JPS5921155B2 - エレクトロルミネツセンス素子 - Google Patents
エレクトロルミネツセンス素子Info
- Publication number
- JPS5921155B2 JPS5921155B2 JP54027294A JP2729479A JPS5921155B2 JP S5921155 B2 JPS5921155 B2 JP S5921155B2 JP 54027294 A JP54027294 A JP 54027294A JP 2729479 A JP2729479 A JP 2729479A JP S5921155 B2 JPS5921155 B2 JP S5921155B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrodes
- transparent substrate
- electroluminescent
- light
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はエレクトロルミネッセンス素子の構造に関する
ものである。
ものである。
Zns等の発光体に電場を加えると発光する現象が知ら
れている。
れている。
この現象を利用したエレクトロルミネッセンス素子は消
費電力が極くわずかである利点から、各種の表示装置に
利用されている。従来の素子の構造の一例を第1図に示
す。粉状の発光体1を透明な高誘電率の結合剤2中に分
散させ、この結合剤2を薄膜状に形成し、この薄膜の両
側面に透明電極3と金属電極4を設け、両電極間に交流
電圧5を印加して、発光体1を発光させるものである。
この構造にあつては、結合剤2で形成する薄膜の厚さを
一定に製作することが難かしく、薄膜の厚さの相違によ
つて発光体1を発光させるに要する印加電圧の大きさが
異なるといラ不利を有している。又、製造上結合剤2で
形成される薄膜の厚さを極度に薄くはできず、印加電圧
の大きさを高めろこととなつている。本発明は、上述の
ごとき欠点を解消せんとするもので、発光体1に電圧を
印加する2つの電極を一平面上に設けて、結合剤2で形
成する薄膜の厚さによる素子のバラツキを防止し、製造
を容易なものとすることを目的とする。
費電力が極くわずかである利点から、各種の表示装置に
利用されている。従来の素子の構造の一例を第1図に示
す。粉状の発光体1を透明な高誘電率の結合剤2中に分
散させ、この結合剤2を薄膜状に形成し、この薄膜の両
側面に透明電極3と金属電極4を設け、両電極間に交流
電圧5を印加して、発光体1を発光させるものである。
この構造にあつては、結合剤2で形成する薄膜の厚さを
一定に製作することが難かしく、薄膜の厚さの相違によ
つて発光体1を発光させるに要する印加電圧の大きさが
異なるといラ不利を有している。又、製造上結合剤2で
形成される薄膜の厚さを極度に薄くはできず、印加電圧
の大きさを高めろこととなつている。本発明は、上述の
ごとき欠点を解消せんとするもので、発光体1に電圧を
印加する2つの電極を一平面上に設けて、結合剤2で形
成する薄膜の厚さによる素子のバラツキを防止し、製造
を容易なものとすることを目的とする。
以下図面によつて説明する。第2図は、本発明の一実施
例の断面を示し、第3図は電極の構造を示す平面図であ
る。
例の断面を示し、第3図は電極の構造を示す平面図であ
る。
1はエレクトロルミネッセンス発光体の粉末、2は透明
な高誘電率の結合剤、6はガラス等の絶縁性を有する透
明基板、T、8は透明基板6上に設けられ相互に噛合す
る櫛型電極、9は反射板である。
な高誘電率の結合剤、6はガラス等の絶縁性を有する透
明基板、T、8は透明基板6上に設けられ相互に噛合す
る櫛型電極、9は反射板である。
次に製造方法につき説明すれば、透明基板6上に金属膜
を数ミクロンの厚さで蒸着させ、その後エッチングによ
り第3図のごとき櫛型電極を形成する。両電極は10ミ
クロン程度の距離を、隔てて隣接状態とし、櫛型電極□
、8の導電体の幅は10ミクロン程度としている。この
電極718上にエレクトロルミネッセンス発光体の粉末
1を分散した粘度の低い誘電体を溶剤で溶かしたもの。
二液混合型接着剤、または紫外線硬化型接着剤等からな
る結合剤2を塗布する。透明基板6を下に位置させて、
結合剤2を硬化させると、発光体1は重力により沈下し
、櫛型電極7、8ならびに透明基板6の近くに集中した
状態となる。以上の構造からなるエレクトロルミネッセ
ンス素子の櫛型電極T、8に交流電圧を印加すると、電
極7,8間および近傍の発光体粉末1が発光し.反射板
9によつて反射され6または直接に透明基板6を通し外
に照射される。
を数ミクロンの厚さで蒸着させ、その後エッチングによ
り第3図のごとき櫛型電極を形成する。両電極は10ミ
クロン程度の距離を、隔てて隣接状態とし、櫛型電極□
、8の導電体の幅は10ミクロン程度としている。この
電極718上にエレクトロルミネッセンス発光体の粉末
1を分散した粘度の低い誘電体を溶剤で溶かしたもの。
二液混合型接着剤、または紫外線硬化型接着剤等からな
る結合剤2を塗布する。透明基板6を下に位置させて、
結合剤2を硬化させると、発光体1は重力により沈下し
、櫛型電極7、8ならびに透明基板6の近くに集中した
状態となる。以上の構造からなるエレクトロルミネッセ
ンス素子の櫛型電極T、8に交流電圧を印加すると、電
極7,8間および近傍の発光体粉末1が発光し.反射板
9によつて反射され6または直接に透明基板6を通し外
に照射される。
櫛型電極7,8が金属であれば.電極の影が生ずるが、
導電体の幅が10ミクロン程度であるため人の目では確
認できず面が均一に発光しているように認められる。
導電体の幅が10ミクロン程度であるため人の目では確
認できず面が均一に発光しているように認められる。
櫛型電極7,8の近くに発光体粉末1が集中しているた
め.発光部分が表面近くに集中し,結合剤2等による光
の吸収が小なく.透明基板6を通して外に照射される発
光効率が良好なものである。周6櫛橋電極7,8を金属
に代えて6sn02等の透明電極で形成してもよきもの
である。
め.発光部分が表面近くに集中し,結合剤2等による光
の吸収が小なく.透明基板6を通して外に照射される発
光効率が良好なものである。周6櫛橋電極7,8を金属
に代えて6sn02等の透明電極で形成してもよきもの
である。
以上述べたごとく6本発明によれば6電極近くの発光体
.すなわち表面に近い発光体がよう強い発光をするため
効率がよく,延ていは所要電圧の低減をも成し得るとい
う利点を有し6平面発光には特に有効である。
.すなわち表面に近い発光体がよう強い発光をするため
効率がよく,延ていは所要電圧の低減をも成し得るとい
う利点を有し6平面発光には特に有効である。
第1図は従来のエレクトロルミネツセンス素子の構造の
断面を示す。 第2図は本発明の素子の断面を示す。第3図は本発明の
電極の構造を示す平面図である。1・・・発光体.2・
・・結合剤.6・・・透明基板.7,8・・・櫛型電極
。
断面を示す。 第2図は本発明の素子の断面を示す。第3図は本発明の
電極の構造を示す平面図である。1・・・発光体.2・
・・結合剤.6・・・透明基板.7,8・・・櫛型電極
。
Claims (1)
- 1 絶縁性を有する透明基板上に隣接状態でかつ電気的
に接続していない2つの電極を金属膜の蒸着、及びエッ
チングにて形成配置すると共に、前記電極が配設された
前記透明基板面に於いて、エレクトロルミネッセンス発
光体より比重の軽い硬化型結合剤に上記発光体を分散し
て成る誘電体を硬化する以前に塗布積層し、上記誘電体
の層内で上記エレクトロルミネッセンス発光体を上記透
明基板面、及び上記電極近傍に集積配置し、さらに前記
誘電体の層上に反射板を具備したことを特徴とするエレ
クトロルミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP54027294A JPS5921155B2 (ja) | 1979-03-09 | 1979-03-09 | エレクトロルミネツセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP54027294A JPS5921155B2 (ja) | 1979-03-09 | 1979-03-09 | エレクトロルミネツセンス素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS55119302A JPS55119302A (en) | 1980-09-13 |
JPS5921155B2 true JPS5921155B2 (ja) | 1984-05-17 |
Family
ID=12217060
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP54027294A Expired JPS5921155B2 (ja) | 1979-03-09 | 1979-03-09 | エレクトロルミネツセンス素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5921155B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61148940U (ja) * | 1985-03-07 | 1986-09-13 |
-
1979
- 1979-03-09 JP JP54027294A patent/JPS5921155B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61148940U (ja) * | 1985-03-07 | 1986-09-13 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS55119302A (en) | 1980-09-13 |
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