JPS59200452A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS59200452A JPS59200452A JP58075676A JP7567683A JPS59200452A JP S59200452 A JPS59200452 A JP S59200452A JP 58075676 A JP58075676 A JP 58075676A JP 7567683 A JP7567683 A JP 7567683A JP S59200452 A JPS59200452 A JP S59200452A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mounting surface
- terminal
- electrode terminals
- semiconductor device
- electrode terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
- H01L25/11—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/115—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、電力用半導体モジュールなどに使用する半導
体装置に関するものである。
体装置に関するものである。
近年電子機器装置の発展は著しく、小形軽量化および高
密度実装化が急速に進んでいるが、これらの基をなすも
のが半導体装置の小形化である。
密度実装化が急速に進んでいるが、これらの基をなすも
のが半導体装置の小形化である。
なかでも、中容量の電力用半導体装置は、電子機器の小
形軽量化、高密度実装化、周辺回路の簡素化等の進展に
伴って、以前の非絶縁金属ケース封入形から、最近は半
導体素子を外部と絶縁した後。
形軽量化、高密度実装化、周辺回路の簡素化等の進展に
伴って、以前の非絶縁金属ケース封入形から、最近は半
導体素子を外部と絶縁した後。
複数個を組合せて樹脂ケース中に封入し、各素子の外部
接続用電極端子の間隔を一定に合せて銅板等によるバー
結線を可能にした樹脂封止形のノくワーモジュールの進
出が活発となって来ている。
接続用電極端子の間隔を一定に合せて銅板等によるバー
結線を可能にした樹脂封止形のノくワーモジュールの進
出が活発となって来ている。
従来用いられているこの種の半導体装置の構造を第１図
（平面図）および第２図（側面図）に示す。これは、ト
ランジスタモジュールの例で、（１ａ）および（１ｂ）
はともに樹脂成形によ多形成された上部および下部外装
ケースであシ、ともに内部に充填された封入樹脂によυ
強固に固着されている。
（平面図）および第２図（側面図）に示す。これは、ト
ランジスタモジュールの例で、（１ａ）および（１ｂ）
はともに樹脂成形によ多形成された上部および下部外装
ケースであシ、ともに内部に充填された封入樹脂によυ
強固に固着されている。
（２ａ） 、 （２ｂ） 、 （２ｅ）はそれぞれ内部
に装着されているトランジスタチップのコレクタ、エミ
ツタ、ベースの電極に接続されたコレクタ端子、エミッ
タ端子。
に装着されているトランジスタチップのコレクタ、エミ
ツタ、ベースの電極に接続されたコレクタ端子、エミッ
タ端子。
ベース端子、（３）は他の半導体モジュールあるいは回
路部品と接続するためのスプリングワッシャ付セムスね
じ、また（４）は放熱用金属板で、半導体装置本体と絶
縁されて固定されておシ、取付穴（５）によシ他の回路
素子と絶縁して外部放熱用フィンに取付けられるように
なっている◇ 上記構成において、外部接続用電極端子としての各端子
（２ａ） 、 （２ｂ） 、 （２ｅ）は、すべて同一
平面上に直線状に配置されているため、このようなトラ
ンジスタモジュールを複数並列に接続結線して使用する
場合には、第３図に示すようにトランジスタモジュール
を並べて取付けた平行線上の同一方向にしか接続結線す
ることができず、これに直角な方向に交差して接続結線
するためには、第４図に示すような結線用の金具を作成
して、各電極相互間に、使用電圧に対して所定の絶縁耐
圧が確保できるような所定の空間距離を保持できるよう
に高低差を設けなければならなかった。なお、第３図に
おいて（６）は接続結線用の銅板、第４図において（７
）は上記金具である。
路部品と接続するためのスプリングワッシャ付セムスね
じ、また（４）は放熱用金属板で、半導体装置本体と絶
縁されて固定されておシ、取付穴（５）によシ他の回路
素子と絶縁して外部放熱用フィンに取付けられるように
なっている◇ 上記構成において、外部接続用電極端子としての各端子
（２ａ） 、 （２ｂ） 、 （２ｅ）は、すべて同一
平面上に直線状に配置されているため、このようなトラ
ンジスタモジュールを複数並列に接続結線して使用する
場合には、第３図に示すようにトランジスタモジュール
を並べて取付けた平行線上の同一方向にしか接続結線す
ることができず、これに直角な方向に交差して接続結線
するためには、第４図に示すような結線用の金具を作成
して、各電極相互間に、使用電圧に対して所定の絶縁耐
圧が確保できるような所定の空間距離を保持できるよう
に高低差を設けなければならなかった。なお、第３図に
おいて（６）は接続結線用の銅板、第４図において（７
）は上記金具である。
このように従来この種の半導体装置を複数個取付けて使
用する場合には、結線方法が著しく制限されることから
、これに関連して半導体装置および他の回路構成部品の
取付個所およびその相互間の配置関係も著１７り制限さ
れ、これが電子機器装置の小形化および高密度実装化を
阻害する要因となって、そのために電子機器装置の配置
設計および組立作業に多大の時間と費用を要することと
なっていた。
用する場合には、結線方法が著しく制限されることから
、これに関連して半導体装置および他の回路構成部品の
取付個所およびその相互間の配置関係も著１７り制限さ
れ、これが電子機器装置の小形化および高密度実装化を
阻害する要因となって、そのために電子機器装置の配置
設計および組立作業に多大の時間と費用を要することと
なっていた。
本発明はこのような事情に鑑みて卆されたものであシ、
その目的は、複数装置相互間の結線方法における自由度
を高め、電子機器装置の小形化および高密度実装化を容
易にすることが可能な半導体装置を提供することにある
。
その目的は、複数装置相互間の結線方法における自由度
を高め、電子機器装置の小形化および高密度実装化を容
易にすることが可能な半導体装置を提供することにある
。
このような目的を達成するために、本発明は、半導体装
置の外装ケース上部の電極端子取付面に段差を設けたう
え、その各電極端子取付面に対し、半導体素子の外部接
続用電極端子をほぼ対角線上に配置したものである。
置の外装ケース上部の電極端子取付面に段差を設けたう
え、その各電極端子取付面に対し、半導体素子の外部接
続用電極端子をほぼ対角線上に配置したものである。
第５図は、本発明をトランジスタモジュールに適用した
場合の一実施例を示す平面図、第６図は側面図である。
場合の一実施例を示す平面図、第６図は側面図である。
図において、上部外装ケース（１ａ）の上部の電極端子
取付面を、上方の取付面（８）と下方の取付面（９）と
からなる段差構造とし、取付面（８）には出力電極端子
としてのコレクタ端子（２ａ）、エミッタ端子（２ｂ）
を配置するとともに取付面（９）には入力電極端子とし
てのペース端子（２Ｃ）およびベース中間端子（２ｄ）
を配置し、立体的な配置が行なえるようにしている。ま
た、これら各端子は、第５図に明らかなように、各取付
面（８）および（９）に対しほぼその対角線上に配置し
、かつ各端子を通って、取付面の段差によって生じる側
壁（１１に対して垂直または平行な直線を引いた時に、
その直線が他の端子を通らないように相互にずらして配
置しである。
取付面を、上方の取付面（８）と下方の取付面（９）と
からなる段差構造とし、取付面（８）には出力電極端子
としてのコレクタ端子（２ａ）、エミッタ端子（２ｂ）
を配置するとともに取付面（９）には入力電極端子とし
てのペース端子（２Ｃ）およびベース中間端子（２ｄ）
を配置し、立体的な配置が行なえるようにしている。ま
た、これら各端子は、第５図に明らかなように、各取付
面（８）および（９）に対しほぼその対角線上に配置し
、かつ各端子を通って、取付面の段差によって生じる側
壁（１１に対して垂直または平行な直線を引いた時に、
その直線が他の端子を通らないように相互にずらして配
置しである。
このような端子の配置構造としたことによυ、並列接続
の結線方法は、第７図に示すように平行結線、直角結線
のみならず各種角度をもった接続結線が、銅板（６）の
ような直線状の金属板のみで可能とな夛、従来のものに
比べて半導体装置および各回路構成部品の取付けおよび
配置に対する制限事項が大幅に軽減され、電子機器装置
の小形化および高密度実装化によシ大きく貢献できるよ
うになった。
の結線方法は、第７図に示すように平行結線、直角結線
のみならず各種角度をもった接続結線が、銅板（６）の
ような直線状の金属板のみで可能とな夛、従来のものに
比べて半導体装置および各回路構成部品の取付けおよび
配置に対する制限事項が大幅に軽減され、電子機器装置
の小形化および高密度実装化によシ大きく貢献できるよ
うになった。
また、このような大電力用半導体装置は多大な消費熱が
発生するところから、一般に装置の周辺部に取付けられ
、電子機器装置組立工程で最初に取付けられるケースが
多いが、その場合、装置の最終調整段階で交換の必要が
生じたときには他の電子回路部品を先に取外さなければ
ならない。この場合におしても、従来は取外しの順序お
よび方向が制限されていてきわめて不都合であった。こ
れに対し本実施例では、立体配線の場合にも、各電極の
端子取付位置がそれぞれ重複交差しないように配置しで
あるため、取付けおよび取外し作業においてもドライバ
ー１本で簡単に作業ができるようになシ、これらの作業
時間も大幅に削減される。
発生するところから、一般に装置の周辺部に取付けられ
、電子機器装置組立工程で最初に取付けられるケースが
多いが、その場合、装置の最終調整段階で交換の必要が
生じたときには他の電子回路部品を先に取外さなければ
ならない。この場合におしても、従来は取外しの順序お
よび方向が制限されていてきわめて不都合であった。こ
れに対し本実施例では、立体配線の場合にも、各電極の
端子取付位置がそれぞれ重複交差しないように配置しで
あるため、取付けおよび取外し作業においてもドライバ
ー１本で簡単に作業ができるようになシ、これらの作業
時間も大幅に削減される。
なお、上述した実施例ではトランジスタモジュールに適
用した場合について説明したが１本発明はこれに限定さ
れるものではなく、他の種類の半導体装置にも同様に適
用することができる。
用した場合について説明したが１本発明はこれに限定さ
れるものではなく、他の種類の半導体装置にも同様に適
用することができる。
以上説明したように、本発明によれば電極端子取付面に
段差を設け、かつ各取付面上に、＃１！はぞの対角線に
沿って各電極端子を配置したことによシ、立体配線、平
行配線、直角配線が、特別な補助金具等を用いることも
なく、そのままで同時に可能となる 結線方法における
自由度が向上して電子機器装置の一層の小形化軽量化お
よび高密度実装化を促進することができる。
段差を設け、かつ各取付面上に、＃１！はぞの対角線に
沿って各電極端子を配置したことによシ、立体配線、平
行配線、直角配線が、特別な補助金具等を用いることも
なく、そのままで同時に可能となる 結線方法における
自由度が向上して電子機器装置の一層の小形化軽量化お
よび高密度実装化を促進することができる。
第１図は従来の半導体装置を示す平面図、第２図は同じ
く側面図、第３図および第４図はその配線方法の一例を
示す斜視図、第５図は本発明の一実施例を示す平面図、
第６図は同じく側面図、第７図はその配線方法の一例を
示す斜視図である。 （１ａ）・・・・・上部外装ケース、（］ｂ）・・・・
下部外装ケース、 （２ａ）〜（２ｄ）・・・・ （
外部接続用電極）端子、（８）・・・・上方の取付面、
（９）・・・・下方の取付面、（ＩＩ・・・・段差によ
って生じる側壁。 代理人 大 岩 増 雄 １９４図 第５図 第７図
く側面図、第３図および第４図はその配線方法の一例を
示す斜視図、第５図は本発明の一実施例を示す平面図、
第６図は同じく側面図、第７図はその配線方法の一例を
示す斜視図である。 （１ａ）・・・・・上部外装ケース、（］ｂ）・・・・
下部外装ケース、 （２ａ）〜（２ｄ）・・・・ （
外部接続用電極）端子、（８）・・・・上方の取付面、
（９）・・・・下方の取付面、（ＩＩ・・・・段差によ
って生じる側壁。 代理人 大 岩 増 雄 １９４図 第５図 第７図
Claims (2)
- （１）外装ケース上部の電極端子取付面を高さの異なる
各電極端子取付面からなる段差構造とし、上記外装ケー
スの内部に収容した半導体素子の外部接続用電極端子を
、上記各電極端子取付面に対しほぼ対角線上に設けたこ
とを特徴とする半導体装置。 - （２）各外部接続用電極端子を通る、電極端子取付面の
段差によって生じる側壁に対して垂直または平行な直線
が、他の外部接続用電極端子を通らないように各外部接
続用電極端子を配置したことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58075676A JPS59200452A (ja) | 1983-04-27 | 1983-04-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58075676A JPS59200452A (ja) | 1983-04-27 | 1983-04-27 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59200452A true JPS59200452A (ja) | 1984-11-13 |
| JPH0237701B2 JPH0237701B2 (ja) | 1990-08-27 |
Family
ID=13583037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58075676A Granted JPS59200452A (ja) | 1983-04-27 | 1983-04-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59200452A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4796076A (en) * | 1986-02-28 | 1989-01-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| JPH0626117U (ja) * | 1992-08-31 | 1994-04-08 | 日本メクトロン株式会社 | 内部端子型積層母線 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55124860U (ja) * | 1979-02-27 | 1980-09-04 |
-
1983
- 1983-04-27 JP JP58075676A patent/JPS59200452A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55124860U (ja) * | 1979-02-27 | 1980-09-04 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4796076A (en) * | 1986-02-28 | 1989-01-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| JPH0626117U (ja) * | 1992-08-31 | 1994-04-08 | 日本メクトロン株式会社 | 内部端子型積層母線 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0237701B2 (ja) | 1990-08-27 |
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