JPS59136743A - 像担持体 - Google Patents
像担持体Info
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- JPS59136743A JPS59136743A JP1193383A JP1193383A JPS59136743A JP S59136743 A JPS59136743 A JP S59136743A JP 1193383 A JP1193383 A JP 1193383A JP 1193383 A JP1193383 A JP 1193383A JP S59136743 A JPS59136743 A JP S59136743A
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- barrier layer
- amorphous silicon
- layer
- image carrier
- conductive substrate
- Prior art date
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0433—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、画像形成装置たとえば電子写真装置に使用
可能な像担持体たとえば電子写真感光体の技術分野に属
する。
可能な像担持体たとえば電子写真感光体の技術分野に属
する。
一般に像担持体たとえば電子写真感光体は、光導電性を
有する一方、コロナ放電による感光体表面の電荷を一定
時間保持することができなければならない。つまり、電
子写真感光体は、その感光特性として、暗抵抗が１０１
４Ω傭程度であることを要する。しかし、光導電物質に
よっては、暗抵抗が低過ぎて、その光導電物質の単層の
みでは十分な感光特性が得られない。そこで、従来の電
子写真感光体は、導電性基体上に、比抵抗の高い層ある
いはル型若しくはｐ型の半導体物質よりなる層を形成し
、さらにその上に光導電性層を形成することにより、導
電性基体から感光層への電荷の流入を防止していた。ま
た、導電性基体からの電荷の流入を防止するために、導
電性基体上に、Ｂ（硼素）とＣ（炭素うとをドーピング
したアモルファスシリコン層と、Ｂｆ少量ドーピングし
たアモルファスシリコン層と、Ｃをドーピングしたアモ
ルファスシリコン層とをこの順に積層してなり、表面電
位として３００Ｖの帯電能を有する電子写真感光体もあ
る。
有する一方、コロナ放電による感光体表面の電荷を一定
時間保持することができなければならない。つまり、電
子写真感光体は、その感光特性として、暗抵抗が１０１
４Ω傭程度であることを要する。しかし、光導電物質に
よっては、暗抵抗が低過ぎて、その光導電物質の単層の
みでは十分な感光特性が得られない。そこで、従来の電
子写真感光体は、導電性基体上に、比抵抗の高い層ある
いはル型若しくはｐ型の半導体物質よりなる層を形成し
、さらにその上に光導電性層を形成することにより、導
電性基体から感光層への電荷の流入を防止していた。ま
た、導電性基体からの電荷の流入を防止するために、導
電性基体上に、Ｂ（硼素）とＣ（炭素うとをドーピング
したアモルファスシリコン層と、Ｂｆ少量ドーピングし
たアモルファスシリコン層と、Ｃをドーピングしたアモ
ルファスシリコン層とをこの順に積層してなり、表面電
位として３００Ｖの帯電能を有する電子写真感光体もあ
る。
しかしながら、前記いずれの電子写真感光体も、帯電後
１５秒経過時の電位保持率は約６０チ程度であり、導電
性基体からの電荷の流入防止は未だ完全であるとはいえ
ない。
１５秒経過時の電位保持率は約６０チ程度であり、導電
性基体からの電荷の流入防止は未だ完全であるとはいえ
ない。
この発明は、前記事情に鑑みてなされたものであり、導
電性基体からの電荷の流入を有効に防止して、帯電能お
よび電位保持率の向上した像担持体を提供することを目
的とするものである。
電性基体からの電荷の流入を有効に防止して、帯電能お
よび電位保持率の向上した像担持体を提供することを目
的とするものである。
前記目的を達成するためのこの発明の概要は、導電性基
体上に、導電性基体からの電荷流入を防止する第１障壁
層と、第１障壁ｊ悔よりも高抵抗の第２障壁層と、光導
電性層とをこの順に成層してなることを特徴とするもの
である。
体上に、導電性基体からの電荷流入を防止する第１障壁
層と、第１障壁ｊ悔よりも高抵抗の第２障壁層と、光導
電性層とをこの順に成層してなることを特徴とするもの
である。
この発明に係る像担持体たとえば電子写真感光体は、第
１図に示すように、導電性基体２の表面に、第１障壁層
４と、第２障壁層６と、、光導電性層８と、表面被覆層
１０とをこの順に成層してなり、感光層として四層構造
を有する。
１図に示すように、導電性基体２の表面に、第１障壁層
４と、第２障壁層６と、、光導電性層８と、表面被覆層
１０とをこの順に成層してなり、感光層として四層構造
を有する。
導電性基体２は、導電性物質たとえばアルミニウムで、
平板状あるいはドラム状に形成して用いられる。
平板状あるいはドラム状に形成して用いられる。
第１障壁層４は、導電性基体２から光導電性層８への電
荷の注入を防止する層であり、たとえば、高抵抗物質、
ｐ型またはｎ型の半導体により形成することができる。
荷の注入を防止する層であり、たとえば、高抵抗物質、
ｐ型またはｎ型の半導体により形成することができる。
前記ｐ型またはル型の半導体としては、たとえばアモル
ファスシリコン、アモルファスシリコンに第ｆＪＪＢ族
元素たとえばＢおよび／または第■Ｂ族元累たとえばＰ
（リン）をドーピングし、価電子の制御を可能とするも
のが挙げられる。この第１障壁層の抵抗値は１０７Ωｃ
ｍ程度である。
ファスシリコン、アモルファスシリコンに第ｆＪＪＢ族
元素たとえばＢおよび／または第■Ｂ族元累たとえばＰ
（リン）をドーピングし、価電子の制御を可能とするも
のが挙げられる。この第１障壁層の抵抗値は１０７Ωｃ
ｍ程度である。
第２の障壁層６は、第１障壁層４の電荷注入防止機能を
補助するものであって、第１障壁層４よりも高抵抗値た
とえば１０１３Ω偏程度を有する。そして、第２障壁層
６として、たとえば、アモルファスシリコンに、Ｃ（炭
ｇ＞ 、 Ｎ （窒素）およびＯ（酸素）よりなる群よ
り選択される１種または２種以上の原子をドーピングし
てなるものが挙げられる。前記原子のドーピング量は、
第２障壁層６を形成する際の原料ガス中の、前記原子含
有の分子を有するガス流量比と対応付けることができ、
たとえばＣをドーピングする場合、 ＣＨ４ガス流量は
シリコン原子含有の分子たとえばＳｉＨ４ガス流量に対
し、１０〜６００％が好ましく、また、Ｎをドーピング
する場合、Ｈ３ガス流量はたとえばＳ＊Ｈ＋ガス流量に
対し、５〜２００チが好ましい。なお、Ｃ−ｆドーピン
グする場合、Ｃｆ含有するガスとして・たとえばＣＨ４
・Ｃ，Ｈ６・Ｃ２Ｈ４・Ｃ２Ｈ２等が挙げられ、Ｎｆｚ
ドーピングする場合、Ｎを含有するガスとして、たとえ
ばＮＨ３，Ｎ２． Ｈ２Ｎ−ＨＮ２（ヒドラジン）
、 ＨＮ３． ＮＨ４Ｎ３等が挙げられ、また、Ｏｔ−
ドーピングする場合、 Ｏｔ−含有するガスとして、た
とえば０２． Ｎ、０ 、 Ｎｏ 、 ＮＯ２，Ｎ２Ｏ
４，ＣＯ２，Ｃｏ 。
補助するものであって、第１障壁層４よりも高抵抗値た
とえば１０１３Ω偏程度を有する。そして、第２障壁層
６として、たとえば、アモルファスシリコンに、Ｃ（炭
ｇ＞ 、 Ｎ （窒素）およびＯ（酸素）よりなる群よ
り選択される１種または２種以上の原子をドーピングし
てなるものが挙げられる。前記原子のドーピング量は、
第２障壁層６を形成する際の原料ガス中の、前記原子含
有の分子を有するガス流量比と対応付けることができ、
たとえばＣをドーピングする場合、 ＣＨ４ガス流量は
シリコン原子含有の分子たとえばＳｉＨ４ガス流量に対
し、１０〜６００％が好ましく、また、Ｎをドーピング
する場合、Ｈ３ガス流量はたとえばＳ＊Ｈ＋ガス流量に
対し、５〜２００チが好ましい。なお、Ｃ−ｆドーピン
グする場合、Ｃｆ含有するガスとして・たとえばＣＨ４
・Ｃ，Ｈ６・Ｃ２Ｈ４・Ｃ２Ｈ２等が挙げられ、Ｎｆｚ
ドーピングする場合、Ｎを含有するガスとして、たとえ
ばＮＨ３，Ｎ２． Ｈ２Ｎ−ＨＮ２（ヒドラジン）
、 ＨＮ３． ＮＨ４Ｎ３等が挙げられ、また、Ｏｔ−
ドーピングする場合、 Ｏｔ−含有するガスとして、た
とえば０２． Ｎ、０ 、 Ｎｏ 、 ＮＯ２，Ｎ２Ｏ
４，ＣＯ２，Ｃｏ 。
０３等が挙げられる。
光導電性層８としては、公知の光導電性物質で形成する
ことができ、たとえばアモルファスシリコン、Ｂｆドー
ピングしたアモルファスシリコンを用いることができる
。
ことができ、たとえばアモルファスシリコン、Ｂｆドー
ピングしたアモルファスシリコンを用いることができる
。
表面被覆層１０は、直流コロナ放電による電荷を保持す
るための表面層であり、たとえばＣ’ｚドーピングした
アモルファスシリコン、Ｎｆドーピングしたアモルファ
スシリコン等で形成することができる。なお、表面被覆
層１０は、この発明の目的に対し、必らずしも必須とい
うものではない。
るための表面層であり、たとえばＣ’ｚドーピングした
アモルファスシリコン、Ｎｆドーピングしたアモルファ
スシリコン等で形成することができる。なお、表面被覆
層１０は、この発明の目的に対し、必らずしも必須とい
うものではない。
以上構成の電子写真感光体は、たとえば、第２図に示す
電子写真感光体製造装置により製造することができる。
電子写真感光体製造装置により製造することができる。
第２図に示すように、電子写真感光体製造装置は、基台
１２上に反応容器としての真空チェンバ１４を気密可能
に装着し、基台１２に接続するパイプ１６を介して排気
装置たとえばメカニカルブースタポンプ１８およびロー
タリーポンプ２０により真空チェンバ１４内を電圧たと
えば１Ｏ−６Ｔｏｒｒ にするように構成される。真
空チェンバ１４内の基台１２上には、ドラム保持装置２
２がギヤ２４を介して駆動装置２６により回転可能に立
設されている。前記ドラム保持装置２２は、円筒形のド
ラム状導電性基体２８を装着することができると共に、
ヒータ６０を有して前記ドラム状導電性基体２８を所定
温度たとえば１５０〜３００℃に加熱することができる
ように構成される。前記ドラム保持装置２２の周囲には
、ガス導入部３２が前記ドラム保持装置２２を囲繞する
ように配置される。ガス導入部６２の、前記ドラム保持
装置２２に保持されたドラム状導電性基体２８の外周面
に対向する内周面は、複数個のガス噴出孔３４を有する
と共に電圧の印加により放電を可能とする電極６６を兼
ねている。ガス導入部６２は、パイプを介して真空チェ
ンバ１４外のバルブ６８により真空チェンバ１４内に導
び（ガスの流量が調節されるように構成されている。な
お、４０で示すのは電源である。
１２上に反応容器としての真空チェンバ１４を気密可能
に装着し、基台１２に接続するパイプ１６を介して排気
装置たとえばメカニカルブースタポンプ１８およびロー
タリーポンプ２０により真空チェンバ１４内を電圧たと
えば１Ｏ−６Ｔｏｒｒ にするように構成される。真
空チェンバ１４内の基台１２上には、ドラム保持装置２
２がギヤ２４を介して駆動装置２６により回転可能に立
設されている。前記ドラム保持装置２２は、円筒形のド
ラム状導電性基体２８を装着することができると共に、
ヒータ６０を有して前記ドラム状導電性基体２８を所定
温度たとえば１５０〜３００℃に加熱することができる
ように構成される。前記ドラム保持装置２２の周囲には
、ガス導入部３２が前記ドラム保持装置２２を囲繞する
ように配置される。ガス導入部６２の、前記ドラム保持
装置２２に保持されたドラム状導電性基体２８の外周面
に対向する内周面は、複数個のガス噴出孔３４を有する
と共に電圧の印加により放電を可能とする電極６６を兼
ねている。ガス導入部６２は、パイプを介して真空チェ
ンバ１４外のバルブ６８により真空チェンバ１４内に導
び（ガスの流量が調節されるように構成されている。な
お、４０で示すのは電源である。
次に、第２図に示す電子写真感光体製造装置を用いてこ
の発明に係る像担持体を製造する実験例を次に示す。
の発明に係る像担持体を製造する実験例を次に示す。
実施例
先ず、基台１２より真空チェンバ１４を開放して、ドラ
ム保持装置２２の細径部にドラム状導電性基体２８を装
着した後、基台１２に真空チェンバ１４を気密に装着す
る。次いで、ヒータ６０により前記ドラム状４亀性基体
２８ ’ｃ ２００〜２５０℃に加熱し、また、ロータ
リーポンプ２０により真空チェンバ１４内を約Ｉ ＣＪ
”Ｔｏｒｒに減圧する〇真空チェンバ１４内の排気系を
、ロータリーポンプ２０からメカニカルブースタポンプ
１８に切り換えると同時にバルブ６８を開いて、原料ガ
スを真空チェンバ１４内に導び（。前記原料ガスは、ガ
ス導入部６２内を通り、ガス噴出孔ろ４よりドラム状導
電性基体２８に向って噴出する。噴出する混合ガスはメ
カニカノンブースタポンプ１８により真空チェンバ１４
外に排気される。
ム保持装置２２の細径部にドラム状導電性基体２８を装
着した後、基台１２に真空チェンバ１４を気密に装着す
る。次いで、ヒータ６０により前記ドラム状４亀性基体
２８ ’ｃ ２００〜２５０℃に加熱し、また、ロータ
リーポンプ２０により真空チェンバ１４内を約Ｉ ＣＪ
”Ｔｏｒｒに減圧する〇真空チェンバ１４内の排気系を
、ロータリーポンプ２０からメカニカルブースタポンプ
１８に切り換えると同時にバルブ６８を開いて、原料ガ
スを真空チェンバ１４内に導び（。前記原料ガスは、ガ
ス導入部６２内を通り、ガス噴出孔ろ４よりドラム状導
電性基体２８に向って噴出する。噴出する混合ガスはメ
カニカノンブースタポンプ１８により真空チェンバ１４
外に排気される。
そこで、真空チェンバ１４内の混合ガス圧が０．４Ｔｏ
τｒになるようにバルブ３８およびメカニカルブースタ
ポンプ１８を調節すると共に、駆動装置２６によりドラ
ム保持装置２２を回転させる。
τｒになるようにバルブ３８およびメカニカルブースタ
ポンプ１８を調節すると共に、駆動装置２６によりドラ
ム保持装置２２を回転させる。
１３．５６ＭＨ２，２０〜３００Ｆの高周波電力を電極
３６に印加すると共にドラム状導電性基体２８を接地す
ることにより原料ガス中で放電を行なうと共に、第１表
に示“す組成および流量比、成膜時間をもって原料ガス
を供給することにより、ラジカルを有するプラズマを現
出し、前記ドラム状導電性基体２８上に、第１表に示す
厚みの第１障壁層４、第２障壁層６、光導電性層８およ
び表面被覆層１０を成層した。得られた電子写真感光体
の帯電能は、表面電位４７０Ｖであり、帯電後１５秒経
過時の電位保持率は７６％であった。
３６に印加すると共にドラム状導電性基体２８を接地す
ることにより原料ガス中で放電を行なうと共に、第１表
に示“す組成および流量比、成膜時間をもって原料ガス
を供給することにより、ラジカルを有するプラズマを現
出し、前記ドラム状導電性基体２８上に、第１表に示す
厚みの第１障壁層４、第２障壁層６、光導電性層８およ
び表面被覆層１０を成層した。得られた電子写真感光体
の帯電能は、表面電位４７０Ｖであり、帯電後１５秒経
過時の電位保持率は７６％であった。
（以下余白）
実施例
第１２図に示す電子写真感光体製造装置を用いて、第２
表に示す組成、流量比および成膜時間の原料ガスを用い
たほかは、実験例１と同様にして電子写真感光体を製造
した。
表に示す組成、流量比および成膜時間の原料ガスを用い
たほかは、実験例１と同様にして電子写真感光体を製造
した。
（以下余白）
得られた電子写真感光体の帯電能は、表面電位４４０ｖ
であり、帯電後１５秒経過時の電位保持率は７２チであ
った。
であり、帯電後１５秒経過時の電位保持率は７２チであ
った。
この発明によると、像担持体の帯電能および電位保持率
を、従来のそれよりも著しく向上させることができる。
を、従来のそれよりも著しく向上させることができる。
第１図はこの発明に係る像担持体を示す断面図、第２図
は電子写真感光体を製造する一例である電子写真感光体
製造装置を示す説明図である。 ２・・・導電性基板、 ４・・・第１障壁層、 ６・
・・第２障壁層、 ８・・・光導電性層、 ２８・・・
像担持体（電子写真感光体）。 ・５．ノ゛ ＋、−Ｉ、／ 手続補正書 １．事件の表示 昭和５８年特許顧第１１９３３号 ２、発明の名称 （新）光導電部側 （旧）像担持体 ６、補正をする者 事件との関係 ’ｆ：ｆ許出願人 出願人 理 人 ６、袖正により増加する発明の数 Ｏ入補正の対象 明細書の「発明の名称」、「特許請求の範囲」、「発明
の詳細な説明」および「図面の簡単な説明」の各欄８、
補正の内容 別ｌ８−（す＄′１び（′）のとおり 、べ１；１さ
、別紙（す （１、発明の名称の欄に記載の「像担持体」を「光導電
部材」に補正する。 （２、特許請求の範囲の欄の記載を別紙（２）のとおり
に補正する。 （３）明細書の第２ページ第１７行に記載の「画像形成
装置たとえば」を削除する。 （４）明細書の第２ページ第１８行に記載の「像担持体
たとえば」を削除する。 （５）明細書の第２ページ第１９行に記載の「の技術分
野に属する。」を「に利用される光４電部材に関する。 」に補正する。 （６）明細書の第６ページ第１行に記載の「像担持体た
とえば」を削除する。 （７）明細書の第６ページ第２行に記載の「コロナ放電
による感光体」を「その」に補正する。 （８）明細書の第６ページ第４〜５行に記載の「感光特
性」を「感光体特性」に補正する。 （９）明細書の第６ページ第５行に記載の［暗抵抗が丁
の前に［暗中の比抵抗、すなわち、」を加入Ｔる。 （ｌＯ）明細書の第６ページ第７行に記載の「単層のみ
」と「では」との間に「からなる電子写真感光体」を加
入する。 （１１）明細書の第６ページ第８行に記載の「感光特性
」を「感光体特性（遜荷保持能）Ｊに補正する。 （呻 明細書の第６ページ第１１行に記載の「層」を「
障壁層」に補正−り−る。 （ｌ■ 明細書の第６ページ第１６行に記載の１″！た
」を「たとえば」に補正する。 ０４）明細書の第４ページ第８〜９行に記載の「像担持
体」を「光・４電部材」に補正する。 （１５）明細書の第４ページ第１６行に記載の「第１障
壁層よりも冒抵抗の」を削除１−る。 （１６）明細書の第４ページ第１４〜１５行に記載の「
成層してなる」を「具備した」に補正する。 ＜１７） 明細書の第４ページ第１７行に記載の「像
担持体たとえば」を［光導電部材としての」に補正する
。 （ロ）明細書の第５ページ第１行に記載の「感光層」を
「感光体」に補正する。 σ９）明細書の第５ページ第１０行に記載のまたとえば
Ｂ」と「およ」との間に「（ホウ素）」を挿入する。 に）明細書の第７ページ第６〜５行に記載の「Ｃをドー
ピングしたアモルファスシリコン、Ｎをドーピングした
アモルファスシリコン」を「非晶質炭化ケイ素、非晶質
窒化ケイ素」に補正する。 （２１）明細書の第８ページ第１７行、第１４ページ第
５行、同ページ第９行、および同ページ第１６行に記載
の「像担持体」を「光導′成部材」に補正する。 別紙（２、 特許請求の範囲を下記のように補正する。 記 （１） 導電性基体上に、導電性基体からの電荷流入
を防止する第１障壁層、第２障壁層および光導電性層を
この順に具備したことを特徴とする光導電部側。 子制御可能であることを特徴とする特許請求の範も も 第１項ないし第９項のいずれかに記載の光導電部ゼ１エ ２６７−
は電子写真感光体を製造する一例である電子写真感光体
製造装置を示す説明図である。 ２・・・導電性基板、 ４・・・第１障壁層、 ６・
・・第２障壁層、 ８・・・光導電性層、 ２８・・・
像担持体（電子写真感光体）。 ・５．ノ゛ ＋、−Ｉ、／ 手続補正書 １．事件の表示 昭和５８年特許顧第１１９３３号 ２、発明の名称 （新）光導電部側 （旧）像担持体 ６、補正をする者 事件との関係 ’ｆ：ｆ許出願人 出願人 理 人 ６、袖正により増加する発明の数 Ｏ入補正の対象 明細書の「発明の名称」、「特許請求の範囲」、「発明
の詳細な説明」および「図面の簡単な説明」の各欄８、
補正の内容 別ｌ８−（す＄′１び（′）のとおり 、べ１；１さ
、別紙（す （１、発明の名称の欄に記載の「像担持体」を「光導電
部材」に補正する。 （２、特許請求の範囲の欄の記載を別紙（２）のとおり
に補正する。 （３）明細書の第２ページ第１７行に記載の「画像形成
装置たとえば」を削除する。 （４）明細書の第２ページ第１８行に記載の「像担持体
たとえば」を削除する。 （５）明細書の第２ページ第１９行に記載の「の技術分
野に属する。」を「に利用される光４電部材に関する。 」に補正する。 （６）明細書の第６ページ第１行に記載の「像担持体た
とえば」を削除する。 （７）明細書の第６ページ第２行に記載の「コロナ放電
による感光体」を「その」に補正する。 （８）明細書の第６ページ第４〜５行に記載の「感光特
性」を「感光体特性」に補正する。 （９）明細書の第６ページ第５行に記載の［暗抵抗が丁
の前に［暗中の比抵抗、すなわち、」を加入Ｔる。 （ｌＯ）明細書の第６ページ第７行に記載の「単層のみ
」と「では」との間に「からなる電子写真感光体」を加
入する。 （１１）明細書の第６ページ第８行に記載の「感光特性
」を「感光体特性（遜荷保持能）Ｊに補正する。 （呻 明細書の第６ページ第１１行に記載の「層」を「
障壁層」に補正−り−る。 （ｌ■ 明細書の第６ページ第１６行に記載の１″！た
」を「たとえば」に補正する。 ０４）明細書の第４ページ第８〜９行に記載の「像担持
体」を「光・４電部材」に補正する。 （１５）明細書の第４ページ第１６行に記載の「第１障
壁層よりも冒抵抗の」を削除１−る。 （１６）明細書の第４ページ第１４〜１５行に記載の「
成層してなる」を「具備した」に補正する。 ＜１７） 明細書の第４ページ第１７行に記載の「像
担持体たとえば」を［光導電部材としての」に補正する
。 （ロ）明細書の第５ページ第１行に記載の「感光層」を
「感光体」に補正する。 σ９）明細書の第５ページ第１０行に記載のまたとえば
Ｂ」と「およ」との間に「（ホウ素）」を挿入する。 に）明細書の第７ページ第６〜５行に記載の「Ｃをドー
ピングしたアモルファスシリコン、Ｎをドーピングした
アモルファスシリコン」を「非晶質炭化ケイ素、非晶質
窒化ケイ素」に補正する。 （２１）明細書の第８ページ第１７行、第１４ページ第
５行、同ページ第９行、および同ページ第１６行に記載
の「像担持体」を「光導′成部材」に補正する。 別紙（２、 特許請求の範囲を下記のように補正する。 記 （１） 導電性基体上に、導電性基体からの電荷流入
を防止する第１障壁層、第２障壁層および光導電性層を
この順に具備したことを特徴とする光導電部側。 子制御可能であることを特徴とする特許請求の範も も 第１項ないし第９項のいずれかに記載の光導電部ゼ１エ ２６７−
Claims (6)
- （１） 導電性基体上に、導電性基体からの電荷流入
を防止する第１障壁層、第２障壁層および光導電性層を
この順に成層してなることを特徴とする像担持体。 - （２）前記第１障壁層は、ル型またはｐ型の半導体物質
により形成されることを特徴とする特許請求の範囲第１
項に記載の像担持体。 - （３）前記第１障壁層は、ル型またはＰ型の半導体物質
に第ｆＪＩＢ族および第■Ｂ族に属する原子よりなる群
より選択される１種または２種以上の原子をドーピング
し、価電子制御可能とすることを特徴とする特許請求の
範囲第１項に記載の像担持体。 - （４）前記第１障壁層は、アモルファスシリコンを主成
分とすることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
の像担持体。 - （５）前記第２障壁層および光導電性層は、アモルファ
スシリコンを主成分とすることを特徴とする特許請求の
範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の像担持体。 - （６）前記第２障壁層は、Ｃ，ＮおよびＯよりなる群よ
り選択される１種または２種以上の原子をドーピングし
てなることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第
５項のいずれかに記載の像担持体。 （力 前記表面被覆層は、Ｃ，ＮおよびＯよりなる群よ
り選択される１種または２種以上の原子をアモルファス
シリコン中にドーピングしてなることを特徴とする特許
請求の範囲第１項ないし第５項のいずれかに記載の像担
持体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1193383A JPS59136743A (ja) | 1983-01-26 | 1983-01-26 | 像担持体 |
| US06/547,921 US4641168A (en) | 1983-01-26 | 1983-11-02 | Light sensitive semiconductor device for holding electrical charge therein |
| DE3340568A DE3340568C2 (de) | 1983-01-26 | 1983-11-09 | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1193383A JPS59136743A (ja) | 1983-01-26 | 1983-01-26 | 像担持体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59136743A true JPS59136743A (ja) | 1984-08-06 |
Family
ID=11791467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1193383A Pending JPS59136743A (ja) | 1983-01-26 | 1983-01-26 | 像担持体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59136743A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60154257A (ja) * | 1984-01-24 | 1985-08-13 | Kyocera Corp | 電子写真感光体 |
| JPS61223848A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-04 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS62258464A (ja) * | 1986-04-08 | 1987-11-10 | Canon Inc | 光受容部材 |
| JP2010002835A (ja) * | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Kyocera Mita Corp | 画像形成装置 |
-
1983
- 1983-01-26 JP JP1193383A patent/JPS59136743A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60154257A (ja) * | 1984-01-24 | 1985-08-13 | Kyocera Corp | 電子写真感光体 |
| JPH0514901B2 (ja) * | 1984-01-24 | 1993-02-26 | Kyosera Kk | |
| JPS61223848A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-04 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPH0554953B2 (ja) * | 1985-03-29 | 1993-08-13 | Shindengen Electric Mfg | |
| JPS62258464A (ja) * | 1986-04-08 | 1987-11-10 | Canon Inc | 光受容部材 |
| JP2010002835A (ja) * | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Kyocera Mita Corp | 画像形成装置 |
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