JPS59202085A - 反射型光電スイツチ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 し技術分野］ 本発明は予め設定された検知エリア内に被検知物体が存
在するかどうかを判別して出力回路を制御する反射型光
電スイッチに関するものである。

し背景技術］ 従来、この種の反射型光電スイッチとして第１図に示す
ように、投光手段（１）′から投光された拡散光（Ｐ）
′の被検知物体（３）による反射光（Ｒ）’を受光手段
（２）′にて受光し、第２図に示すように受光手段（２
）′の受光出力しベルＶ２が予め設定された動作レベル
ｖｔｈ以上のとき出力回路を作動させるようにして検知
エリア（ＤＥ）ｋ設定するようにした拡散反射型のもの
があった。しかしながら、このような従来例にあっては
、例えば第５図に示すように、ベルトコンベア（ＢＣ）
にて移送される被検知物体（Ｘ）を検出するために、反
射型光電スイッチ（Ｙ）の検知エリア（ＤＥ）’にベル
トコンベア（ＢＣ）の巾に対応して設定した場合におい
て、検知エリア（ＤＥ）の後方に被検知物体（Ｘ）より
も光反射率の大きい物体（Ｚ）があれば誤動作が起きる
という不都合があった。すなわち、受光手段（２）′の
受光出力しベル■２は被検知物体（Ｘ）の光反射率に正
比例するとともに、投、受光手段＋Ｉ＋’［２１’と被
検知物体（Ｘ）との距離（Ａの２乗に反比例するので、
検知エリア（ＤＥ）’に設定するには上記光反射率およ
び距離（４））を考慮して判別制御手段の動作レベルｖ
ｔｈ６設定すれば良いことになるが、このようにして設
定された検知エリア（ＤＥ）の後方に被検知物体（Ｘ）
よりも光反射率の大きい物体Ｃ７，）が存在すれば、こ
の物体（Ｚ）による反射光（Ｒ）′が受光された場合の
受光出力しベルＶ２は検知エリア（ＤＥ）内に存在して
いる被検知物体（Ｘ）による反射光（Ｒ）が受光された
場合の受光出力レベル■２と同一となって、物体（Ｚ）
が恰も検知エリア（ＤＥ）内に存在するかのように誤認
識されてしまうという問題があった。図中（１２）は発
光タイオードのような投光素子、（Ｉ３）は投光用光学
系、（２０）はホトトランジスタ、ホトタイオード、太
陽電池、ＣｄＳなどよりなる受光素子、（３）は受光用
光学系である。

そこで、第４図および第５図に示すように、被検知物体
■）に対して光ビーム（Ｐ）’に投光する投光手段ｆｉ
＋と、投光手段＋１１から所定間隔ΔＬをもって配設さ
れ被検知物体（Ｘ）による光ビーム（Ｐ）の反射光（Ｒ
）を集光する受光用光学系（２）と、受光用光学系（２
）の集光面に配設され集光スポット（Ｓ）の位置に対応
した位置信＋ｊ′を出力する位置検出手段（４）と、位
置検出手段（４）出力に基いて被検知物体（Ｘ）が所定
の検知エリア（ＤＥ）内に存在するかどうかを判別して
出力回路（６）を制御する測距制御手段（５）とを具偏
し、三角測量方式によって被検知物体（Ｘ）ｔでの距離
！全判別して検知エリア（ＤＥ）内に被検知物体（Ｘ）
が存在すれば出力回路（６）を作動させて物体検知（、
−ｆ号を出力するようにしたものが考えられている。こ
こに被検知物体（Ｘ）に対してパルス変調光よりなる光
ビームＣＰ）を投光する投光手段ｔｌ＋は投光タイ三ン
タを設定する同期信号を発生する発振回路（ｌＯ）と、
ドライブ回路（１りと、発光タイオードあるいはレーザ
ータイオートなどの投光素子（Ｉ２）と、光じ一ム（Ｐ
）　’ｘ影形成る］：７ヂンサレ−）ズよりなる投光用
光学系（１３）とで形成されている。投光手段ｉｌ＋か
ら所定間隔ΔＬｋもって倶ｊ方に並置された受光手段（
２）は、投光手段（１）および被検知物体Ｘ）に対して
三角測量的に配置されておシ、この受光手段（２）は被
検知物体（Ｘ）による反射光（Ｒ）を集光するための凸
レンズよりなる受光用光学系（３）と、受光用光学系（
３）の集光面に配設され、集光スポット（Ｓ）の位置に
対応した位ｆｆｒｆ伯りを出力する位置検出手段（４）
とで構成されている。この位置検出手段（４）は、受光
用光学系（３）の集光曲内に配設され集光スポット（Ｓ
）の移靭１方向に連設された２個の受光素子（２０ａ）
（２０ｂ）にて形成されている。この受光素子（２０ａ
）（２０ｂ）としてはホトトランジスタ、ホトタイオー
ド、太陽電池、ＣｄＳなどが用いられる。壕だ、位置検
出手段（４）として第８図（ａ）に示す位置検出素子（
以下ＰＳＤと略する）Ｉ３０）ａ：用いても良く、との
ＰＳ　Ｄ　Ｉ３０）は平板状シリ］ンｔ３１１の表面に
Ｐ層（３１ａ）、裏面にＮ層（、：５１ｂ　）、中間に
１層（３１ｃ）゛を形成したものであり、集光スポット
（Ｓ）の位置に対応した出力電流ＩＡ　、　　ＩＢが出
力されるようになっている。第８図（ｂ）はＰ　Ｓ　Ｄ
　（３０）の等価回路を示すもので、図中（Ｐｉ）は電
流源、（ＤＯ）は理想的タイオード、（ＣＯ）　ｔｒｉ
接合容量、（Ｒｔ）は並列抵抗、　　□（ＲＯ）は電極
間抵抗である。測距制御手段（５）は、受光素子（２０
ａ）（２０ｂ）からの出力電流ＩＡ。

ＩＢを信号電圧ＶＡ、ＶＢに増巾変換する受光回路（２
１ａ）（２１ｂ）と、対数増巾回路（２２ａ）（２２ｂ
）と、対数増巾回路（２２ａ）出力−ｅｎＶＡ　から対
数増巾回路（２２ｂ）出力−ｇｎｖＢを減算する減算回
路（社）：・と、減算回路（２３）出力−ｅｎＶＡ／Ｖ
Ｂと検知エリア設定ボリウム（ＶＲ）にて設定された基
準、電圧Ｖｓとを比較して減９回路郭）出力−ｇｎ　Ｖ
Ａ／ＶＢが基準ｌ電圧Ｖｓ以下のときＨレベルを出力す
る比較回路（２４）と、投光素子（Ｉ２）からの光し一
ム（Ｐ）の投光タイ三ンジ（発振回路（１０）から出力
される同期信号）に同期して比較回路（２４）出力をサ
ンづリシタ（同ル」検波）すると七により、被検知物体
（Ｘ）が検知エリア１、ＤＥ）内に存在するかどうかを
確実に判別するようにした信ぢ処理回路（２５）と、信
号処理回路外から所定期間以上連続して信号が出力され
た場合あるいは出力されない場合にのみ出力回路（６）
の制御信号を出す積分回路（支））とで形成され、負荷
制御用のリレー、負荷制御用の半導体スイッチ素子など
よりなる出力回路（６）を制御するようになっている。

なお、受光回路（２１ａ）（２１ｂ）はパルス光信号の
みを通し直流光信号をカットしたり、特定の周波数のみ
を通すバンドパスフィルタ回路を含むものである。図中
Ｑ力は出力回路（６）の動作表示部、８２８１は出力回
路（６）の誤結線忙よるＡ電流をしゃ断する過電流保護
回路、イ９）は電源投入あるいはしゃ断出力回路（６）
の誤動作を防止する誤動作防止回路である。

いま、被検知物体（Ｘ）が第６図（ａ）に示すように反
射型光電スイッチ（Ｙ）から距離１３ａ、Ａｂ、１３ｃ
の位置ａ、ｂ、ｃに存在する場合において、集光曲内に
配設された受光素子（２０ａ）（２０ｂ＞に対する集光
スポット（Ｓ）の位置は第６図（ｂ）のようになり、被
検知物体凶）が光ビーム（Ｐ）の投光方向に移動すると
、受光素子（２０ａ）（２０ｂ）に入射する光ｔ１の比
率が変化することになり、受光素子（２−ＯａＨ２０ｂ
）の出力電流ＩＡ　、　　ＩＢは集光スポット（Ｓ）の
位置に対応した位置信号となる。測距制御手段（５１で
は受光回路（２１ａ）（２１ｂ）にてこの出力電流ＩＡ
、ＩＢに比例した電圧ＶＡ　、　ＶＢ　を形成し、対数
増巾回路（２２ａ　）（２２ｂ　’）　　にて対数増巾
した電圧−ｅｎＶＡ、−ｅｎＶＢを減算回路（２３）に
て減算することによシ減算回路日から受光素子（２０ａ
）（２０ｂ）に入射する光量の比率の対数値−ｇｎＶＡ
／ＶＥか出力されることになる。この減算回路（２３１
出カーｅｎＶＡ／ＶＢけ被検知物体（Ｘ）の移動に応じ
て変化し、反射型光７１１′スイツチ（Ｙ）から衿検知
物体（Ｘ）才での距離１に対する減算回路い・出力石ｎ
　Ｖ　Ａ　／　Ｖ　Ｂ　　は第７図に示すようになる。

したがって、比較回路（２４１の検知エリア設定ボリウ
ム（ＶＲ）にて・基Ｊ準７電、圧（ＶＳ）を適当に設定
することにより、正確な検知エリア（ＤＥ）が容易にＨ
，（定でき、減算回路匈Ｉ　Ｂ、１．カーｅ３ｎＶＡ／
ＶＢが基準電圧、Ｖｉ　ｓ以上となったとき比較回路（
２４）出力がＨしベルとなり、信号処理回路（２５）　
ｅ介して出力回路（６）が作動される。この場合、？１
１１距制御子制御５）は、受光素子（２０ａ）（２０ｂ
＞出力レベル比を演鋳し、そのレベル比が予め設定され
た基準１・電・、圧Ｖｓのとき出力回路（６）を作動さ
せるように力っており、被検知物体（Ｘ）による反射光
（Ｒ）のレベルと関係なく検知エリア（ＤＥ）が設定さ
れるようになっているので、検知エリア（ＤＥ）の後方
に存在する光反射率の大きい物体による誤動作が防止で
きるとともに、被検知物体（Ｘ）の光反射率に関係々く
検知エリア（ＤＥ）を設定でき、さらに投、受光用光学
系（１３ｉ［３１の汚れの影響を受けることがない。

ところで、このような従来例において、被検知物体（Ｘ
）が鏡面体である暮、杏に被検知物体（Ｘ）　ｔでの距
離２と集光スポット（Ｓ）の位置とか対応せず、訪動作
が生じるという問題があった。すなわち、鏡面体よりな
る被検知物体■）が第９図に示すように光電スイッチ（
Ｙ）に正対している場合、錠σｒによって投光手段ｔｌ
＋の虚ｆＪ　（ｌ　ａ　）ができ、受光手段（２）によ
る反射光（Ｒａ）の集光スポット（Ｓ）の位置は被検知
物体Ｘ）が距離２石の位置にあるとぎに対応する。した
がって、被検知物体（Ｘ）の位ｙｆｉが誤って’ｌ′ｌ
Ｊ別され、被検知物体（Ｘ）が検知エリア（ＤＥ）内に
存在するにも拘らず出力回路（６）が動作し々いという
問題があった。

１発明の目的］ 本発明は上記の点に鑑みて為されたもので、検知エリア
の後方に存在する光反射率の大きい物体による誤ＯＪ作
を防止でき、また、被検知物体の光反射率に関係なく検
知エリアを設定でき、しかも、被検知物体が鏡面体であ
っても誤動作することが万い反射型光電スイッチを提供
することにあるし発明の開示］ （実施例１） 第１０図は本発明一実施例を示すもので、第４図および
第５図に示した三角測量方式の測距制御手段（５）ヲ有
する従来例において、鏡面体より被検知物体（Ｘ）が検
知エリア（ＤＥ）内に存在するかどうかを反射光（Ｒ）
　＃光量レベルに基いて判別して出力回路（６）全制御
する光量制御手段（７）ヲ設けたものであシ、図中（８
）は誤動作防止手段、（９）は余裕表示手段である。こ
こに測距制御手段（５）の受光回路（２１ａ）（２１ｂ
）は反転アンプ（Ｇ＋）と、非反転アンプ（Ｇ２）と、
抵抗（Ｒ＋）〜（Ｒ３）と、コンデンサ（２）〜（Ｃ３
）とで形成され、位置検出手段（４）の受光素子（２０
ａ）（２０ｂ）からの出力電流は変換インピータンスで
ある抵抗（Ｒ１）によって電圧ＶＡ’、■Ｂ′に変換さ
れ、非反転アンプ（Ｇ２）により増巾されてＶＡ、ＶＢ
がそれぞれ得られるようになっている。まだ、抵抗（Ｒ
１）およびコンデンサ（Ｃ＋）にてローパスフィルタが
形成され、コンデンサ（Ｃ２）と抵抗（Ｒ２）およびコ
ンデｙ　”ｉ’　（Ｃ３）と抵抗（Ｒ３）にてバイパス
フィルタが形成されておシ、外乱光によるノイズを除去
するようになっている。対数増１〕回路（２２ａ）（２
２ｂ）は反転アシづ（Ｇ３）とタイオード（Ｄ＋）とで
形成され、受光回路（２１ａ）（２１ｂ）出カＶＡ、Ｖ
Ｂ−ｉ対数圧紬して石ｎＶＡ、−ｇｎＶＢ全出カする。

減算回路（篩は差動アン″″ｊ（Ｇ４）にて形成され、
対数増巾回路（２２ａ）（２２ｂ）出力−ｇｎＶＡ　、
−ｇｎＶＢの差を演算して一＃ｎＶＡ／ＶＢ　　を出力
する。コシパレータ（Ｇイ）よりなる比較回路（２４）
は減算回路（ｚ３）出力−１？ｎＶＡ、／ＶＢと抵抗（
Ｒ４）および検知エリア設定用ボリウム（ＶＲｌ）にて
電源電圧Ｖｃｃを分圧して得られる基準電圧■８を比較
し、従来例と同様、減算回路（５））から出力される測
距信号に基いて被検知物体（Ｘ）が検知エリア（ＤＥ）
内かどうかを判別して物体検知信号Ｖｘを出力する。光
量制御手段（７）はコシパレータ（Ｇ６）にて形成され
、受光回路（２１ａ）の非反転アンプ（Ｇ−出力ＶＡと
、抵抗（Ｒ５）および検知エリア設定用ボリウム（ＶＲ
２）にて電源電圧Ｖｃｃを分圧して？’Ｊられる基跡電
圧Ｖｓ’とを比較し、非反転アンプ（Ｇ２）出力ＶＡが
基準電圧Ｖｓ’よりも大のとき反射光（Ｒ）の光量レベ
ルに基いて判別される物体検知信’３’　Ｖ　ｘ　’が
出力される。誤動作防止手段（８）は対数アンプ（Ｃ７
）ｋ用いた動作レベル設定部とコシパレータ（Ｃ８）よ
りなる比較回路部とアンド回路（ＡＮＤ　）よりなるゲ
ート部とで形成され、対ｉｋ増巾回路（２２ｂ）がら動
作レベル７８以上の信号が得られているかによって正常
動作可能な受光信号ＶＢか得られているかどうかを判別
し、オア回路（ＯＲ）を介して信号処理回路（２５）に
入力される物体検知イ目号Ｖｘ、Ｖｘ’をアシド回路（
ＡＮＤ　）にて阻止自在にしている。余裕表示手段（９
）は対数アンプ（Ｃ９）を用いた余裕レベル設定部と、
コシパレータ（Ｇｏｏ）よりなる比較回路部と余裕表示
部（９ａ）とて形成され、　　　′−−−　　　　１余
裕レベル■９は動作しベル■８よりも若干高く設定され
、対数増巾回路（２３ｂ）出力Ｖ１３が余裕しベルｖ９
より大のとき余裕表示部（９ａ＞が点灯して対数増巾回
路（２３ｂ）出力ＶＢのしベルが正常動作範囲に対して
余裕のある（し：／ス表面の汚れや光学系の光軸変化が
あっても十分正常動作する）こと全表示する。この余裕
表示手段（９）は光電スイッチ（至）の設置調整、つり
メシテナシスを行なうときに重宝である。

以下、実施例の具体的動作について詣、す」する。

い捷、被検知物体（Ｘ）が鏡面体である場合と、拡散面
体である場合とにおける反射光（Ｒ）の光量レベルと距
離！の関係は第１１図に示すようになる。なお、鏡面体
Ｉは測距制御手段（５）によって所定誤差内で被検知物
体（Ｘ）’！ｉ＝検知できるような正反射成分を不する
ものであシ、鏡面体■は鏡面体Ｉよシも正反射成分が大
きいため測距制御手段（５）によって所定誤差内で被検
知物体（Ｘ）を検知できないものである。ここに、正反
射成分の大きい（１）面体■よりなる被検知物体（Ｘ）
の反射光（Ｒ）の光量レベルは他の鏡面体Ｉおよび拡散
面体よシなる被検知物体（Ｘ）の反射光（Ｒ）の光景レ
ベルよシも大きいので、光力〕制灸１手段（７）の検知
エリア設定用ボリウム（ＶＲ２）を適当に設定してｉＩ
ジノ作レベルが図中点線で示すレベル（以下優先光量レ
ベルと称する）ように設定すれば、被検知物体（Ｘ）が
鏡面体■であっても検知エリア（ＤＥ）内に存在する力
・どうかが適確に判別できることになる。すなわち、鏡
面体■よりなる被検知物体（Ｘ）が検知エリア（ＤＥ）
内にあっても、測距制御手段（５）からは従来例と同様
に物体検知信号■が得られないが、受光回路（２１ａ）
出力ＶＡが検知エリア設定用ポリウム（ＶＲ２）にて設
定された基準電圧Ｖ、Ｉ以上になったとき、光量制御手
段（７）から物体検知信号■Ｘ′が出力され、信号処理
回路□□□５）および積分回路ｆ２ｆ３）を介して出力
回路（６）が駆動され、光電スイッチ（Ｙ）は正常に動
作する。ところで、上記優先光量レベルを設定して検知
エリア（ＤＥ）を設定するポリウム（ＶＲ２）は測距制
御手段（７）の検知エリア（ＤＥ）を設定するポリウム
（ＶＲ＋）と連動させることにより、両制御手段（５ｉ
　（７）にて設定される検知エリア（ＤＥ）ｋ合致させ
るようになっており、両ポリウム（ＶＲＩ）　（ＶＲ２
）として２連ボリウムを用いている。

（実施例２） 第１２図は他の実施例を示すもので、基準電圧設定部全
オペアンプ（Ｇｏ）を用いて形成し、抵抗（Ｒ８）〜（
Ｒｏ）の値を適邑に設定してＤＡＮＰ定数を変化する′
ことにより、基準電圧Ｖｓ’を第７図に示すように変化
させて、光量制御１手段（７）の検知エリア（ＤＥ）Ｘ
Ｒ定するようにしたものであり、基準電圧Ｖｓ’の変化
の仕方は検知対象となる鏡面体■、■による反射光（Ｒ
）の光量レベルの距離ｐに応じた変化を考慮して最適な
変化に設定されるこ々になる。

（実施例３） 第１牛図はさらに他の実施例を示すもので、］ンパレー
タ（Ｇ＋２ａ）〜（Ｇ＋□ｎ）よりなる比較回路にて形
成されるレベル検出部と、レベル検出部の各比較回路出
力にて制御１されるスイッチ部（Ｓ　Ｗ　）とより力る
スイッチ回路で基準電圧設定部を構成したもので、基準
電圧Ｖｓに応じて抵抗（１４ａ）（１５ａ）、（１４ｂ
）（１５ｂ）−１１４ｎ　）（工５ｎ）による分圧電圧
Ｖ　ｓａ’　、Ｖｓｂ’　、−−Ｖｓｎ”ｆｒ：基準電
圧Ｖ　ｓｌとして出力するようになっており、スイッチ
部（Ｓ　Ｗ　）はトランジスタ、リレーなどのスイッチ
素子にて形成される。図中（Ｒｔ２ａ）（Ｒ＋３ａ　’
）、（Ｒｎｂ　ＸＲ＋：＋ｂ　）　　　　は基準電圧発
生用抵抗て′ある（実施例缶） 第１５図はさらに他の実施例を示すもので、投光手段ｆ
ｉｌのドライづ回路（ｆｌｉｔ構成するトランジスタ（
Ｑ）の］レレフに挿入されたＬＥＤよりなる投光素子（
１２）と直列にポリウム（ＶＲ３）を挿入して、このポ
リウム（ＶＲ３）を測距制御手段（５）の検知エリア１
１−％用のポリウム（ＶＲｌ）と連動させて投光ビーム
（Ｐ）の光１ｆｆ、に制御するものであり、検知エリア
（ＤＥ）’！ｉ＝変化させた場合にあっても検知エリア
（ＤＥ）内の被検知物体（Ｘ）による反射光（Ｒ）の光
量レベルが略一定となって増巾回路のタイナミックレン
ジを小さくすることができ、又第１６図に点線で示すよ
うに優先光量レベルを略一定にすることができる。図中
（Ｒ１６）（Ｒ１７）は抵抗である。

（実施例５） 第１７図はさらに他の実施例を示すもので、差動アンプ
（ＧＩ３）を用いて投光ビーム（Ｐ）の光量を制御する
ようにしたもので、差動アンづ（Ｇ　Ｉ　３）の←゛端
子は動作レベル設定用ポリウム（、Ｒ２３）にて設定さ
れた基準電圧が印加され、任端子には基準電圧■が印加
されている。図中（Ｒ＋８）〜（Ｒ２＋）Ｈ抵抗である
。

（実施例６） 第１８し１ばさらに他の実施例を示すもので、第１４図
実施例と同様のスイッチ回路を用いて投光手段（１）の
ドライブ回路（Ｉｆ）ｋ制御するようにしたものである
。

（実施例７） 第１９図はさらに他の実施例を示すもので、スイッチ（
ＳＷａ　）　（ＳＷｂ　’）よりなる制御選択手段（４
０＋’を設けたものであり、スイッチ（ＳＷａ　）’ｉ
＝ミニオシスイッチ（ｓｗｂ　）全オフすることにより
、６Ｉす距制御手段（５）から出力される物体検知信号
■にて田力回ｍ（６）が制御され、スイッチ（ＳＷａ　
）をオフしてスイッチ（ＳＷｂ）ｉオシすることにより
、光景制御手段（７）から出力される物体検知信’ＱＶ
ｘ’にて出力回路（６）が制御され、さらに両スイッチ
（ＳＷ’ａ　）　（ＳＷｂ　）を共にオンすることによ
り、両１’ｌ　＆Ｉ手手段５ｉ　（７）から出力される
物体検知信９Ｖｘ　、Ｖ）ｃ’に基いて出力回路（６）
が制御されるようになっている。したがって、現場の状
況に応じてＤＩ）Ｊ作七−トをワンタッチで変えること
ができ、汎用性の大きい光電スイッチ（Ｙ）が得られる
ことになる。

し発明の効果］ 本発明は上述のように、被検知物体に対して光ビームを
投光する投光手段と、投光手段から所定間隔ケもって配
設され被検知物体による光ビームの反射光を集光する受
光用光学系と、受光用光学系の集光面に配設され集光ス
ホットの位置に対応した位置信＋３を出力する位置”検
出手段と、位置検出平膜出力に基いて被検知物体が所定
の検知エリア内に存在するかどうかを判別して出力回路
を制御する測距制御手段とを具備して成る反射型光電ス
イッチにおいて、鋭面体よりなる被検知物体が該検知エ
リア内に存在するかどうかを反射光の光量レベルに基い
て判別して出力回路を制御する光量制御手段を設けたも
のであシ、検知エリアの抜力に存在する光反射率の大き
い物体による誤動作を防止でき、また、被検知物体の光
反射率に［−′１係なく検知エリアを設定でき、しかも
、被検知物体が鏡面体であっても誤制作することがない
反射柳光電スイッチ全提供することができる。

【図面の簡単な説明】

＠１図は促米例の構成を示す図、第２図および９Ｒ３図
は同上の動作説明図、第４図（グ他の征米例の桟戚１を
不す図、第５図は同上の要部づＤツク回路図、第６図お
よび第７図は向上の動作説り１図、第８図（ａ）ｌｄ　
Ｐ　Ｓ　Ｄの断面図、同図（ｂ）はＰＳＤの等価回路図
、第９図は第４図従来例の問題点を示す図、第１０図は
本発明一実施例の要部回路図、第１１図は同上の動作説
明図、第１２図は他の実施例の要部回路図、第１３図は
同上の動作説明図、第１４図および（Ｘ１５図はそれぞ
れさらに他の実施例の要部回路図、第１６図は第１５図
実施例の動作説明図、第１７図乃至第１９図はそれぞれ
さらに他の実施例のを都回路図である。 ｔｌ＋は投光手段、（３）は受光用光学系、（４）に位
置検出−１Ｊ＝紋、ｆ５ｉシ１１’Ｉ　ｉ［＋＝　ｆｔ
１ｌｌ伺］手殺、（６）は出力回路、（７）は光ｈ；制
御手段である。 代理人　弁理士　　石　１）長　化 第１図 第２図 第３図 第１Ｉ図 第１２図 第１３図 （ｄ）　　　　　　　　（ｅ）　　　　　　　　（ｆ）
（ＣＩ）　　　　　　　（ｈ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ＋１１被検知物体に対して光ビームを投光する投光手段
   と、投光手段から所定間隔をもって配設され被検知物体
   による光ビームの反射光を集光する受光用光学系と、受
   光用光学系の集光面に配設され集光スボ・ントの位置に
   対応した位置信号を出力する位置検出手段と、位置検出
   手段出力に基いて被検知物体が所定の検知エリア内に存
   在するかどうかを判別して出力回路を制拘ｊする測距制
   御手段とを具備して成る反射型光電スイッチにおいて、
   鏡面体よりなる被検知物体が該検知エリア内に存在する
   かどうかを反射光の光量レベルに基いて判別して出力回
   路を制御する光量制御手段を設けたことを特徴とする反
   射型光電スイッチ。 （２）検知エリアを設定するエリア設定手段に連動して
   投光手段から投光される光ビームの光量を制御するよう
   にして成ることを特徴とする特許請求設定手段を連動せ
   しめて成る特許請求の範囲第１項記載の反射型光電スイ
   ッチ。 （４）出力回路を測距制御手段にてｆＤ：Ｊ御するか光
   量制御手段にて制御するかあるいは両制穐ｊ手段にて制
   御するかを選択する制御選択手段を設けたことを特徴と
   する特許請求の範囲第１項記載の反射型光電スイッチ。