JPS59194440A - パタ−ン形成装置 - Google Patents
パタ−ン形成装置Info
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- JPS59194440A JPS59194440A JP6855483A JP6855483A JPS59194440A JP S59194440 A JPS59194440 A JP S59194440A JP 6855483 A JP6855483 A JP 6855483A JP 6855483 A JP6855483 A JP 6855483A JP S59194440 A JPS59194440 A JP S59194440A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/047—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using irradiation by energy or particles
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体集積回路などの半導体装置を製造する
際にその配線などの工程において使用される微細パター
ンの形成装置に関し、特に光ＣＶＤ（Ｃｈｅｎ＋１ｅａ
ｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｏｎ ）法とマスター
マスクあるいはレティクルパターンの転写技術を利用す
ることによシ、レジストを用いることなく、低温で微細
パターンを形成することのできるパターン形成装置に関
するものである。
際にその配線などの工程において使用される微細パター
ンの形成装置に関し、特に光ＣＶＤ（Ｃｈｅｎ＋１ｅａ
ｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｏｎ ）法とマスター
マスクあるいはレティクルパターンの転写技術を利用す
ることによシ、レジストを用いることなく、低温で微細
パターンを形成することのできるパターン形成装置に関
するものである。
従来、半導体集積回路の配線などの微細パターンを形成
するには、光または電子ビームによる転写技術を使用し
てウニノ・にパターンを形成する方法が行なわれている
が、いずれもレジストを用い、成膜、写真製版およびエ
ツチングにかかる多くの工程が必要になるとともに、ウ
ェハがひずんだシ、異物が混入したシするなどの問題が
あった。
するには、光または電子ビームによる転写技術を使用し
てウニノ・にパターンを形成する方法が行なわれている
が、いずれもレジストを用い、成膜、写真製版およびエ
ツチングにかかる多くの工程が必要になるとともに、ウ
ェハがひずんだシ、異物が混入したシするなどの問題が
あった。
本発明は、以上の点に鑑みなされたもので、光ＣＶＤ法
とマスターマスクあるいはレティクルパターンの転写技
術を利用してレジストを用いることなく、直接、低温で
微細パターンを形成することによシ、工程数を減少させ
、かつ上記従来の欠点を解消することのできるパターン
形成装置を提供することを目的としている。
とマスターマスクあるいはレティクルパターンの転写技
術を利用してレジストを用いることなく、直接、低温で
微細パターンを形成することによシ、工程数を減少させ
、かつ上記従来の欠点を解消することのできるパターン
形成装置を提供することを目的としている。
このような目的を達成するために、本発明のパターン形
成装置は、反応ガスが導入される反応室番含む光ＣＶＤ
装置と、前記反応室の反応ガス雰囲気中に置かれたウェ
ハ上に、マスクに形成されたパターンを光源からの光に
ょシ転写する転写装置とを備え）前記マスクを通過した
光を前記ウェハに照射せしめることＫよシ、該光照射に
よる反応ガスの光化学反応を利用してマスクのパターン
をウェハ面上に形成するようにしたものである。以下、
本発明の実施例を図面を参照して説明する。
成装置は、反応ガスが導入される反応室番含む光ＣＶＤ
装置と、前記反応室の反応ガス雰囲気中に置かれたウェ
ハ上に、マスクに形成されたパターンを光源からの光に
ょシ転写する転写装置とを備え）前記マスクを通過した
光を前記ウェハに照射せしめることＫよシ、該光照射に
よる反応ガスの光化学反応を利用してマスクのパターン
をウェハ面上に形成するようにしたものである。以下、
本発明の実施例を図面を参照して説明する。
図面は本発明にかがるパターン形成装置の一実施例を示
すもので、転写方式として一括転写、縮小転写を用いた
場合の基本構成を示す。図において、（１）は水銀ラン
プなどからなる光源、（２）は光源（１）よシ放射され
る光を後述のマスクに応じて整形する第１の転写用光学
系、（３）は転写すべきパターン（像）が形成されたマ
スターマスクまたはレティクルよシなるマスク、（４）
はこのマスク（３）を通した光を整形する第２の転写用
光学系であシ、これら転写用光学系（２）、 、 （４
）とマスク（３）にょシ、該マスク（３）のパターンを
後述するウェハに転写させるための転写装置を構成して
いる。
すもので、転写方式として一括転写、縮小転写を用いた
場合の基本構成を示す。図において、（１）は水銀ラン
プなどからなる光源、（２）は光源（１）よシ放射され
る光を後述のマスクに応じて整形する第１の転写用光学
系、（３）は転写すべきパターン（像）が形成されたマ
スターマスクまたはレティクルよシなるマスク、（４）
はこのマスク（３）を通した光を整形する第２の転写用
光学系であシ、これら転写用光学系（２）、 、 （４
）とマスク（３）にょシ、該マスク（３）のパターンを
後述するウェハに転写させるための転写装置を構成して
いる。
また、（５）は反応ガスが導入される反応室（チェンバ
ーともいう）（６）を備えた光ＣＶＤ装置であシ、この
反応室（６）の上方にはマスク（３）よシ第２の転写用
光学系（４）を通してくる光を入射させる入射窓（力が
設けられ、その下方中央にはウェハ（２ｏ）を水平に支
持するためのウェハ支持台（８）が配置される。また、
反応室（６）内には、図示しない反応ガス供給源よシ反
応ガスがガス導入口（９）を通して導入されるとともに
、・不活性ガス供給源よりアルゴンガスなどの不活性ガ
スがガス導入口α０）を通して、入射窓（７）への生成
物による曇シを防ぐためＫその面に沿って導入されるも
のとなっている。そして、反応室（６）の各ガス導入口
（９）、α０）の反対側にはそれぞれ排気ロＱυ、任４
が設けられていて、これら排気口Ｑ】）。
ーともいう）（６）を備えた光ＣＶＤ装置であシ、この
反応室（６）の上方にはマスク（３）よシ第２の転写用
光学系（４）を通してくる光を入射させる入射窓（力が
設けられ、その下方中央にはウェハ（２ｏ）を水平に支
持するためのウェハ支持台（８）が配置される。また、
反応室（６）内には、図示しない反応ガス供給源よシ反
応ガスがガス導入口（９）を通して導入されるとともに
、・不活性ガス供給源よりアルゴンガスなどの不活性ガ
スがガス導入口α０）を通して、入射窓（７）への生成
物による曇シを防ぐためＫその面に沿って導入されるも
のとなっている。そして、反応室（６）の各ガス導入口
（９）、α０）の反対側にはそれぞれ排気ロＱυ、任４
が設けられていて、これら排気口Ｑ】）。
（１２＋を通して反応室（６）内の圧力を低圧にするも
のとなっている。
のとなっている。
なお、転写方式としてグロキシミティ一方式を用いる場
合、第２の転写用光学系（４）は不要となシ、マスク（
３）を上記反応室（６）内に入れることもできる。
合、第２の転写用光学系（４）は不要となシ、マスク（
３）を上記反応室（６）内に入れることもできる。
次に上記実施例の動作を説明する。ここで、光源（１）
よシ放射される光は、第１の転写用光学系（２）。
よシ放射される光は、第１の転写用光学系（２）。
マスク（３）および第２の転写用光学系（４）を通して
反応室（６）内のウェハ支持台（８）上に置かれたウェ
ハＩ２０１に照射され、その光によって前記マスク（３
）のパターンがウェハ翰の面上に転写されるものとする
。
反応室（６）内のウェハ支持台（８）上に置かれたウェ
ハＩ２０１に照射され、その光によって前記マスク（３
）のパターンがウェハ翰の面上に転写されるものとする
。
しかして、反応室（６）内にガス導入口（９）よシ反応
ガスを導入してウェハ翰面上に反応ガスを満たし、排気
口ｕ 、 （１２１よシ排気しながら、反応室（６）内
のガス圧力を所定の圧力に保つ。その後、前述の光源（
１）よシの光を照射すると、ウェハ翰の面上でマスク（
３）を通してきた光の照射部分の反応ガスのみが光化学
反応を起こし、そのウェハ翰面上にはマスク（３）のパ
ターンに応じた膜が堆積されパターニングされることに
なる。したがって、反応ガスとして堆積すべき膜に応じ
た反応性ガスを使用すれば、ウェハ＠）面上に任意の堆
積膜のパターンを形成できる。
ガスを導入してウェハ翰面上に反応ガスを満たし、排気
口ｕ 、 （１２１よシ排気しながら、反応室（６）内
のガス圧力を所定の圧力に保つ。その後、前述の光源（
１）よシの光を照射すると、ウェハ翰の面上でマスク（
３）を通してきた光の照射部分の反応ガスのみが光化学
反応を起こし、そのウェハ翰面上にはマスク（３）のパ
ターンに応じた膜が堆積されパターニングされることに
なる。したがって、反応ガスとして堆積すべき膜に応じ
た反応性ガスを使用すれば、ウェハ＠）面上に任意の堆
積膜のパターンを形成できる。
たとえば、光源（１）として水銀ランプを用いた場合、
反応ガスとしてＳｉＨ４を用いれば、アモルファスシリ
コン膜、またＳ ｉＨ４と０２を用いれば酸化膜、さら
にＳｉＨ４とＮＨ３を用いれば窒化膜のパターンをそれ
ぞれ形成することができる。
反応ガスとしてＳｉＨ４を用いれば、アモルファスシリ
コン膜、またＳ ｉＨ４と０２を用いれば酸化膜、さら
にＳｉＨ４とＮＨ３を用いれば窒化膜のパターンをそれ
ぞれ形成することができる。
このように、本発明装置によると、微細パターンを形成
するのに、従来のようにレジストの成膜。
するのに、従来のようにレジストの成膜。
写真製版およびエツチングなどの工程が不要になシ、工
程数をきわめて減少させることがてきるとともに、ウェ
ハのひずみや異物の混入などもなくなシ、工程の簡略化
、パターンの高信頼度化ならびに製造コストの低廉化が
はかれる利点を奏する。
程数をきわめて減少させることがてきるとともに、ウェ
ハのひずみや異物の混入などもなくなシ、工程の簡略化
、パターンの高信頼度化ならびに製造コストの低廉化が
はかれる利点を奏する。
以上説明したように、本発明のパターン形成装置によれ
ば、マスターマスクまたはレティクルのパターンをレジ
ストを用いることなく、光照射による反応ガスの光化学
反応を利用して、直接、低温でウェハ面上にパターニン
グすることができるので、工程数の簡略化がはかれ、し
かもパターンの高信頼度化ならびに製造コストの低廉化
がはかれるなどの効果がある。
ば、マスターマスクまたはレティクルのパターンをレジ
ストを用いることなく、光照射による反応ガスの光化学
反応を利用して、直接、低温でウェハ面上にパターニン
グすることができるので、工程数の簡略化がはかれ、し
かもパターンの高信頼度化ならびに製造コストの低廉化
がはかれるなどの効果がある。
図面は本発明の一実施例によるパターン形成装置の基本
構成図である。 （１）・・・・光源、（２）・・・・第１の転写用光学
系、（３）・・・・マスク、（４）・・・・第２の転写
用光学系、（５）・・・・光ＣＶＤ装置、（６）・・・
・反応室、（７）・・・・入射窓、（８）・・・・ウェ
ハ支持台、（９） 、 ＱＯ）・・・・ガス導入口、ａ
ｖ 、 ａつ・・・・排気口、翰・・・・ウェハ。 代理人大岩増雄 伊丹市瑞穂町１丁目７９番地羽衣 荘 手続補正書（自発） １′、事件の表示 特願昭 ５８−６８５５４号２
、発明の名称 パターン形成装置 訊補正をする者 ６、補正の内容 ＋１１ 明細書第６頁第６行の「従来のようにレジス
トの成膜」を「従来のような成膜」と補正する。 以 上
構成図である。 （１）・・・・光源、（２）・・・・第１の転写用光学
系、（３）・・・・マスク、（４）・・・・第２の転写
用光学系、（５）・・・・光ＣＶＤ装置、（６）・・・
・反応室、（７）・・・・入射窓、（８）・・・・ウェ
ハ支持台、（９） 、 ＱＯ）・・・・ガス導入口、ａ
ｖ 、 ａつ・・・・排気口、翰・・・・ウェハ。 代理人大岩増雄 伊丹市瑞穂町１丁目７９番地羽衣 荘 手続補正書（自発） １′、事件の表示 特願昭 ５８−６８５５４号２
、発明の名称 パターン形成装置 訊補正をする者 ６、補正の内容 ＋１１ 明細書第６頁第６行の「従来のようにレジス
トの成膜」を「従来のような成膜」と補正する。 以 上
Claims (1)
- 反応ガスが導入される反応室を含む光ＣＶＤ装置と、前
記反応室の反応ガス雰囲気中に置かれたウェハ上に１マ
スクに形成されたパターンを光源からの光によシ転写す
る転写装置とを備え、前記マスクを通した光を前記ウェ
ハ上に照射せしめることによシ、該光照射による反応ガ
スの光化学反応を利用して前記マスクのパターンをウェ
ハ面上に形成するようにしたことを特徴とするパターン
形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6855483A JPS59194440A (ja) | 1983-04-18 | 1983-04-18 | パタ−ン形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6855483A JPS59194440A (ja) | 1983-04-18 | 1983-04-18 | パタ−ン形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59194440A true JPS59194440A (ja) | 1984-11-05 |
Family
ID=13377091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6855483A Pending JPS59194440A (ja) | 1983-04-18 | 1983-04-18 | パタ−ン形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59194440A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61187237A (ja) * | 1985-02-14 | 1986-08-20 | Toshiba Corp | パタ−ン形成方法 |
| JPS6379323A (ja) * | 1986-09-24 | 1988-04-09 | Hitachi Ltd | 処理装置 |
| EP0477890A2 (en) * | 1990-09-26 | 1992-04-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Processing method and apparatus |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5023570A (ja) * | 1973-06-29 | 1975-03-13 | ||
| JPS57136931A (en) * | 1981-02-17 | 1982-08-24 | Seiko Epson Corp | Photochemical reaction device |
| JPS5967623A (ja) * | 1982-10-09 | 1984-04-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の加工方法 |
-
1983
- 1983-04-18 JP JP6855483A patent/JPS59194440A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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| JPS5023570A (ja) * | 1973-06-29 | 1975-03-13 | ||
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| JPS5967623A (ja) * | 1982-10-09 | 1984-04-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の加工方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61187237A (ja) * | 1985-02-14 | 1986-08-20 | Toshiba Corp | パタ−ン形成方法 |
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| EP0477890A3 (en) * | 1990-09-26 | 1996-12-18 | Canon Kk | Processing method and apparatus |
| EP0908781A2 (en) * | 1990-09-26 | 1999-04-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Photolithographic processing method and apparatus |
| EP0908781A3 (en) * | 1990-09-26 | 1999-04-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Photolithographic processing method and apparatus |
| US5962194A (en) * | 1990-09-26 | 1999-10-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Processing method and apparatus |
| US6025115A (en) * | 1990-09-26 | 2000-02-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Processing method for etching a substrate |
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