JPS59228653A - 電子写真感光体 - Google Patents

電子写真感光体

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Publication number
JPS59228653A
JPS59228653A JP10470783A JP10470783A JPS59228653A JP S59228653 A JPS59228653 A JP S59228653A JP 10470783 A JP10470783 A JP 10470783A JP 10470783 A JP10470783 A JP 10470783A JP S59228653 A JPS59228653 A JP S59228653A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
film
amorphous silicon
photoreceptor
buffer layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10470783A
Other languages
English (en)
Inventor
Noboru Ebara
江原 「じよう」
Eiji Imada
今田 英治
Toshiro Matsuyama
松山 外志郎
Yoshimi Kojima
小島 義己
Hideo Nojima
秀雄 野島
Hisashi Hayakawa
尚志 早川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP10470783A priority Critical patent/JPS59228653A/ja
Publication of JPS59228653A publication Critical patent/JPS59228653A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/08Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明はアモルファスシリコンを光導電体とした電子写
真感光体に関するもので、特に導電体上に積層する光導
電層の積層構造に関するものであるO 〈従来技術〉 アモルファスシリコン(以下a  Siと略記する)は
無公害材料であり、薄膜にした場合硬度が犬きく、また
光に対してすぐれた感度をもち、更には物理的、化学的
に比較的安定な材料である等のすぐれた性質をもつこと
から、従来のアモルファスセレンやCdSを用いた感光
体よりもすぐれた感光体材料であると考えられ、電子写
真装置へ利用するだめの研究開発が活発に行われている
電子写真用感光体とする場合、水素化アモルファスシリ
コンa−81:Hにボロン[有])を添加して補償し、
10〜10 Ωm程度にまで抵抗値を高めたものが必要
になると共に、このようなa−81H層を金属基板上に
10μm以上望ましくは約20μm程度の膜厚に成膜し
たものが必要になる。しかしa−81°H層を10μm
以上の厚さに成膜することは実際の作業において非常に
困難であった。
例えばAt基板上にa−Sl:HをP−CVD法で成膜
する場合、7〜8μ以上の厚さになると物理的刺激て非
常に容易に基板面から剥離してしまい、基板に充分な膜
厚をもって安定に固定させることは困難であった。
〈発明の目的〉 本発明は上記従来のa−3i悪感光の問題点に鑑みてな
されたもので、導電性基板上に感光体として必要な膜厚
をもったaSi:Hを主成分とする光導電層を安定して
得ることができる感光体を提供する。
〈実施例〉 本発明の感光体は、a−8i:H層の安定成膜を図るた
めに、導電性基板とa−8i:H層との間にバッファと
なるべき層、即ち水素化アモルファスシリコン窒化膜(
a−8i  NX:H)を介挿した−X 構造とし、a−siN:I(層によって基板とa−J:
H間の歪を緩和して剥離を防ぐものである。
上記介挿されたa−8iNX:H層は1〜10−X μm程度の厚膜に形成されるが、このバッファ層は単に
力学的なバッファとして作用するのみならず、電気的に
も感光体の特性を改善することが確認された。即ち、導
電性基板上に予め上記バッファ層を形成し、その上にa
Si:H:Bを10μm以上に成膜した感光体において
は、300〜400■以上の表面帯電電位を得ることが
でき、電子写真装置の感光体として充分な帯電特性を示
した。しかしバッファ層を形成していない従来のa−8
IH:Bを成膜した感光体では、aSioH:Bとして
は高々6〜8μm程度の厚ざしか安定に成膜させること
ができず、帯電電位も約200■に留まるに過ぎず、電
子写真装置に適用するには充分ではなかった。尚上記感
光体において、aSi:H:Bを成膜した後表面に電気
的ブロッキング層或いはパッシベーション層を付加して
構成することができる。電気的ブロッキング層は上記a
−81:H:B層の表面に膜を成長させる過程で不純物
を添加して一体的に形成することができる。
次により具体的な実施例を挙げて説明する。
電子写真用感光体とするだめの径12 cm 、長さ3
0口のアルミニューム円筒基板に、誘導型P−CVD装
置で光導電層となるa−8i:H:Bを成膜する。その
だめまず基板1をP−CVD装置内にセットして、N2
ガス0.I Torr + RF電力30W。
13.56MH2での放電によりスパッタを3分間節こ
して基板表面を整えた後、基板を温度250℃に保持し
、SiH4ガス1に対して10%のNH3と1100p
pのB2H6ガスを混合したガスを0.3Torrの圧
力でCVD反応槽に導入する。原料ガスが導入された後
50WのRF電力を印加して基板1上に約4μの厚さを
もつa −S i 1−xNX ’ H: B膜2を形
成する。該a−81NX:H:B膜2は次に−X 成長させるa −S i’ H(B)のためのバッファ
層となる。続いて反応槽内の原料ガスを窒素成分を含ま
ないS i H4ガスに置換し、それに約30 ppm
 B2H6ガスを添加した状態で0.3Torrに保持
し、50WのRF電力でa−81:H:Bを15 Ai
mの厚さに成膜する。最後に表面に約200OA厚のS
i3N4で表面を被うべく、反応槽内にNH310に対
してSiH4ガス1の割合で混合した原料ガスを導入し
、同じ真空度とRF電力で成膜して感光体を作製した0 上記工程を経て作製した感光体を電子写真装置にセット
し7て複写動作を実行させたところ、非常に緻密な画像
と2 e r g/c!以上の感度を得ることができた
〈効 果〉 以上本発明によれば、導電性基板上に予めバッファ層を
形成してaSi:H層を成膜することにより、厚いa−
8□zH層を容易に作製することができ、感光体として
必要な帯電特性を安定して得ることができ、また基板か
らa”Si:H層が剥離するのを防ぐことができ、作業
が行い易くなると共に感光体製造時の歩留を高めること
ができ、経済性にすぐれた感光体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
図は本発明による感光体の断面図である。 1、導電性基板 2:バソフ7層 3:aSi:HB層

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ■)導電体上にボロン(B)を添加して補償状態に近づ
    けた水素化アモルファスシリコンを主成分とする光導電
    層を形成してなる感光体において、4電体と光導電層と
    の間に水素化アモルファスシリコン窒化膜を介挿し、該
    水素化アモルファスノリコン窒化膜をバッファ層にして
    光導電層を成長させてなることを特徴とする電子写真感
    光体。 2)前記水素化アモルファスシリコン窒化膜は1〜lO
    μmの厚さに形成されてなることを特徴とする特許請求
    の範囲第1項記載の電子写真感光体。
JP10470783A 1983-06-10 1983-06-10 電子写真感光体 Pending JPS59228653A (ja)

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JP10470783A JPS59228653A (ja) 1983-06-10 1983-06-10 電子写真感光体

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JPS59228653A true JPS59228653A (ja) 1984-12-22

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ID=14387950

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JP10470783A Pending JPS59228653A (ja) 1983-06-10 1983-06-10 電子写真感光体

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62258465A (ja) * 1986-04-08 1987-11-10 Canon Inc 光受容部材
JPS62258464A (ja) * 1986-04-08 1987-11-10 Canon Inc 光受容部材

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62258465A (ja) * 1986-04-08 1987-11-10 Canon Inc 光受容部材
JPS62258464A (ja) * 1986-04-08 1987-11-10 Canon Inc 光受容部材

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