JPS59201451A - リ−ドフレ−ム - Google Patents

リ−ドフレ−ム

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Publication number
JPS59201451A
JPS59201451A JP58075938A JP7593883A JPS59201451A JP S59201451 A JPS59201451 A JP S59201451A JP 58075938 A JP58075938 A JP 58075938A JP 7593883 A JP7593883 A JP 7593883A JP S59201451 A JPS59201451 A JP S59201451A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
island
solder
semiconductor element
lead frame
recessed part
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58075938A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshio Kubo
久保　良夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP58075938A priority Critical patent/JPS59201451A/ja
Publication of JPS59201451A publication Critical patent/JPS59201451A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/40—Leadframes
    • H10W70/411—Chip-supporting parts, e.g. die pads
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
    • H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Die Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 この発明は半導体装置組立に用いられるリードフレーム
に関する。
（ロ）従来技術 半導体素子は例えば、半田や金シリコン合金によってリ
ードフレームにボンディングされる。第１図はダイボン
ディングされる状態を示した断面図である。図において
１はリードフレーム、２は半導体素子、３は半導体素子
を吸着してリードフレーム１の所定箇所にダイボンディ
ングするコレットである。ダイボンディングされた半導
体素子とリードフレームとのあいだには前記半日または
金シリコン等のプリフォーム材が介在するが、このプリ
フォーム材は厚すぎても、また薄すぎても不都合を生じ
る。
例えば、プリフォーム材が厚すぎると熱抵抗が大きくな
るからパワートランジスタ等のように発熱量の多いもの
ではその特性上問題となる。一方、プリフォーム材が薄
すぎると半導体素子とリードフレームとの接着強度が弱
くなる等の問題が生じる。
そこで、従来は第１図に示したコレットにあたえる垂直
荷重を調節することによって、適宜のプリフォーム材の
厚さを得ている。
しかしながら、かがる手段ではプリフォーム材の厚みに
バラツキを生じやすいので、熱抵抗等がバラツクという
欠点がある。
（ハ）目的 この発明は半導体装置の熱抵抗等のバラツキを少なくで
きるリードフレームを提供することを目的としている。
（ニ）構成 この発明に係るリードフレームは、アイランド表面に深
さが２０〜５０μｍで、形状が半導体素子の大きさに関
連して定められる凹部を形成したことを特徴としている
。
（ホ）実施例 第２図はこの発明に係るリードフレームの一実施例の要
部を示す斜視図である。
同図はパワートランジスタ等に用いられるリードフレー
ム１０であって例えば銅板で形成される。
リードフレーム１０は半導体素子２０がグイボンディン
グされる部分であるアイランド１１及び複数のリード端
子１２よりなる。
アイランド１１の上部に開設されるネジ孔１２は、該半
導体装置を放熱板に取りつけるためのものである。１３
はアイランド１１の表面に設けられる凹部である。凹部
１３の深さは２０〜５０μｍであって、その形状は半導
体素子とこの凹部１３によって形成される間隙の面積が
半導体素子の面積の略半分以上と入るように定められる
。しかし、半導体素子が凹部にはまりこむ程、凹部１３
を大きくしてはいけない。
そして、好ましくは、凹部１３は、その一部が半導体素
子からはみ出るような形状にする。これは、グイボンデ
ィングの際に半導体素子２０と四部１３との間に、熱抵
抗を上げる一因である気泡が残らないようにするためで
ある。
第３図は第２図に示したリードフレームに半導体素子が
グイボンディングされた状態を示す説明図であり、同図
（イ）は半導体素子部分の平面図、同図（ロ）は（イ）
図におけるＡ−Ａ断面図である。同図において第２図と
同一部分は同一符号で示している。１４はプリフォーム
材である例えば半田である。この図からあきらかなよう
に、半田１４の厚みは凹部１３の深さに略等しくなる。
凹部１３の深さは、プリフォーム材の厚みが２０〜５０
μｍのときに熱抵抗、ダイボンディング強度等が最も妥
当な値となることにより定められている。
尚、リードフレームに設けられる凹部１３は第２図にし
めしたようなものに限られず、例えば第４図に示す如き
円形（同図（イ））又は四角形（同図（ロ））等であっ
てもよい。
（へ）効果 この発明は半導体素子が載置されるアイランド表面に深
さが２０〜５０μｍで、適宜の大きさの凹部を形成して
いるので、プリフォーム材の厚みが適宜で、且つ、その
バラツキも少ない。
従って、この発明によれば、半導体装置の熱抵抗等のバ
ラツキを少なくすることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図はグイボンディングされる状態を示した断面図、
第２図はこの発明に係るリードフレームの一実施例の要
部を示す斜視図、第３図は第２図に示したリードフレー
ムに半導体素子がグイボンディングされた状態を示す説
明図、第４図はこの発明のその他の実施例を示す説明図
である。 １０・・・リードフレーム、１１・・・アイランド、１
３・・・凹部、１４・・・半田、２０・・半導体素子。 特許出願人　　ローム株式会社 代理人　　弁理士　　大　西　孝　治

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）アイランド表面に深さが２０〜５０μｍで、形状
    が半導佛素子の大きさに関連して定められる凹部を形成
    したことを特徴とするリードフレーム。
JP58075938A 1983-04-28 1983-04-28 リ−ドフレ−ム Pending JPS59201451A (ja)

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JP58075938A JPS59201451A (ja) 1983-04-28 1983-04-28 リ−ドフレ−ム

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JP58075938A JPS59201451A (ja) 1983-04-28 1983-04-28 リ−ドフレ−ム

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JPS59201451A true JPS59201451A (ja) 1984-11-15

Family

ID=13590682

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58075938A Pending JPS59201451A (ja) 1983-04-28 1983-04-28 リ−ドフレ−ム

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0730295A3 (de) * 1995-02-28 1999-04-28 Siemens Aktiengesellschaft Halbleitervorrichtung mit gutem thermischem Verhalten
JP2007096042A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Rohm Co Ltd 半導体装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5029415U (ja) * 1973-07-10 1975-04-03
JPS5480073A (en) * 1977-12-09 1979-06-26 Hitachi Ltd Lead frame
JPS5735359A (en) * 1980-08-12 1982-02-25 Nec Corp Lead frame for semiconductor device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5029415U (ja) * 1973-07-10 1975-04-03
JPS5480073A (en) * 1977-12-09 1979-06-26 Hitachi Ltd Lead frame
JPS5735359A (en) * 1980-08-12 1982-02-25 Nec Corp Lead frame for semiconductor device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0730295A3 (de) * 1995-02-28 1999-04-28 Siemens Aktiengesellschaft Halbleitervorrichtung mit gutem thermischem Verhalten
US5982028A (en) * 1995-02-28 1999-11-09 Siemens Aktiengesellschaft Semiconductor device with good thermal behavior
JP2007096042A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Rohm Co Ltd 半導体装置

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