JPS62258464A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は、シリコン原子を母体とするアモルファス材料
で構成された感光層を有する光受容部材、特にアルミニ
ウム主成分とする支持体を有する電子写真用光受容部材
に関する。

〔従来技術の説明〕

従来、電子写真用感光体等に用いられる光受容部材とし
ては、その光感度領域の整合性か他の種類の光受容部材
と比べて優れているのに加えて、ビッカース硬度か高く
、公害の問題か少ない等の意力）ら、例えば特開昭５４
−８６３４１号公報や特開昭５６−８３７４６号公報に
みられるようなシリコン原子を母体とし水素原子を含む
アモルファス材料（以後、ｒ−ａ−８ＩＨＪと表記する
。）から成る光受容部材が注目されている。

゛　ところで、こうした光受容部材は、支持体上に、ａ
−８ｉＨで構成される感光層を有するものであるところ
、該感光層が帯電処理を受けた際に、支持体側から感光
層にキャリアが注入されるのを阻止する機能を有する電
荷注入阻止層を、感光層と支持体の間に説けることが提
案されているＯ 第２図は、電荷注入阻止層を有する従来の光受容部材の
層構成を模式的に示す断面図であって、図中、１０１番
ゴ支持体、１０２は感光層、１０３は中間層を夫々示し
ている。

前記電荷注入阻止＃は、シリコン原子を含み、伝導性を
制御する物質である周期律表第１族に属する原子（、以
後、単に「第１族原子」と称丁。）又は周期律表第Ｖ族
に属する原子（以後、単に「第■族原子」と称丁０）を
含むアモルファス材料で構成されており、ざらに水素原
子又はハロゲン原子のうちの少なくともいずれか一方を
含有せしめることがでさるものである。

また、こうした光受容部材の導電性支持体としては、ス
テンレス、Ａｌ５Ｎｉ　、ｏｒ　ｓＭｏ　、Ａｕ　％Ｎ
１）％Ｔａ　％Ｖ　、Ｔｉ　、Ｐｔ　ｓｏｂ等の金属又
はこれ等の合金か用いられるが、その軽量性、加工容易
性、経済性等の点から、アルミニウム（Ａ））を主成分
とするものが至適７Ｊものとして使用されている。

そして、こうした光受容部材は、一般的には支持体上に
、蒸着、熱ＯＶＤ法、プラズマＯＶＤ法、スパッタリン
グ等の薄膜形成法を用いて、電荷注入阻止層、感光層等
を成膜することにより製造される。

しかし、これらの薄膜形成法に用いてｌを主体とＴる支
持体上に夫々の層を成膜する場合、いくつ力）の問題点
がある。

即ち、Ａｌの軟化点は１５０℃〜２００℃位であるのに
対し、前述の薄膜形成法にわいて支持体表面の温度が２
５０°Ｃ位になるように加熱保持すると・Ａｌを主成分
とする支持体が成膜中にひずんでしまうという問題があ
る。

また、ｌの熱膨張係数と、その上に形成される電荷注入
阻止層との熱膨張係数とが一桁程違うために、電荷注入
阻止層中にクラックが発生し、ひどσ）場合には支持体
力）ら電荷注入阻止層が＃ｌ献してしまうという問題も
ある。

これらの問題を解消するため、支持体温度を低く保つと
ともに、形成された堆積膜を徐々に降温する等の方法力
）採用されてはいるが、こうした場合には形成されたａ
−８ｉｎ膜の光感度が充分ではないうえ、特性にバラつ
さが生じやすく、歩留りが悪くなるといった問題がある
。

一方、光受容部材を用いた各種ディバイスが多様化して
さており、光受容部材の各種特性の要求を総じて満足す
るとともに、適用対象、用途に相応するためには、製造
条件の許容範囲の拡大、支持体との密着性の改善、及び
それ等に伴う歩留りの向上は重大な課題とされている。

〔発明の目的〕

本発明は、Ａｌを主成分とする支持体を用いた従来の光
受容部材にわける上述の諸問題を解決して所望の機能を
有する改善された電子写真用。

の感光体等に用いられる光受容部材を提供することを目
的とするものである。

即ち、本発明の主たる目的は、Ａｌを主成分とする支持
体を用いた場合において、電荷注入阻止層の機能な損う
ことなく、支持体との密着性を著しく改善し、更に生産
性における歩留りの向上を図ることにある。

〔発明の構成〕

本発明者らは、従来のＡｌを主成分とする支持体上に電
荷注入阻止Ｈｓよび感光層をこの順に有する光受容部材
において、該支持体と該電荷注入阻止層の間に、支持体
との蜜漬性を改善する機能を有するバッファ層を設ける
ことにより、前述の諸問題を解決し、上述の目的を達成
しつるという知見を得た。

本発明は該知見に基づいて完成せしめたものであり、そ
の骨子とするところは、アルミニウムを主成分とする光
受容部材用支持体と、シリコン原子を母体とし、水素原
子を含有するアモルファス材料で構成された感光層とか
らなる光受容部材にわいて、前記支持体と前記感ツＣ層
との間に、支持体との密着性を改善する機能を有するバ
ッファ層と、支持体側から感光層中へのキャリアの流入
を阻止する機能を有する電荷注入阻止層とを、支持体側
からこの順に設けた光受容部材にある。

以下）図面を用いて本発明の光受容部材について詳しく
説明する。

第１図は本発明の光受容部材の層構成を模式的に示す断
面図である。

第１図にわいて、１０１はＡｌを主成分とする支持体、
１０２は感光層、１０３は電荷注入阻止層、１０４はバ
、７７層を夫々示している。

Ａｌを主成分とＴる支持体１０１の形状は、無端ベルト
状又°は円筒状とし、その厚さは、所望通りの光受容部
材を形成しつる様に適宜決定するが、光受容部材として
可撓性が要求される場合には、支持体としての機能が充
分発揮される範囲内で可能な限り薄くすることかでざる
。しっ）しながら１支持体の製造上及び取扱い上、機械
的強度等の点から、通常は、ｌｏμ以上とされる〇 本発明の光受容部材の感光層１０２は、ａ−８１Ｈで構
成される層であって、必要に応じてさらにハロゲン原子
を含有していてもよく　〔以下、水素原子及び／又はハ
ロゲン原子を含有するアモルファスシリコンを「ａ−８
ｉ　（Ｈ、Ｘ　）　Ｊと表記する。〕、該ハロロダ原子
（Ｘ）としては、具体的にはフッ素、塩素、臭素、ヨウ
素が挙げられ、特にフッ素、塩素を好適なものとして挙
げることができる。そして感光１ｗ１０中に含有せしめ
る水素原子ＣＨ）の童又はハロゲン原子（Ｘ）の量、あ
るいは水素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ十Ｘ）は、
好ましくは１〜４０　＆ｔｏｍｉｃ％、より好ましくは
５〜３０　ａｔｏｍｉｏ％とするのが望ましい。

前記ａ　８１　（Ｈ＋　Ｘ　）で構成される感光Ｎ１０
２中には、感光層の伝導性を制御する効果を奏する第■
族原子又は第Ｖ族原子を含有せしめ、感光層の光感度な
向上せしめることかでざる。

該第１族原子としては、具体的には、Ｂ（硼素）、Ａｌ
（アルミニウム）　、Ｇａ　（ガリウム）、Ｉｎ（イン
ジウム）、Ｔ／（タリウム）等を用いることがでざるが
、特に好ましいものは、ＢｓＧａであり、また、第Ｖ族
原子としては、具体的には、Ｐ（燐）、Ａａ（砒素）、
ｓｂ（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等を用いること
ができるが、特に好ましいものは、Ｐ、八ｓである。

感光層１０２中に含有せしめる第璽族原子又は第■族原
子の量は、Ｉ　Ｘ　１０　”〜Ｉ　Ｘ　１０”　ａｔｏ
ｍｉ。

ｐｐｍ　ｓ好ましくは５　Ｘ　１０−２〜５　Ｘ　１０
２ａｔｏ１０２ａｔｏ　、最適にはＩ　Ｘ　１０〜２　
Ｘ　１０”　ａｔｏｍｉａ　ｐｐｍとするのが望ましい
。

更に、感光層の膜品質を向上せしめるとともに、感光層
の高暗抵抗化をはかる目的で、酸素原子、炭素原子及び
窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種を含有せしめ
ることかでさ、感光層１０２中に含有せしめるこれらの
原子の量は、１０〜５　Ｘ　１０’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍ　％好ましくは２０〜４×１０’　＆ｔｏｍｉｏ　ｐ
ｐｍ　、最適には３０〜３　Ｘ　１０１０１１ａｔｏ。

ｐｐｍとするのが望ましい。

また＼本発明の光受容部材にわいて、感ツＣ層の薯厚は
、本発明の目的を効率的に達成するには重要な要因の１
つであって、光受容部材に所望の特性が与えられるよう
に、光受容部材の設計の際には充分な注意を払う必要が
あり、通常は１〜１００μとするが、好ましくは３〜８
０μ、より好ましくは５〜５０μとする。

本発明の光受容部材における電荷注入阻止層１０３は、
前記感光層１０２の下に設けられるものであって、第１
族原子又はｉｖ族原子を含有するａ−８１（Ｈ，Ｘ）（
以後、「ａ−８ｉ（ＩＩＩ　、　Ｖ）　　’（Ｈ，Ｘ）
Ｊと表記する。〕、多結晶質シリコン〔以後、「ｐｏｌ
ｙ−８ｉ（１、Ｖ）　　：　　（Ｈ，Ｘ）　Ｊと表記す
る。〕、又は両者を含むいわゆる非単結晶質シリコン〔
以後、「Ｎｏｎ　Ｓｉ　（ｌ［ｒ　Ｖ　）　　’（Ｈ，
Ｘ）Ｊと表記する。〕　（なゎ、微結晶質シリコンと通
称されるものはａ−北に分類される。ンで構成されてい
る。

該電荷注入Ｉｆ１１０３は、光受容部材が帯゛心処理を
受けた際の電荷保持機能及び高湿雰囲気中で°の電子写
真特性改善機能を有するものである。

従って、該電荷注入阻止層中に含有せしめる第１族原子
又は第Ｖｙｉ！原子の量は、前述の機能を効率的に発揮
せしめるためには重要な要因の一つであって、３〜５Ｘ
１０’九ｔｏｍｉｏ　ｐｐｍ　ｓ好ましくは５０〜Ｉ　
Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ−、最適には１×１
０２〜５　Ｘ　１０３ａｔ＠ｍｉｏ　ＰＩ）！１１とす
ることが望ましし１０ また、該電荷注入阻止層中に含有せしめる水素原子又は
ハｐゲン原子の量、あるいは水素原子とハｐゲン原子の
量の和に、ｌＸｌ０”〜７Ｘ１０’ａｔｏｍｉｏ　ｐｐ
ｍとするのが望ましく、特に好ましくは、該電荷注入阻
止層がｐｏｎｙ−８１（１、Ｖ　）　　’（Ｈｉ　Ｘ）
で構成される場合にはｌＸｌ０’〜２×１０５１０５ａ
ｔｏ　ｐｐｍとし、ａ　Ｓｉ　（ｌ［＋　Ｖ　）　　（
Ｈ＊　Ｘ）で構成される場合にＧ２１　Ｘ　１０’〜６
　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉ。

ｐｐｍとするのが望ましい。

更に、該電荷注入阻止層中には、感光層１０２及びバッ
ファ層との密着性を改善せしめる目的で、酸素原子、窒
素原子及び炭素原子の中から選ばれる少なくとも一種を
含有せしめることもでき、この場合におけるこれらの原
子の量は、１０〜５　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉａ　ｐｐ
ｍ、好ましくＧゴ２０〜４×１０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍ　％最適には３０〜３　Ｘ　１０’ａｔｏｍｉｃｐｐ
ｍとすることが望ましい。

また更に、本発明の電荷注入阻止層１０３の層厚も、そ
の機能を効率的に発揮せしめるには重要な要因の一つで
あり、０．０３〜１５μｍ１好ましくは０．０４〜１０
　ｐｍ　、最適には０．０５〜８μｍとすることが望ま
しい◇ 更にまた、本発明の光受容部材においては、前記電荷注
入阻止層１０３及び感光層１０２との間に、酸素原子、
炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種
を含有するａ−８ｉ、ｐｏｎｙ−８１又はＮｏｎ　−Ｓ
ｉで構成される中間層（図示せず。）を設けることも可
能である。そして１該中間奢に含有せしめる酸素原子、
炭素原子及び窒素原子の量Ｇゴ、１０〜５　Ｘ　１０１
１０１１ａｔｏ　Ｔｌ１ｌｌｌｌ　％好ましくは２０〜
４　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｏ　ｐｐｍ　、最適には３
０〜３　Ｘ　１０’　ａｔｐｍｉｏ　ｐｐｍとし、該中
間層の層厚は０．０３〜１５μ慣、好ましくは０．０４
〜１０μ溝、最適には０．０５〜８μ溝とすることが望
ましい。

本発明の光受容部材におけるバッファ層１０４は、本発
明の特徴とするものであり、前記支持体１０１と電荷注
入阻止層１０３との間に設けることにより、該電荷注入
阻止層１０３の有する機能を損うことなく、該電荷注入
阻止層と支持体１０１との密着性を改善し、生産におけ
る歩留りを向上せしめる効果を奏している０ そして該バッファ層１０４は、アルミニウム原子と、前
記電荷注入阻止層を構成する構成原子の中から選ばれる
少なくとも一種とを含む、アモルファス材料、多結晶質
材料、あるいは非単結晶質材料で構成されている。

該バッファ層の層厚は、前述のバッファ層の有する機能
を効率的に達成せしめるためには、通常０．０３〜１０
　μｍ　％好ましくは０．０４〜Ｂ　ｐｍ、最適には０
．０５〜８μｍとするのが望ましい０更に、本発明の光
受容部材には、感光層１０２の上に、酸素原子、炭素原
子及び窒素原子の中−シー から選ばれる少なくとも一種を含有するａ−８ｉ（Ｈ，
Ｘ）　、即ち、ａ−８１（０、Ｏ、Ｎ）（Ｈ，Ｘ）で構
成される表面層（図示せず）を設けることもできる。

本発明の光受容部材に表面層を設ける目的は、耐湿性、
連続繰り返し使用特性、電気的耐圧性、使用環境特性、
および耐久性等を同上せしめることにある。

特に、表面層トシてａ−８ｉ（０，０，Ｎ）（Ｈ，Ｘ）
で構成される層を用いた場合には、表面層と感光層を構
成するアモルファス材料の各々が、シリコン原子という
共通した構成原子を有しているので、表面層と感光層と
の界面において化学的安定性が確保でさる。

こうしたａ−８ｉ（０、Ｏ、Ｎ）　（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる表面層とする場合、表面層中に含有せしめる酸素原
子、炭素原子又は窒素原子の量の増加に伴って、前述の
緒特性は向上するが、多丁ぎると層品質が低下し、電気
的および機械的特性も低下する。こうしたことから、こ
れらの原子の量は、０．００１〜９０　ａｔｏｍｉｏ％
、好ましくは１〜９０　ａｔｏｍｉｏ％、最適には１０
〜８０　ａｔｏｍｉｃ％　とするのが望ましい。

また、本発明の光受容部材に把いて、表面層の層厚は、
所望の目的に応じて適宜決定されるものであるが、表面
層に含有せしめる構成原子の量、あるいは表面層に要求
される特性に応じて相互的かつ有機的関連性の下に決定
する必要がある。更に生産性や量産性も加味した経済性
の点においても考慮する必要もある。こうしたことから
、本発明の光受容部材の表面層の層厚は３×１０〜３０
μ、より好ましくは４×１０〜２０μ、特に好ましくは
５×１０〜１０μとする。

以上のご１とく、本発明の光受容部材Ｇゴ、Ａ／を主成
分とする支持体上に、バッファ層、電荷注入阻止Ｎδよ
び感光層、ざらに必要に応じて表面層又は／及び中間層
を有するものであり、支持体上に、これらのバッファ層
、電荷注入阻止層、感光層、中間Ｎ８よび表面層の各層
を形成せしめるについては、熱ＯＶＤ法、スバ、タリン
グ法、プラズマＯＶＤ法１９元ＯＶＤ法等の公知の薄膜
形成法のいずれによっても形成せしめることができるが
、なかでもプラズマＯＶＤ法が至適なものとして採用さ
れる。

次に、本発明の光受容部材を製造するのに適した、プラ
ズマＯＶＤ法による堆積膜形成装置について、図面によ
り説明する。第３図は、プラズマＯＶＤ法による堆積膜
形成装置の典型例を模式的に示す断面略図である０ 第３図において、３０１’は′、′アル９ニウム製支持
体ドラムである。（以下、単に「ドラム」と称丁。）ド
ラム３０１は回転駆動機構３０２によって中心軸を軸と
して回転するようになっており、ドラム３０１の内部に
は、加熱用ヒーター３０３を配置する。該加熱用ヒータ
ー３０３は、成膜前にドラムを所定温度に加熱したり、
成膜中にドラムを所定温度に保持したり、あるいは成膜
後にアニール処理するのに用いる。３０４はヒーター用
電源である。

３０５は、カソード電極であり、アノード電極であるド
ラム３０１と同軸型の対向電極をなしている。３０６は
高周波電源、３０７はマツチングボックスで、カソード
電極３０５に高周波電力を供給し、アースされているア
ノード電極であるドラム３０１との間で放電を生起せし
めるものである０ ３０８は、反応容器内に原料ガスを供給する原料ガス供
給管であり、多数の原料ガス噴出孔を有している。

３０９は、反応容器内を排気するための、拡散ポンプお
よびメカニカルブースターポンプである０ ３１０はシールド板である。

前述の原料５ガス供給管３０８の他端に、原料ガスボン
ベ３１１．３１２．３１３．３１４．３１５．３１６に
連通している。

原料ガスボンベ３１１〜３１６には、夫々原料ガスか密
封されており、例えば、ガスボンベ３１１には水素ガス
（Ｈｉ　）　、ガスボンベ３１２にはシラン（ＳｉＨ４
）ガス、ガスボンベ３１３にはジボラン（ＢｚＨｓ　）
ガス、ガスボンベ３１４にはホスフィン（ＰＨｓ）ガス
、ガスボンベ３１５にはメタン（０Ｈ４）ガス、ガスボ
ンベ３１６にはヘリウム（Ｈｅ）ガスが夫々密封されて
いる。３１７はＡ／　（（３ｚＨ５）ｓの入ったデユワ
瓶であって、ガスボンベ３１６に密封されたＨ６ガスを
吹ざ込んでバブリングすることによりｋｌ　（０２Ｈ５
）３を含有するガスを発生せしめる。

ガスボンベ３１１〜３１６、及びデユワ瓶３１７カ）ら
は、バルブ３２１〜３２７、流入バルブ３３１〜３３７
１マスフロコントローラー３４１〜３４７　、及？：Ｊ
　流ＩＢバルブ３５１〜３５７を介して夫々原料ガス供
給管３０８に原料ガスを供給されるようにされている。

〔実施例〕

以下、実施例を用いて本発明の光受容部材について詳細
に説明するか、本発明はこれらにより限定されるもので
はない。

実施例１ 第３図に示す装置を用いて、Ａ７　Ｗシリンダー上に、
以下のようにしてバッファ層、長波長゛光吸収層、感光
層及び表面層を形成した。

まず、ガスボンベ３１１〜３１７の元栓を丁ぺて閉め、
マス７０コントローラー３４１〜３７、および流出バル
ブ３５１〜３５７、流入パルプ３３１〜３３７を開け、
３０９の拡散ポンプにより反応装置内を一丁 １０　’［”ｏｒｒまで減圧した０それと同時に加熱用
ヒーター３０３によりＡｔシリンダー３０１を２５０℃
まで加熱し、一定に保った。

Ａｌシリンダーの温度が２５０°Ｃになった後、流出バ
ルブ３５１〜３５７、流入バルブ３３１〜３３７、バル
ブ３２１〜３２７の丁べてを閉じ、ガスボンベ３１１〜
３１７の元栓を開け、拡散ポンプ３０９をメカニカルブ
ースターポンプに代え、バルブ３２１〜３２７の二次°
圧を１５１ｏｉ／ｃａｔに設定した。

次にガスボンベ３１２より５ｉ）Ｉｉガス１００５００
Ｍガスボンベ３１５よりＯＨ４ガス３０　ＳＯＧＭ　、
ガスボンベ３１６のＨａガスをキャリアガスとしてバブ
リングすることにより生じたＩｄ　（０ｚＨｓ　）ｓガ
ス（Ｈｅ　／　Ａｌ　（（４Ｈ５）ｓ　−１０／１　）
　１０８００Ｍを夫々反応容器内に導入し、夫々のガス
流量が安定したところで、高周波電力（１５０Ｗ）を印
加して放電を生ぜしめ、へ７シリンダー上に、バッファ
層をＺｏｏ　Ａ堆積した。

次にバルブ３６７．３６６を閉じてｋｌ　（０２１ｉｓ
　）ｓガスの流入を中止するとともに、マスフロコント
ローラー３４１を３００８０（ＢＥ　＆こ設定して流入
パルプ３３１及び流出バルブ３５１を開いて１■２ガス
を流入シた。次にマスフロコントローラー３４２の設定
を１５０５００Ｍに変更し、ざらＧこガスボンベ３１３
のＢ、Ｈ，ガスの流量力）ｓ１ｎ４ガス流量に対して１
６００Ｖｏ／　Ｉ）１）ｌｆｉになるようにマスフロコ
ントローラー３４３を設定してＢＡＨ，ガスを反応容器
内に流入した。

反応容器内の内圧か０．２　Ｔｏｒｒに安定したところ
へ、１５０Ｗの高周波電力？印加して放電を生じだせ、
前述のバ、ファ層上に、５μｍの膜厚を有する電荷注入
阻止Ｎ（ｐ型ａ−ｊ９１：）１層）を形成し之〇 次に、放電を中止せずに、バルブ３５３及び３３３を閉
じてＢ２ｌｌ６ガスの流入を中止する以外は一四− 前記と同様にしてａ−８１ＨＦｉｌ　１Ｆ”らなる感光
層を膜厚が２０μ扉となるまで形成した。

最後に、バルブ３６２を閉じてＨ２ガスの流入を中止し
、バルブ３６３を開いてＯＨ４ガスを流入させた。この
際１３１Ｈ４ガスの流量を３５　ＢＯＯＭに変更し、Ｏ
Ｈ４ガスとＳｉＨ４ガスの流量比がｓ　１ＨａＡ山−１
／　３０となるように調整した。こうしたところへ１５
０Ｗの高周波電力を印加して１膜厚０．５μ欝のａ−８
ｉ：Ｏ：Ｈで構成される表面層を形成した。

高周波電源３０６、及びガスのバルブをすべて閉じ、反
応容器内を排気し、Ａ！シリンダーの温度を室温にまで
下げてから、光受容層か形成されたＡｌシリ°ンダを系
外に取り出した。

得られた光受容部材を、帯電露光実験装置に設置して、
■Ｑ、５　ＫＶで０．３秒間コロナ帯電を行ない、直ち
に光像を照射した。光像の照射はタングステンランプ光
源を用い、０．７１ｕｘ＠ｅｅｏの光量を透過型のテス
トチャートを通して行なったＯ その後直ちにｅ荷電性の現像剤で該光受容部材表面をカ
スケード現像することにより、該光受容部材表面上に良
好なトナー画像を得た。次いで該トナー画像を■０．５
　ＫＶのコロナ帯電で転写紙上に転写したところ、解像
力に優れ、階調再現性の良好な、鮮明な高濃度の画像が
得られた０ 又、バッファ層を設けたことにより、中間層と支持体と
の密着性の不足か原因となって発生する不良品の発生率
が著しく減少し、歩留りが向上した。

実施例２ 電荷注入阻止層形成時に用いたＢ２Ｈ６ガス（１６００
Ｖｏ１．　ｐｐｍ　）のかわりに、ガスボンベ３１４の
ホフフィン（ＰＨｓ）ガスを用い、該ガス流量をＳｉｎ
＜ガス流量に対して５００　Ｖｏ／　ｐｐｍとした以外
は、実施例１と同様にして光受容部材を形成した。

得られた光受容部材について、実施例１と同様の画像形
成を行なったところ、良好な結果が得られた。また、本
例においてもＡ！シリンダ−と電荷注入阻止層との密着
性か不足するために生ずる不良品の発生が著しく減少し
、歩留りが向上した。

以上、実施例においては、高周波電力を用いたグロー放
電によるプラズマＯＶＤ法により各層を形成したが、ス
パッタリング法やマイクロ波によるプラズマＯＶＤ法に
よっても形成することができる。

〔発明の効果の概要〕

本発明の光受容部材は、Ａノを主成分とする支持体と中
間層との間にバッファ層を設けたことにより、支持体と
中間層との密着性にすぐれ、光受容部材としての緒特性
を満足し、歩留りの良い電子写真□用感光体等の光受容
部材が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光受容部材の層構成を模式的に示す
図であり、第２図は、従来の光受容部材の層構成を模式
的に示す図である。 第３図は、本発明の光受容部材を製造するのに適したプ
ラズマＯＶＤ法による堆積膜形成装置の典型例を模式的
に示す断面略図である。 第１．２図について １０１・・・・・・・・支持体、１０２・・・・・・・
・・感光層、１０３・・・・・・・・・電荷注入阻止層
、１０４・・・・・・・・・バッファ層、１０５・・・
・・・・・・表面層 第３図について ３０１・・・・・・・・・Ａノシリンダー、３０２・・
・・・・・・・回転駆動機構、３０３・・・・・・・・
・加熱用ヒーター、３０４・・・・・・・・・ヒーター
用電源、３０５・・・・・・・・・カソード電極、３０
６・・・・・・・・・高周波電源、３０７・・・・・・
・・・マツチングボックス、３０８・・・・・・・・・
原料ガス供給管、３０９・・・・・・・・・拡散ポンプ
又はメカニカルブースポンプ、３１０・・・・・・・・
・シールＦ’板、３１１〜３１６・・・・・・・・・ガ
スボンベ、３１７・・・・・・・・・デユワ瓶、３２１
〜３２７・・・・・・・・・バルブ、３３１〜３３７・
・・・・・・・・流入バルブ、３４１〜３４７・・・・
・・・・・マス７０コントローラー、３５１〜３５７・
・・・・・・・・流出バルブ手続補正書（方式） 昭和６１年５月１６日 特許庁長官　宇　賀　道　部　殿 １、事件の表示 昭和６１年特許願８０３７８号 ２、発明の名称 光　　　受　　　容　　　部　　　材 ３、補正をする者 事件との関係　　特許出願人 住所　　東京都大田区下丸子３丁目３０番２号名称　　
（１００）キャノン株式会社 ４、代理人 住所　　東京都千代田区麹町３丁目１２番地６麹町グリ
ーンビル

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）アルミニウムを主成分とする光受容部材用支持体
   と、シリコン原子を母体とし、水素原子を含むアモルフ
   ァス材料で構成された感光層を少なくとも有する光受容
   部材において、前記支持体と前記感光層との間に、支持
   体との密着性を改善する機能を有するバッファ層と、支
   持体側から感光層中へのキャリアの注入を阻止する機能
   を有する電荷注入阻止層とを、支持体側からこの順に設
   けたことを特徴とする光受容部材。
2. （２）前記電荷注入阻止層は、シリコン原子を含み、周
   期律表第III族に属する原子又は周期律表第Ｖ族に属す
   る原子、及び必要に応じて水素原子又はハロゲン原子の
   うちの少なくともいずれか一方を含むアモルファス材料
   で構成されており、前記バッファ層は、アルミニウム原
   子と、前記電荷注入阻止層を構成する構成原子の中の少
   なくとも一種とを含む材料で構成されている特許請求の
   範囲第（１）項に記載された光受容部材。