JPH0332757B2 - - Google Patents
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- JPH0332757B2 JPH0332757B2 JP58014124A JP1412483A JPH0332757B2 JP H0332757 B2 JPH0332757 B2 JP H0332757B2 JP 58014124 A JP58014124 A JP 58014124A JP 1412483 A JP1412483 A JP 1412483A JP H0332757 B2 JPH0332757 B2 JP H0332757B2
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 20
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Optical Radar Systems And Details Thereof (AREA)
- Measurement Of Optical Distance (AREA)
- Switches Operated By Changes In Physical Conditions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は予め設定された検知エリア内に被検知
物体が存在するかどうかを判別して出力回路を制
御する反射型光電スイツチに関するものである。
物体が存在するかどうかを判別して出力回路を制
御する反射型光電スイツチに関するものである。
第１図および第２図はこの種の反射型光電スイ
ツチの基本例を示すもので、図中１は被検知物体
（Ｘ）に対してパルス変調光よりなる光ビーム
（Ｐ）を投光する投光手段であり、投光タイミン
グを設定する同期信号を発生する発振回路１０
と、ドライブ回路１１と、発光ダイオード、レー
ザーダイオードなどの投光素子１２と、光ビーム
（Ｐ）を形成するコンデンサレンズよりなる投光
用光学系１３とで形成されている。２は投光手段
１から所定間隔l0をもつて並置さされた受光手段
であり、投、受光手段１，２は被検知物体（Ｘ）
に対して三角測量的に配置されている。この受光
手段２は被検知物体（Ｘ）による反射光を集光す
るための凸レンズよりなる受光用光学系３と、受
光用光学系３の集光面に配設され、集光スポツト
（Ｓ）の位置に対応した位置信号を出力する位置
検出手段４とで構成されており、この位置検出手
段４は、受光用光学系３の集光面内に配置され集
光スポツト（Ｓ）の移動方向（矢印Ｍ）に連設さ
れた２個の受光素子２０ａ，２０ｂにて形成され
ている。この受光素子２０ａ，２０ｂとしてはホ
トトランジスタ、ホトダイオード、太陽電池、
CdSなどが用いられる。５は判別制御手段であ
り、位置検出手段４出力に基いて被検知物体
（Ｘ）が所定の検知エリア（DE）内に存在するか
どうかを判別して出力回路６を制御するようにな
つている。この判別制御手段５は、受光素子２０
ａ，２０ｂからの出力電流IA、IBを信号電圧VA、
VBに増巾変換する受光回路２１ａ，２１ｂと、
対数増巾回路２２ａ，２２ｂと、対数増巾回路２
２ａ出力logVAから対数増巾回路２２ｂ出力
logVBを減算する減算回路２３と、減算回路２３
出力logVA／VBと検知エリア設定ボリウム（VR）
にて設定された動作レベルVSとを比較して減算
回路２３出力logVA／VBが動作レベルVS以下の
ときＨレベルを出力する比較回路２４と、投光素
子１２からの光ビーム（Ｐ）の投光タイミング
（発振回路１０から出力される同期信号）に同期
して比較回路２４出力をサンプリングすることに
より、被検知物体（Ｘ）が検知エリア（DE）内
に存在するかどうかを確実に判別するようにした
信号処理回路２５とで形成され、信号処理回路２
５出力にて負荷制御用のリレー、負荷制御用の半
導体スイツチ素子などよりなる出力回路６を制御
するようになつている。なお、受光回路２１ａ，
２１ｂはパルス光信号のみを通し直流信号をカツ
トしたり、特定の周波数のみを通すバンドパスフ
イルタ回路を含むものである。
ツチの基本例を示すもので、図中１は被検知物体
（Ｘ）に対してパルス変調光よりなる光ビーム
（Ｐ）を投光する投光手段であり、投光タイミン
グを設定する同期信号を発生する発振回路１０
と、ドライブ回路１１と、発光ダイオード、レー
ザーダイオードなどの投光素子１２と、光ビーム
（Ｐ）を形成するコンデンサレンズよりなる投光
用光学系１３とで形成されている。２は投光手段
１から所定間隔l0をもつて並置さされた受光手段
であり、投、受光手段１，２は被検知物体（Ｘ）
に対して三角測量的に配置されている。この受光
手段２は被検知物体（Ｘ）による反射光を集光す
るための凸レンズよりなる受光用光学系３と、受
光用光学系３の集光面に配設され、集光スポツト
（Ｓ）の位置に対応した位置信号を出力する位置
検出手段４とで構成されており、この位置検出手
段４は、受光用光学系３の集光面内に配置され集
光スポツト（Ｓ）の移動方向（矢印Ｍ）に連設さ
れた２個の受光素子２０ａ，２０ｂにて形成され
ている。この受光素子２０ａ，２０ｂとしてはホ
トトランジスタ、ホトダイオード、太陽電池、
CdSなどが用いられる。５は判別制御手段であ
り、位置検出手段４出力に基いて被検知物体
（Ｘ）が所定の検知エリア（DE）内に存在するか
どうかを判別して出力回路６を制御するようにな
つている。この判別制御手段５は、受光素子２０
ａ，２０ｂからの出力電流IA、IBを信号電圧VA、
VBに増巾変換する受光回路２１ａ，２１ｂと、
対数増巾回路２２ａ，２２ｂと、対数増巾回路２
２ａ出力logVAから対数増巾回路２２ｂ出力
logVBを減算する減算回路２３と、減算回路２３
出力logVA／VBと検知エリア設定ボリウム（VR）
にて設定された動作レベルVSとを比較して減算
回路２３出力logVA／VBが動作レベルVS以下の
ときＨレベルを出力する比較回路２４と、投光素
子１２からの光ビーム（Ｐ）の投光タイミング
（発振回路１０から出力される同期信号）に同期
して比較回路２４出力をサンプリングすることに
より、被検知物体（Ｘ）が検知エリア（DE）内
に存在するかどうかを確実に判別するようにした
信号処理回路２５とで形成され、信号処理回路２
５出力にて負荷制御用のリレー、負荷制御用の半
導体スイツチ素子などよりなる出力回路６を制御
するようになつている。なお、受光回路２１ａ，
２１ｂはパルス光信号のみを通し直流信号をカツ
トしたり、特定の周波数のみを通すバンドパスフ
イルタ回路を含むものである。
いま、被検知物体（Ｘ）が第３図ａに示すよう
に反射型光電スイツチ（Ｙ）から距離la、lb、lc
の位置ａ、ｂ、ｃに存在する場合において、集光
面内に配設された受光素子２０ａ，２０ｂに対す
る集光スポツト（Ｓ）の位置はそれぞれ第３図ｂ
のようになり、被検知物体（Ｘ）が光ビーム
（Ｐ）の投光方向に移動すると、集光ビーム（Ｓ）
が矢印Ｍ方向に移動して受光素子２０ａ，２０ｂ
に入射する光量の比率が変化することになり、受
光素子２０ａ，２０ｂの出力電流IA、IBは集光ス
ポツト（Ｓ）の位置に対応した位置信号となる。
判別制御手段５では、受光回路２１ａ，２１ｂに
てこの電流IA、IBに比例した電圧VA，VBを形成
し、対数増巾回路２２ａ，２２ｂにて対数増巾し
た電圧logVA、logVBを減算回路２３にて減算す
ることにより、減算回路２３から受光素子２０
ａ，２０ｂに入射する光量の比率の対数値
logVA／VBが出力されることになる。この減算回
路２３出力logVA／VBは被検知物体（Ｘ）の移動
に応じて変化し、反射型光量スイツチ（Ｙ）から
被検知物体（Ｘ）までの距離ｌに対する減算回路
２３出力logVA／VBは第４図に示すようになる。
したがつて、比較回路２４の検知エリア設定ボリ
ウム（VR）にて動作レベル（VS）を適当に設定
することにより、正確な検知エリア（DE）が容
易に設定でき、減算回路２３出力logVA／VBが動
作レベルVS以上となつたとき比較回路２４出力
がＨレベルとなり、信号処理回路２５を介して出
力回路６が作動される。この場合、判別制御手段
５は、受光素子２０ａ，２０ｂ出力のレベル比を
演算し、そのレベル比が予め設定された動作レベ
ルVSのとき出力回路６を作動させるようになつ
ており、被検知物体（Ｘ）による反射光（Ｒ）の
レベルと関係なく検知エリア（DE）が設定され
るようになつているので、検知エリア（DE）の
後方に存在する光反射率の大きい物体による誤動
作が防止できるとともに、被検知物体（Ｘ）の光
反射率に関係なく検知エリア（DE）を設定でき、
さらに投、受光用光学系１３，３の汚れの影響を
受けることがないようになつている。
に反射型光電スイツチ（Ｙ）から距離la、lb、lc
の位置ａ、ｂ、ｃに存在する場合において、集光
面内に配設された受光素子２０ａ，２０ｂに対す
る集光スポツト（Ｓ）の位置はそれぞれ第３図ｂ
のようになり、被検知物体（Ｘ）が光ビーム
（Ｐ）の投光方向に移動すると、集光ビーム（Ｓ）
が矢印Ｍ方向に移動して受光素子２０ａ，２０ｂ
に入射する光量の比率が変化することになり、受
光素子２０ａ，２０ｂの出力電流IA、IBは集光ス
ポツト（Ｓ）の位置に対応した位置信号となる。
判別制御手段５では、受光回路２１ａ，２１ｂに
てこの電流IA、IBに比例した電圧VA，VBを形成
し、対数増巾回路２２ａ，２２ｂにて対数増巾し
た電圧logVA、logVBを減算回路２３にて減算す
ることにより、減算回路２３から受光素子２０
ａ，２０ｂに入射する光量の比率の対数値
logVA／VBが出力されることになる。この減算回
路２３出力logVA／VBは被検知物体（Ｘ）の移動
に応じて変化し、反射型光量スイツチ（Ｙ）から
被検知物体（Ｘ）までの距離ｌに対する減算回路
２３出力logVA／VBは第４図に示すようになる。
したがつて、比較回路２４の検知エリア設定ボリ
ウム（VR）にて動作レベル（VS）を適当に設定
することにより、正確な検知エリア（DE）が容
易に設定でき、減算回路２３出力logVA／VBが動
作レベルVS以上となつたとき比較回路２４出力
がＨレベルとなり、信号処理回路２５を介して出
力回路６が作動される。この場合、判別制御手段
５は、受光素子２０ａ，２０ｂ出力のレベル比を
演算し、そのレベル比が予め設定された動作レベ
ルVSのとき出力回路６を作動させるようになつ
ており、被検知物体（Ｘ）による反射光（Ｒ）の
レベルと関係なく検知エリア（DE）が設定され
るようになつているので、検知エリア（DE）の
後方に存在する光反射率の大きい物体による誤動
作が防止できるとともに、被検知物体（Ｘ）の光
反射率に関係なく検知エリア（DE）を設定でき、
さらに投、受光用光学系１３，３の汚れの影響を
受けることがないようになつている。
ところで、このような基本例において、分解能
すなわち検知エリア（DE）の設定精度が反射型
光電スイツチ（Ｙ）から被検知物体（Ｘ）までの
距離（ｌ）によつて異なり、被検知物体（Ｘ）が
遠くなるほど分解能が悪くなるという問題があつ
た。つまり、集光スポツト（Ｓ）は受光素子２０
ａ，２０ｂ上を被検知物体（Ｘ）の移動に応じて
矢印Ｍ方向に移動するが、この集光スポツト
（Ｓ）の移動距離ｘはｘ＝ｆ・lo／ｌ＝ｋ／ｌとなり被 検知物体（Ｘ）までの距離ｌに逆比例する。
すなわち検知エリア（DE）の設定精度が反射型
光電スイツチ（Ｙ）から被検知物体（Ｘ）までの
距離（ｌ）によつて異なり、被検知物体（Ｘ）が
遠くなるほど分解能が悪くなるという問題があつ
た。つまり、集光スポツト（Ｓ）は受光素子２０
ａ，２０ｂ上を被検知物体（Ｘ）の移動に応じて
矢印Ｍ方向に移動するが、この集光スポツト
（Ｓ）の移動距離ｘはｘ＝ｆ・lo／ｌ＝ｋ／ｌとなり被 検知物体（Ｘ）までの距離ｌに逆比例する。
但しｆは受光用光学系３と受光素子２０ａ，２
０ｂとの間隔であり、ｆ・loは定数ｋである。上
式から明らかなように、集光スポツト（Ｓ）の移
動距離ｘは距離ｌが大きくなるほど小さくなり、
分解能が悪くなるわけである。また、被検知物体
（Ｘ）が近い場合と遠い場合とにおける受光素子
２０ａ，２０ｂへの入射光が大巾に異なり、判別
制御手段５が誤動作する場合があるという問題が
あつた。すなわち、受光素子２０ａ，２０ｂへ入
射する被検知物体（Ｘ）による反射光（Ｒ）の受
光量は距離ｌの２乗に反比例するので、距離ｌが
30mm〜300mmの範囲で変化すれば受光素子２０ａ，
２０ｂへの入射光量は102程度変化する。一方、
被検知物体（Ｘ）の光反射率を加味すれば、受光
素子２０ａ，２０ｂへの入射光量の変化範囲は
105程度となるが、判別制御手段５のダイナミツ
クレンジをあまり大きくとることができないの
で、検知エリア（DE）を近距離から遠距離まで
広い範囲に亘つて設定することができないという
問題があつた。
０ｂとの間隔であり、ｆ・loは定数ｋである。上
式から明らかなように、集光スポツト（Ｓ）の移
動距離ｘは距離ｌが大きくなるほど小さくなり、
分解能が悪くなるわけである。また、被検知物体
（Ｘ）が近い場合と遠い場合とにおける受光素子
２０ａ，２０ｂへの入射光が大巾に異なり、判別
制御手段５が誤動作する場合があるという問題が
あつた。すなわち、受光素子２０ａ，２０ｂへ入
射する被検知物体（Ｘ）による反射光（Ｒ）の受
光量は距離ｌの２乗に反比例するので、距離ｌが
30mm〜300mmの範囲で変化すれば受光素子２０ａ，
２０ｂへの入射光量は102程度変化する。一方、
被検知物体（Ｘ）の光反射率を加味すれば、受光
素子２０ａ，２０ｂへの入射光量の変化範囲は
105程度となるが、判別制御手段５のダイナミツ
クレンジをあまり大きくとることができないの
で、検知エリア（DE）を近距離から遠距離まで
広い範囲に亘つて設定することができないという
問題があつた。
本発明は上記の点に鑑みて為されたものであ
り、投、受光手段を被検知物体に対して三角測量
的に配置し、受光用光学系の集光面に配設された
位置検出手段にて集光スポツトの位置に対応した
位置信号に基いて被検知物体が所定の検知エリア
内に存在するかどうかを判別して出力回路を制御
するようにした反射型光電スイツチにおいて、検
知エリアを近距離から遠距離までの広い範囲に亘
つて設定可能にすることを目的とするものであ
る。
り、投、受光手段を被検知物体に対して三角測量
的に配置し、受光用光学系の集光面に配設された
位置検出手段にて集光スポツトの位置に対応した
位置信号に基いて被検知物体が所定の検知エリア
内に存在するかどうかを判別して出力回路を制御
するようにした反射型光電スイツチにおいて、検
知エリアを近距離から遠距離までの広い範囲に亘
つて設定可能にすることを目的とするものであ
る。
実施例 １
第５図は第１発明の一実施例を示すもので、前
記第１図および第２図に示す基本例における位置
検出手段４に代えて、受光素子２０ａ，２０ｂを
集光スポツト（Ｓ）の移動方向（矢印Ｍ）と直角
方向に連設した位置検出手段４ａを用いたもので
あり、受光素子２０ａ，２０ｂの境介線(E)は集光
スポツト（Ｓ）の軌跡内に位置し、被検知物体
（Ｘ）が移動して集光スポツト（Ｓ）が矢印Ｍ方
向に移動した場合における両受光素子２０ａ，２
０ｂの受光面積差が連続的に変化するように上記
境介線(E)を集光スポツト（Ｓ）の移動方向（矢印
Ｍ）と直角方向に適当に変位させるようにしてあ
る。ここに、境介線(E)の変位量は距離ｌが変化し
た場合における集光スポツト（Ｓ）の移動距離ｘ
に対する両受光素子２０ａ，２０ｂの受光面積比
の変化量が略一定になるように設定され、被検知
物体（Ｘ）が近い（例えば第３図ａの位置）場合
における両受光素子２０ａ，２０ｂの受光面積比
を小さく、遠くなるに従つて（例えば第３図ａの
位置ｂ、ｃ）、両受光素子２０ａ，２０ｂの受光
面積比が徐々に大きくなるように設定してある。
すなわち、集光スポツト（Ｓ）の移動距離ｘは前
述のようにｘ＝ｋ／ｌとなり、これをグラフで示す と第６図のようになる。ところで、集光スポツト
（Ｓ）の移動距離ｘが小さい部分での受光素子２
０ａ，２０ｂ出力のレベル比を大きくして等分解
能を実現するには、この曲線ｘ＝ｋ／ｌをキヤンセ ルするような曲線ｘ＝−ｋ／Ｒ−2mに基いて受光素子 ２０ａ，２０ｂの面積を変化させれば良いことに
なる。
記第１図および第２図に示す基本例における位置
検出手段４に代えて、受光素子２０ａ，２０ｂを
集光スポツト（Ｓ）の移動方向（矢印Ｍ）と直角
方向に連設した位置検出手段４ａを用いたもので
あり、受光素子２０ａ，２０ｂの境介線(E)は集光
スポツト（Ｓ）の軌跡内に位置し、被検知物体
（Ｘ）が移動して集光スポツト（Ｓ）が矢印Ｍ方
向に移動した場合における両受光素子２０ａ，２
０ｂの受光面積差が連続的に変化するように上記
境介線(E)を集光スポツト（Ｓ）の移動方向（矢印
Ｍ）と直角方向に適当に変位させるようにしてあ
る。ここに、境介線(E)の変位量は距離ｌが変化し
た場合における集光スポツト（Ｓ）の移動距離ｘ
に対する両受光素子２０ａ，２０ｂの受光面積比
の変化量が略一定になるように設定され、被検知
物体（Ｘ）が近い（例えば第３図ａの位置）場合
における両受光素子２０ａ，２０ｂの受光面積比
を小さく、遠くなるに従つて（例えば第３図ａの
位置ｂ、ｃ）、両受光素子２０ａ，２０ｂの受光
面積比が徐々に大きくなるように設定してある。
すなわち、集光スポツト（Ｓ）の移動距離ｘは前
述のようにｘ＝ｋ／ｌとなり、これをグラフで示す と第６図のようになる。ところで、集光スポツト
（Ｓ）の移動距離ｘが小さい部分での受光素子２
０ａ，２０ｂ出力のレベル比を大きくして等分解
能を実現するには、この曲線ｘ＝ｋ／ｌをキヤンセ ルするような曲線ｘ＝−ｋ／Ｒ−2mに基いて受光素子 ２０ａ，２０ｂの面積を変化させれば良いことに
なる。
（第１発明の効果）
以上のように、第１発明は受光用光学系の集光
面内に配設され、被検知物体が光ビームの投光方
向に移動した場合における集光スポツトの移動方
向と直角方向に連設された２個の受光素子にて位
置検出手段を構成するとともに、両受光素子出力
のレベル比が予め設定された動作レベルのとき出
力回路を作動させるように判別制御手段を構成
し、集光スポツトの軌跡内に両受光素子の境介線
位置させるとともに被検知物体が移動して集光ス
ポツトが移動した場合における移動距離に対する
両受光素子の受光面積比の変化量が略一定となる
ように上記境介線を集光スポツトの移動方向と直
角方向に適当に変位させるようにしたものであ
り、被検知物体までの距離が大きくなつても分解
能が悪くならないようにすることができ、検知エ
リアを近距離から遠距離までの広い範囲に亘つて
正確に設定できるという利点を有するものであ
る。
面内に配設され、被検知物体が光ビームの投光方
向に移動した場合における集光スポツトの移動方
向と直角方向に連設された２個の受光素子にて位
置検出手段を構成するとともに、両受光素子出力
のレベル比が予め設定された動作レベルのとき出
力回路を作動させるように判別制御手段を構成
し、集光スポツトの軌跡内に両受光素子の境介線
位置させるとともに被検知物体が移動して集光ス
ポツトが移動した場合における移動距離に対する
両受光素子の受光面積比の変化量が略一定となる
ように上記境介線を集光スポツトの移動方向と直
角方向に適当に変位させるようにしたものであ
り、被検知物体までの距離が大きくなつても分解
能が悪くならないようにすることができ、検知エ
リアを近距離から遠距離までの広い範囲に亘つて
正確に設定できるという利点を有するものであ
る。
実施例 ２
第７図は第２発明の一実施例を示すもので、前
記第１図および第２図に示す基本例における位置
検出手段４と同様に、受光素子２０ａ，２０ｂを
集光スポツト（Ｓ）の移動方向（矢印Ｍ）に連設
した位置検出手段４ｂを用いたものであり、被検
知物体（Ｘ）が近ずく方向に移動した場合におけ
る集光スポツト（Ｓ）の移動により両受光素子２
０ａ，２０ｂの受光面積が小さくなるようにする
受光制御手段を設けてある。第７図ａでは受光素
子２０ａ，２０ｂの表面にマスク３０を被着する
ことにより集光スポツト（Ｓ）の移動距離ｘに対
して所定の受光面積が得られるようにし、第７図
ｂ，ｃではそれぞれ受光素子２０ａ，２０ｂを端
部が切欠３１された形状に成形して所定の受光面
積が得られるようにしたものである。
記第１図および第２図に示す基本例における位置
検出手段４と同様に、受光素子２０ａ，２０ｂを
集光スポツト（Ｓ）の移動方向（矢印Ｍ）に連設
した位置検出手段４ｂを用いたものであり、被検
知物体（Ｘ）が近ずく方向に移動した場合におけ
る集光スポツト（Ｓ）の移動により両受光素子２
０ａ，２０ｂの受光面積が小さくなるようにする
受光制御手段を設けてある。第７図ａでは受光素
子２０ａ，２０ｂの表面にマスク３０を被着する
ことにより集光スポツト（Ｓ）の移動距離ｘに対
して所定の受光面積が得られるようにし、第７図
ｂ，ｃではそれぞれ受光素子２０ａ，２０ｂを端
部が切欠３１された形状に成形して所定の受光面
積が得られるようにしたものである。
いま、実施例２にあつては、集光スポツト
（Ｓ）の移動距離ｘに対する受光面積の変化によ
る受光量の補正は、被検知物体（Ｘ）が近い場合
の集光スポツト（Ｓ）に対する受光面積を小さく
するとともに、被検知物体（Ｘ）が遠い場合にお
ける受光面積を大きくすることにより行なつてお
り、距離ｌの変化による受光素子２０ａ，２０ｂ
の受光量差が小さくなるので、判別制御手段５の
受光回路２１ａ，２１ｂ、対数増巾回路２２ａ，
２２ｂなどのダイナミツクレンジが小さい場合に
あつても検知エリア（DE）を近距離から遠距離
までの広い範囲に亘つて設定可能となる。ここ
に、受光面積の変化は１／l2の曲線と直線mを対称軸 として対称な１／（ｌ−2m）2の曲線に基いて変化さ せれば、距離ｌによる受光量の変化をほぼキヤン
セルできることになる。
（Ｓ）の移動距離ｘに対する受光面積の変化によ
る受光量の補正は、被検知物体（Ｘ）が近い場合
の集光スポツト（Ｓ）に対する受光面積を小さく
するとともに、被検知物体（Ｘ）が遠い場合にお
ける受光面積を大きくすることにより行なつてお
り、距離ｌの変化による受光素子２０ａ，２０ｂ
の受光量差が小さくなるので、判別制御手段５の
受光回路２１ａ，２１ｂ、対数増巾回路２２ａ，
２２ｂなどのダイナミツクレンジが小さい場合に
あつても検知エリア（DE）を近距離から遠距離
までの広い範囲に亘つて設定可能となる。ここ
に、受光面積の変化は１／l2の曲線と直線mを対称軸 として対称な１／（ｌ−2m）2の曲線に基いて変化さ せれば、距離ｌによる受光量の変化をほぼキヤン
セルできることになる。
（第２発明の効果）
以上のように第２発明は、受光用光学系の集光
面内に配設され、被検知物体が光ビームの投光方
向に移動した場合における集光スポツトの移動方
向に連設された２個の受光素子にて位置検出手段
を構成するとともに、両受光素子出力のレベル比
が予め設定された動作レベルのとき出力回路を作
動させるように判別制御手段を構成し、被検知物
体が近ずく方向に移動した場合における集光スポ
ツトの移動により両受光素子の受光面積が小さく
なるようにする受光制限手段を設けたものであ
り、被検知物体が近ずくにしたがつて受光素子の
受光量が少なくなるようにして被検知物体までの
距離ｌの変化による受光素子の受光量差が小さく
なるので、判別制御手段のダイナミツクレンジが
小さい場合にあつても検知エリアを近距離から遠
距離までの広い範囲に亘つて設定することができ
るという利点を有する。
面内に配設され、被検知物体が光ビームの投光方
向に移動した場合における集光スポツトの移動方
向に連設された２個の受光素子にて位置検出手段
を構成するとともに、両受光素子出力のレベル比
が予め設定された動作レベルのとき出力回路を作
動させるように判別制御手段を構成し、被検知物
体が近ずく方向に移動した場合における集光スポ
ツトの移動により両受光素子の受光面積が小さく
なるようにする受光制限手段を設けたものであ
り、被検知物体が近ずくにしたがつて受光素子の
受光量が少なくなるようにして被検知物体までの
距離ｌの変化による受光素子の受光量差が小さく
なるので、判別制御手段のダイナミツクレンジが
小さい場合にあつても検知エリアを近距離から遠
距離までの広い範囲に亘つて設定することができ
るという利点を有する。
第１図は本発明に係る基本例の構成を示す図、
第２図は同上のブロツク回路図、第３図および第
４図は同上の動作説明図、第５図は本発明一実施
例の動作および構成を示す要部上面図、第６図は
同上の動作説明図、第７図ａ，ｂ，ｃは他の実施
例の要部上面図、第８図は同上の動作説明図であ
る。 １は投光手段、２は受光手段、３は受光用光学
系、４は位置検出手段、５は判別制御手段、６は
出力回路、２０ａ，２０ｂは受光素子である。
第２図は同上のブロツク回路図、第３図および第
４図は同上の動作説明図、第５図は本発明一実施
例の動作および構成を示す要部上面図、第６図は
同上の動作説明図、第７図ａ，ｂ，ｃは他の実施
例の要部上面図、第８図は同上の動作説明図であ
る。 １は投光手段、２は受光手段、３は受光用光学
系、４は位置検出手段、５は判別制御手段、６は
出力回路、２０ａ，２０ｂは受光素子である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 被検知物体に対して光ビームを投光する投光
手段と、投光手段から所定間隔をもつて配置され
光軸が光ビームと交叉し被検知物体による光ビー
ムの反射光を集光する受光用光学系と、受光用光
学系の集光面に配設され集光スポツトの位置に対
応した位置信号を出力する位置検出手段と、位置
検出手段出力に基いて被検知物体が所定検知エリ
ア内に存在するかどうかを判別して出力回路を制
御する判別制御手段とを具備して成る反射型光電
スイツチにおいて、受光用光学系の集光面内に配
設され、被検知物体が光ビームの投光方向に移動
した場合における集光スポツトの移動方向と直角
方向に連設された２個の受光素子にて位置検出手
段を構成するとともに、両受光素子出力のレベル
比が予め設定された動作レベルのとき出力回路を
作動させるように判別制御手段を構成し、集光ス
ポツトの軌跡内に両受光素子の境介線を位置させ
るとともに被検知物体が移動して集光スポツトが
移動した場合における移動距離に対する両受光素
子の受光面積比の変化量が略一定となるように上
記境介線を集光スポツトの移動方向と直角方向に
適当に変位させるようにして成ることを特徴とす
る反射型光電スイツチ。 ２ 被検知物体に対して光ビームを投光する投光
手段と、投光手段から所定間隔をもつて配設され
光軸が光ビームと交叉し被検知物体による光ビー
ムの反射光を集光する受光用光学系と、受光用光
学系の集光面に配設され集光スポツトの位置に対
応した位置信号を出力する位置検出手段と、位置
検出手段出力に基いて被検知物体が所定検知エリ
ア内に存在するかどうかを判別して出力回路を制
御する判別制御手段とを具備して成る反射型光電
スイツチにおいて、受光用光学系の集光面内に配
設され、被検知物体が光ビームの投光方向に移動
した場合における集光スポツトの移動方向に連設
された２個の受光素子にて位置検出手段を構成す
るとともに、両受光素子出力のレベル比が予め設
定された動作レベルのとき出力回路を作動させる
ように判別制御手段を構成し、被検知物体が近づ
く方向に移動した場合における集光スポツトの移
動により両受光素子の受光面積が小さくなるよう
にする受光制限手段を設けたことを特徴とする反
射型光電スイツチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58014124A JPS59139519A (ja) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | 反射型光電スイツチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58014124A JPS59139519A (ja) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | 反射型光電スイツチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59139519A JPS59139519A (ja) | 1984-08-10 |
| JPH0332757B2 true JPH0332757B2 (ja) | 1991-05-14 |
Family
ID=11852372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58014124A Granted JPS59139519A (ja) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | 反射型光電スイツチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59139519A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61105477A (ja) * | 1984-10-29 | 1986-05-23 | Nec Corp | レ−ザ光警報装置 |
| JPS61204577A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-10 | Hitachi Cable Ltd | 反射型光センサ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4919810A (ja) * | 1972-04-15 | 1974-02-21 | ||
| JPS57172269A (en) * | 1981-04-17 | 1982-10-23 | Omron Tateisi Electronics Co | Limited reflection type photoelectric detector |
-
1983
- 1983-01-31 JP JP58014124A patent/JPS59139519A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4919810A (ja) * | 1972-04-15 | 1974-02-21 | ||
| JPS57172269A (en) * | 1981-04-17 | 1982-10-23 | Omron Tateisi Electronics Co | Limited reflection type photoelectric detector |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59139519A (ja) | 1984-08-10 |
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