JPS5927109B2 - ハンドウタイソウチ - Google Patents

ハンドウタイソウチ

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JPS5927109B2
JPS5927109B2 JP14661275A JP14661275A JPS5927109B2 JP S5927109 B2 JPS5927109 B2 JP S5927109B2 JP 14661275 A JP14661275 A JP 14661275A JP 14661275 A JP14661275 A JP 14661275A JP S5927109 B2 JPS5927109 B2 JP S5927109B2
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JP
Japan
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region
anode
rectifying element
voltage
base
Prior art date
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Expired
Application number
JP14661275A
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English (en)
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JPS5270778A (en
Inventor
洋一 荒木
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Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication of JPS5270778A publication Critical patent/JPS5270778A/ja
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【発明の詳細な説明】 本発明は複合形制御整流素子の半導体装置の改良に係わ
り、特にそのターンオフタイムの短縮をはかろうとする
ものである。
いわゆる制御整流素子は周知のように第１図ａに示すよ
うな構造に形成され、同図ｂのような電流−電圧特性を
有している。
同図ｃはそのタンオ５ フタイムｔｑを示すものである
。このｔｑは逆電圧ＶＲの影響を受けＶＲが大きい程ｔ
ｑは短かくなるがＶＲがある値以上になるとそれ以上ｔ
ｑは短かくはならない。第２図ａに示すものも既に知ら
れている複合素１０子であり、制御整流素子と整流素子
とが電気的に逆並列に接続されてなる逆導通サイリスタ
である。
同図ｂはその電流−電圧特性であつて、第３象限ではダ
イオード特性を示す。この逆導通サイリスタは高耐圧化
する傾向にあり、それとともに同図１５ｃに示すターン
オフタイムｔｑが長くなる傾向にある。本発明はかかる
事情に鑑みてなされたものであつて、第１象限で高耐圧
特性を持ち、第３象限では積極的に電流を流し、かつタ
ーンオフタイムを２０短かくした半導体装置を提供しよ
うとするものである。
以下図面を参照して本発明の詳細を説明する。
第３図ａは本発明の一実施例の構成例を示したものであ
つて、パンチスルータイプの３端子制御２５整流素子部
をＰＩＮ、゛Ｎ、Ｐ２Ｎ、”構造として通常のＰＮＰＮ
構造を変形してＮｉ領域のＰ１側に比較的高濃度で同一
導電形のＮ２゛領域を追加形成してある点に特徴を有し
ている。尚第３図ａに於ては、転流失敗のない程度に積
適的に逆電流を３０流すよう同一ウェハ内に逆並列に接
続され、アノード領域ｐ、と高濃度に形成されたＮ２゛
゜領域とアノード領域Ｐ１に隣接するベース領域とカソ
ード領域側のベース領域とを有して形成された２端子整
流素子部が設けられている。３５このような構成におい
ては、第３図ｂの電流電圧特性に示された第１象限の耐
圧は上記Ｎ２”層が形成されたことによりパンチスルー
タイプ動作、り０−における空乏層がＮ１＋層に達する
までの距離を小さくし逆電圧８が飽和する前に空乏層Ｎ
１＋層に到達するようにして耐圧を制御している。
一方、第３象限に対しては製造プロセスに於て＋Ｐ１層
とＮ，層とのそれぞれの濃度を制御することにより、過
渡電圧でオフ状態にあるとき逆電圧ＶＲを現わし、その
後オン状態にはいるようになつている。
このオン状態にはいるまでの過渡電圧が第１図の逆阻止
サイリスタの逆電圧に相当し、そのターンオフタイムＴ
ｑを短かくするのでその特性の改善が行なわれることに
なる。尚尚、第３図ａではＮ３＋の領域Ｐ１層中に形成
してあるが、このＮ３＋領域を設けた場合は、２端子整
流素子部の耐圧も制御可能である。
【図面の簡単な説明】
第１図Ａ，ｂ，ｃおよび第２図Ａ，ｂ，ｃは従来の半導
体装置の断面図、電流一電圧特性図、電流一電圧波形図
で第３図Ａ，ｂ，ｃは本発明の半導体装置の断面図、電
流一電圧特性図、電流一電圧波形図である。 Ｔｑ・・・・・・ターンオフタイム。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 少なくとも３つのＰＮ接合を有してゲート電流によ
    つて制御される少なくとも３つの端子を持つ制御整流素
    子部と、この制御整流素子部におけるアノード領域に隣
    接するベース領域内のアノード側に形成された比較的高
    濃度の同一導電形領域と、前記アノード領域と、このア
    ノード領域に隣接するベース領域と、そのベース領域内
    に形成された前記高濃度の同一導電形領域と、カソード
    領域側のベース領域とを有して形成される２端子整流素
    子部とを具備し、前記アノード領域に負、カソード領域
    に正の電圧が印加されたときに前記高濃度の同一導電形
    領域と前記アノード領域とによつて形成される接合がタ
    ーンオフ時間を短かくする過渡電圧を生じるように存在
    することを特徴とする半導体装置。
JP14661275A 1975-12-09 1975-12-09 ハンドウタイソウチ Expired JPS5927109B2 (ja)

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JPS5270778A JPS5270778A (en) 1977-06-13
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6112919U (ja) * 1984-06-29 1986-01-25 いすゞ自動車株式会社 内燃機関における動弁機構の給油装置
JPS63112210U (ja) * 1987-01-14 1988-07-19
JPH0137129Y2 (ja) * 1984-09-27 1989-11-09

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS6112919U (ja) * 1984-06-29 1986-01-25 いすゞ自動車株式会社 内燃機関における動弁機構の給油装置
JPH0137129Y2 (ja) * 1984-09-27 1989-11-09
JPS63112210U (ja) * 1987-01-14 1988-07-19

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