JPS62266543A - 電子写真用感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はアモルファスシリコンを含有する電子写真用感
光体、特に半導体レーザを用いたレーザプリンタ用感光
体に関する。

〔従来の技術〕 従来、電子写真の感光体に用いられている光導電性の材
料としては、アモルファスＳｅや、ＣｄＳ。

ＺｎＯを有機バインダ中に分散させた複合材料や、ポリ
Ｎ−ビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、　　トリフェニル
アミンなどの有機化合物等がある。これらの材料は、高
い光導電性を有しているが、感光体に用いた場合、硬度
が十分でないため電子写真方式を用いた複写機等の装置
で使用すると、表面に傷がついたり、また摩耗して膜厚
が変わり＊ｍ電位が変化する欠点があった。更に、Ｓｅ
やＣｄＳは１人体に有害な物質であるためにこれら材料
を用いた感光体の取扱いには、特１１１１な注意が必要
であった。これらの欠点を改善するため、アモルファス
シリコン（以下、ａ−３ｉと略記する）を感光体として
用いることが提案された（例えば、特開昭５４−７８１
３５号公報）　ｓ　ａ　　Ｓ　ｉは、前述の感機体に比
べて硬度が高く、毒性を有しないため、従来の感光体が
持っていた欠点を改善することができる。しかし１通常
のａ−Ｓｉ感光体は、文献（例えば昭和５７年５月２５
日、オー４社発行。

菊池　誠監修「アモルファス半導体の基礎」　（第１版
第１刷）第１９１頁〕に示されているように、可視光に
対しては非常に光感度が高いが、６５０ｎｍの光の波長
をピークに、それ以上の長い光波長領域では、光感度が
急激に低下する。そのため、ａ−５ｉ悪感光は、半導体
レーザを光源とするレーザプリンタ等では半導体レーザ
の発光波長が７８０〜８３０ｎｍ付近であるため、その
光感度が悪かった。そこで、ａ−３ｉ感光体の持つ良い
点を失うことなく、長波長領域で光感度の高い感光体の
開発が切望されていた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

水素化あるいはハロゲン化されたａ　−Ｓ　ｉは。

通常１．６〜２．ＯｅＶ程度の光学的バンドギャップＥ
ｇを有するため、半導体レーザの発光波長に相当する１
、５５〜１．５８ｅＶ付近の光では、光子のもつエネル
ギーが小さく、バンド励起が起り戴く、光感度が低下す
る。この材料の光学的バンドギャップＥｇを減少させ、
長波長感度を高めるためには、ａ−３ｉの含有水素ある
いはハロゲン量を低下させる（例えば、特開昭５６−１
４６１４２号公報）か、Ｓｉ以外の周期表の第■族元素
であるＧθやＳｎをａ　−Ｓ　ｉ中に混入させる（例え
ば、特開昭５４−１４６１４２号公報）方法が知られて
いる。

しかし、これら方法はいずれも感光体材料の有する比抵
抗を低下させるため、感光体表面の電荷の保持性が悪く
なり、帯電電位の暗減衰の時定数を減少させ、電子写真
方式の感光体が持つ特性としては、好ましくない結果を
もたらす。更に、これらの方法を用いて光学的バンドギ
ャップを狭めた１漠をキャリア発生層として用い、それ
をａ−３ｉで形成されるキャリア搬送層上に積層した第
３図のような構造の感光体も提案されている（例えば、
特開昭５７−１１５５５２号公報）、すなわち、第３図
は従来の長波長に対し増感を行った感光体の断面構造を
示す回である。第４＠は、第３図に相当する感光体のバ
ンド構造を示す図である。第３図、第４図において、符
号２は基板、３は表面体ＷＩ層。

７はキャリア搬送層、４は従来のキャリア発生層を意味
する。第４図に示したように、従来のキャリア発生層４
とキャリア搬送層７との光学的バンドギャップの差から
生じる界面のポテンシャル段差Ｓ又はＳ′のために、従
来のキャリア発生層４がポテンシャルの井戸となって該
キャリア発生層４中で生成されたキャリアが井戸の外部
に取り出され娠いという問題があった。更に、上述した
ように、バンドギャップを狭めたキャリア発生層４は比
抵抗が低いため、この層にかかる電界も減少する。その
結果、キャリア発生層４で生成されたキャリアを効率よ
くキャリア突送層７の界面まで輸送できず長波長増感効
果を続き出すことができなかった。

本発明の目的は、特に半導体レーザ光等の長波長光に対
して光感度が高く、かつ電子写真特性も良い電子写真用
感光体を提供することにある。

Ｃ問題点を解決するための手段〕 本発明は、アモルファスシリコン層上に上記アモルファ
スシリコン層の光学的バンドギャップより狭いバンドギ
ャップを有するアモルファスシリコン薄層を設けた電子
写真用感光体において、上記アモルファスシリコン層と
、上記アモルファスシリコン薄層との間に、上記アモル
ファスシリコン層の光学的バンドギャップより広くしか
もより高比抵抗のアモルファスシリコン薄層を介在させ
た電子写真用感光体である。

更に、本発明は広いギンドギャップを有するアモルファ
スシリコン薄層が存在する側とは逆の側、即ち基体とア
モルファスシリコン層との脊面にアモルファスシリコン
層の光学的バンドギャップより広く、しかもより高比抵
抗のアモルファスシリコン薄層を介在させた電子写真用
感光体である。

本発明の電子写真用感光体を図で示すと、第１図に示す
ような積層構造をなしている。すなわち第１図は、本発
明の感光体の断面構造を示す図で、第２図は本発明の感
光体のバンド構造を示す図である１図において、符号１
は感光体、２は基板。

３は表面保護層、４はキャリア発生層、５は光吸収層、
６はキャリア引き出し層、７はキャリア搬送層、８はブ
ロッキング層を示している。

ａ−８ｉを含む物質の光学的バンドギャップを増大させ
るためには、Ｓｉのほかに酸素Ｏ２炭素Ｃや窒ｓＮなど
の元素を混入させれば良いことが知られている〔例えば
、フイロゾフイカル　マガジン（Ｐｈｉｌｏｓｏｐｈｉ
ｃａｌ　Ｍａｇａｚｉｎａ）第３５巻（１９７７年）第
１〜１６頁〕。

図に示したように、感光体１の表面あるいは基板２との
界面付近に、光学的バンドギャップが比較的大で、しか
も比抵抗の大きい物質で表面保護Ｍ３又はブロッキング
Ｍ８を設ける。

表面保護層３は、コロナ放電に゛より感光体表面に与え
た電荷が感光体内部に注入することを防ぐと共に１表面
電荷像が面方向に拡散して電子写真像の解像度低下をも
たらすことを防ぐ効果がある。

ブロッキング層８は、基板２から感光体１べのキャリア
注入を防ぎ、暗減衰め時定数を向上させる効果がある。

キャリア搬送層７は通常のａ−８ｉで形成され、比抵抗
を上げたり、正孔の走行性を向上するためには、ホウ素
Ｂをドープする。

〔作用〕

スパッタリング法やプラズ、マＣＶＤ法によりａ−８ｉ
ｔ−ｘＧｅｘ：　Ｒ（水素化されたアモルファスジ、リ
コンゲルマニウム）を作製すると、Ｘの景により、光学
的バンドギャップ及び比抵抗は第５図のように変化する
。すなわち第５図は光学的バンドギャップ（ｅＶ）及び
比抵抗（Ω・Ｃａ１）（縦軸）とＸ（横軸）との関係を
示すグラフである。

一方、上記のａ　　５ｉｔ−ｘＧｅｘ：Ｈにおいて。

Ｘが０．６　付近の光学的バンドギャップ１．４５ｅＶ
の膜（厚さ２μｍ）をキャリア発生層に用い、１第３図
の示す構造で全体の厚さが２０μｍの感光体を作った所
、この感光体の電子写真特性は良くなかった。特に、暗
減衰が悪く、長波長領域の増減も見られなかった。そこ
で、第３図のキャリア発生Ｍ４とキャリア搬送Ｎｊ７の
間に光学的バンドギャップの値が３ｅＶのａ　−Ｓ　ｉ
　１−Ｘ　Ｇ　ｘ　：　Ｈ（水素化されたアモルファス
炭化シリコン）の膜を厚さ０．０２　ｐｍ入れた構造の
感光体を作製した所、この感光体は暗減衰も良く、シか
もきちんと長波長領域で感度を向上させることが出来た
。

ａ−８ｉｓ−ｚｃｘ：Ｈは、スパッタリング法やプラズ
マＧＶ−Ｄ法により作製することができる。

Ｘの値により、ａ　−Ｓ　ｉ　１−ｚｃｘ　：　Ｈの光
学的バンドギャップ及び比抵抗値は第６図のように変化
する。すなわち第６図は光学的バンドギャップ（ｅＶ）
及び比抵抗（Ω・（！ｌ）　　（縦軸）とＸ軸（横軸）
との関係を示すグラフである。

次の条件で、第１図の構造の感光体を作製した。

即ち、光吸収層５には、ｘ＝０．８　で光学的バンドギ
ャップが１．２５ｅＶのａ　−Ｓ　ｉ　ｌ−ｏ、ａＧ　
ｅ　ｏ＊Ｊｌ：Ｈ膜を用い、厚さは、１μｍとした８表
面保護Ｍ３とブロッキング層８、さらにキャリア引き出
し層６には、Ｘが０．６　近辺のａ−８ｉｔ−、：Ｆ（
膜を用い、キャリア引き出し層６の厚さｔを種々変えて
感光体を作り、半導体レーザの発光波長付近の７８０ｎ
ｍで感度Ｓを調べた。その結果を第７図に示す、すなわ
ち第７図は感光体の感度Ｓ（ｍ”／ｍＪ）　　（縦軸）
とキャリア引き出し層６の厚さｔ　（μｍ）（横軸）と
の関係を示すグラフである。第７図から、上記構造でキ
ャリア引き出しＭ６の厚さが０．００５　ｐ　ｍから０
．０５　　ｐｍの間−で感度が上がり、その中でも特に
０．０１　μＩｎから０．０３　μｍの間が最も良好で
あることがわかった。

このように、光吸収層５とキャリア搬送層７との界面に
、広バンドギャップで高抵抗の膜を非常に薄く挾むこと
により、長波長領域の感度を上げることができる原因は
１次の点にある。

第８図は、第２図のバンド構造に電界がかかった状態を
示す。これは、感光体が？Ｆ電している時に対応してい
る。各層のバンドの傾きは、それぞれの層のもつ抵抗値
の違いによっている。つまり。

１０１８Ω”ｄｌｌ程度のａ−８ｉｔ−ｘｃｘ：Ｈを用
いた表面保護層３とキャリア引き出し層６とブロッキン
グ層８の傾きが大きく、電界が集中する・、とこめが、
１００　Ω・１程度のａ−８ｉｔ−ｘＧｅｘ：Ｈを用い
た光吸収層４には、はとんど電界がかからない、そのた
めキャリア引き出し層６がなかった従来型の構造では、
キャリア搬送層７に光吸収層５から効率よくキャリアを
引き出すことが出来なかった。ところが、本発明のよう
に高抵抗でかつ非常に薄い膜を光吸収層５とキャリア搬
送Ｐｙｊ７の間に挾むことにより、光吸収Ｍ５で発生し
た電子が、まずトンネル効果でキャリア引き出し層６に
移動しさらにキャリア引き出し層６にかかる高電界で加
速され、キャリア搬送Ｒ３７に注入される。

このため、キャリア注入効率が上がり、長波長領域の感
度を上げることが出来るのである。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例により、更に具体的に説明する。

実施例１ 表面を鏡面研磨したＡＱドラムを真空容器中に入れ、１
ｘｌＯ−’ｈルまで排気した後ドラム表面の温度を２５
０℃に保ちつつ、ＡｒとＨ２を混合したガスと更にＣＨ
４ガスを上記真空容器中に流して、容器内の圧力を５×
１０−δトルに保つ。この雰囲気中でＳｉのターゲット
を用いて高周波スパッタにより、ＡＱトドラム上ａ　−
Ｓ　ｉ　ｏ、ａｃｏ、ｅ：Ｈの膜を０．１　μｍの厚さ
に堆積させブロッキング層を作る０次にＣＨ４ガスを切
り、ＡｒとＨ２の混合ガスのみを上記真空容器中に流し
、上記と同じ条件のもとで、ａ−５ｉ：Ｈ（水素化ａ　
−Ｓ　ｉ　）のキャリア搬送層を１８μｍを堆積させる
。次に、再びＣＨ４ガスを流し、ブロッキング層を作製
した時と同じ条件のもとで、ａ　−Ｓ　ｉ　０．４ＣＱ
、８　：　Ｈの膜を０．０２　μｍの厚さに堆積させキ
ャリア引き出し層を作る。その後、Ｓｉターゲット上に
Ｇｅ結晶の小片をＳｉターゲットに対する面積比で８０
％のせ、上記と同一の作製条件下で、ａ　−３ｉｏ、ｚ
Ｇｅｏ、ａ：　Ｈの膜を１μｍの厚みまで堆積させ光吸
収層を作る・６次に、Ｓｉターゲット上のＧｅ結晶の小
片を取除いた後に、ブロッキング層を堆積させた条件と
同一の条件で、　ａ　−５ｉｏ、４Ｃｏ＊ｓ　。

：Ｈの膜を０．１　　μｍの厚さに堆積させ、表面保８
Ｍを形成して電子写真感光ドラムとする。このドラムは
表面にコロナ放電で正、負どちらの電荷を帯電させて使
用しても、暗減衰特性及び長波長領域の増感をはかれ、
安定した印字が得られた。

特性を示た１例として、この実施例１の感光ドラムの分
光感度と帯電電位の暗減衰特性を第９図。

第１０図に示す、すなわち、第９図はａ−８ｉ：Ｈ感光
体の分光感度と本発明の分光感度の比較であった。波長
λ（ｎｍ）（横＃）と感度（ｍ２／ｍ　Ｊ　）との関係
を示すグラフである。第９図から本発明を用いた感光体
の長波長領域の感度が向上していることがわかる。また
、第１０図はａ　−３ｉＧｅ：Ｈｆｉをキャリア発生層
に用いた第３図に示す構造をもつ従来型の感光体と本発
明の感光体の暗減衰特性の比較であって、時間（秒）（
横軸）と暗減衰率（縦軸）との関係を示すグラフである
。第１０図から本発明を用いることにより暗減衰の時定
数の低下が抑制されていることがわかる。

実施例２ 表面を鏡面研磨したＡＱドラムを真空容器中に入れ、１
Ｘ１０−’トルまで排気した後ドラムの表面温度を２５
０℃に保ちつつ、Ｃｚ　Ｈ４を含有するＳｉＨ４とＨ２
の混合気体を０．３　トルの圧力まで導入し、１３．５
６ＭＨｚの高周波グロー放電（プラズマＣＶＤ法）によ
り、　ａ　−Ｓ　ｉ　０．４Ｃ０，６：Ｈの膜を０．１
　　μｍの厚さに堆積し、ブロッキング層を作る、グロ
ー放電を行わせる高周波電力は２００Ｗからｓｏｏｗの
閏である１次に、導入ガスからＣｚ　Ｈ＆を除き、Ｓｉ
Ｈ４とＨ２の混合気体のグロー放電により、ａ−８ｉ：
Ｈを１８μｍの厚みに堆積させて、キャリア搬送層を作
る６作製条件は、上記と同一である０次に、上記ブロッ
キング層の作製条件と同一の条件下でａ−Ｓ　ｉ　ｏ、
ａ　Ｃｏ、ａ　：　Ｈの膜を０．０２　　μｍのＪｇさ
に堆積させ、キャリア引き出し層を作る。その後。

Ｃｚ　Ｈａを除き、新たにＧｅＨｉガスを５ｉＨａ　と
Ｈｚに混ぜ、上記と同一条件下でａ　−５ｉａ、ｚＧａ
ｏ、ａ：Ｈの膜を１μｍの厚さに堆積させ、光吸収層を
作る６次に、再び上記ブロッキング層の作製条件と同一
条件下でａ　−Ｓ　ｉ　ｏ、ｉｃｏ、ａ　：　Ｈの膜を
厚さ０６１　μｍ堆積させ、表面保護層を作る。このよ
うにして作製した電子写真感光ドラムは、実施例１で述
べたドラムと同様な特性を示し、長波長領域で高感度で
、半導体レーザを用いたプリンタで安定した印字が得ら
れた。

実施例３ 本実施例は感光体の作製方法においては前記実施例２と
同じプラズマＣＶＤ法を用いているが、ブロッキング層
とキャリア引き出し層に用いるａＳｌｌ−１１ｃえ　：
Ｈに■族元素であるリンＰをドープし、また表面保護層
に用いるａ−５ｉ−ｘｃｘ　　：Ｈに１ｉ族元素である
ボロンＢをドープし、バンド構造を第１１図のように使
用するキャリアに対して層と層の接合界面に出来るエネ
ルギ障壁を低減させるようにした点に特徴がある。Ｐド
ープの際はＰＨｓガスを、Ｂドープの際はＢｚＨｅガス
を基礎ガスとして用いる５ｉＨａとＨｚに混合させ、前
記実施例２と同じ作製条件で感光ドラムを作った。この
様にして作製した電子写真感光ドラムは。

表面にコロナ放電で負の電荷をＷ電して使用する。

この時の長波長領域の感度は、実施例２の感光ドラムと
比べて約２倍向上していた。

実施例４ 本実施例における感光体は前記実施例と反対に、表面に
正の電荷を？ｉＦ電して使用するようにしたので、その
バンド構造を第１２図に示す１本実施例では、ブロッキ
ング層とキャリア引き出し層にＰをドープ、表面保護層
にＢをドープした。作製方法、条件は、前記実施例２と
同じであるが、キャリア搬送層における正孔の移動度を
上げるために、Ｂを約１１００ｐｐドープしたａ−３ｉ
：Ｈ膜を用いた。この様にして作製した電子写真感光ド
ラムは、長波長領域で高感度で、半導体レーザを用いた
プリンタで安定した印字が得られた。

実施例５ 本実施例におけろ感光体は、第１３図に示すようにキャ
リア発生層を複数の光吸収層とキャリア引き出し層でモ
カ成する点に特徴がある。本実施例における感光体の作
製方法は、前記実施例３と同じにしたが、光吸収層の１
層の厚さは０．４　　μｍ。

キャリア引き出し層の１層の厚さは０．０１　　μｍと
しそれぞれ交互に二層堆積し、キャリア発生層とした。

この様にすることにより、光吸収層で発生したキャリア
をより有効に利用することができる。そのため１本実施
例を用いた構造の感光ドラムは、長波長領域での感度が
実施例２に比べて約４倍向上し、半導体レーザを用いた
プリンタで良好な印字が得られたばかりか、光源に用い
る半導体レーザの出力が小さいものを使うことができる
。

また、本実施例の応用として、光吸収層とキャリア引き
出し層を更に多数回積層した膜をキャリア発生層として
用いることも可能である。

〔発明の効果〕

実施例によって示したように本発明による感光体の構造
は、長波長領域の光を吸収してキャリアを生成する光吸
収層からキャリアを効率よく引き出して、キャリア搬送
層への流出を容易にして高感度化を実現するのに極めて
有効である。

以上、本発明を実施例によって説明したが、本発明は上
記実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸
脱しない範囲において種々変更し得ること勿論である。

例えば、キャリア搬送層の特性制御には特に実施例の説
明ではふれなかったが、第１４図のようにキャリア搬送
層をｎ型又はｐ型にコントロールしても、本文中で述べ
たように界面部のエネルギー障壁が小さくなるため、キ
ャリア発生層からの注入効率を上げることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の感光体の断面構造を示す図、第２図は
本発明の感光体のバンド構造を示す図。 第３図は従来の長波長増感を行った感光体の断面構造を
示す図、第４図は第３図に相当する感光体のバンド構造
を示す図、第５図乃至第１７図は本発明に用いた材料及
び構造の特性を示すグラフ。 第８図は本発明の感光体表面を負にｔｒＷ＆させた場合
のバンド構造を示す図、第９図及び第１０図は本発明の
感光体と従来の感光体との比較を示すための分光感度を
暗減衰特性を示す図、第１１図及び第１２図は本発明の
実施例における感光体のバンド構造を示す図、第１３図
は本発明を実施した感光体の断面構造例を示す図、第１
４図はキャリア搬送層をＰ型にした場合の積層感光体の
バンド構造図である。 １・・・感光体、２・・・基板、３・・・表面保護層、
４・・・キャリア発生層、５・・・光吸収層、６・・・
キャリア引き出し層、７・・・キャリア搬送層、８・・
・ブロッキング層。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板上に設けられたアモルファスシリコン層、及び
   上記アモルファスシリコン層上に設けられた上記アモル
   ファスシリコン層の光学的バンドギャップより狭いバン
   ドギャップを有するアモルファスシリコン薄層とから成
   る電子写真用感光体において、上記アモルファスシリコ
   ン層と上記アモルファスシリコン薄層との間に上記アモ
   ルファスシリコン層の光学的バンヅギャップより広いバ
   ンドギャップを有し、しかも高比抵抗のアモルファスシ
   リコン薄層を介在させたことを特徴とする電子写真用感
   光体。 ２、アモルファスシリコン層上に広いバンドギャップを
   有する薄層と狭いバンドギャップを有する薄層とがそれ
   ぞれ複数交互に積層されて成る特許請求の範囲第１項記
   載の電子写真用感光体。 ３、広いバンドギャップを有するアモルファスシリコン
   薄層には酸素、炭素、窒素の内の一つ又は複数が添加さ
   れていることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第
   ２項記載の電子写真用感光体。 ４、広いバンドギャップを有するアモルファスシリコン
   薄層に燐を添加したことを特徴とする特許請求の範囲第
   ３項記載の電子写真用感光体。 ５、広いバンドギャップを有するアモルファスシリコン
   薄層の比抵抗は１０＾１＾４Ωｃｍ以上であることを特
   徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項又は第３項又
   は第４項記載の電子写真用感光体。 ６、広いバンドギャップを有するアモルファスシリコン
   薄層の光学的バンドギャップが２ｅＶ以上であることを
   特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項又は第３項
   又は第４項記載の電子写真用感光体。 ７、広いバンドギャップを有するアモルファスシリコン
   薄層の膜厚が０．００５μｍ乃至０．０５μｍであるこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項又は第
   ３項又は第４項又は第５項又は第６項記載の電子写真用
   感光体。 ８、狭いギンドギャップを有するアモルファスシリコン
   薄層にゲルマニウム又はセレニウムの内の一つ又は複数
   を添加したことを特徴とする特許請求の範囲第１項又は
   第２項又は第３項又は第４項又は第５項又は第６項又は
   第７項記載の電子写真用感光体。 ９、アモルファス薄層表面にアモルファスシリコン層の
   光学的バンドギャップより広いバンドギャップを有し、
   しかも高比抵抗のアモルファスシリコン薄層を表面保護
   膜として設けたことを特徴とする特許請求の範囲第１項
   又は第２項又は第３項又は第４項又は第５項又は第６項
   又は第７項又は第８項記載の電子写真用感光体。 １０、膜厚が０．０１μｍ乃至０．０３μｍであること
   を特徴とする特許請求の範囲第７項記載の電子写真用感
   光体。 １１、基板上に設けられたアモルファスシリコン層、及
   び上記アモルファスシリコン層上に設けられた上記アモ
   ルファスシリコン層の光学的バンドギャップより狭いバ
   ンドギャップを有するアモルファスシリコン薄層とから
   成る電子写真用感光体において、上記アモルファスシリ
   コン層と上記アモルファスシリコン薄層との間、及び上
   記アモルファスシリコン層と上記基体との間にそれぞれ
   上記アモルファスシリコン層の光学的バンドギャップよ
   り広いバンドギャップを有し、しかも高比抵抗のアモル
   ファスシリコン薄層を介在させたことを特徴とする電子
   写真用感光体。 １２、広いバンドギャップを有するアモルファスシリコ
   ン薄層には酸素、炭素、窒素の内の一つ又は複数が添加
   されていることを特徴とする特許請求の範囲第１１項記
   載の電子写真用感光体。 １３、広いバンドギャップを有するアモルファスシリコ
   ン薄層に燐を添加したことを特徴とする特許請求の範囲
   第１２項記載の電子写真用感光体。 １４、広いバンドギャップを有するアモルファスシリコ
   ン薄層の比抵抗は１０＾１＾４Ωｃｍ以上であることを
   特徴とする特許請求の範囲第１１項又は第１２項記載の
   電子写真用感光体。 １５、広いバンドギャップを有するアモルファスシリコ
   ン薄層の光学的バンドギャップが２ｅＶ以上であること
   を特徴とする特許請求の範囲第１２項又は第１３項記載
   の電子写真用感光体。 １６、広いバンドギャップを有するアモルファスシリコ
   ン薄層の膜厚が０．００５μｍ乃至０．０５μｍである
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１１項又は第１２項
   又は第１３項又は第１４項又は第１５項記載の電子写真
   用感光体。 １７、狭いギンドギャップを有するアモルファスシリコ
   ン薄層にゲルマニウム又はセレニウムの内の一つ又は複
   数を添加したことを特徴とする特許請求の範囲第１１項
   又は第１２項又は第１３項又は第１４項又は第１５項又
   は第１６項記載の電子写真用感光体。 １８、アモルファス薄層表面にアモルファスシリコン層
   の光学的バンドギャップより広いバンドギャップを有し
   、しかも高比抵抗のアモルファスシリコン薄層を表面保
   護膜として設けたことを特徴とする特許請求の範囲第１
   １項又は第１２項又は第１３項又は第１４項又は第１５
   項又は第１６項又は第１７項記載の電子写真用感光体。 １９、膜厚が０．０１μｍ乃至０．０３μｍであること
   を特徴とする特許請求の範囲第１６項記載の電子写真用
   感光体。