JPS59228653A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS59228653A JPS59228653A JP10470783A JP10470783A JPS59228653A JP S59228653 A JPS59228653 A JP S59228653A JP 10470783 A JP10470783 A JP 10470783A JP 10470783 A JP10470783 A JP 10470783A JP S59228653 A JPS59228653 A JP S59228653A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- film
- amorphous silicon
- photoreceptor
- buffer layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明はアモルファスシリコンを光導電体とした電子写
真感光体に関するもので、特に導電体上に積層する光導
電層の積層構造に関するものであるＯ 〈従来技術〉 アモルファスシリコン（以下ａ Ｓｉと略記する）は
無公害材料であり、薄膜にした場合硬度が犬きく、また
光に対してすぐれた感度をもち、更には物理的、化学的
に比較的安定な材料である等のすぐれた性質をもつこと
から、従来のアモルファスセレンやＣｄＳを用いた感光
体よりもすぐれた感光体材料であると考えられ、電子写
真装置へ利用するだめの研究開発が活発に行われている
。
真感光体に関するもので、特に導電体上に積層する光導
電層の積層構造に関するものであるＯ 〈従来技術〉 アモルファスシリコン（以下ａ Ｓｉと略記する）は
無公害材料であり、薄膜にした場合硬度が犬きく、また
光に対してすぐれた感度をもち、更には物理的、化学的
に比較的安定な材料である等のすぐれた性質をもつこと
から、従来のアモルファスセレンやＣｄＳを用いた感光
体よりもすぐれた感光体材料であると考えられ、電子写
真装置へ利用するだめの研究開発が活発に行われている
。
電子写真用感光体とする場合、水素化アモルファスシリ
コンａ−８１：Ｈにボロン［有］）を添加して補償し、
１０〜１０ Ωｍ程度にまで抵抗値を高めたものが必要
になると共に、このようなａ−８１Ｈ層を金属基板上に
１０μｍ以上望ましくは約２０μｍ程度の膜厚に成膜し
たものが必要になる。しかしａ−８１°Ｈ層を１０μｍ
以上の厚さに成膜することは実際の作業において非常に
困難であった。
コンａ−８１：Ｈにボロン［有］）を添加して補償し、
１０〜１０ Ωｍ程度にまで抵抗値を高めたものが必要
になると共に、このようなａ−８１Ｈ層を金属基板上に
１０μｍ以上望ましくは約２０μｍ程度の膜厚に成膜し
たものが必要になる。しかしａ−８１°Ｈ層を１０μｍ
以上の厚さに成膜することは実際の作業において非常に
困難であった。
例えばＡｔ基板上にａ−Ｓｌ：ＨをＰ−ＣＶＤ法で成膜
する場合、７〜８μ以上の厚さになると物理的刺激て非
常に容易に基板面から剥離してしまい、基板に充分な膜
厚をもって安定に固定させることは困難であった。
する場合、７〜８μ以上の厚さになると物理的刺激て非
常に容易に基板面から剥離してしまい、基板に充分な膜
厚をもって安定に固定させることは困難であった。
〈発明の目的〉
本発明は上記従来のａ−３ｉ悪感光の問題点に鑑みてな
されたもので、導電性基板上に感光体として必要な膜厚
をもったａＳｉ：Ｈを主成分とする光導電層を安定して
得ることができる感光体を提供する。
されたもので、導電性基板上に感光体として必要な膜厚
をもったａＳｉ：Ｈを主成分とする光導電層を安定して
得ることができる感光体を提供する。
〈実施例〉
本発明の感光体は、ａ−８ｉ：Ｈ層の安定成膜を図るた
めに、導電性基板とａ−８ｉ：Ｈ層との間にバッファと
なるべき層、即ち水素化アモルファスシリコン窒化膜（
ａ−８ｉ ＮＸ：Ｈ）を介挿した−Ｘ 構造とし、ａ−ｓｉＮ：Ｉ（層によって基板とａ−Ｊ：
Ｈ間の歪を緩和して剥離を防ぐものである。
めに、導電性基板とａ−８ｉ：Ｈ層との間にバッファと
なるべき層、即ち水素化アモルファスシリコン窒化膜（
ａ−８ｉ ＮＸ：Ｈ）を介挿した−Ｘ 構造とし、ａ−ｓｉＮ：Ｉ（層によって基板とａ−Ｊ：
Ｈ間の歪を緩和して剥離を防ぐものである。
上記介挿されたａ−８ｉＮＸ：Ｈ層は１〜１０−Ｘ
μｍ程度の厚膜に形成されるが、このバッファ層は単に
力学的なバッファとして作用するのみならず、電気的に
も感光体の特性を改善することが確認された。即ち、導
電性基板上に予め上記バッファ層を形成し、その上にａ
Ｓｉ：Ｈ：Ｂを１０μｍ以上に成膜した感光体において
は、３００〜４００■以上の表面帯電電位を得ることが
でき、電子写真装置の感光体として充分な帯電特性を示
した。しかしバッファ層を形成していない従来のａ−８
ＩＨ：Ｂを成膜した感光体では、ａＳｉｏＨ：Ｂとして
は高々６〜８μｍ程度の厚ざしか安定に成膜させること
ができず、帯電電位も約２００■に留まるに過ぎず、電
子写真装置に適用するには充分ではなかった。尚上記感
光体において、ａＳｉ：Ｈ：Ｂを成膜した後表面に電気
的ブロッキング層或いはパッシベーション層を付加して
構成することができる。電気的ブロッキング層は上記ａ
−８１：Ｈ：Ｂ層の表面に膜を成長させる過程で不純物
を添加して一体的に形成することができる。
力学的なバッファとして作用するのみならず、電気的に
も感光体の特性を改善することが確認された。即ち、導
電性基板上に予め上記バッファ層を形成し、その上にａ
Ｓｉ：Ｈ：Ｂを１０μｍ以上に成膜した感光体において
は、３００〜４００■以上の表面帯電電位を得ることが
でき、電子写真装置の感光体として充分な帯電特性を示
した。しかしバッファ層を形成していない従来のａ−８
ＩＨ：Ｂを成膜した感光体では、ａＳｉｏＨ：Ｂとして
は高々６〜８μｍ程度の厚ざしか安定に成膜させること
ができず、帯電電位も約２００■に留まるに過ぎず、電
子写真装置に適用するには充分ではなかった。尚上記感
光体において、ａＳｉ：Ｈ：Ｂを成膜した後表面に電気
的ブロッキング層或いはパッシベーション層を付加して
構成することができる。電気的ブロッキング層は上記ａ
−８１：Ｈ：Ｂ層の表面に膜を成長させる過程で不純物
を添加して一体的に形成することができる。
次により具体的な実施例を挙げて説明する。
電子写真用感光体とするだめの径１２ ｃｍ 、長さ３
０口のアルミニューム円筒基板に、誘導型Ｐ−ＣＶＤ装
置で光導電層となるａ−８ｉ：Ｈ：Ｂを成膜する。その
だめまず基板１をＰ−ＣＶＤ装置内にセットして、Ｎ２
ガス０．Ｉ Ｔｏｒｒ ＋ ＲＦ電力３０Ｗ。
０口のアルミニューム円筒基板に、誘導型Ｐ−ＣＶＤ装
置で光導電層となるａ−８ｉ：Ｈ：Ｂを成膜する。その
だめまず基板１をＰ−ＣＶＤ装置内にセットして、Ｎ２
ガス０．Ｉ Ｔｏｒｒ ＋ ＲＦ電力３０Ｗ。
１３．５６ＭＨ２での放電によりスパッタを３分間節こ
して基板表面を整えた後、基板を温度２５０℃に保持し
、ＳｉＨ４ガス１に対して１０％のＮＨ３と１１００ｐ
ｐのＢ２Ｈ６ガスを混合したガスを０．３Ｔｏｒｒの圧
力でＣＶＤ反応槽に導入する。原料ガスが導入された後
５０ＷのＲＦ電力を印加して基板１上に約４μの厚さを
もつａ −Ｓ ｉ １−ｘＮＸ ’ Ｈ： Ｂ膜２を形
成する。該ａ−８１ＮＸ：Ｈ：Ｂ膜２は次に−Ｘ 成長させるａ −Ｓ ｉ’ Ｈ（Ｂ）のためのバッファ
層となる。続いて反応槽内の原料ガスを窒素成分を含ま
ないＳ ｉ Ｈ４ガスに置換し、それに約３０ ｐｐｍ
Ｂ２Ｈ６ガスを添加した状態で０．３Ｔｏｒｒに保持
し、５０ＷのＲＦ電力でａ−８１：Ｈ：Ｂを１５ Ａｉ
ｍの厚さに成膜する。最後に表面に約２００ＯＡ厚のＳ
ｉ３Ｎ４で表面を被うべく、反応槽内にＮＨ３１０に対
してＳｉＨ４ガス１の割合で混合した原料ガスを導入し
、同じ真空度とＲＦ電力で成膜して感光体を作製した０ 上記工程を経て作製した感光体を電子写真装置にセット
し７て複写動作を実行させたところ、非常に緻密な画像
と２ ｅ ｒ ｇ／ｃ！以上の感度を得ることができた
。
して基板表面を整えた後、基板を温度２５０℃に保持し
、ＳｉＨ４ガス１に対して１０％のＮＨ３と１１００ｐ
ｐのＢ２Ｈ６ガスを混合したガスを０．３Ｔｏｒｒの圧
力でＣＶＤ反応槽に導入する。原料ガスが導入された後
５０ＷのＲＦ電力を印加して基板１上に約４μの厚さを
もつａ −Ｓ ｉ １−ｘＮＸ ’ Ｈ： Ｂ膜２を形
成する。該ａ−８１ＮＸ：Ｈ：Ｂ膜２は次に−Ｘ 成長させるａ −Ｓ ｉ’ Ｈ（Ｂ）のためのバッファ
層となる。続いて反応槽内の原料ガスを窒素成分を含ま
ないＳ ｉ Ｈ４ガスに置換し、それに約３０ ｐｐｍ
Ｂ２Ｈ６ガスを添加した状態で０．３Ｔｏｒｒに保持
し、５０ＷのＲＦ電力でａ−８１：Ｈ：Ｂを１５ Ａｉ
ｍの厚さに成膜する。最後に表面に約２００ＯＡ厚のＳ
ｉ３Ｎ４で表面を被うべく、反応槽内にＮＨ３１０に対
してＳｉＨ４ガス１の割合で混合した原料ガスを導入し
、同じ真空度とＲＦ電力で成膜して感光体を作製した０ 上記工程を経て作製した感光体を電子写真装置にセット
し７て複写動作を実行させたところ、非常に緻密な画像
と２ ｅ ｒ ｇ／ｃ！以上の感度を得ることができた
。
〈効 果〉
以上本発明によれば、導電性基板上に予めバッファ層を
形成してａＳｉ：Ｈ層を成膜することにより、厚いａ−
８□ｚＨ層を容易に作製することができ、感光体として
必要な帯電特性を安定して得ることができ、また基板か
らａ”Ｓｉ：Ｈ層が剥離するのを防ぐことができ、作業
が行い易くなると共に感光体製造時の歩留を高めること
ができ、経済性にすぐれた感光体を得ることができる。
形成してａＳｉ：Ｈ層を成膜することにより、厚いａ−
８□ｚＨ層を容易に作製することができ、感光体として
必要な帯電特性を安定して得ることができ、また基板か
らａ”Ｓｉ：Ｈ層が剥離するのを防ぐことができ、作業
が行い易くなると共に感光体製造時の歩留を高めること
ができ、経済性にすぐれた感光体を得ることができる。
図は本発明による感光体の断面図である。
１、導電性基板 ２：バソフ７層 ３：ａＳｉ：ＨＢ層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■）導電体上にボロン（Ｂ）を添加して補償状態に近づ
けた水素化アモルファスシリコンを主成分とする光導電
層を形成してなる感光体において、４電体と光導電層と
の間に水素化アモルファスシリコン窒化膜を介挿し、該
水素化アモルファスノリコン窒化膜をバッファ層にして
光導電層を成長させてなることを特徴とする電子写真感
光体。 ２）前記水素化アモルファスシリコン窒化膜は１〜ｌＯ
μｍの厚さに形成されてなることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10470783A JPS59228653A (ja) | 1983-06-10 | 1983-06-10 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10470783A JPS59228653A (ja) | 1983-06-10 | 1983-06-10 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59228653A true JPS59228653A (ja) | 1984-12-22 |
Family
ID=14387950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10470783A Pending JPS59228653A (ja) | 1983-06-10 | 1983-06-10 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59228653A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62258465A (ja) * | 1986-04-08 | 1987-11-10 | Canon Inc | 光受容部材 |
| JPS62258464A (ja) * | 1986-04-08 | 1987-11-10 | Canon Inc | 光受容部材 |
-
1983
- 1983-06-10 JP JP10470783A patent/JPS59228653A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62258465A (ja) * | 1986-04-08 | 1987-11-10 | Canon Inc | 光受容部材 |
| JPS62258464A (ja) * | 1986-04-08 | 1987-11-10 | Canon Inc | 光受容部材 |
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