JPS6049542A - 撮像管 - Google Patents
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- JPS6049542A JPS6049542A JP58157646A JP15764683A JPS6049542A JP S6049542 A JPS6049542 A JP S6049542A JP 58157646 A JP58157646 A JP 58157646A JP 15764683 A JP15764683 A JP 15764683A JP S6049542 A JPS6049542 A JP S6049542A
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- deflection
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- ray tube
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- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/70—Arrangements for deflecting ray or beam
- H01J29/72—Arrangements for deflecting ray or beam along one straight line or along two perpendicular straight lines
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- H01J29/58—Arrangements for focusing or reflecting ray or beam
- H01J29/62—Electrostatic lenses
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- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/26—Image pick-up tubes having an input of visible light and electric output
- H01J31/28—Image pick-up tubes having an input of visible light and electric output with electron ray scanning the image screen
- H01J31/34—Image pick-up tubes having an input of visible light and electric output with electron ray scanning the image screen having regulation of screen potential at cathode potential, e.g. orthicon
- H01J31/38—Tubes with photoconductive screen, e.g. vidicon
Landscapes
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、例えば静電集束・静電偏向型の撮像管に適用
して好適な陰極線管に関する。
して好適な陰極線管に関する。
背景技術とその問題点
従来、撮像管としては電磁集束・電磁偏向型、静電集束
・電磁偏向型等のものが知られている。
・電磁偏向型等のものが知られている。
これら撮像管においては、一般に管長の長い方が良好な
特性が得られるとされている。しかしながら、例えば小
型のビデオカメラに使用する場合には、この管長は短か
い方が好都合である。これによりビデオカメラ全体とし
ての小型化を図れるからである。
特性が得られるとされている。しかしながら、例えば小
型のビデオカメラに使用する場合には、この管長は短か
い方が好都合である。これによりビデオカメラ全体とし
ての小型化を図れるからである。
また、例えば小型のビデオカメラに使用する場合には、
消費電力は小さいことが望ましい。
消費電力は小さいことが望ましい。
発明の目的
本発明は斯る点に鑑みてなされたもので、小型軽量、低
消費電力で、かつ良好な特性が得られるようにしたもの
である。
消費電力で、かつ良好な特性が得られるようにしたもの
である。
発明の概要
本発明は上記目的を達成するため、G3電極、G4電極
、G5電極及びメツシュ状の06電極を備え、上記G3
.G4及びG5電極によって電子ビームの集束を行なう
静電レンズ系が形成され、上記G4電極は上記電子ビー
ムの偏向を行なうアローパターンの偏向電極とされるタ
ーゲットを有する陰極線管において、ビーム制限開孔か
ら上記G6電極までの距離をlとするとき、上記G4電
極の長さは(+β−六7り〜<+p、−十春β)とされ
ると共に上記ビーム制限開孔から上記G4電極の中心ま
での距離は(+β−+β)〜+ρとされるものである。
、G5電極及びメツシュ状の06電極を備え、上記G3
.G4及びG5電極によって電子ビームの集束を行なう
静電レンズ系が形成され、上記G4電極は上記電子ビー
ムの偏向を行なうアローパターンの偏向電極とされるタ
ーゲットを有する陰極線管において、ビーム制限開孔か
ら上記G6電極までの距離をlとするとき、上記G4電
極の長さは(+β−六7り〜<+p、−十春β)とされ
ると共に上記ビーム制限開孔から上記G4電極の中心ま
での距離は(+β−+β)〜+ρとされるものである。
実施例
以下、第1図を参照しながら本発明の一実施例について
説明しよう。本例は静電集束・静電偏向型(S −S型
)の撮像管に適用した例である。
説明しよう。本例は静電集束・静電偏向型(S −S型
)の撮像管に適用した例である。
同図において、(1)はガラスバルブ、(2)はフェー
スプレート、(3)はターゲツト面(光電変換面)、(
4)は冷封止用のインジウム、(5)は金属リングであ
る。また、(6)はフェースプレート(2)を貫通し−
CCターゲラ面(3)に接触するようになされている信
号取出用の金属電極である。また、G6はメツシュ状電
極であり、メツシュホルダー(7)に取付けられる。こ
の電極G6はメソシュホルダー(7)、インジウム(4
)を介し′ζ金属リング(5)に接続される。そして、
この金属リング(5)を介してメソシュ状電#’ji
G Gに所定電圧Emが印加される。
スプレート、(3)はターゲツト面(光電変換面)、(
4)は冷封止用のインジウム、(5)は金属リングであ
る。また、(6)はフェースプレート(2)を貫通し−
CCターゲラ面(3)に接触するようになされている信
号取出用の金属電極である。また、G6はメツシュ状電
極であり、メツシュホルダー(7)に取付けられる。こ
の電極G6はメソシュホルダー(7)、インジウム(4
)を介し′ζ金属リング(5)に接続される。そして、
この金属リング(5)を介してメソシュ状電#’ji
G Gに所定電圧Emが印加される。
また、第1図において、K、Gz及びG2は、夫々電子
銃を構成するカソード、第1グリツド電極及び第2グリ
ツド電極である。また、(8)はごれらを固定するため
のビードガラスである。また、LAはビーム制限開孔で
ある。
銃を構成するカソード、第1グリツド電極及び第2グリ
ツド電極である。また、(8)はごれらを固定するため
のビードガラスである。また、LAはビーム制限開孔で
ある。
また、第1図において、G3.G4及びG5は、夫々第
3.第4及び第5グリツド電極である。これらの電極6
3〜G5は、夫々ガラスバルブ(1ンの内面にクロム、
アルミニウム等の金属が蒸着あるいはメッキされた後、
例えばレーザーによるカッティング、フォトエツチング
等により所定パターンに形成される。電極G3.G4及
びG5により集束用の電極系を構成すると共に、G4は
偏向兼用の電極でもある。
3.第4及び第5グリツド電極である。これらの電極6
3〜G5は、夫々ガラスバルブ(1ンの内面にクロム、
アルミニウム等の金属が蒸着あるいはメッキされた後、
例えばレーザーによるカッティング、フォトエツチング
等により所定パターンに形成される。電極G3.G4及
びG5により集束用の電極系を構成すると共に、G4は
偏向兼用の電極でもある。
電極G5は、例えばガラスバルブ(1)の端部にフリッ
トシール(9)され、表面に導電性部分00)が形成さ
れたセラミックリング(11)に接続される。導電性部
分QO)は、例えば銀ペーストが焼結されて形成される
。電極G5には、このセラミックリング(11)を介し
て所定電圧Easが印加される。
トシール(9)され、表面に導電性部分00)が形成さ
れたセラミックリング(11)に接続される。導電性部
分QO)は、例えば銀ペーストが焼結されて形成される
。電極G5には、このセラミックリング(11)を介し
て所定電圧Easが印加される。
また、第1図において、電極G3.G4及びG5ば、第
2図にその展開図を示すように形成される。
2図にその展開図を示すように形成される。
即ち、電極G4は絶縁され′ζ入り組んでいる4つの電
極H十、H−,V+、V−が交互に配されたパターン(
アローパターン)とされる。そして、これら電極H+、
H−,’V+、V−からのリード(12L) 、(12
11−) 、; (12V+)及び(12V−)が、こ
れらの電極が形成されると同時にガラスバルブ(1)の
内面に同様に形成される。そしてこれらリード(121
1+) 、(L2H−) 、(12V+)及び(12V
−)は・電極G3と絶縁され、かつこれを横切るように
形成される。この第2図において、SLは、真空排気の
ために01及びG2電極を管外から加熱するに際し、G
3電極を加熱しないようにするために設けられたスリッ
トである。
極H十、H−,V+、V−が交互に配されたパターン(
アローパターン)とされる。そして、これら電極H+、
H−,’V+、V−からのリード(12L) 、(12
11−) 、; (12V+)及び(12V−)が、こ
れらの電極が形成されると同時にガラスバルブ(1)の
内面に同様に形成される。そしてこれらリード(121
1+) 、(L2H−) 、(12V+)及び(12V
−)は・電極G3と絶縁され、かつこれを横切るように
形成される。この第2図において、SLは、真空排気の
ために01及びG2電極を管外から加熱するに際し、G
3電極を加熱しないようにするために設けられたスリッ
トである。
また、第1図において、(13)はその一端がステムピ
ン(14)に接続されたコンタクタ−スプリングを示し
、このスプリング(13)の他端は上述したり一ド((
1211+) 、(1211−) 、(12V+)及び
(12V−) )に接触される。このスプリング及びス
フームビンはリード(12H+) 、 ’(1211−
) 、(12V+)及び(12V−)の夫々に対して設
げられる。そし゛C1ステムビン、スプリング及びリー
ド(1211+) 。
ン(14)に接続されたコンタクタ−スプリングを示し
、このスプリング(13)の他端は上述したり一ド((
1211+) 、(1211−) 、(12V+)及び
(12V−) )に接触される。このスプリング及びス
フームビンはリード(12H+) 、 ’(1211−
) 、(12V+)及び(12V−)の夫々に対して設
げられる。そし゛C1ステムビン、スプリング及びリー
ド(1211+) 。
(1211−) 、(12V+)及び(12L)を介し
て、電極G4を構成する電極H十及びH−には、所定重
圧EG4を中心に夫々対称的に変化する水平偏向電圧が
印加される。また、電極■十及びV−にも所定電圧EG
4を中心に夫々対称的に変化する垂直偏向電圧が印加さ
れる。
て、電極G4を構成する電極H十及びH−には、所定重
圧EG4を中心に夫々対称的に変化する水平偏向電圧が
印加される。また、電極■十及びV−にも所定電圧EG
4を中心に夫々対称的に変化する垂直偏向電圧が印加さ
れる。
また、第1図において、(15)はその一端がステムピ
ン(16)に接続されたコンタクタ−スプリングを示し
、このスプリング(15)の他端は上述した電tM G
3に接触される。そして、このステムピン(16)及
びスプリング(15)を介して電極G3に所定電圧E(
dが印加される。
ン(16)に接続されたコンタクタ−スプリングを示し
、このスプリング(15)の他端は上述した電tM G
3に接触される。そして、このステムピン(16)及
びスプリング(15)を介して電極G3に所定電圧E(
dが印加される。
ここで、G3電極の電圧EG3ば、G5電極の電圧Ea
Sを基準とすると、例えば0.6Uas〜1 、5 K
a5とされる。また、G6電極の電圧EGOば、ランデ
ィングエラーがとれる程度の電圧とされ、G4電極の電
圧EG4は集束が最適となる電圧とされる。この場合、
電圧の違いによる特性の変化はたいしてない。
Sを基準とすると、例えば0.6Uas〜1 、5 K
a5とされる。また、G6電極の電圧EGOば、ランデ
ィングエラーがとれる程度の電圧とされ、G4電極の電
圧EG4は集束が最適となる電圧とされる。この場合、
電圧の違いによる特性の変化はたいしてない。
第3図において、破線で示すものは、電極03〜G6で
形成される静電レンズの等電位面を示すもので、これら
形成される静電レンズにより電子ビームBmの集束が行
なわれる。そして、電極G5及びG6間に形成される静
電レンズによりランディングエラーの補正が行なわれる
。また、電子ビームBmの偏向は電極G4による偏向電
界百によって行われる。
形成される静電レンズの等電位面を示すもので、これら
形成される静電レンズにより電子ビームBmの集束が行
なわれる。そして、電極G5及びG6間に形成される静
電レンズによりランディングエラーの補正が行なわれる
。また、電子ビームBmの偏向は電極G4による偏向電
界百によって行われる。
ここで、S−8型の特性を決定するパラメータは、G4
電極の長さX(偏向電極の長さ)、ビーム制限開孔LA
から04電極の中心までの距離y(偏向電極の位置)及
びビーム制限開孔LAからメツシュ電極G@までの距離
C(管長)である。
電極の長さX(偏向電極の長さ)、ビーム制限開孔LA
から04電極の中心までの距離y(偏向電極の位置)及
びビーム制限開孔LAからメツシュ電極G@までの距離
C(管長)である。
第4図、第5図及び第6図は、夫々十インチ(4−″)
の撮像管(管径φ−16m+*)において、l=3.5
φ、y=+β、発散角−tan−1& l E a3=
E G6−500V、EG4及びEGIIは4.4龍
偏向時にランディ定された電圧とされるとき、偏向電極
の長さXと収差、偏向電極の長さXと投影倍率及び偏向
電極の長さXと集束点のず′れ量の関係を示したもので
ある。
の撮像管(管径φ−16m+*)において、l=3.5
φ、y=+β、発散角−tan−1& l E a3=
E G6−500V、EG4及びEGIIは4.4龍
偏向時にランディ定された電圧とされるとき、偏向電極
の長さXと収差、偏向電極の長さXと投影倍率及び偏向
電極の長さXと集束点のず′れ量の関係を示したもので
ある。
第4図において、収差は偏向距離が4.4&mのときの
ものである。また、第6図において、集束点のずれ量は
偏向距離が4.4flのときのものであって、実線図示
するのは水平方向、破線図示するのは垂直方向のもので
ある。この場合、管長lを基準として、ターゲツト面か
らのずれ量が%(ターゲツト面より前方のとき正、後方
のとき負)でボされている。
ものである。また、第6図において、集束点のずれ量は
偏向距離が4.4flのときのものであって、実線図示
するのは水平方向、破線図示するのは垂直方向のもので
ある。この場合、管長lを基準として、ターゲツト面か
らのずれ量が%(ターゲツト面より前方のとき正、後方
のとき負)でボされている。
第4図より、偏向、電極の長さXが(1十六l)以上に
なると収差が急激に増える。偏向電極の長さXをあまり
短かくすると偏向電圧を商<シてパワーを大とする必要
があることから、長さXは(+Afβ)より長い方がよ
い。第5図より投影倍率は偏向電極の長さによってほと
んど変化しない。また、第6図より偏向電極の長さXが
(+A−&β)〜(+β十雀りでは集束点のずれ量は小
さい。
なると収差が急激に増える。偏向電極の長さXをあまり
短かくすると偏向電圧を商<シてパワーを大とする必要
があることから、長さXは(+Afβ)より長い方がよ
い。第5図より投影倍率は偏向電極の長さによってほと
んど変化しない。また、第6図より偏向電極の長さXが
(+A−&β)〜(+β十雀りでは集束点のずれ量は小
さい。
以上から、偏向電極の長さXは、(−1l−β−春A)
〜(+ A +’A a )とすることが望ましい。従
って、第1図において、G4電極の長さXは、(+β−
六Il)〜(+β十着l)とされる。
〜(+ A +’A a )とすることが望ましい。従
って、第1図において、G4電極の長さXは、(+β−
六Il)〜(+β十着l)とされる。
また、第7図、第8図及び第9図は、X−+βの他人々
上述したと同様の条件における、偏向電極の位置yと収
差、偏向電極の位置yと投影倍率及び偏向電極の位置y
と集束点のずれ量の関係を不したものである。
上述したと同様の条件における、偏向電極の位置yと収
差、偏向電極の位置yと投影倍率及び偏向電極の位置y
と集束点のずれ量の関係を不したものである。
第7図において、収差は偏向距離が4.4鶴のときのも
のである。また、第9図において、集束点のずれ量は偏
向距離が4.4鰭のときのものである。
のである。また、第9図において、集束点のずれ量は偏
向距離が4.4鰭のときのものである。
第7図より、偏向電極の位置yが大きい程収差は大とな
る。一方、第8図より、偏向電極の位置yが小さい程投
影倍率は大となる。結局、この第7図及び第8図より、
偏向電極の位置yが(+β−+Iり〜+βにおいては、
収差及び投影倍率はそれ程大とならす実用上充分である
。この場合、投影倍率が高いところでは、ビーム制限間
FL L Aを小さくして対処すればよい。また第9図
より、偏向電極の位置yが(+β−−h−i)〜+lで
は集束点のずれ量は小さい。
る。一方、第8図より、偏向電極の位置yが小さい程投
影倍率は大となる。結局、この第7図及び第8図より、
偏向電極の位置yが(+β−+Iり〜+βにおいては、
収差及び投影倍率はそれ程大とならす実用上充分である
。この場合、投影倍率が高いところでは、ビーム制限間
FL L Aを小さくして対処すればよい。また第9図
より、偏向電極の位置yが(+β−−h−i)〜+lで
は集束点のずれ量は小さい。
以上から偏向電極の位置yは、<+i−+7!>〜+C
とすることが望ましい。従って、第1図において、G4
電極の位置yは、<+1−−h−4)〜侍−lとされる
。
とすることが望ましい。従って、第1図において、G4
電極の位置yは、<+1−−h−4)〜侍−lとされる
。
ところで、この第1図にポずようなS−3型のものにお
いては、他の型のものに比べ何部不都合を生ぜずに管長
を短かくすることが可能である。
いては、他の型のものに比べ何部不都合を生ぜずに管長
を短かくすることが可能である。
例えば、静電集束・電磁偏向型(S−M型)及び電磁集
束・電磁偏向型(M −M型)の場合、磁界によって偏
向が行なわれる。磁界によって電子を曲げた場合電子の
運動エネルギーは不変であり、偏向時には管軸方向の速
度成分が減少し、像面わん曲が生じ、ターゲツト面にお
いては周辺部程デフォーカスとなる。通當このデフォー
カスはダイナミックフォーカスにより補正しているが、
管長を短かくすると、偏向角が増加するので像面わん曲
が増し、より大きな補正が必要となる。また、磁界偏向
の場合、偏向量によって偏向中心が変動するが、管長を
短かくすると偏向角が増加するので、この偏向中心変動
が大となり、コリメーションレンズによってランディン
グエラーを補正しようとする場合、ランディング角特性
が二み化する。
束・電磁偏向型(M −M型)の場合、磁界によって偏
向が行なわれる。磁界によって電子を曲げた場合電子の
運動エネルギーは不変であり、偏向時には管軸方向の速
度成分が減少し、像面わん曲が生じ、ターゲツト面にお
いては周辺部程デフォーカスとなる。通當このデフォー
カスはダイナミックフォーカスにより補正しているが、
管長を短かくすると、偏向角が増加するので像面わん曲
が増し、より大きな補正が必要となる。また、磁界偏向
の場合、偏向量によって偏向中心が変動するが、管長を
短かくすると偏向角が増加するので、この偏向中心変動
が大となり、コリメーションレンズによってランディン
グエラーを補正しようとする場合、ランディング角特性
が二み化する。
また、これらS−M型及びM−M型の場合、偏向電力は
大略1/(管長)2に比例し、管長を短かくすると、偏
向に要する消費電力が大幅に増大する。
大略1/(管長)2に比例し、管長を短かくすると、偏
向に要する消費電力が大幅に増大する。
これに対して、電磁集束・静電偏向型(M−3型)及び
静電集束・静電偏向型(S −S型)の場合、電界によ
って偏向が行なわれるので、管長を短かくしても上述し
たような磁界偏向のとき生じる不都合は生じない。
静電集束・静電偏向型(S −S型)の場合、電界によ
って偏向が行なわれるので、管長を短かくしても上述し
たような磁界偏向のとき生じる不都合は生じない。
また、M’−M型及びM−3型の場合、フォーカス電力
は1/(管長)2に比例し、管長を短かくすると、集束
に要する消費電力が大幅に増大する。
は1/(管長)2に比例し、管長を短かくすると、集束
に要する消費電力が大幅に増大する。
以上のことから、S−S型の場合のみ、原理的に同等不
都合を生ぜずに管長を短かくすることができる。
都合を生ぜずに管長を短かくすることができる。
このS−8型のものにおいて、本願の発明者がさらに検
討した結果、“管長をある程度短がくしないと特性が悪
化する”という結論を得た。
討した結果、“管長をある程度短がくしないと特性が悪
化する”という結論を得た。
このことを第10図を参照して説明しよう。
管長!が長い場合、第10図Aに示すように静電レンズ
に電子ビームBmが入射するとき、発散角γによってそ
の径が拡がっており、レンズ収差によるターゲツト面上
に集束したときの電子ビーム収差が増大する。これを改
善するためには、電子ビームBmが大きく発散する前に
静電レンズに入射させることが必要である。例えば第1
0図Bに不すように距離yを小さくする。しかしながら
この場合、静電レンズの中心がビーム制限開孔り入側に
片寄り投影倍率が大きく (例えば2.0以上)なり、
そのため、ビーム制限開孔LAの径を小さくする必要が
住じ製造上好ましくない。
に電子ビームBmが入射するとき、発散角γによってそ
の径が拡がっており、レンズ収差によるターゲツト面上
に集束したときの電子ビーム収差が増大する。これを改
善するためには、電子ビームBmが大きく発散する前に
静電レンズに入射させることが必要である。例えば第1
0図Bに不すように距離yを小さくする。しかしながら
この場合、静電レンズの中心がビーム制限開孔り入側に
片寄り投影倍率が大きく (例えば2.0以上)なり、
そのため、ビーム制限開孔LAの径を小さくする必要が
住じ製造上好ましくない。
これに対し、管長βが短かい場合、電子ビームBmば大
きく発散する前に静電レンズに入射し、収差が抑えられ
る。
きく発散する前に静電レンズに入射し、収差が抑えられ
る。
しかしながら、あまり管長βを短かくすると、偏向角が
大きくなりコリメーションを強くしてランディングエラ
ーを補正する必要が生じ、コリメーションレンズの歪に
よる収差が増大する。
大きくなりコリメーションを強くしてランディングエラ
ーを補正する必要が生じ、コリメーションレンズの歪に
よる収差が増大する。
以上から、S−8型の場合には、管長βをある程度短か
くしなければ、特性が悪化する6第11図は所定のx、
yに対して、管長βを変化させたときの収差特性を示し
たものである。この場合、子インチ(−t″)の撮像管
(管径φ−16mm)において、A =’ 3.5φ、
発散角= tan−ik + EG3=Eas=500
V、 F、G4及びEGllは4.4鶴偏同時にううに
決定された電圧とされたときのものである。
くしなければ、特性が悪化する6第11図は所定のx、
yに対して、管長βを変化させたときの収差特性を示し
たものである。この場合、子インチ(−t″)の撮像管
(管径φ−16mm)において、A =’ 3.5φ、
発散角= tan−ik + EG3=Eas=500
V、 F、G4及びEGllは4.4鶴偏同時にううに
決定された電圧とされたときのものである。
同図実線A、破線B、一点鎖線C及び二点鎖線りは、夫
々(x=+β−雀β、y=+1−kl〕、(’x =+
β十布#、y=−1+−/!−缶β)、〔X−+l−布
β、y=+β〕及び(x=+β十査z、y=+A)のと
きの収差特性を示している。
々(x=+β−雀β、y=+1−kl〕、(’x =+
β十布#、y=−1+−/!−缶β)、〔X−+l−布
β、y=+β〕及び(x=+β十査z、y=+A)のと
きの収差特性を示している。
この第11図から、S−8型のものにおいては、管長!
として2φ〜4φ程度が望ましい。
として2φ〜4φ程度が望ましい。
S−8型がこのようであるのに対し、実用的な現行のM
−M型はx=4φ以上、S・M型はβ−4φ〜5φであ
る。M−3型はβ−3φのものもできるが、集束のため
の電力は無視できない。結局、特性を悪化させず、消費
電力を少なくするということを考慮するならば、・S−
8型とすることで管長を最も短か(することができる。
−M型はx=4φ以上、S・M型はβ−4φ〜5φであ
る。M−3型はβ−3φのものもできるが、集束のため
の電力は無視できない。結局、特性を悪化させず、消費
電力を少なくするということを考慮するならば、・S−
8型とすることで管長を最も短か(することができる。
ここで、十インチ(−1”)の撮像管(管径φ−16貫
璽)において、l1=2.8φ、x=1−4.y−う−
β−青1t、Gh電極及びG2電極の電圧が夫々6■及
び320V、 /’−ゲット面(31)電圧が50V、
EG3=Ea5=400V、EG4= 20V±65
V 、EGe = 960Vとされたものを試作した。
璽)において、l1=2.8φ、x=1−4.y−う−
β−青1t、Gh電極及びG2電極の電圧が夫々6■及
び320V、 /’−ゲット面(31)電圧が50V、
EG3=Ea5=400V、EG4= 20V±65
V 、EGe = 960Vとされたものを試作した。
これによれば、中心の変調度(400TV本において)
は50%、周辺の変調度(400TV本において〕は3
0%、ランディングティー(4,4iia偏向時)は0
.3%となり、現行のミックススイールド型(M−F型
)のものと同等の特性が得られた。
は50%、周辺の変調度(400TV本において〕は3
0%、ランディングティー(4,4iia偏向時)は0
.3%となり、現行のミックススイールド型(M−F型
)のものと同等の特性が得られた。
以上のことより、第1図例によれば、S−8型の構成で
あるから、管長lを短かくすることができ、しかも偏向
コイル、集束コイルが不要で小型軽量のものを得ること
ができる。また、偏向及び集束は静電的になされるので
、消費電力が少なくて済む。また、G4電極の長さX及
び位置y等が最適な値とされるので、良好な特性を得る
ことができる。
あるから、管長lを短かくすることができ、しかも偏向
コイル、集束コイルが不要で小型軽量のものを得ること
ができる。また、偏向及び集束は静電的になされるので
、消費電力が少なくて済む。また、G4電極の長さX及
び位置y等が最適な値とされるので、良好な特性を得る
ことができる。
また、vJ1図例によれば、電極はガラスバルブ内面に
金属がパターン状に被着されて形成されるので、コリメ
ーションレンズの口径を略ガラスバルブの内径と等しく
大きくできる。管長を短かくすることにより偏向角が増
大し、コリメーションレンズを強くする必要を生じるが
、上述したようにコリメーションレンズの口径を大とで
き、コリメーションレンズを強くしても収差は大となら
ず、ランディング角特性は悪化しない。
金属がパターン状に被着されて形成されるので、コリメ
ーションレンズの口径を略ガラスバルブの内径と等しく
大きくできる。管長を短かくすることにより偏向角が増
大し、コリメーションレンズを強くする必要を生じるが
、上述したようにコリメーションレンズの口径を大とで
き、コリメーションレンズを強くしても収差は大となら
ず、ランディング角特性は悪化しない。
尚、05電極への電圧印加方法として、第12図に示す
ように、G5電極に対応するガラスバルブ(1)の中途
にフリットシール(17)され、表面が銀ペースト等に
より導電処理を施されたセラミックリング(18)を設
け、これを介して印加するようにしてもよい。また図示
せずも、G5電極に対応するガラスバルブに穴を空け、
金属ピンを半田イ」けしあるいは導電フリットを設り、
これら金属ビンあるいは導電フリットを介して印加する
ようにしてもよい。
ように、G5電極に対応するガラスバルブ(1)の中途
にフリットシール(17)され、表面が銀ペースト等に
より導電処理を施されたセラミックリング(18)を設
け、これを介して印加するようにしてもよい。また図示
せずも、G5電極に対応するガラスバルブに穴を空け、
金属ピンを半田イ」けしあるいは導電フリットを設り、
これら金属ビンあるいは導電フリットを介して印加する
ようにしてもよい。
また、上述実施例によれば、電極03〜G5はガラスバ
ルブ(11の内面に被着形成されたものであるが、例え
は板状金属で形成されるものにも、本発明を同様に適用
することができる。
ルブ(11の内面に被着形成されたものであるが、例え
は板状金属で形成されるものにも、本発明を同様に適用
することができる。
また、上述実施例においては+″のものに1目したもの
であるが、どの大きさのものにも同様に適用することが
できる。
であるが、どの大きさのものにも同様に適用することが
できる。
また、上述実施例は、本発明をS−S型の服像管に適用
した例であるが、本発明はこれに限ら場゛、蓄積管、ス
キャンコンバータ等の陰極線管に同様に通用することが
できる。
した例であるが、本発明はこれに限ら場゛、蓄積管、ス
キャンコンバータ等の陰極線管に同様に通用することが
できる。
発明の効果
以上述べた本発明によれば、S−3型構成とされるので
、管長βを短かくすることができ、しかも偏向コイル、
集束コイルが不要で小型軽量のものを得ることができる
。また、偏向及び集束は静電的になされるので、消費電
力が少なくて済む。
、管長βを短かくすることができ、しかも偏向コイル、
集束コイルが不要で小型軽量のものを得ることができる
。また、偏向及び集束は静電的になされるので、消費電
力が少なくて済む。
また、G4電極の長さ及び位置が最適な値とされるので
、良好な特性を得ることができる。
、良好な特性を得ることができる。
第1図は本発明の一実施例を示す断面図、第2図〜第1
1図は夫々その説明のための図、第12図は本発明の他
の実施例を示す要部の断面図である。 (11はガラスバルブ、(2)はフェースプレート、(
3)はターゲツト面、G3.G4及びG5は夫々第3、
第4及び第5グリツド電極、G6はメソシュ電極、LA
はビーム制限開孔である。 =22” 手続補正書 昭和59年8月 24日 昭和58年特許願第 157646 号2゜発明の名称
陰極線管 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京部品用区北品用6丁目7番35号名称(21
8) ソニー株式会社 代表取締役 大 賀 典 雄 4、代 理 人 東京都新宿区西新宿1丁目8番1号(
Ii宿ヒル)置東京(03)343−5821 (代表
)(3388) 弁理士 伊 藤 貞 5、補正命令の日付 昭和 年 月 日6、補正により
増加する発明の数 7、補正 の 月 象 明細督の発明の詳細な説明の1
−及び図面 8、補正の内容 (1)明細書中、第7頁19行及び第7頁19行f−t
an−’土」とあるを夫々[tan−1−!−Jに訂正
す30 50 る。 (2)同、第7頁20行及び第13頁11行r EG4
及び」とあるを夫々rBa4は集束が最適となるように
、」に訂正する。 (3)同、第8頁8行及び第9頁15行[偏向距離が4
,4tntgJとあるを夫々[偏向距離が水平方向に4
.4++nJに訂正する。 (4) 同、第8頁9行「水平方向」とあるを「垂直方
向」に訂正する。 (5)同、同頁10行「垂直方向」とあるを「水平方向
」に訂正する。 (6)同、第13頁11行「Q = 3.5φ、」とあ
るを削除する。 (力 図面中、第6図及び第9図を別紙の通り訂正する
。 以上
1図は夫々その説明のための図、第12図は本発明の他
の実施例を示す要部の断面図である。 (11はガラスバルブ、(2)はフェースプレート、(
3)はターゲツト面、G3.G4及びG5は夫々第3、
第4及び第5グリツド電極、G6はメソシュ電極、LA
はビーム制限開孔である。 =22” 手続補正書 昭和59年8月 24日 昭和58年特許願第 157646 号2゜発明の名称
陰極線管 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京部品用区北品用6丁目7番35号名称(21
8) ソニー株式会社 代表取締役 大 賀 典 雄 4、代 理 人 東京都新宿区西新宿1丁目8番1号(
Ii宿ヒル)置東京(03)343−5821 (代表
)(3388) 弁理士 伊 藤 貞 5、補正命令の日付 昭和 年 月 日6、補正により
増加する発明の数 7、補正 の 月 象 明細督の発明の詳細な説明の1
−及び図面 8、補正の内容 (1)明細書中、第7頁19行及び第7頁19行f−t
an−’土」とあるを夫々[tan−1−!−Jに訂正
す30 50 る。 (2)同、第7頁20行及び第13頁11行r EG4
及び」とあるを夫々rBa4は集束が最適となるように
、」に訂正する。 (3)同、第8頁8行及び第9頁15行[偏向距離が4
,4tntgJとあるを夫々[偏向距離が水平方向に4
.4++nJに訂正する。 (4) 同、第8頁9行「水平方向」とあるを「垂直方
向」に訂正する。 (5)同、同頁10行「垂直方向」とあるを「水平方向
」に訂正する。 (6)同、第13頁11行「Q = 3.5φ、」とあ
るを削除する。 (力 図面中、第6図及び第9図を別紙の通り訂正する
。 以上
Claims (1)
- G3電極、G4電極、G5電極及びメンシュ状の06電
極を備え、上記G3.G4及びG5電極によって電子ビ
ームの集束を行なう静電レンズ系が形成され、上記G4
電極は上記電子ビームの偏向を行なうアローパターンの
偏向電極とされるターゲットを有する陰極線管において
、ビーム制限開孔から上記G6電極までの距離をβとす
るとき、上記G4電極の長さは(11−六l)〜(4A
+六β)とされると共に上記ビーム制限開孔から上記G
4@極の中心までの距離は<+p−+p>〜+βとされ
ることを特徴とする陰極線管。
Priority Applications (10)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58157646A JPS6049542A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 撮像管 |
CA000461328A CA1219305A (en) | 1983-08-29 | 1984-08-20 | Cathode ray tube |
AU32230/84A AU568870B2 (en) | 1983-08-26 | 1984-08-21 | Cathode ray tube |
US06/643,399 US4656387A (en) | 1983-08-29 | 1984-08-23 | Cathode ray tube having a zig-zag shaped deflection electrode |
DE19843431241 DE3431241C2 (de) | 1983-08-26 | 1984-08-24 | Kathodenstrahlröhre |
KR1019840005183A KR910007802B1 (ko) | 1983-08-29 | 1984-08-25 | 음극선관 |
NL8402610A NL8402610A (nl) | 1983-08-26 | 1984-08-27 | Kathodestraalbuis. |
GB08421696A GB2146171B (en) | 1983-08-29 | 1984-08-28 | Cathode ray tubes |
AT0276684A AT393760B (de) | 1983-08-29 | 1984-08-29 | Kathodenstrahlroehre |
FR8413357A FR2551263B1 (fr) | 1983-08-29 | 1984-08-29 | Tube a rayons cathodiques perfectionne |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58157646A JPS6049542A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 撮像管 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6049542A true JPS6049542A (ja) | 1985-03-18 |
JPH0148610B2 JPH0148610B2 (ja) | 1989-10-19 |
Family
ID=15654270
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58157646A Granted JPS6049542A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-29 | 撮像管 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4656387A (ja) |
JP (1) | JPS6049542A (ja) |
KR (1) | KR910007802B1 (ja) |
AT (1) | AT393760B (ja) |
CA (1) | CA1219305A (ja) |
FR (1) | FR2551263B1 (ja) |
GB (1) | GB2146171B (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS622436A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-01-08 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 電子管 |
JPS6337545A (ja) * | 1986-08-01 | 1988-02-18 | Hitachi Ltd | 陰極線管 |
US4792721A (en) * | 1986-04-18 | 1988-12-20 | Hitachi, Ltd. | Cathode-ray tube with electrostatic deflection |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60172147A (ja) * | 1984-02-16 | 1985-09-05 | Sony Corp | 陰極線管 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1078832A (en) * | 1912-04-01 | 1913-11-18 | Carl Collin | Type setting and distributing machine. |
US2681426A (en) * | 1952-03-06 | 1954-06-15 | Motorola Inc | Deflection system |
US2830228A (en) * | 1955-05-05 | 1958-04-08 | Motorola Inc | Deflection system |
GB1306155A (ja) * | 1969-06-11 | 1973-02-07 | ||
US3952227A (en) * | 1971-04-09 | 1976-04-20 | U.S. Philips Corporation | Cathode-ray tube having electrostatic focusing and electrostatic deflection in one lens |
US3731136A (en) * | 1971-04-19 | 1973-05-01 | Gen Electric | Cylindrical electrode system for focusing and deflecting an electron beam |
JPS5910526B2 (ja) * | 1978-03-14 | 1984-03-09 | ソニー株式会社 | 陰極線管 |
-
1983
- 1983-08-29 JP JP58157646A patent/JPS6049542A/ja active Granted
-
1984
- 1984-08-20 CA CA000461328A patent/CA1219305A/en not_active Expired
- 1984-08-23 US US06/643,399 patent/US4656387A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-08-25 KR KR1019840005183A patent/KR910007802B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1984-08-28 GB GB08421696A patent/GB2146171B/en not_active Expired
- 1984-08-29 FR FR8413357A patent/FR2551263B1/fr not_active Expired
- 1984-08-29 AT AT0276684A patent/AT393760B/de not_active IP Right Cessation
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS622436A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-01-08 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 電子管 |
US4792721A (en) * | 1986-04-18 | 1988-12-20 | Hitachi, Ltd. | Cathode-ray tube with electrostatic deflection |
JPS6337545A (ja) * | 1986-08-01 | 1988-02-18 | Hitachi Ltd | 陰極線管 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AT393760B (de) | 1991-12-10 |
KR910007802B1 (ko) | 1991-10-02 |
CA1219305A (en) | 1987-03-17 |
FR2551263A1 (fr) | 1985-03-01 |
GB2146171B (en) | 1987-02-25 |
GB8421696D0 (en) | 1984-10-03 |
US4656387A (en) | 1987-04-07 |
GB2146171A (en) | 1985-04-11 |
FR2551263B1 (fr) | 1988-04-15 |
KR850002163A (ko) | 1985-05-06 |
JPH0148610B2 (ja) | 1989-10-19 |
ATA276684A (de) | 1991-05-15 |
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