JPH0327076B2 - - Google Patents
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- JPH0327076B2 JPH0327076B2 JP59032794A JP3279484A JPH0327076B2 JP H0327076 B2 JPH0327076 B2 JP H0327076B2 JP 59032794 A JP59032794 A JP 59032794A JP 3279484 A JP3279484 A JP 3279484A JP H0327076 B2 JPH0327076 B2 JP H0327076B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S17/00—Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
- G01S17/02—Systems using the reflection of electromagnetic waves other than radio waves
- G01S17/04—Systems determining the presence of a target
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- Electromagnetism (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Optical Radar Systems And Details Thereof (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Optical Transform (AREA)
- Measurement Of Optical Distance (AREA)
- Geophysics And Detection Of Objects (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は予め設定された検知エリア内に被検知
物体が存在するかどうかを判別して出力回路を制
御する反射型光電スイツチに関するものである。
物体が存在するかどうかを判別して出力回路を制
御する反射型光電スイツチに関するものである。
一般に、光電スイツチの投光手段および受光手
段のレンズや投受光素子などの光学系が汚れたり
光軸がずれて投光、受光レベルが低下すると、光
電スイツチが誤動作するので、メンテナンスが必
要かどうかを判別して表示する必要がある。そこ
で、従来、光学系が多少汚れたり光軸がずれても
安定に動作することを示す余裕表示ランプを設
け、この余裕表示ランプが点灯しておれば安定動
作状態にあり、消えれば不安定動作状態にあると
判定するようにしていた。第１図は被検知物体Ｘ
からの反射光レベルに基いて被検知物体Ｘが検知
エリア内に存在するかどうかを検出する光スイツ
チを示すもので、図中１ａはパルス光を投光する
投光手段であり、発振回路１０、ドライブ回路１
１および投光素子１２にて形成されている。５ａ
は受光判別手段であり、受光素子４０出力を電圧
信号に変換する受光回路４１と、増巾回路４２
と、増巾回路４２出力VPと基準レベルVS1′とを
比較する比較回路４３と、発振回路１０出力をク
ロツクとして比較回路４３から出力される物体検
知信号を読込んで出力回路６および動作表示回路
７を制御する信号処理回路４４とで形成されてい
る。５０は余裕判別表示手段であり、増巾回路４
２出力VPと余裕判定用の基準レベルVS2′とを比
較する比較回路４５および発振回路１０出力をサ
ンプリングクロツクとして信号処理を行なう信号
処理回路４６よりなり、増巾回路４２出力VPが
基準レベルVS2′よりも大きいとき余裕信号を出
力する余裕判定手段５１と、余裕判定手段５１か
ら余裕信号が得られたとき余裕表示ランプを点灯
させる余裕表示回路４７よりなる余裕表示手段５
２とで形成されている。
段のレンズや投受光素子などの光学系が汚れたり
光軸がずれて投光、受光レベルが低下すると、光
電スイツチが誤動作するので、メンテナンスが必
要かどうかを判別して表示する必要がある。そこ
で、従来、光学系が多少汚れたり光軸がずれても
安定に動作することを示す余裕表示ランプを設
け、この余裕表示ランプが点灯しておれば安定動
作状態にあり、消えれば不安定動作状態にあると
判定するようにしていた。第１図は被検知物体Ｘ
からの反射光レベルに基いて被検知物体Ｘが検知
エリア内に存在するかどうかを検出する光スイツ
チを示すもので、図中１ａはパルス光を投光する
投光手段であり、発振回路１０、ドライブ回路１
１および投光素子１２にて形成されている。５ａ
は受光判別手段であり、受光素子４０出力を電圧
信号に変換する受光回路４１と、増巾回路４２
と、増巾回路４２出力VPと基準レベルVS1′とを
比較する比較回路４３と、発振回路１０出力をク
ロツクとして比較回路４３から出力される物体検
知信号を読込んで出力回路６および動作表示回路
７を制御する信号処理回路４４とで形成されてい
る。５０は余裕判別表示手段であり、増巾回路４
２出力VPと余裕判定用の基準レベルVS2′とを比
較する比較回路４５および発振回路１０出力をサ
ンプリングクロツクとして信号処理を行なう信号
処理回路４６よりなり、増巾回路４２出力VPが
基準レベルVS2′よりも大きいとき余裕信号を出
力する余裕判定手段５１と、余裕判定手段５１か
ら余裕信号が得られたとき余裕表示ランプを点灯
させる余裕表示回路４７よりなる余裕表示手段５
２とで形成されている。
いま、被検知物体Ｘまでの距離ｌに対する増巾
回路４２出力VP（すなわち受光信号VP）の関係は
第２図に示すようになつており、受光信号VPが
基準レベルVS1′よりも大きければ出力回路６お
よび動作表示回路７が動作し、基準レベルVS2′
よりも大きければ余裕表示回路４７が動作して余
裕表示ランプが点灯するようになつている。ここ
に、基準レベルVS2′はVS1′よりも20％程度高く
設定されており、光学系の汚れおよび光軸のずれ
による投光受光レベル許容低下範囲を20％に設定
している。したがつて、光電スイツチの動作レベ
ル（基準レベルVS1′）よりも十分大きな受光信
号VPが得られている場合、余裕表示ランプが点
灯し、安定な検出動作をしていることを示すよう
になつている。
回路４２出力VP（すなわち受光信号VP）の関係は
第２図に示すようになつており、受光信号VPが
基準レベルVS1′よりも大きければ出力回路６お
よび動作表示回路７が動作し、基準レベルVS2′
よりも大きければ余裕表示回路４７が動作して余
裕表示ランプが点灯するようになつている。ここ
に、基準レベルVS2′はVS1′よりも20％程度高く
設定されており、光学系の汚れおよび光軸のずれ
による投光受光レベル許容低下範囲を20％に設定
している。したがつて、光電スイツチの動作レベ
ル（基準レベルVS1′）よりも十分大きな受光信
号VPが得られている場合、余裕表示ランプが点
灯し、安定な検出動作をしていることを示すよう
になつている。
一方、上記、従来例にあつては光学系の汚れお
よび光軸のずれによる受光量変化にておよび被検
知物体Ｘの反射率の変化にて検知エリアが変化し
てしまうという不都合があるので、このような不
都合を解消するものとして第３図乃至第５図に示
すような光電スイツチがあつた。図中１は被検知
物体Ｘに対してパルス変調光よりなる光ビームＰ
を投光する投光手段であり、前記従来例と同様投
光タイミングを設定する同期信号を発生する発振
回路１０と、ドライブ回路１１と、発光ダイオー
ド、レーザーダイオードなどの投光素子１２と、
光ビームＰを形成するコンデンサレンズよりなる
投光用光学系１３とで形成されている。２は投光
手段１から所定間隔l0をもつて並置された受光手
段であり、投、受光手段１，２は被検知物体Ｘに
対して三角測量的に配置されている。この受光手
段２は被検知物体Ｘによる反射光を集光するため
の凸レンズよりなる集光手段３と、集光手段３の
集光面に配設され集光スポツトＳの位置に対応し
た位置信号を出力する位置検出手段４とで構成さ
れており、この位置検出手段４は、凸レンズより
なる集光手段３の集光面内に配設され、集光スポ
ツトＳの一方向の移動に際して光量に比例しかつ
その移動量に応じて増加する第１の検知信号IAを
出力するとともに光量に比例しかつ移動量に応じ
て減少する第２の検知信号IBを出力する。この位
置検出手段４は、例えば１次元位置検知素子（以
下PSD４と称する）にて形成され、このPSD４
は第５図ａに示すように、平板状シリコン３１の
表面にＰ層３１ａ、裏面にＮ層３１ｂ、中間にＩ
層３１ｃを形成したものであり、集光スポツトＳ
の位置に対応した信号電流IA、IBが出力されるよ
うになつている。この信号電流IAは集光スポツト
Ｓの一方向の移動に際してその移動量に比例して
増加する信号であり、信号電流IBは移動量に比例
して減少する信号である。もちろん、信号電流
IA、IBが光量に比例することは言うまでもない。
第５図ｂは上述のPSD４の等価回路を示すもの
で、図中Piは電流源、Doは理想的ダイオード、
Coは接合容量、Rtは並列抵抗、Roは電極間抵抗
である。なお位置検出手段４として距離ｌが変化
した場合における集光スポツトＳの移動に応じて
相反する信号電流IA、IBが得られるものであれば
何でも良く、例えば移動方向（矢印Ｍ）に連設さ
れた２個の受光素子にて形成しても良く、受光素
子としてホトトランジスタ、ホトダイオード、太
陽電池、CdSなどが用いられる。５は判別制御手
段であり、位置検出手段たるPSD４出力に基い
て被検知物体Ｘが所定の検知エリア（DE）内に
存在するかどうかを判別して出力回路６および動
作表示回路７を制御するようになつている。この
判別制御手段５は、位置検出手段４からの信号電
流IA、IBを信号電圧VA、VBに増巾変換する受光
回路２１ａ，２１ｂと、対数増巾回路２２ａ，２
２ｂと、対数増巾回路２２ａ出力lnVAから対数
増巾回路２２ｂ出力lnVBを減算する減算回路２
３と、減算回路２３出力lnVA／VBと検知エリア
設定用ボリウム２４ａにて設定された動作レベル
VSとを比較して減算回路２３出力lnVA／VBが動
作レベルVS以下のときＨレベルを出力する比較
回路２４と、対数増巾回路２２ｂ出力lnVBとを
基準レベルVS1を比較して投光、受光レベルが正
常動作レベル以上かどうかを比較判別する比較回
路２５と、比較回路２４，２５出力の論理和をと
るアンド回路２６と、投光素子１２からの光ビー
ムＰの投光タイミング（発振回路１０からの出力
される同期信号）に同期してアンド回路２６出力
をサンプリングすることにより、被検知物体Ｘが
検知エリア（DE）内に存在するかどうかを確実
に判別するようにした信号処理回路２７とで形成
され、信号処理回路２７出力にて負荷制御用のリ
レー、負荷制御用の半導体スイツチ素子などより
なる出力回路６および動作表示回路７を制御する
ようになつている。なお、受光回路２１ａ，２１
ｂはパルス光信号のみを通し直流光信号をカツト
したり、特定の周波数のみを通すバンドパスフイ
ルタ回路を含むものである。
よび光軸のずれによる受光量変化にておよび被検
知物体Ｘの反射率の変化にて検知エリアが変化し
てしまうという不都合があるので、このような不
都合を解消するものとして第３図乃至第５図に示
すような光電スイツチがあつた。図中１は被検知
物体Ｘに対してパルス変調光よりなる光ビームＰ
を投光する投光手段であり、前記従来例と同様投
光タイミングを設定する同期信号を発生する発振
回路１０と、ドライブ回路１１と、発光ダイオー
ド、レーザーダイオードなどの投光素子１２と、
光ビームＰを形成するコンデンサレンズよりなる
投光用光学系１３とで形成されている。２は投光
手段１から所定間隔l0をもつて並置された受光手
段であり、投、受光手段１，２は被検知物体Ｘに
対して三角測量的に配置されている。この受光手
段２は被検知物体Ｘによる反射光を集光するため
の凸レンズよりなる集光手段３と、集光手段３の
集光面に配設され集光スポツトＳの位置に対応し
た位置信号を出力する位置検出手段４とで構成さ
れており、この位置検出手段４は、凸レンズより
なる集光手段３の集光面内に配設され、集光スポ
ツトＳの一方向の移動に際して光量に比例しかつ
その移動量に応じて増加する第１の検知信号IAを
出力するとともに光量に比例しかつ移動量に応じ
て減少する第２の検知信号IBを出力する。この位
置検出手段４は、例えば１次元位置検知素子（以
下PSD４と称する）にて形成され、このPSD４
は第５図ａに示すように、平板状シリコン３１の
表面にＰ層３１ａ、裏面にＮ層３１ｂ、中間にＩ
層３１ｃを形成したものであり、集光スポツトＳ
の位置に対応した信号電流IA、IBが出力されるよ
うになつている。この信号電流IAは集光スポツト
Ｓの一方向の移動に際してその移動量に比例して
増加する信号であり、信号電流IBは移動量に比例
して減少する信号である。もちろん、信号電流
IA、IBが光量に比例することは言うまでもない。
第５図ｂは上述のPSD４の等価回路を示すもの
で、図中Piは電流源、Doは理想的ダイオード、
Coは接合容量、Rtは並列抵抗、Roは電極間抵抗
である。なお位置検出手段４として距離ｌが変化
した場合における集光スポツトＳの移動に応じて
相反する信号電流IA、IBが得られるものであれば
何でも良く、例えば移動方向（矢印Ｍ）に連設さ
れた２個の受光素子にて形成しても良く、受光素
子としてホトトランジスタ、ホトダイオード、太
陽電池、CdSなどが用いられる。５は判別制御手
段であり、位置検出手段たるPSD４出力に基い
て被検知物体Ｘが所定の検知エリア（DE）内に
存在するかどうかを判別して出力回路６および動
作表示回路７を制御するようになつている。この
判別制御手段５は、位置検出手段４からの信号電
流IA、IBを信号電圧VA、VBに増巾変換する受光
回路２１ａ，２１ｂと、対数増巾回路２２ａ，２
２ｂと、対数増巾回路２２ａ出力lnVAから対数
増巾回路２２ｂ出力lnVBを減算する減算回路２
３と、減算回路２３出力lnVA／VBと検知エリア
設定用ボリウム２４ａにて設定された動作レベル
VSとを比較して減算回路２３出力lnVA／VBが動
作レベルVS以下のときＨレベルを出力する比較
回路２４と、対数増巾回路２２ｂ出力lnVBとを
基準レベルVS1を比較して投光、受光レベルが正
常動作レベル以上かどうかを比較判別する比較回
路２５と、比較回路２４，２５出力の論理和をと
るアンド回路２６と、投光素子１２からの光ビー
ムＰの投光タイミング（発振回路１０からの出力
される同期信号）に同期してアンド回路２６出力
をサンプリングすることにより、被検知物体Ｘが
検知エリア（DE）内に存在するかどうかを確実
に判別するようにした信号処理回路２７とで形成
され、信号処理回路２７出力にて負荷制御用のリ
レー、負荷制御用の半導体スイツチ素子などより
なる出力回路６および動作表示回路７を制御する
ようになつている。なお、受光回路２１ａ，２１
ｂはパルス光信号のみを通し直流光信号をカツト
したり、特定の周波数のみを通すバンドパスフイ
ルタ回路を含むものである。
いま、被検知物体Ｘが第６図ａに示すように反
射型光電スイツチＹから距離l1、l2、l3の位置に
存在する場合において、集光面内に配設された
PSD４に対する集光スポツトＳの位置はそれぞ
れ第６図ｂのようになり、被検知物体Ｘの位置が
光ビームＰの投光方向に変化すると、集光ビーム
Ｓが矢印Ｍ方向に移動してPSD４から出力され
る信号電流IA、IBは集光スポツトＳの位置に対応
した位置信号となる。判別制御手段５では受光回
路２１ａ，２１ｂにてこの信号電流IA、IBに比例
した信号電圧VA、VBを形成し、対数増巾回路２
２ａ，２２ｂにて対数増巾した電圧lnVA、lnVB
を減算回路２３にて減算することにより、減算回
路２３から信号電圧VA、VBのレベル比の対数値
lnVA／VBが出力されることになる。この減算回
路２３出力lnVA／VBは反射型光電スイツチＹか
ら被検知物体Ｘまでの距離ｌに応じて変化し、距
離ｌに対する減算回路２３出力lnVA／VBは第７
図に示すようになる。したがつて、比較回路２４
の検知エリア設定ボリウム２４ａにて動作レベル
VSを適当に設定することにより、正確な検知エ
リア（DE）が容易に設定でき、減算回路２３出
力lnVA／VBが動作レベルVS以下となつたとき比
較回路２４出力がＨレベルとなる。このとき、投
光、受光レベルが正常動作範囲であつて対数増巾
回路２２ｂ出力lnVBが基準レベルVS1以上であれ
ば比較回路２５出力もＨレベルとなり、アンド回
路２６出力がＨレベルとなり信号処理回路２７を
介して出力回路６および動作表示回路７が作動さ
れるようになつている。而してこの従来例におい
ては判別制御手段５はPSD４から出力される信
号電流IA、IBを増巾した信号のレベル比の対数値
を演算してその演算値が所定の検知範囲か否かに
よつて被検知物体Ｘが検知エリア（DE）内にあ
るかどうかを判別して出力回路６を作動させてい
るので、被検知物体Ｘの光反射率に関係なく検知
エリア（DE）を設定でき、さらに投、受光用光
学系１３，３の汚れや光軸のずれの影響を受ける
ことがないようになつている。ところで、このよ
うな従来例において、対数増巾回路２２ｂ出力
lnVBと余裕判別用の基準レベルVS2とを比較する
比較回路４５と、信号処理回路４６と、余裕表示
回路４７とよりなる前記従来例と同様の余裕判別
表示手段５０を設けた場合、余裕表示回路４７の
動作時点が出力回路６の動作時点と異なるため違
和感があるという問題があつた。すなわち、比較
回路２５の基準レベルVS1は受光回路２１ａ，２
１ｂおよび対数増巾回路２２ａ，２２ｂの増巾
率、ダイナミツクレンジなどを考慮した投光、受
光レベルの許容最低値に基いて設定されており、
比較回路４５の基準レベルVS2は投光、受光レベ
ルが多少低下しても誤動作しないように基準レベ
ルVS1よりも高く設定されている。したがつて、
比較回路４５出力が得られて余裕表示回路４７が
動作しているときには対数増巾回路２２ｂ出力は
一定の余裕のある正常動作範囲になつており、多
少の投光、受光レベルの低下があつても物体検知
動作が誤動作なく安定に行なわれることになる。
ところで、投光、受光レベルが十分高く、余裕表
示回路４７が動作する場合において、余裕表示回
路４７の動作時点は第８図に示すようにＡ点であ
り、出力回路６および動作表示回路７の動作時点
はＢ点となり、余裕表示回路４７の余裕表示ラン
プは出力回路６および動作表示回路７の動作タイ
ミングと全く関係なく点灯し、余裕表示ランプの
点灯時点（Ａ点）が何を意味するのかわからず戸
惑うことがあるという問題があつた。例えば、被
検知物体Ｘが近づいてくる場合において、まず最
初に余裕表示回路４７の余裕表示ランプが点灯
し、その後出力回路６が動作して動作表示回路７
の動作表示ランプが点灯することになるが、余裕
表示ランプの点灯時点（Ａ点）が何の意味も持た
ないにも拘らず物体検知時点（Ｂ点）との関係が
わからないため戸惑いを生じるという問題があつ
た。
射型光電スイツチＹから距離l1、l2、l3の位置に
存在する場合において、集光面内に配設された
PSD４に対する集光スポツトＳの位置はそれぞ
れ第６図ｂのようになり、被検知物体Ｘの位置が
光ビームＰの投光方向に変化すると、集光ビーム
Ｓが矢印Ｍ方向に移動してPSD４から出力され
る信号電流IA、IBは集光スポツトＳの位置に対応
した位置信号となる。判別制御手段５では受光回
路２１ａ，２１ｂにてこの信号電流IA、IBに比例
した信号電圧VA、VBを形成し、対数増巾回路２
２ａ，２２ｂにて対数増巾した電圧lnVA、lnVB
を減算回路２３にて減算することにより、減算回
路２３から信号電圧VA、VBのレベル比の対数値
lnVA／VBが出力されることになる。この減算回
路２３出力lnVA／VBは反射型光電スイツチＹか
ら被検知物体Ｘまでの距離ｌに応じて変化し、距
離ｌに対する減算回路２３出力lnVA／VBは第７
図に示すようになる。したがつて、比較回路２４
の検知エリア設定ボリウム２４ａにて動作レベル
VSを適当に設定することにより、正確な検知エ
リア（DE）が容易に設定でき、減算回路２３出
力lnVA／VBが動作レベルVS以下となつたとき比
較回路２４出力がＨレベルとなる。このとき、投
光、受光レベルが正常動作範囲であつて対数増巾
回路２２ｂ出力lnVBが基準レベルVS1以上であれ
ば比較回路２５出力もＨレベルとなり、アンド回
路２６出力がＨレベルとなり信号処理回路２７を
介して出力回路６および動作表示回路７が作動さ
れるようになつている。而してこの従来例におい
ては判別制御手段５はPSD４から出力される信
号電流IA、IBを増巾した信号のレベル比の対数値
を演算してその演算値が所定の検知範囲か否かに
よつて被検知物体Ｘが検知エリア（DE）内にあ
るかどうかを判別して出力回路６を作動させてい
るので、被検知物体Ｘの光反射率に関係なく検知
エリア（DE）を設定でき、さらに投、受光用光
学系１３，３の汚れや光軸のずれの影響を受ける
ことがないようになつている。ところで、このよ
うな従来例において、対数増巾回路２２ｂ出力
lnVBと余裕判別用の基準レベルVS2とを比較する
比較回路４５と、信号処理回路４６と、余裕表示
回路４７とよりなる前記従来例と同様の余裕判別
表示手段５０を設けた場合、余裕表示回路４７の
動作時点が出力回路６の動作時点と異なるため違
和感があるという問題があつた。すなわち、比較
回路２５の基準レベルVS1は受光回路２１ａ，２
１ｂおよび対数増巾回路２２ａ，２２ｂの増巾
率、ダイナミツクレンジなどを考慮した投光、受
光レベルの許容最低値に基いて設定されており、
比較回路４５の基準レベルVS2は投光、受光レベ
ルが多少低下しても誤動作しないように基準レベ
ルVS1よりも高く設定されている。したがつて、
比較回路４５出力が得られて余裕表示回路４７が
動作しているときには対数増巾回路２２ｂ出力は
一定の余裕のある正常動作範囲になつており、多
少の投光、受光レベルの低下があつても物体検知
動作が誤動作なく安定に行なわれることになる。
ところで、投光、受光レベルが十分高く、余裕表
示回路４７が動作する場合において、余裕表示回
路４７の動作時点は第８図に示すようにＡ点であ
り、出力回路６および動作表示回路７の動作時点
はＢ点となり、余裕表示回路４７の余裕表示ラン
プは出力回路６および動作表示回路７の動作タイ
ミングと全く関係なく点灯し、余裕表示ランプの
点灯時点（Ａ点）が何を意味するのかわからず戸
惑うことがあるという問題があつた。例えば、被
検知物体Ｘが近づいてくる場合において、まず最
初に余裕表示回路４７の余裕表示ランプが点灯
し、その後出力回路６が動作して動作表示回路７
の動作表示ランプが点灯することになるが、余裕
表示ランプの点灯時点（Ａ点）が何の意味も持た
ないにも拘らず物体検知時点（Ｂ点）との関係が
わからないため戸惑いを生じるという問題があつ
た。
本発明は上記の点に鑑みて為されたものであ
り、その目的とするところは、余裕表示時点を出
力回路の動作時点に同期させることにより戸惑い
を生じないようにした光電スイツチを提供するこ
とにある。
り、その目的とするところは、余裕表示時点を出
力回路の動作時点に同期させることにより戸惑い
を生じないようにした光電スイツチを提供するこ
とにある。
第９図は本発明一実施例を示すもので、第３図
乃至第５図従来例と同様の光電スイツチにおい
て、余裕表示手段５２内に信号処理回路２７，４
６出力の論理積をとるアンド回路４８を設け、ア
ンド回路４８出力にて余裕表示回路４７を制御す
るようにしたものであり、余裕判定手段５１から
余裕信号が得られかつ出力回路６が作動されたと
き余裕表示回路４７を動作させて余裕表示ランプ
を点灯するようになつている。
乃至第５図従来例と同様の光電スイツチにおい
て、余裕表示手段５２内に信号処理回路２７，４
６出力の論理積をとるアンド回路４８を設け、ア
ンド回路４８出力にて余裕表示回路４７を制御す
るようにしたものであり、余裕判定手段５１から
余裕信号が得られかつ出力回路６が作動されたと
き余裕表示回路４７を動作させて余裕表示ランプ
を点灯するようになつている。
第１０図は余裕表示動作を示す図であり、い
ま、投光、受光レベルが十分大きい場合におい
て、第１０図ａに示すようにＡ点で対数増巾回路
２２ｂ出力lnVBが基準レベルVS2よりも大きくな
つて余裕判定手段５１の信号処理回路４６から余
裕信号（Ｈレベル）が出力されることになるが、
この時点では判別制御手段５の信号処理回路２７
から物体検知信号（Ｈレベル）が出力されていな
いので、アンド回路４８出力はＬレベルのままで
あり余裕表示回路４７は動作されず余裕表示ラン
プは消灯している。次に、Ｂ点で減算回路２３出
力lnVA／VBが比較回路２４の基準レベルVSよりも小 さくなつて信号処理回路２７から物体検知信号
（Ｈレベル）が出力されると、出力回路６および
動作表示回路７が動作するとともに、アンド回路
４８出力がＨレベルになつて余裕表示回路４７が
動作して余裕表示ランプが点灯し、物体検知動作
が安定に行なわれていることを表示する。このよ
うに本発明にあつては余裕表示回路４７の動作時
点を出力回路６の動作時点に同期させているの
で、従来例のように余裕表示ランプの点灯による
戸惑いが生じないことになる。一方、光学系の汚
れや光軸のずれなどによつて投光、受光レベルが
小さくなつた場合には、第１０図ｂに示すように
Ｂ点で信号処理回路２７から物体検知信号が出力
されて出力回路６および動作表示回路７が動作す
ることになるが、この時点で対数増巾回路２２ｂ
出力lnVBが比較回路４５の基準レベルVS2以下で
あるので、信号処理回路４６から余裕信号が出力
されずアンド回路４８出力はＬレベルとなり余裕
回路４７は動作しない。したがつて、管理者は動
作表示回路７の動作表示ランプが点灯しているに
も拘らず余裕表示回路４７の余裕表示ランプが点
灯しなくなつたことにより、光学系の汚れ、光軸
のずれなどによつて投光、受光レベルが低下して
不安定動作領域になつていることを知り、光学系
の清掃、光軸合せなどの保守点検を行なうことに
なる。なお、対数増巾回路２２ｂ出力lnVBが比
較回路２５の基準レベルVS1よりも小さくなれば
出力回路６、動作表示回路７および余裕表示回路
４７は全て動作しないことになる。
ま、投光、受光レベルが十分大きい場合におい
て、第１０図ａに示すようにＡ点で対数増巾回路
２２ｂ出力lnVBが基準レベルVS2よりも大きくな
つて余裕判定手段５１の信号処理回路４６から余
裕信号（Ｈレベル）が出力されることになるが、
この時点では判別制御手段５の信号処理回路２７
から物体検知信号（Ｈレベル）が出力されていな
いので、アンド回路４８出力はＬレベルのままで
あり余裕表示回路４７は動作されず余裕表示ラン
プは消灯している。次に、Ｂ点で減算回路２３出
力lnVA／VBが比較回路２４の基準レベルVSよりも小 さくなつて信号処理回路２７から物体検知信号
（Ｈレベル）が出力されると、出力回路６および
動作表示回路７が動作するとともに、アンド回路
４８出力がＨレベルになつて余裕表示回路４７が
動作して余裕表示ランプが点灯し、物体検知動作
が安定に行なわれていることを表示する。このよ
うに本発明にあつては余裕表示回路４７の動作時
点を出力回路６の動作時点に同期させているの
で、従来例のように余裕表示ランプの点灯による
戸惑いが生じないことになる。一方、光学系の汚
れや光軸のずれなどによつて投光、受光レベルが
小さくなつた場合には、第１０図ｂに示すように
Ｂ点で信号処理回路２７から物体検知信号が出力
されて出力回路６および動作表示回路７が動作す
ることになるが、この時点で対数増巾回路２２ｂ
出力lnVBが比較回路４５の基準レベルVS2以下で
あるので、信号処理回路４６から余裕信号が出力
されずアンド回路４８出力はＬレベルとなり余裕
回路４７は動作しない。したがつて、管理者は動
作表示回路７の動作表示ランプが点灯しているに
も拘らず余裕表示回路４７の余裕表示ランプが点
灯しなくなつたことにより、光学系の汚れ、光軸
のずれなどによつて投光、受光レベルが低下して
不安定動作領域になつていることを知り、光学系
の清掃、光軸合せなどの保守点検を行なうことに
なる。なお、対数増巾回路２２ｂ出力lnVBが比
較回路２５の基準レベルVS1よりも小さくなれば
出力回路６、動作表示回路７および余裕表示回路
４７は全て動作しないことになる。
本発明は上述のように構成されており、検知信
号レベルが予め設定された余裕判定用の基準レベ
ルよりも大きいとき余裕信号を出力する余裕判定
手段を設けるとともに、余裕信号が得られかつ出
力回路が作動されたとき余裕表示回路を動作させ
る余裕表示手段を設けたものであり、余裕表示時
点を出力回路の動作時点と同期させているので、
従来例のように余裕表示ランプの点灯が何を意味
するかわからずに戸惑うことがないという効果が
ある。
号レベルが予め設定された余裕判定用の基準レベ
ルよりも大きいとき余裕信号を出力する余裕判定
手段を設けるとともに、余裕信号が得られかつ出
力回路が作動されたとき余裕表示回路を動作させ
る余裕表示手段を設けたものであり、余裕表示時
点を出力回路の動作時点と同期させているので、
従来例のように余裕表示ランプの点灯が何を意味
するかわからずに戸惑うことがないという効果が
ある。
第１図は一従来例のブロツク図、第２図は同上
の動作説明図、第３図は他の従来例の概略構成を
示す図、第４図は同上のブロツク回路図、第５図
乃至第８図は同上の動作説明図、第９図は本発明
一実施例のブロツク回路図、第１０図および第１
１図は同上の動作説明図である。 １は投光手段、３は集光手段、４は位置検出手
段、５は判別制御手段、６は出力回路、５１は余
裕判定手段、５２は余裕表示手段である。
の動作説明図、第３図は他の従来例の概略構成を
示す図、第４図は同上のブロツク回路図、第５図
乃至第８図は同上の動作説明図、第９図は本発明
一実施例のブロツク回路図、第１０図および第１
１図は同上の動作説明図である。 １は投光手段、３は集光手段、４は位置検出手
段、５は判別制御手段、６は出力回路、５１は余
裕判定手段、５２は余裕表示手段である。
Claims (1)
- １ 被検知物体に対して光ビームを投光する投光
手段と、投光手段の側方に所定間隔をもつて配設
され、被検知物体による光ビームの反射光を集光
する集光手段と、集光手段の集光面に配設され集
光スポツトの一方向の移動に際して光量に比例し
かつその移動量に応じて変化する２種の検知信号
を出力する位置検出手段と、両検知信号のレベル
比が予め設定された検知範囲かどうかを比較判別
して該検知範囲内のとき出力回路を作動させる判
別制御手段とよりなる光電スイツチにおいて、検
知信号レベルが予め設定された余裕判定用の基準
レベルよりも大きいとき余裕信号を出力する余裕
判定手段を設けるとともに、余裕信号が得られか
つ出力回路が作動されたとき余裕表示回路を動作
させる余裕表示手段を設けたことを特徴とする光
電スイツチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59032794A JPS60177281A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | 光電スイツチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59032794A JPS60177281A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | 光電スイツチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60177281A JPS60177281A (ja) | 1985-09-11 |
| JPH0327076B2 true JPH0327076B2 (ja) | 1991-04-12 |
Family
ID=12368753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59032794A Granted JPS60177281A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | 光電スイツチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60177281A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2723647B2 (ja) * | 1990-03-28 | 1998-03-09 | 甲府日本電気株式会社 | 光学的センサのチェック回路 |
| JP2603549Y2 (ja) * | 1991-02-15 | 2000-03-15 | 松下電工株式会社 | 光電スイッチ |
| JP2515903Y2 (ja) * | 1992-08-31 | 1996-11-06 | サンクス株式会社 | 検出スイッチ装置 |
-
1984
- 1984-02-23 JP JP59032794A patent/JPS60177281A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60177281A (ja) | 1985-09-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |