JPS59228653A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS59228653A JPS59228653A JP10470783A JP10470783A JPS59228653A JP S59228653 A JPS59228653 A JP S59228653A JP 10470783 A JP10470783 A JP 10470783A JP 10470783 A JP10470783 A JP 10470783A JP S59228653 A JPS59228653 A JP S59228653A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- film
- amorphous silicon
- photoreceptor
- buffer layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明はアモルファスシリコンを光導電体とした電子写
真感光体に関するもので、特に導電体上に積層する光導
電層の積層構造に関するものであるO 〈従来技術〉 アモルファスシリコン(以下a Siと略記する)は
無公害材料であり、薄膜にした場合硬度が犬きく、また
光に対してすぐれた感度をもち、更には物理的、化学的
に比較的安定な材料である等のすぐれた性質をもつこと
から、従来のアモルファスセレンやCdSを用いた感光
体よりもすぐれた感光体材料であると考えられ、電子写
真装置へ利用するだめの研究開発が活発に行われている
。
真感光体に関するもので、特に導電体上に積層する光導
電層の積層構造に関するものであるO 〈従来技術〉 アモルファスシリコン(以下a Siと略記する)は
無公害材料であり、薄膜にした場合硬度が犬きく、また
光に対してすぐれた感度をもち、更には物理的、化学的
に比較的安定な材料である等のすぐれた性質をもつこと
から、従来のアモルファスセレンやCdSを用いた感光
体よりもすぐれた感光体材料であると考えられ、電子写
真装置へ利用するだめの研究開発が活発に行われている
。
電子写真用感光体とする場合、水素化アモルファスシリ
コンa−81:Hにボロン[有])を添加して補償し、
10〜10 Ωm程度にまで抵抗値を高めたものが必要
になると共に、このようなa−81H層を金属基板上に
10μm以上望ましくは約20μm程度の膜厚に成膜し
たものが必要になる。しかしa−81°H層を10μm
以上の厚さに成膜することは実際の作業において非常に
困難であった。
コンa−81:Hにボロン[有])を添加して補償し、
10〜10 Ωm程度にまで抵抗値を高めたものが必要
になると共に、このようなa−81H層を金属基板上に
10μm以上望ましくは約20μm程度の膜厚に成膜し
たものが必要になる。しかしa−81°H層を10μm
以上の厚さに成膜することは実際の作業において非常に
困難であった。
例えばAt基板上にa−Sl:HをP−CVD法で成膜
する場合、7〜8μ以上の厚さになると物理的刺激て非
常に容易に基板面から剥離してしまい、基板に充分な膜
厚をもって安定に固定させることは困難であった。
する場合、7〜8μ以上の厚さになると物理的刺激て非
常に容易に基板面から剥離してしまい、基板に充分な膜
厚をもって安定に固定させることは困難であった。
〈発明の目的〉
本発明は上記従来のa−3i悪感光の問題点に鑑みてな
されたもので、導電性基板上に感光体として必要な膜厚
をもったaSi:Hを主成分とする光導電層を安定して
得ることができる感光体を提供する。
されたもので、導電性基板上に感光体として必要な膜厚
をもったaSi:Hを主成分とする光導電層を安定して
得ることができる感光体を提供する。
〈実施例〉
本発明の感光体は、a−8i:H層の安定成膜を図るた
めに、導電性基板とa−8i:H層との間にバッファと
なるべき層、即ち水素化アモルファスシリコン窒化膜(
a−8i NX:H)を介挿した−X 構造とし、a−siN:I(層によって基板とa−J:
H間の歪を緩和して剥離を防ぐものである。
めに、導電性基板とa−8i:H層との間にバッファと
なるべき層、即ち水素化アモルファスシリコン窒化膜(
a−8i NX:H)を介挿した−X 構造とし、a−siN:I(層によって基板とa−J:
H間の歪を緩和して剥離を防ぐものである。
上記介挿されたa−8iNX:H層は1〜10−X
μm程度の厚膜に形成されるが、このバッファ層は単に
力学的なバッファとして作用するのみならず、電気的に
も感光体の特性を改善することが確認された。即ち、導
電性基板上に予め上記バッファ層を形成し、その上にa
Si:H:Bを10μm以上に成膜した感光体において
は、300〜400■以上の表面帯電電位を得ることが
でき、電子写真装置の感光体として充分な帯電特性を示
した。しかしバッファ層を形成していない従来のa−8
IH:Bを成膜した感光体では、aSioH:Bとして
は高々6〜8μm程度の厚ざしか安定に成膜させること
ができず、帯電電位も約200■に留まるに過ぎず、電
子写真装置に適用するには充分ではなかった。尚上記感
光体において、aSi:H:Bを成膜した後表面に電気
的ブロッキング層或いはパッシベーション層を付加して
構成することができる。電気的ブロッキング層は上記a
−81:H:B層の表面に膜を成長させる過程で不純物
を添加して一体的に形成することができる。
力学的なバッファとして作用するのみならず、電気的に
も感光体の特性を改善することが確認された。即ち、導
電性基板上に予め上記バッファ層を形成し、その上にa
Si:H:Bを10μm以上に成膜した感光体において
は、300〜400■以上の表面帯電電位を得ることが
でき、電子写真装置の感光体として充分な帯電特性を示
した。しかしバッファ層を形成していない従来のa−8
IH:Bを成膜した感光体では、aSioH:Bとして
は高々6〜8μm程度の厚ざしか安定に成膜させること
ができず、帯電電位も約200■に留まるに過ぎず、電
子写真装置に適用するには充分ではなかった。尚上記感
光体において、aSi:H:Bを成膜した後表面に電気
的ブロッキング層或いはパッシベーション層を付加して
構成することができる。電気的ブロッキング層は上記a
−81:H:B層の表面に膜を成長させる過程で不純物
を添加して一体的に形成することができる。
次により具体的な実施例を挙げて説明する。
電子写真用感光体とするだめの径12 cm 、長さ3
0口のアルミニューム円筒基板に、誘導型P−CVD装
置で光導電層となるa−8i:H:Bを成膜する。その
だめまず基板1をP−CVD装置内にセットして、N2
ガス0.I Torr + RF電力30W。
0口のアルミニューム円筒基板に、誘導型P−CVD装
置で光導電層となるa−8i:H:Bを成膜する。その
だめまず基板1をP−CVD装置内にセットして、N2
ガス0.I Torr + RF電力30W。
13.56MH2での放電によりスパッタを3分間節こ
して基板表面を整えた後、基板を温度250℃に保持し
、SiH4ガス1に対して10%のNH3と1100p
pのB2H6ガスを混合したガスを0.3Torrの圧
力でCVD反応槽に導入する。原料ガスが導入された後
50WのRF電力を印加して基板1上に約4μの厚さを
もつa −S i 1−xNX ’ H: B膜2を形
成する。該a−81NX:H:B膜2は次に−X 成長させるa −S i’ H(B)のためのバッファ
層となる。続いて反応槽内の原料ガスを窒素成分を含ま
ないS i H4ガスに置換し、それに約30 ppm
B2H6ガスを添加した状態で0.3Torrに保持
し、50WのRF電力でa−81:H:Bを15 Ai
mの厚さに成膜する。最後に表面に約200OA厚のS
i3N4で表面を被うべく、反応槽内にNH310に対
してSiH4ガス1の割合で混合した原料ガスを導入し
、同じ真空度とRF電力で成膜して感光体を作製した0 上記工程を経て作製した感光体を電子写真装置にセット
し7て複写動作を実行させたところ、非常に緻密な画像
と2 e r g/c!以上の感度を得ることができた
。
して基板表面を整えた後、基板を温度250℃に保持し
、SiH4ガス1に対して10%のNH3と1100p
pのB2H6ガスを混合したガスを0.3Torrの圧
力でCVD反応槽に導入する。原料ガスが導入された後
50WのRF電力を印加して基板1上に約4μの厚さを
もつa −S i 1−xNX ’ H: B膜2を形
成する。該a−81NX:H:B膜2は次に−X 成長させるa −S i’ H(B)のためのバッファ
層となる。続いて反応槽内の原料ガスを窒素成分を含ま
ないS i H4ガスに置換し、それに約30 ppm
B2H6ガスを添加した状態で0.3Torrに保持
し、50WのRF電力でa−81:H:Bを15 Ai
mの厚さに成膜する。最後に表面に約200OA厚のS
i3N4で表面を被うべく、反応槽内にNH310に対
してSiH4ガス1の割合で混合した原料ガスを導入し
、同じ真空度とRF電力で成膜して感光体を作製した0 上記工程を経て作製した感光体を電子写真装置にセット
し7て複写動作を実行させたところ、非常に緻密な画像
と2 e r g/c!以上の感度を得ることができた
。
〈効 果〉
以上本発明によれば、導電性基板上に予めバッファ層を
形成してaSi:H層を成膜することにより、厚いa−
8□zH層を容易に作製することができ、感光体として
必要な帯電特性を安定して得ることができ、また基板か
らa”Si:H層が剥離するのを防ぐことができ、作業
が行い易くなると共に感光体製造時の歩留を高めること
ができ、経済性にすぐれた感光体を得ることができる。
形成してaSi:H層を成膜することにより、厚いa−
8□zH層を容易に作製することができ、感光体として
必要な帯電特性を安定して得ることができ、また基板か
らa”Si:H層が剥離するのを防ぐことができ、作業
が行い易くなると共に感光体製造時の歩留を高めること
ができ、経済性にすぐれた感光体を得ることができる。
図は本発明による感光体の断面図である。
1、導電性基板 2:バソフ7層 3:aSi:HB層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■)導電体上にボロン(B)を添加して補償状態に近づ
けた水素化アモルファスシリコンを主成分とする光導電
層を形成してなる感光体において、4電体と光導電層と
の間に水素化アモルファスシリコン窒化膜を介挿し、該
水素化アモルファスノリコン窒化膜をバッファ層にして
光導電層を成長させてなることを特徴とする電子写真感
光体。 2)前記水素化アモルファスシリコン窒化膜は1〜lO
μmの厚さに形成されてなることを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載の電子写真感光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10470783A JPS59228653A (ja) | 1983-06-10 | 1983-06-10 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10470783A JPS59228653A (ja) | 1983-06-10 | 1983-06-10 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59228653A true JPS59228653A (ja) | 1984-12-22 |
Family
ID=14387950
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10470783A Pending JPS59228653A (ja) | 1983-06-10 | 1983-06-10 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59228653A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62258465A (ja) * | 1986-04-08 | 1987-11-10 | Canon Inc | 光受容部材 |
JPS62258464A (ja) * | 1986-04-08 | 1987-11-10 | Canon Inc | 光受容部材 |
-
1983
- 1983-06-10 JP JP10470783A patent/JPS59228653A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62258465A (ja) * | 1986-04-08 | 1987-11-10 | Canon Inc | 光受容部材 |
JPS62258464A (ja) * | 1986-04-08 | 1987-11-10 | Canon Inc | 光受容部材 |
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