JPS59221817A - 磁気ヘッドの製法 - Google Patents
磁気ヘッドの製法Info
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- JPS59221817A JPS59221817A JP9535783A JP9535783A JPS59221817A JP S59221817 A JPS59221817 A JP S59221817A JP 9535783 A JP9535783 A JP 9535783A JP 9535783 A JP9535783 A JP 9535783A JP S59221817 A JPS59221817 A JP S59221817A
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- Japan
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- magnetic
- thin film
- substrate
- head
- metal
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気ヘッド、特にＶＴＲ用等の磁気ヘッドに関
する。
する。
背景技術とその問題点
近年の磁気記録技術の発展に伴ないＶＴｋＬ用の磁気ヘ
ッドとしては高磁束密度、高抗磁力の磁気テープへの記
録再生が可能であること又磁気テープの面内での記録密
度を向上させるためにできるだけ狭トラツク化が可能で
あることが要求されている。前者の要求に対しては飽和
磁束密度の太きい金属磁性材料（アモルファス、センダ
スト、パーマ目イ等）がフェライトに代って用いられて
いる。又、後者の要求に対しても数十、μ以下のトラッ
ク幅を実現するためにスパッタリング、蒸着、イオンブ
レーティング等の真空薄膜形成技術による金属磁性薄膜
が適しているが、真空薄膜形成技術によって作成する金
属磁性薄膜は膜成長速度が数〃／ｈ、と極めて遅い。
ッドとしては高磁束密度、高抗磁力の磁気テープへの記
録再生が可能であること又磁気テープの面内での記録密
度を向上させるためにできるだけ狭トラツク化が可能で
あることが要求されている。前者の要求に対しては飽和
磁束密度の太きい金属磁性材料（アモルファス、センダ
スト、パーマ目イ等）がフェライトに代って用いられて
いる。又、後者の要求に対しても数十、μ以下のトラッ
ク幅を実現するためにスパッタリング、蒸着、イオンブ
レーティング等の真空薄膜形成技術による金属磁性薄膜
が適しているが、真空薄膜形成技術によって作成する金
属磁性薄膜は膜成長速度が数〃／ｈ、と極めて遅い。
ビデオヘッドはヘッド構造自体の強度やテープとの、接
触に対する耐衝撃性の観点から１００〜２００μ厚程度
の厚さが要求されるが真空薄膜形成技術でその厚さを得
ようとすると５μ／ｈｒの速度としても３０ｈｒｓぐら
いの時間を要してしまい生産性が悪い。
触に対する耐衝撃性の観点から１００〜２００μ厚程度
の厚さが要求されるが真空薄膜形成技術でその厚さを得
ようとすると５μ／ｈｒの速度としても３０ｈｒｓぐら
いの時間を要してしまい生産性が悪い。
そのため特開昭５７−１４１０１１や特開昭５７−５５
５２６に見られ、第１図に示すごとく、磁気ヘッド構体
ｉｌ＋の大部分を非磁性基板（２１で構成し、金属強磁
性薄膜（３）はギャップ近傍もしくはトラック幅に該当
するヘッドの中心部分領域近傍に限足しているのが普通
である。
５２６に見られ、第１図に示すごとく、磁気ヘッド構体
ｉｌ＋の大部分を非磁性基板（２１で構成し、金属強磁
性薄膜（３）はギャップ近傍もしくはトラック幅に該当
するヘッドの中心部分領域近傍に限足しているのが普通
である。
しかしながら狭トラツク化すればするほど磁気コアの磁
路を非磁性基板（２）上に形成された金属強磁性薄膜（
３）によること（・１従来の強磁性酸化物基板（４）を
ガラス（５）により融着してなる第２図の様な磁気ヘッ
ド構造体（１）に比べて磁気抵抗が大きくなるため再生
効率的に不利である。一方、実開昭５６−１５２９２９
や特開昭５３−５０８１５のごとぐ即ち第３図の様に金
属磁性体コアｆｉｌのテープ摺接部からギャップｇの近
傍にかけての金属張磁性箔（３）を非磁性耐摩耗性材（
２］により挾みそれ以外を強磁性酸化物板（４）で挾ん
でバックの磁気抵抗を小さくする方法が提案されている
が、金属張磁性箔（３）と強磁性酸化物基板（４）との
間の接合はガラス無機接着材、有機接着材いずれを使う
にせよ必ず接着層が介在するため両磁性体間の磁束伝達
が困難となる。
路を非磁性基板（２）上に形成された金属強磁性薄膜（
３）によること（・１従来の強磁性酸化物基板（４）を
ガラス（５）により融着してなる第２図の様な磁気ヘッ
ド構造体（１）に比べて磁気抵抗が大きくなるため再生
効率的に不利である。一方、実開昭５６−１５２９２９
や特開昭５３−５０８１５のごとぐ即ち第３図の様に金
属磁性体コアｆｉｌのテープ摺接部からギャップｇの近
傍にかけての金属張磁性箔（３）を非磁性耐摩耗性材（
２］により挾みそれ以外を強磁性酸化物板（４）で挾ん
でバックの磁気抵抗を小さくする方法が提案されている
が、金属張磁性箔（３）と強磁性酸化物基板（４）との
間の接合はガラス無機接着材、有機接着材いずれを使う
にせよ必ず接着層が介在するため両磁性体間の磁束伝達
が困難となる。
更にこの方法の不都合な点は高周波特性ビ向上させるた
め及び狭トラツク化の観点から数μ以下の厚さの金属強
磁性態ビ積層する時のハンドリングの難しさがある。即
ちいかに習熟した作業者であっても数μの金属張磁性箔
どうしを隙間なく積層するのは難しく、第４図に示す如
く金属張磁性箔（３１（３１間処隙間ａが生じ、隙間ａ
があると箔（３）間に非磁性帯が存在してし１いトラッ
ク幅も広くなるし、トラックの中間に記保できない領域
ができてしまう。この様な状況の中にあって強磁性酸化
物自体を基板としてその上に真空薄膜形成技術により金
属強磁性薄膜を直接形成する方法でビデオヘッド等が作
成できれば強磁性酸化物と金属磁性薄膜間の密着性が高
く又高帯域における渦電流損を避けるため忙どんな薄い
嘆の積層体にしようとも絶縁膜と金属磁性体薄膜との交
互積層が隙間なく完全にできるため非常に好ましい。
め及び狭トラツク化の観点から数μ以下の厚さの金属強
磁性態ビ積層する時のハンドリングの難しさがある。即
ちいかに習熟した作業者であっても数μの金属張磁性箔
どうしを隙間なく積層するのは難しく、第４図に示す如
く金属張磁性箔（３１（３１間処隙間ａが生じ、隙間ａ
があると箔（３）間に非磁性帯が存在してし１いトラッ
ク幅も広くなるし、トラックの中間に記保できない領域
ができてしまう。この様な状況の中にあって強磁性酸化
物自体を基板としてその上に真空薄膜形成技術により金
属強磁性薄膜を直接形成する方法でビデオヘッド等が作
成できれば強磁性酸化物と金属磁性薄膜間の密着性が高
く又高帯域における渦電流損を避けるため忙どんな薄い
嘆の積層体にしようとも絶縁膜と金属磁性体薄膜との交
互積層が隙間なく完全にできるため非常に好ましい。
ところがそれが現実に不可能であったのは次の２つの大
きな理由によっていた。その１つは強磁性酸化物、例え
ば八（ｎ−Ｚｎフェライトは約１００×１０ ℃ の
熱膨張−係数を、金属強磁性薄膜例えばセンダストは約
１５０Ｘ１０ ℃ の熱膨張係数を夫々持ち５０％程
度も熱膨張係数が異なり、且つフェライトがへき間柱を
持った結晶であるため、金属強磁性材料を数μ以上の厚
さで真空薄膜形成技術によりフェライト上忙形成させる
と形成途中における熱歪によりフェライトの破壊や割れ
を招来させてしまう。又、熱歪は後のガラス接合等の工
程においても避けられないので増々割れを拡大してし貰
う。
きな理由によっていた。その１つは強磁性酸化物、例え
ば八（ｎ−Ｚｎフェライトは約１００×１０ ℃ の
熱膨張−係数を、金属強磁性薄膜例えばセンダストは約
１５０Ｘ１０ ℃ の熱膨張係数を夫々持ち５０％程
度も熱膨張係数が異なり、且つフェライトがへき間柱を
持った結晶であるため、金属強磁性材料を数μ以上の厚
さで真空薄膜形成技術によりフェライト上忙形成させる
と形成途中における熱歪によりフェライトの破壊や割れ
を招来させてしまう。又、熱歪は後のガラス接合等の工
程においても避けられないので増々割れを拡大してし貰
う。
従来１強磁性酸化物上に直接金属磁性薄膜を形成したヘ
ッドとしては第５図に示すごとく、金属磁性薄膜（３）
をヘッドコア（１）を構成する強磁性酸化物基板（４）
のギャップｇにのみ形成するものカーあるが、その場合
は膜厚も薄く又面積も小さＸ、１領域に形成するため強
磁性酸化物の割れはほとんど発生しない。即ち、第５図
の場合はギヤツブｇ対向面にのみ金属磁性薄膜（３）を
形成量ればよいので約５０μ（トラック幅）×５０μ（
ギャップ深さ）の平面上に安定に形成できればよいので
あるが、第１図、第３図、第４図に示した例においては
約３０００μ（ヘッド長さ）Ｘ１５００μ（ヘッド幅の
半分）の平面上であり且つ、厚さも合計で１０μ〜３０
μ程度の厚さが実際上必要となるので熱歪のレベルは比
べものにならない程大きくなってし１う。
ッドとしては第５図に示すごとく、金属磁性薄膜（３）
をヘッドコア（１）を構成する強磁性酸化物基板（４）
のギャップｇにのみ形成するものカーあるが、その場合
は膜厚も薄く又面積も小さＸ、１領域に形成するため強
磁性酸化物の割れはほとんど発生しない。即ち、第５図
の場合はギヤツブｇ対向面にのみ金属磁性薄膜（３）を
形成量ればよいので約５０μ（トラック幅）×５０μ（
ギャップ深さ）の平面上に安定に形成できればよいので
あるが、第１図、第３図、第４図に示した例においては
約３０００μ（ヘッド長さ）Ｘ１５００μ（ヘッド幅の
半分）の平面上であり且つ、厚さも合計で１０μ〜３０
μ程度の厚さが実際上必要となるので熱歪のレベルは比
べものにならない程大きくなってし１う。
１だ、他の１つの理由は、第１図に示した非磁性基板＋
２１を強磁性酸化物に変えるとトラック幅規制が不可能
になるという事情がある。
２１を強磁性酸化物に変えるとトラック幅規制が不可能
になるという事情がある。
従って真空薄膜形成技術により強磁性酸化物基板に金属
磁性薄膜を直接形成し磁気ヘッドを得ることは不可能で
あった。
磁性薄膜を直接形成し磁気ヘッドを得ることは不可能で
あった。
発明の目的
本発明は以上の様な状況に鑑み各問題点を解決し磁性体
と非磁性材より成る複合基板上に真空薄膜形成技術によ
り金属強磁性薄膜を形成した信頼性の高い磁気ヘッドを
提供するものである。
と非磁性材より成る複合基板上に真空薄膜形成技術によ
り金属強磁性薄膜を形成した信頼性の高い磁気ヘッドを
提供するものである。
発明の概要
本発明は少なくとも磁気記録媒体対向面の有効ギャップ
近傍を非磁性材料で形成した一対の磁性体基板の間に真
空薄膜形成技術により積層形成された金属磁性薄膜層を
保持したコア半休対より成り、このコア半休対の金属磁
性薄膜層間に有効ギャップを形成した磁気ヘッドである
。
近傍を非磁性材料で形成した一対の磁性体基板の間に真
空薄膜形成技術により積層形成された金属磁性薄膜層を
保持したコア半休対より成り、このコア半休対の金属磁
性薄膜層間に有効ギャップを形成した磁気ヘッドである
。
この発明によれば金属磁性薄膜層の総厚が１０μ〜数十
μの厚さとなっても磁性体基板としての強磁性酸化物基
板に亀裂や割れの生じることがなく且つ、トラック幅が
金属強磁性薄膜層により規制され、再生効率の大きな磁
気ヘッドが得られる。
μの厚さとなっても磁性体基板としての強磁性酸化物基
板に亀裂や割れの生じることがなく且つ、トラック幅が
金属強磁性薄膜層により規制され、再生効率の大きな磁
気ヘッドが得られる。
実施例
以下、第６図以降を参照して本発明の詳細な説明する。
先ず第６図〜第１１図を参照して第１の実施例を説明す
る。
る。
本例においては第６図に示す如く強磁性酸化物の平板ａ
’ｌｒＫ電解エツチング、超音波加工、回転砥石等の方
法で溝（１２ａ）を形成し、この溝（１２ａ）にガラス
等の非磁性材（■３）を溶融充填し、更に平面研磨加工
をなす。この様に形成された強磁性酸化物とガラス等の
非磁性材との複合基板ａＩＪ上にスパッタリング等によ
りセンダスト合金等の金属磁性薄膜層ｆ１４１を成長さ
せる（第７図参照）。この場合、普通に単なる強磁性酸
化物の平面板上にセンダスト薄膜を成長させたのでは熱
歪が一方向的であり強磁性酸化物の割れを招来させるが
、本例のごとくガラス等の非磁性材（＋３１が充填しで
あると強磁性酸化物とガラス等の非磁性体の熱膨張特性
が異なるため両者間の熱歪は分散され一方向的でなくな
る。そのため割れが防止される。
’ｌｒＫ電解エツチング、超音波加工、回転砥石等の方
法で溝（１２ａ）を形成し、この溝（１２ａ）にガラス
等の非磁性材（■３）を溶融充填し、更に平面研磨加工
をなす。この様に形成された強磁性酸化物とガラス等の
非磁性材との複合基板ａＩＪ上にスパッタリング等によ
りセンダスト合金等の金属磁性薄膜層ｆ１４１を成長さ
せる（第７図参照）。この場合、普通に単なる強磁性酸
化物の平面板上にセンダスト薄膜を成長させたのでは熱
歪が一方向的であり強磁性酸化物の割れを招来させるが
、本例のごとくガラス等の非磁性材（＋３１が充填しで
あると強磁性酸化物とガラス等の非磁性体の熱膨張特性
が異なるため両者間の熱歪は分散され一方向的でなくな
る。そのため割れが防止される。
次に第８図に示す様に第６図に示す基板ｆｌｉｔと同様
に形成した複合基板ＯＤを金属磁性薄膜＠（１４１の上
に高融点ガラスで接着してコア半休ブロック（１０１を
形成する。このコア半休ブロック０ωに第９図に示すご
とく巻線用等の溝〔１眞）を非磁性材αＪの充填部にか
かるように形成する。そしてこの一方のコア半休ブロッ
クσ０と同様に形成した他方のコア半休ブロックＯＩを
一方のコア半休ブロック（ＩＩに対して低融点ガラスを
用いてギャップ接合した後切断する（第１０図参照）。
に形成した複合基板ＯＤを金属磁性薄膜＠（１４１の上
に高融点ガラスで接着してコア半休ブロック（１０１を
形成する。このコア半休ブロック０ωに第９図に示すご
とく巻線用等の溝〔１眞）を非磁性材αＪの充填部にか
かるように形成する。そしてこの一方のコア半休ブロッ
クσ０と同様に形成した他方のコア半休ブロックＯＩを
一方のコア半休ブロック（ＩＩに対して低融点ガラスを
用いてギャップ接合した後切断する（第１０図参照）。
更にこれを両側面及びテープ摺接面の研磨加工を施すこ
とＫより第１１図に示すごとくギヤツブｇ近傍はガラス
等の非磁性材（＋３１が充填されており、トラック幅が
金属磁性薄膜層（１４１で規制され且つ、テープ摺接面
に強磁性酸化物ａ２１が露出した磁気ヘッドｆｉ＋が得
られる。
とＫより第１１図に示すごとくギヤツブｇ近傍はガラス
等の非磁性材（＋３１が充填されており、トラック幅が
金属磁性薄膜層（１４１で規制され且つ、テープ摺接面
に強磁性酸化物ａ２１が露出した磁気ヘッドｆｉ＋が得
られる。
この様に形成さ４た磁気ヘッド（１）は強磁性酸化物平
板（１２１に亀裂や割れが生じることなく又、トラック
幅が金属強磁性薄膜ＲｔＬｌｊにより規制され且つ、耐
摩耗性を有し、再生効率が大きい効果がある。
板（１２１に亀裂や割れが生じることなく又、トラック
幅が金属強磁性薄膜ＲｔＬｌｊにより規制され且つ、耐
摩耗性を有し、再生効率が大きい効果がある。
次に第１２図及び第１３図について第２の実施例を説明
する。
する。
本例においては強磁性酸化物の平板叩にその幅方向の全
体に亘って溝（１２ｂ）を形成した後、その溝（１２ｂ
）に耐摩耗性材であるセラミックブロックａ９を挿入し
このブロック（１９と溝（１２ｂ）との間隙にガラス（
１３１を溶融充填しセラミックブロックα９を平板ａｚ
に固定してこれを平面研磨加工し基板（１１１を形成す
る。以下は第１の実施例と同様の工程により磁気ヘット
責１）を形成する（第１３図参照）。
体に亘って溝（１２ｂ）を形成した後、その溝（１２ｂ
）に耐摩耗性材であるセラミックブロックａ９を挿入し
このブロック（１９と溝（１２ｂ）との間隙にガラス（
１３１を溶融充填しセラミックブロックα９を平板ａｚ
に固定してこれを平面研磨加工し基板（１１１を形成す
る。以下は第１の実施例と同様の工程により磁気ヘット
責１）を形成する（第１３図参照）。
この本例における磁気ヘッド＋１１は第１の実施例の磁
気ヘッドよりも更にセンダスト合金等の金属磁性薄膜層
（圓とフェライト等の強磁性酸化物平板（Ｉｚとの間の
熱歪の分散が良いためフェライト強磁性酸化物平板（１
２１に亀裂や割れの生じるおそれがなく葦だ、テープ摺
接面の全面にわたって耐摩耗性材のセラミック叫が露出
されるので高耐摩耗性を有する。
気ヘッドよりも更にセンダスト合金等の金属磁性薄膜層
（圓とフェライト等の強磁性酸化物平板（Ｉｚとの間の
熱歪の分散が良いためフェライト強磁性酸化物平板（１
２１に亀裂や割れの生じるおそれがなく葦だ、テープ摺
接面の全面にわたって耐摩耗性材のセラミック叫が露出
されるので高耐摩耗性を有する。
更に他の実施例を第１４図〜第１６図について説明する
。本例は第２の実施例の場合よりも更に磁性体基板と金
属磁性薄膜層間の熱歪を分散させる場合の例であり、第
１４図に示すものは強磁性酸化物の平板（１２１に第２
の実施例と同様に幅方向忙亘って溝（１２ｂ） ’ｉ影
形成、この溝（１２ｂ）に高耐摩耗性材のセラミックブ
ロック（１５１を挿入し、ガラスαＪにより固着し、更
に後工程で切削除去される部分に細溝（ｊ２ｃ）を設け
た場合、第１５図に示−「ものは同じく切削除去すべき
部分に予め蒸着とホトエツチングによりｃｒの帯ａｅを
形成した場合、第１６図に示すものはセンダストの合金
薄膜をスパッタリングを行なう時にステンレスワイヤ＋
１７１の細線によるマスクを設けた場合である。夫々の
場合のセンダスト等の金属磁性薄膜層ｔｔ４１のスパッ
タリングを行なった後の端面な第１４図Ｂ第１５図Ｂ第
１６図Ｂに示す。
。本例は第２の実施例の場合よりも更に磁性体基板と金
属磁性薄膜層間の熱歪を分散させる場合の例であり、第
１４図に示すものは強磁性酸化物の平板（１２１に第２
の実施例と同様に幅方向忙亘って溝（１２ｂ） ’ｉ影
形成、この溝（１２ｂ）に高耐摩耗性材のセラミックブ
ロック（１５１を挿入し、ガラスαＪにより固着し、更
に後工程で切削除去される部分に細溝（ｊ２ｃ）を設け
た場合、第１５図に示−「ものは同じく切削除去すべき
部分に予め蒸着とホトエツチングによりｃｒの帯ａｅを
形成した場合、第１６図に示すものはセンダストの合金
薄膜をスパッタリングを行なう時にステンレスワイヤ＋
１７１の細線によるマスクを設けた場合である。夫々の
場合のセンダスト等の金属磁性薄膜層ｔｔ４１のスパッ
タリングを行なった後の端面な第１４図Ｂ第１５図Ｂ第
１６図Ｂに示す。
この様に本例においては金属磁性薄ＵＪ３（１４４に屈
曲又は厚みの変化をもたせた状態でスパッタが進行する
ため上述の第１及び第２図の実施例の膨張特性の異なっ
たガラス等の非磁性材を複合させることのみの場合より
更に熱歪な分散させることができフェライト等の強磁性
酸化物平板（ｌｚとセンダスト等の金属磁性薄膜層（ｔ
ｉとの間の熱歪の分散が良好となり強磁性酸化物（フェ
ライト）平板（１３に亀裂や割れがほとんど生じること
なく、トラック幅が金属磁性薄膜層（１４Ｊにより規制
され且つ、高耐摩耗性であって再生効率の大きな磁気ヘ
ッドが得られる。
曲又は厚みの変化をもたせた状態でスパッタが進行する
ため上述の第１及び第２図の実施例の膨張特性の異なっ
たガラス等の非磁性材を複合させることのみの場合より
更に熱歪な分散させることができフェライト等の強磁性
酸化物平板（ｌｚとセンダスト等の金属磁性薄膜層（ｔ
ｉとの間の熱歪の分散が良好となり強磁性酸化物（フェ
ライト）平板（１３に亀裂や割れがほとんど生じること
なく、トラック幅が金属磁性薄膜層（１４Ｊにより規制
され且つ、高耐摩耗性であって再生効率の大きな磁気ヘ
ッドが得られる。
第１７図は更に他の実施例を示し本例においては第６図
に示す第１の実施例において複合基板Ｕ上に８μ厚のセ
ンダスト等の金属磁性薄膜Ｑ４１と０５μ厚のＳｉＯ２
等の絶縁膜［８１を交互にスパッタリングにより積層し
て合計２５μの金属磁性薄膜層を作成したもので、この
磁気ヘッドの再生出力を第３図に示した従来技術による
磁気ヘッドにおいて金属磁性体箔の厚みを２５μとした
ものと比較したところ３ＭＨｚにおいて１ ｄＢ、 ５
ＭＨ２において３ｄＢの出力増加があった。
に示す第１の実施例において複合基板Ｕ上に８μ厚のセ
ンダスト等の金属磁性薄膜Ｑ４１と０５μ厚のＳｉＯ２
等の絶縁膜［８１を交互にスパッタリングにより積層し
て合計２５μの金属磁性薄膜層を作成したもので、この
磁気ヘッドの再生出力を第３図に示した従来技術による
磁気ヘッドにおいて金属磁性体箔の厚みを２５μとした
ものと比較したところ３ＭＨｚにおいて１ ｄＢ、 ５
ＭＨ２において３ｄＢの出力増加があった。
その時の磁気ヘッドのギャップ近傍は第１７図に示す様
に薄膜間のすき間もなく又、フエライ斗基板との間の密
着状態が良好であった。本例による磁気ヘッドは数μ以
下の金属磁性薄膜層を強固忙フェライト等の強磁性酸化
物平板上に積層できるため高周波特性において優れてい
る。
に薄膜間のすき間もなく又、フエライ斗基板との間の密
着状態が良好であった。本例による磁気ヘッドは数μ以
下の金属磁性薄膜層を強固忙フェライト等の強磁性酸化
物平板上に積層できるため高周波特性において優れてい
る。
尚、本例では金属磁性薄膜層（１，，１１間に介在させ
る絶縁膜（１８は８ｔ０２としたがＴａ２０５ 、 Ａ
ｆｉ２０３ 、 ＺｒＯ２、Ｓ ｉ ３Ｎ４等その他の
高耐摩耗性帖縁膜であってもよい。又、金属磁性薄膜ａ
４もスパッタリングによるセンダストに限らずスパッタ
リングによるアモルファス磁性膜でもよく高飽和磁束密
度の金属磁性薄膜であればよい。
る絶縁膜（１８は８ｔ０２としたがＴａ２０５ 、 Ａ
ｆｉ２０３ 、 ＺｒＯ２、Ｓ ｉ ３Ｎ４等その他の
高耐摩耗性帖縁膜であってもよい。又、金属磁性薄膜ａ
４もスパッタリングによるセンダストに限らずスパッタ
リングによるアモルファス磁性膜でもよく高飽和磁束密
度の金属磁性薄膜であればよい。
又、ガラスその他の非磁性材料を埋設して複合基板とす
る酸化物磁性材料はＮＩ−Ｚｎ−フェライト、フエロク
スプレーナその他の高周波用酸化物磁性材料であっても
よいことは言う壕でもない。
る酸化物磁性材料はＮＩ−Ｚｎ−フェライト、フエロク
スプレーナその他の高周波用酸化物磁性材料であっても
よいことは言う壕でもない。
本例忙よれば強磁性酸化物基板の平面上に金属 ：磁
性薄膜層を大きな面積に亘って部厚く形成でき、従来不
可能であった金属磁性薄膜層と強磁性酸化物基板との間
の薄膜間のすき間を皆無に近い状態で一体化が可能とな
り高周波特性の優れた高磁束密度の記録再生が可能な高
耐摩耗性磁気ヘッドを得ることができる。
性薄膜層を大きな面積に亘って部厚く形成でき、従来不
可能であった金属磁性薄膜層と強磁性酸化物基板との間
の薄膜間のすき間を皆無に近い状態で一体化が可能とな
り高周波特性の優れた高磁束密度の記録再生が可能な高
耐摩耗性磁気ヘッドを得ることができる。
発明の効果
以上の様に本発明によれば磁気ギャップ近傍は非磁性材
料により形成され且つ、磁気ギャップ近傍から＠れた領
域においては磁性体と非磁性材の複合基板の平面上にま
たがって連続的に真空薄膜形成技術により金属磁性薄膜
層が形成されるので磁性体基板と金属磁性薄膜層との間
の熱歪が分散され研磨加工を行なっても磁性体基板に亀
裂や割れが生じることなく且つトラック幅が金属強磁性
薄膜層により規制され又高耐摩耗性であって再生効率の
大穴な信頼性の高い磁気ヘッドが提供できる。
料により形成され且つ、磁気ギャップ近傍から＠れた領
域においては磁性体と非磁性材の複合基板の平面上にま
たがって連続的に真空薄膜形成技術により金属磁性薄膜
層が形成されるので磁性体基板と金属磁性薄膜層との間
の熱歪が分散され研磨加工を行なっても磁性体基板に亀
裂や割れが生じることなく且つトラック幅が金属強磁性
薄膜層により規制され又高耐摩耗性であって再生効率の
大穴な信頼性の高い磁気ヘッドが提供できる。
第１図〜第３図は従来のＶＴｉ（、用の磁気ヘッドの各
側の斜視図、第４図は第３図に示す磁気ヘッドのギャッ
プ部分の拡大斜視図、第５図は従来のＶＴＲ用磁気ヘッ
ドの更に他例の斜視図、第６図〜第１θ図は本発明によ
る磁気ヘッドの一例の製造工程を示す斜視図、第１１図
は本発明による磁気ヘッドの一例の斜視図、第１２図は
他例の磁気ヘッドに用いる磁性体ブロックの斜視図、第
１３図は他例の磁気ヘッドの斜視図、第１４図〜第１６
図Ａ及θＢは更忙他例の磁気ヘッドに用いる磁作体ブロ
ックの各側の斜視図及び端面図、第１７ノは更忙他例の
磁気ヘッドのギャップ部分の斜視図である。 （１）は磁気ヘッド、（Ｉｌｌ 、 ｆｌυは磁性体基
板、ｔｔ３１は非磁性材、ａ４は金属磁性薄膜層、（１
Ｇ 、 （ｉＱｌはコア半休、（＋０１）は巻線溝、ｇ
は磁気ギャップである。 第１０図 １０ 東京部品用区北品用６丁目５番 ６号ソニー・マグネ・プロダク ツ株式会社内 ０発 明 者 久村達雄 東京部品用区北品用６丁目５番 ６号ソニー・マグネ・プロダク ツ株式会社内
側の斜視図、第４図は第３図に示す磁気ヘッドのギャッ
プ部分の拡大斜視図、第５図は従来のＶＴＲ用磁気ヘッ
ドの更に他例の斜視図、第６図〜第１θ図は本発明によ
る磁気ヘッドの一例の製造工程を示す斜視図、第１１図
は本発明による磁気ヘッドの一例の斜視図、第１２図は
他例の磁気ヘッドに用いる磁性体ブロックの斜視図、第
１３図は他例の磁気ヘッドの斜視図、第１４図〜第１６
図Ａ及θＢは更忙他例の磁気ヘッドに用いる磁作体ブロ
ックの各側の斜視図及び端面図、第１７ノは更忙他例の
磁気ヘッドのギャップ部分の斜視図である。 （１）は磁気ヘッド、（Ｉｌｌ 、 ｆｌυは磁性体基
板、ｔｔ３１は非磁性材、ａ４は金属磁性薄膜層、（１
Ｇ 、 （ｉＱｌはコア半休、（＋０１）は巻線溝、ｇ
は磁気ギャップである。 第１０図 １０ 東京部品用区北品用６丁目５番 ６号ソニー・マグネ・プロダク ツ株式会社内 ０発 明 者 久村達雄 東京部品用区北品用６丁目５番 ６号ソニー・マグネ・プロダク ツ株式会社内
Claims (1)
- 少なくとも磁気記録媒体対向面の有効ギャップ近傍を非
磁性材料で形成した一対の磁性体基板の間に真空薄膜形
成技術により積層形成された金属磁性薄膜層を保持した
コア半休対より成り、上記コア半休対の金属磁性薄膜層
間に有効ギャップを形成したことを特徴とする磁気ヘッ
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9535783A JPS59221817A (ja) | 1983-05-30 | 1983-05-30 | 磁気ヘッドの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9535783A JPS59221817A (ja) | 1983-05-30 | 1983-05-30 | 磁気ヘッドの製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59221817A true JPS59221817A (ja) | 1984-12-13 |
| JPH0552563B2 JPH0552563B2 (ja) | 1993-08-05 |
Family
ID=14135392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9535783A Granted JPS59221817A (ja) | 1983-05-30 | 1983-05-30 | 磁気ヘッドの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59221817A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS551673A (en) * | 1978-06-20 | 1980-01-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture for magnetic head |
| JPS57138119U (ja) * | 1981-02-20 | 1982-08-28 |
-
1983
- 1983-05-30 JP JP9535783A patent/JPS59221817A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS551673A (en) * | 1978-06-20 | 1980-01-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture for magnetic head |
| JPS57138119U (ja) * | 1981-02-20 | 1982-08-28 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0552563B2 (ja) | 1993-08-05 |
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