JPS59207545A - 撮像管 - Google Patents
撮像管Info
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- JPS59207545A JPS59207545A JP58082995A JP8299583A JPS59207545A JP S59207545 A JPS59207545 A JP S59207545A JP 58082995 A JP58082995 A JP 58082995A JP 8299583 A JP8299583 A JP 8299583A JP S59207545 A JPS59207545 A JP S59207545A
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- Japan
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- electrodes
- bulb
- electrode
- internal surface
- pattern
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- Granted
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/26—Image pick-up tubes having an input of visible light and electric output
- H01J31/28—Image pick-up tubes having an input of visible light and electric output with electron ray scanning the image screen
- H01J31/34—Image pick-up tubes having an input of visible light and electric output with electron ray scanning the image screen having regulation of screen potential at cathode potential, e.g. orthicon
- H01J31/38—Tubes with photoconductive screen, e.g. vidicon
-
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/56—Arrangements for controlling cross-section of ray or beam; Arrangements for correcting aberration of beam, e.g. due to lenses
-
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- H01J29/465—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement for simultaneous focalisation and deflection of ray or beam
-
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- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/26—Image pick-up tubes having an input of visible light and electric output
Landscapes
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は撮像管に関し、特に製造が容易となると共に収
差等の特性が改善されるようにしたものである。
差等の特性が改善されるようにしたものである。
背景技術とその問題点
第1図及び第2図は夫々従来の撮像管の例を示すもので
ある。これら第1図及び第2図において、(1)は電子
銃、(2)はガラスパルプである。そして、第1図にお
いて、03.G4及びq!+は夫々グリッド電極であり
、これらの電極Ga 、 G4及びG5から夫々所定電
圧印加用のリード(3)、(4)及び(5)が取り出さ
れている。また、第2図において、G3及びG4は夫々
グリッド電極であり、これらの電極q3及びG4から所
定電圧印加用のリート責6)及び(力が取り出されてい
る。この第2図の場合、電極q4はガラスバルブ(2)
の内面に金属が、例えば蒸着され【形成されている。
ある。これら第1図及び第2図において、(1)は電子
銃、(2)はガラスパルプである。そして、第1図にお
いて、03.G4及びq!+は夫々グリッド電極であり
、これらの電極Ga 、 G4及びG5から夫々所定電
圧印加用のリード(3)、(4)及び(5)が取り出さ
れている。また、第2図において、G3及びG4は夫々
グリッド電極であり、これらの電極q3及びG4から所
定電圧印加用のリート責6)及び(力が取り出されてい
る。この第2図の場合、電極q4はガラスバルブ(2)
の内面に金属が、例えば蒸着され【形成されている。
この第1図及び第2図に示す構成の撮像管においては、
円筒状の電極を用いているので、これを保持するための
機械的構成が必要であると共に、各電極に夫々リードを
接続(溶接)しなければならず、その製造が難しい。ま
た、各電極間において静電レンズが形成されるが、上述
した第1図及び第2図に示す構成の撮像管においては、
円筒状の電極を用いていることから、静電レンズの口径
がガラスバルブ(2)の内径より小さく、このため歪が
大となり収差等の特性が悪くなっている。
円筒状の電極を用いているので、これを保持するための
機械的構成が必要であると共に、各電極に夫々リードを
接続(溶接)しなければならず、その製造が難しい。ま
た、各電極間において静電レンズが形成されるが、上述
した第1図及び第2図に示す構成の撮像管においては、
円筒状の電極を用いていることから、静電レンズの口径
がガラスバルブ(2)の内径より小さく、このため歪が
大となり収差等の特性が悪くなっている。
発明の目的
本発明は斯る点に艦み、製造が容易となると共に収差等
の特性が改善される撮像管を提供せんとするものである
。
の特性が改善される撮像管を提供せんとするものである
。
発明の概要
本発明は上記目的を達成するため、ガラスバルブ内面に
金属がパターン状に被着されて電極が形成されると共に
、これと同時にガラスバルブ内面に金属が被着されてリ
ードが形成されるものである。
金属がパターン状に被着されて電極が形成されると共に
、これと同時にガラスバルブ内面に金属が被着されてリ
ードが形成されるものである。
本発明はこのように構成され、電極はガラスバルブ内面
に形成されるので、これら電極を保持するための機械的
構成が必要でなく、また必要なリードは電極形成と同時
にガラスバルブ内面に同様に形成されるので、電極にリ
ードを接続する手間が省け、製造が容易となる。また、
電極はガラスバルブ内面に形成されるので、これら電極
で形成される静電レンズの口径は略ガラスバルブの内径
と等しくなり、このため歪が低減され、収差等の特性が
従来のものより改善される。
に形成されるので、これら電極を保持するための機械的
構成が必要でなく、また必要なリードは電極形成と同時
にガラスバルブ内面に同様に形成されるので、電極にリ
ードを接続する手間が省け、製造が容易となる。また、
電極はガラスバルブ内面に形成されるので、これら電極
で形成される静電レンズの口径は略ガラスバルブの内径
と等しくなり、このため歪が低減され、収差等の特性が
従来のものより改善される。
実施例
以下、第3図以降を参照しながら本発明の一実施例につ
いて説明しよう。本例は静電集束・静電偏向型(s−s
型)の例である。
いて説明しよう。本例は静電集束・静電偏向型(s−s
型)の例である。
第3図は本例の要部を切断した構成図である。
同図において、(10)はガラスバルブ、αυはフェー
スプレート、C71は透明導電膜(ネサ)、a(至)は
光導電体、■は冷封止用のインジウム、C9は金属リン
グである。また、C16)はフェースプレートaυを貫
通して透明導電膜α2に接触するようになされている信
号取出用の金属電極である。また、 Qsはメツシュ電
極を示し、このメツシュ電極G6はインジウムIを介し
て金属リングa四に接続される。そして、この金属リン
グa9を介してメツシュ電極q6に所定電圧、例えば9
50Vが印加される。
スプレート、C71は透明導電膜(ネサ)、a(至)は
光導電体、■は冷封止用のインジウム、C9は金属リン
グである。また、C16)はフェースプレートaυを貫
通して透明導電膜α2に接触するようになされている信
号取出用の金属電極である。また、 Qsはメツシュ電
極を示し、このメツシュ電極G6はインジウムIを介し
て金属リングa四に接続される。そして、この金属リン
グa9を介してメツシュ電極q6に所定電圧、例えば9
50Vが印加される。
また第3図において、K、Gl及びG2は電子銃を構成
するカンード、第1グリツド電極及び第2グリツド電極
である。また、BGはこれらを固定するためのビードガ
ラスである。
するカンード、第1グリツド電極及び第2グリツド電極
である。また、BGはこれらを固定するためのビードガ
ラスである。
またこの第3図において、G3.G4及びG5は、夫々
第3.第4及び第5グリツド電極である。これらの電極
Gs 、 G4及びG5は、夫々ガラスバルブ(101
の内面にり四ム、アルミニウム等の金属が蒸着あるいは
メッキされた後、例えばレーザにより所定パターンにカ
ッティングされて形成される。電極G3及びG5は集束
用の電極であると共に、G4は集束及び偏向兼用の電極
である。
第3.第4及び第5グリツド電極である。これらの電極
Gs 、 G4及びG5は、夫々ガラスバルブ(101
の内面にり四ム、アルミニウム等の金属が蒸着あるいは
メッキされた後、例えばレーザにより所定パターンにカ
ッティングされて形成される。電極G3及びG5は集束
用の電極であると共に、G4は集束及び偏向兼用の電極
である。
電極G5は、例えばガラスバルブααの中途にフリット
シール(17)され、表面が金属メッキされたセラミッ
クリング←槌に接続される。そして、このセラミックリ
ング帖を介して電極G5に所定電圧、例えば500Vが
印加される。
シール(17)され、表面が金属メッキされたセラミッ
クリング←槌に接続される。そして、このセラミックリ
ング帖を介して電極G5に所定電圧、例えば500Vが
印加される。
また、電極G3及びG4は、第4図にその展開図を示す
ように形成される。即ち、電極G4は櫛歯状の4つの電
極H,,H−、V+、V−が交互に配されたパターンと
される。そして、これら電極ル+ H−# V+ +■
−からのリード(19H+)、 (19H−)、 (1
9V+)及び(19V−)は、これら電極が形成される
と同時にガラスバルブQOIの内面に同様に形成される
。そして第4図に示すように、これらリード(19H+
)、 (19H−)、 (19V+)及び(19V−)
は、電極G3と絶縁され、かつこれを横切るように形成
される。
ように形成される。即ち、電極G4は櫛歯状の4つの電
極H,,H−、V+、V−が交互に配されたパターンと
される。そして、これら電極ル+ H−# V+ +■
−からのリード(19H+)、 (19H−)、 (1
9V+)及び(19V−)は、これら電極が形成される
と同時にガラスバルブQOIの内面に同様に形成される
。そして第4図に示すように、これらリード(19H+
)、 (19H−)、 (19V+)及び(19V−)
は、電極G3と絶縁され、かつこれを横切るように形成
される。
また第3図において、(イ)はその一端がステムビンc
211に接続されたコンダクタ−スプリングを示し、こ
のスプリング(イ)の□他端は上述したリード(19H
+)。
211に接続されたコンダクタ−スプリングを示し、こ
のスプリング(イ)の□他端は上述したリード(19H
+)。
(19H−)、 (19V+)、 (1,9V−)に接
触される。第3図にはスプリング及びステムビンが一組
しか示されていないが、これらはリード(19H+)−
(19H−)、(19V+)−(19V−)の夫々、に
対して設けられる。そして、ステムビン、スプリング及
びリード(19H+)、 (19H−) 。
触される。第3図にはスプリング及びステムビンが一組
しか示されていないが、これらはリード(19H+)−
(19H−)、(19V+)−(19V−)の夫々、に
対して設けられる。そして、ステムビン、スプリング及
びリード(19H+)、 (19H−) 。
(19V+)、 (19V−)’t 介L ”C1を極
G4 ヲ構成i ルを極H十及びH−には、所定電圧、
例えば13Vを中心に夫々この所定電圧から+50V及
び−50Vの範囲内で対称的に変化する水平偏向電圧が
印加される。
G4 ヲ構成i ルを極H十及びH−には、所定電圧、
例えば13Vを中心に夫々この所定電圧から+50V及
び−50Vの範囲内で対称的に変化する水平偏向電圧が
印加される。
また、電極V十及びV−にも所定電圧、例えば13Vを
中心に夫々この所定電圧から+50V及び−50Vの範
囲内で対称的に変化する垂面偏向電圧が印加される。
中心に夫々この所定電圧から+50V及び−50Vの範
囲内で対称的に変化する垂面偏向電圧が印加される。
また、C22はその一端がステムビン(この第3図には
図示せず)に接続されたコンダクタ−スプリングを示し
、このスプリング@の他端は上述した電極G3に接触さ
れる。そして、このステムビン及びスプリングのを介し
て電極G3に所定電圧、。
図示せず)に接続されたコンダクタ−スプリングを示し
、このスプリング@の他端は上述した電極G3に接触さ
れる。そして、このステムビン及びスプリングのを介し
て電極G3に所定電圧、。
例えば500■が印加される。
第5図において破線で示すものは、電極63〜q6で形
成される静電レンズを示すもので、これら形成される静
電レンズにより電子ビームBmの集束が行なわれる。そ
して、電極G5及びG6間に形成される静電レンズによ
りシンデイングエシーの補正が行なわれる。尚、この第
5図において静電レンズは電極G4による偏向電界Eを
除いたものである。
成される静電レンズを示すもので、これら形成される静
電レンズにより電子ビームBmの集束が行なわれる。そ
して、電極G5及びG6間に形成される静電レンズによ
りシンデイングエシーの補正が行なわれる。尚、この第
5図において静電レンズは電極G4による偏向電界Eを
除いたものである。
また本例において、電子ビームBmの偏向は電iG4に
よる偏向電界EKよって行なわれる。
よる偏向電界EKよって行なわれる。
このように本例によれば、電極G3 、 G4及びG5
はガラスバルブaωの内面に形成されるので、これらを
保持するための機械的構成が必要でなく、また、電極G
3.G4及びG8の形成と同時にガラスバルブQl内面
ニ同’tM K リ= )” (19H+) 、(19
H−)、 (19V+)(19V−)が形成されるので
、リードを電極に接続する手間が必要でなく。製造が容
易となる。また、電極がガラスパルプaCjの内面に形
成されるので、これら電極で形成される静電レンズの口
径は略ガラスバルブa■の内径と等しく(第5図参照)
、このため歪が低減され、収差等の特性が従来のものよ
り改善される。
はガラスバルブaωの内面に形成されるので、これらを
保持するための機械的構成が必要でなく、また、電極G
3.G4及びG8の形成と同時にガラスバルブQl内面
ニ同’tM K リ= )” (19H+) 、(19
H−)、 (19V+)(19V−)が形成されるので
、リードを電極に接続する手間が必要でなく。製造が容
易となる。また、電極がガラスパルプaCjの内面に形
成されるので、これら電極で形成される静電レンズの口
径は略ガラスバルブa■の内径と等しく(第5図参照)
、このため歪が低減され、収差等の特性が従来のものよ
り改善される。
次に、第6図及び第7図は夫々本発明の他の実施例を示
すものである。第6図及び第7図において、第3図と対
応する部分には同一符号を付して示す。
すものである。第6図及び第7図において、第3図と対
応する部分には同一符号を付して示す。
第6図は電磁集束・電磁偏向型(M、M型)の例であり
、いはメツシュ電極G4のコンタクト部、G3は集束用
の第3グリツド電極である。図面の簡単のため集束コイ
ル、偏向コイル等は図示しない。コンタクト部の及び電
極G3はガラスパルプ(LOIの内面にクロム、アルミ
ニウム等の金屑が蒸着あるいはメッキ等された彼、例え
ばレーザを用いて所定パターンにカッティングされて形
成される。
、いはメツシュ電極G4のコンタクト部、G3は集束用
の第3グリツド電極である。図面の簡単のため集束コイ
ル、偏向コイル等は図示しない。コンタクト部の及び電
極G3はガラスパルプ(LOIの内面にクロム、アルミ
ニウム等の金屑が蒸着あるいはメッキ等された彼、例え
ばレーザを用いて所定パターンにカッティングされて形
成される。
この場合、第8図に展開図を示すが、コンタクト部−か
らのリード□□□は、このコンタクト部の及び電極G3
が形成されると同時にガラスパルプ(lαの内面に同様
に形成される。そして、このリード例は電極G3と絶縁
され、かつこれを横切るように形成される。
らのリード□□□は、このコンタクト部の及び電極G3
が形成されると同時にガラスパルプ(lαの内面に同様
に形成される。そして、このリード例は電極G3と絶縁
され、かつこれを横切るように形成される。
この第6図例においては、コンダクタ−スプリング等が
使用されて電極G3に所定電圧が印加されると共に、メ
ツシュ電極G4にはコンダークタースプリング等が使用
され、リード(2)及びコンタクト部のを介して所定電
圧が印加される。
使用されて電極G3に所定電圧が印加されると共に、メ
ツシュ電極G4にはコンダークタースプリング等が使用
され、リード(2)及びコンタクト部のを介して所定電
圧が印加される。
第7図は静電集束・電磁偏向型(S、M型)のものであ
り、G!!19はメツシュ電極G6のコンタクト部、G
s 、 G4及びG5は夫々集束用の第3、第4及び第
5夛リツド電極である。図面の簡単のため偏向コイルは
図示しない。コンタクト部(ハ)、電極G3.G4.G
5はガラスパルプ回の内面にクロム、アルミニウム等の
金属が蒸着あるいはメッキ等された後、例えばレーザを
用いて所定パターンにカッティングされて形成される。
り、G!!19はメツシュ電極G6のコンタクト部、G
s 、 G4及びG5は夫々集束用の第3、第4及び第
5夛リツド電極である。図面の簡単のため偏向コイルは
図示しない。コンタクト部(ハ)、電極G3.G4.G
5はガラスパルプ回の内面にクロム、アルミニウム等の
金属が蒸着あるいはメッキ等された後、例えばレーザを
用いて所定パターンにカッティングされて形成される。
この場合、第9図に展開図を示すが、コンタクト部(ハ
)、電極G5及びG4からのり一ド00.曽及び凶は、
コンタクト部(ハ)、電極Ga 、G4 、 G5が形
成されると同時にガラスパルプa〔の内面に同様に形成
される。そして、リード(イ)は電極Gs 、 G4
、 G3と絶縁され、かつこれらを横切るように形成さ
れる。また、リード(ハ)は電極G4 、 Gaと絶縁
され、かつこれらを横切るように形成される。さらに、
リード例は電極q3と絶縁され、かつこれを横切るよう
に形成される。
)、電極G5及びG4からのり一ド00.曽及び凶は、
コンタクト部(ハ)、電極Ga 、G4 、 G5が形
成されると同時にガラスパルプa〔の内面に同様に形成
される。そして、リード(イ)は電極Gs 、 G4
、 G3と絶縁され、かつこれらを横切るように形成さ
れる。また、リード(ハ)は電極G4 、 Gaと絶縁
され、かつこれらを横切るように形成される。さらに、
リード例は電極q3と絶縁され、かつこれを横切るよう
に形成される。
この第7図例においては、コンダクタ−スプリング等が
使用されて電極G3に所定電圧が印加され、また、電極
G4及びG5にはコンダクタ−スプリング等が使用され
、夫々リード弼及び(ハ)を介して所定電圧が印加され
、さらにメツシュ電極q6にはコンダクタ−スプリング
等が使用され、リード(イ)及びコンタクト部(ハ)を
介して所定電圧が印加される。
使用されて電極G3に所定電圧が印加され、また、電極
G4及びG5にはコンダクタ−スプリング等が使用され
、夫々リード弼及び(ハ)を介して所定電圧が印加され
、さらにメツシュ電極q6にはコンダクタ−スプリング
等が使用され、リード(イ)及びコンタクト部(ハ)を
介して所定電圧が印加される。
これら第6図及び第7図例においても、電極G3 s
G4 s G5* Q3+ Ci!51 ’it カフ
スハルブQIO内°面に形成されると共にこれら電極
G3.G4.G5. (231,(ハ)の形成と同時に
ガラスパルプ旺の内面に同様にリードc!41 。
G4 s G5* Q3+ Ci!51 ’it カフ
スハルブQIO内°面に形成されると共にこれら電極
G3.G4.G5. (231,(ハ)の形成と同時に
ガラスパルプ旺の内面に同様にリードc!41 。
(26) 、 @ 、 t281が形成されるので、上
述第3図例と同様の作用効果を得ることができる。
述第3図例と同様の作用効果を得ることができる。
尚、上述第3図例における電極Gs 、 G4 、Gs
、 G6に印加される電圧例は一例であり、これに限
定されるものでない。
、 G6に印加される電圧例は一例であり、これに限
定されるものでない。
発明の効果
以上述べた実施例からも明らかなように本発明によれば
、電極はガラスバルブ内面に金属がパターン状に被着さ
れて形成されるので、これらを保持するための機械的構
成が必要でな(、また、必要なリードは、電極の形成と
同時にガラスバルブ内面に同様に形成されるので、電極
にリードを接続する手間が必要でなく製造が容易となる
。また、電極はガラスバルブ内面に形成されるので、こ
れら電極で形成される静電レンズの口径は略ガラスバル
ブの内径と等しく、このため歪が低減され、収差等の特
性が従来のものより改善される。
、電極はガラスバルブ内面に金属がパターン状に被着さ
れて形成されるので、これらを保持するための機械的構
成が必要でな(、また、必要なリードは、電極の形成と
同時にガラスバルブ内面に同様に形成されるので、電極
にリードを接続する手間が必要でなく製造が容易となる
。また、電極はガラスバルブ内面に形成されるので、こ
れら電極で形成される静電レンズの口径は略ガラスバル
ブの内径と等しく、このため歪が低減され、収差等の特
性が従来のものより改善される。
第1図及び第2図は夫々従来の撮像管の例を示す要部の
構成図、第3図は本発明の一実施例を示す要部を切断し
た構成図、第4図及び第5図は夫夫第3図例の説明のた
めの図、第6図及び第7図は夫々本発明の他の実施例を
示す要部の構成図、第8図及び第9図は夫々第6図例及
び第7図例の説明のための図である。 G0)はガラスバルブ、(11)はフェースプレート、
(12)は透明導電膜、0(至)は光導電体、(19H
+)、(19H−)。 (19V+) 及ヒ(19V−) t’!、 夫” !
j )”、G3,04 及ヒ05は夫々第3.第4及
び第5グリツド電極、G6はメツシュ電極である。 第8図 第7図 n 第9図 m−oo J6σ6手
続補正書 昭和59 年 1 月 17日 1、事件の表示 昭和58年特許願第 82995 号2、発明の名称
撮像管 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京部品用区北品用6丁目7番35号名称(21
8) ソニー株式会社 代表取締役 大 賀 典 雄 6、補正により増加する発明の数 8、補正の内容 (1)明細書中、特許請求の範囲を別紙の通り訂正する
。 (2)同、第3頁3行、5行及び第11頁3行「金属」
とあるな「導電体」K夫々訂正する。 (3)同、第5頁20行、第6頁16行、第9頁1行、
3行、第10頁4行、6行及び9行「コンダクタ−」と
あるな「コンタクタ−」に夫々訂正する。 以 上 特許請求の範囲 ガラスバルブ内面に導電体がパターン状に被着されて電
極が形成されるものにおいて、上記−の電極からのリー
ドが上記他の電極と絶縁され、かつこれケ横切るように
上記ガラスバルブ内面に形成されることを特徴とする撮
像管。
構成図、第3図は本発明の一実施例を示す要部を切断し
た構成図、第4図及び第5図は夫夫第3図例の説明のた
めの図、第6図及び第7図は夫々本発明の他の実施例を
示す要部の構成図、第8図及び第9図は夫々第6図例及
び第7図例の説明のための図である。 G0)はガラスバルブ、(11)はフェースプレート、
(12)は透明導電膜、0(至)は光導電体、(19H
+)、(19H−)。 (19V+) 及ヒ(19V−) t’!、 夫” !
j )”、G3,04 及ヒ05は夫々第3.第4及
び第5グリツド電極、G6はメツシュ電極である。 第8図 第7図 n 第9図 m−oo J6σ6手
続補正書 昭和59 年 1 月 17日 1、事件の表示 昭和58年特許願第 82995 号2、発明の名称
撮像管 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京部品用区北品用6丁目7番35号名称(21
8) ソニー株式会社 代表取締役 大 賀 典 雄 6、補正により増加する発明の数 8、補正の内容 (1)明細書中、特許請求の範囲を別紙の通り訂正する
。 (2)同、第3頁3行、5行及び第11頁3行「金属」
とあるな「導電体」K夫々訂正する。 (3)同、第5頁20行、第6頁16行、第9頁1行、
3行、第10頁4行、6行及び9行「コンダクタ−」と
あるな「コンタクタ−」に夫々訂正する。 以 上 特許請求の範囲 ガラスバルブ内面に導電体がパターン状に被着されて電
極が形成されるものにおいて、上記−の電極からのリー
ドが上記他の電極と絶縁され、かつこれケ横切るように
上記ガラスバルブ内面に形成されることを特徴とする撮
像管。
Claims (1)
- ガラスパルプ内面に金属がパターン状に被着されて電極
が形成されるものにおいて、上記−の電極からのリード
が上記他の電極と絶縁され、かつこれを横切るように上
記ガラスパルプ内面に形成されることを特徴とする撮像
管。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58082995A JPS59207545A (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | 撮像管 |
CA000453366A CA1214818A (en) | 1983-05-12 | 1984-05-02 | Image pick-up tube |
AU27649/84A AU570458B2 (en) | 1983-05-12 | 1984-05-03 | Image pick-up tube |
US06/607,766 US4658182A (en) | 1983-05-12 | 1984-05-07 | Image pick-up tube |
GB08411649A GB2140613B (en) | 1983-05-12 | 1984-05-08 | Image pick-up tubes |
KR1019840002498A KR920001834B1 (ko) | 1983-05-12 | 1984-05-09 | 촬 상 관 |
DE19843417577 DE3417577A1 (de) | 1983-05-12 | 1984-05-11 | Bildaufnahmeroehre |
FR8407291A FR2545981B1 (fr) | 1983-05-12 | 1984-05-11 | Tube de prise de vues notamment pour des cameras video |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58082995A JPS59207545A (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | 撮像管 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59207545A true JPS59207545A (ja) | 1984-11-24 |
JPH0473252B2 JPH0473252B2 (ja) | 1992-11-20 |
Family
ID=13789801
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58082995A Granted JPS59207545A (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | 撮像管 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4658182A (ja) |
JP (1) | JPS59207545A (ja) |
KR (1) | KR920001834B1 (ja) |
AU (1) | AU570458B2 (ja) |
CA (1) | CA1214818A (ja) |
DE (1) | DE3417577A1 (ja) |
FR (1) | FR2545981B1 (ja) |
GB (1) | GB2140613B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4737644A (en) * | 1985-10-30 | 1988-04-12 | International Business Machines Corporation | Conductive coated semiconductor electrostatic deflection plates |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60240032A (ja) * | 1984-05-15 | 1985-11-28 | Sony Corp | 陰極線管 |
JPS61131344A (ja) * | 1984-11-28 | 1986-06-19 | Sony Corp | 静電偏向型の陰極線管 |
DE3642770C2 (de) * | 1986-12-15 | 1997-01-09 | Teves Gmbh Alfred | Induktivgeber |
JP2728428B2 (ja) * | 1988-05-02 | 1998-03-18 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子ビーム管及びその駆動方法 |
JP2023087438A (ja) | 2021-12-13 | 2023-06-23 | テクノUmg株式会社 | 発泡成形用熱可塑性樹脂組成物およびその発泡成形品 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57167556U (ja) * | 1981-04-16 | 1982-10-22 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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NL165997B (nl) * | 1950-12-16 | Pechiney Saint Gobain | Werkwijze voor de bereiding van kiezelzuurgel. | |
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US2830228A (en) * | 1955-05-05 | 1958-04-08 | Motorola Inc | Deflection system |
US3225240A (en) * | 1962-09-24 | 1965-12-21 | Gen Electric | Image tube having external semiconductive layer on target of wires in glass matrix |
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BE757966A (fr) * | 1969-10-25 | 1971-04-23 | Philips Nv | Procede permettant d'appliquer par evaporation des couches metalliques isolees entre elles |
US3952227A (en) * | 1971-04-09 | 1976-04-20 | U.S. Philips Corporation | Cathode-ray tube having electrostatic focusing and electrostatic deflection in one lens |
US3900760A (en) * | 1971-07-02 | 1975-08-19 | Cbs Inc | Electron beam tube having post deflection lens |
JPS6019105B2 (ja) * | 1977-06-16 | 1985-05-14 | ソニー株式会社 | 撮像管の製法 |
JPS5910526B2 (ja) * | 1978-03-14 | 1984-03-09 | ソニー株式会社 | 陰極線管 |
JPS6033336B2 (ja) * | 1979-10-31 | 1985-08-02 | 日本ビクター株式会社 | 撮像装置 |
JPS5812246A (ja) * | 1981-07-15 | 1983-01-24 | Hitachi Ltd | 静電偏向形撮像管およびその製造方法 |
-
1983
- 1983-05-12 JP JP58082995A patent/JPS59207545A/ja active Granted
-
1984
- 1984-05-02 CA CA000453366A patent/CA1214818A/en not_active Expired
- 1984-05-03 AU AU27649/84A patent/AU570458B2/en not_active Ceased
- 1984-05-07 US US06/607,766 patent/US4658182A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-05-08 GB GB08411649A patent/GB2140613B/en not_active Expired
- 1984-05-09 KR KR1019840002498A patent/KR920001834B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1984-05-11 FR FR8407291A patent/FR2545981B1/fr not_active Expired
- 1984-05-11 DE DE19843417577 patent/DE3417577A1/de not_active Ceased
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57167556U (ja) * | 1981-04-16 | 1982-10-22 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US4737644A (en) * | 1985-10-30 | 1988-04-12 | International Business Machines Corporation | Conductive coated semiconductor electrostatic deflection plates |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2545981B1 (fr) | 1988-08-26 |
JPH0473252B2 (ja) | 1992-11-20 |
GB2140613B (en) | 1986-08-06 |
CA1214818A (en) | 1986-12-02 |
KR840009366A (ko) | 1984-12-26 |
GB8411649D0 (en) | 1984-06-13 |
US4658182A (en) | 1987-04-14 |
KR920001834B1 (ko) | 1992-03-05 |
FR2545981A1 (fr) | 1984-11-16 |
AU2764984A (en) | 1984-11-15 |
GB2140613A (en) | 1984-11-28 |
AU570458B2 (en) | 1988-03-17 |
DE3417577A1 (de) | 1984-11-15 |
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