案されている。しかしこの方法
では電圧を印加した場合、Pベース層3、Nエミ
ツタ層4間のPN接合端を保護する酸化膜6に含
まれるナトリウム等の正イオンによつて誘起され
る電子によつて、低濃度P層5の表面近傍にチヤ
ンネル7を生じ、ゲート逆電流IgrやIgt等のゲー
ト特性が変動するという欠点があつた。
本考案の目的は従来技術の持つこれらの欠点を
除去し他の特性を変えることなく、サイリスタの
Igtを信頼性良くコントロールすることにある。
本考案の特徴は、P型エミツタ層、N型ベース
層、P型ベース層、N型エミツタ層の4層構造を
有する高感度サイリスタにおいて、P型ベース層
及びN型エミツタ層にて構成されるダイオードの
P型ベース層表面近傍にチヤンネルストツパーを
設けた高感度サイリスタにある。
以下図面を用いて本考案の詳細を説明する。第
3図は本考案の実施例であつて、3はPベース
層、4はNエミツタ層、5は低濃度P層、6は
PN接合端保護用酸化膜、7はNチヤンネル層、
8は本考案により設けられたチヤンネルストツ
パ、12はカソード電極、13はゲート電極であ
る。
本考案実施例によれば、PN接合端とゲート電
極13の間に高濃度P層よりなるチヤンネルスト
ツパ8を設けることにより、低濃度P層5の表面
近傍に生じたチヤンネル7はチヤンネルストツパ
8により断ち切られ、Igr、Igtの変動は実用上全
く問題にならない程度に軽減される。従つて、本
考案によつて信頼性良くIgtコントロールの可能
なサイリスタが提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の一般的な高感度サイリスタの断
面図、第2図は従来の方法でIgtをコントロール
する場合の高感度サイリスタのPベース、Nエミ
ツタ接合端付近の断面図、第3図は本考案実施例
による高感度サイリスタのPベース、Nエミツタ
接合端付近の断面図である。 なお図において、1……Pエミツタ層、2……
Nベース層、3……Pベース層、4……Nエミツ
タ層、5……低濃度P層、6……酸化膜、7……
Nチヤンネル、8……チヤンネルストツパ、11
……アノード電極、12……カソード電極、13
……ゲート電極、である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一導電型の第1の半導体領域と、該第1の半導
    体領域上に形成された他の導電型の第2の半導体
    領域と、該第2の半導体領域上に形成された前記
    一導電型の第3の半導体領域と、該第3の半導体
    領域の一主面の一部に形成された前記他の導電型
    の第4の半導体領域と、前記第3の半導体領域の
    前記一主面の表面に前記第4の半導体領域とは離
    間して設けられた電極と、前記第4の半導体領域
    より前記第3の半導体領域の前記一主面上を延在
    し前記電極に達して設けられた酸化膜と、前記第
    3の半導体領域の前記一主面に前記電極より前記
    第4の半導体領域に延在して前記酸化膜の下に設
    けられた前記一導電型で前記第3の半導体領域の
    不純物濃度より低濃度の第5の半導体領域と、前
    記第4の半導体領域と前記電極との間に前記第4
    の半導体領域とは離間して前記第5の半導体領域
    の表面より下方に向かつて形成された前記一導電
    型で高濃度の第6の半導体領域とを有することを
    特徴とする高感度サイリスタ。
JP17440181U 1981-11-24 1981-11-24 高感度サイリスタ Granted JPS5878669U (ja)

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JP17440181U JPS5878669U (ja) 1981-11-24 1981-11-24 高感度サイリスタ

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Publication Number Publication Date
JPS5878669U JPS5878669U (ja) 1983-05-27
JPH0128689Y2 true JPH0128689Y2 (ja) 1989-08-31

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ID=29966395

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50137088A (ja) * 1974-04-17 1975-10-30
JPS5538834A (en) * 1978-09-12 1980-03-18 Nakamura Sangyo:Kk Preparation of soil activator consisting mainly of soil active bacteria and fungi

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50137088A (ja) * 1974-04-17 1975-10-30
JPS5538834A (en) * 1978-09-12 1980-03-18 Nakamura Sangyo:Kk Preparation of soil activator consisting mainly of soil active bacteria and fungi

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JPS5878669U (ja) 1983-05-27

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