KR19990039593A - 포토레지스트 플로우 공정에 사용되는 배기장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 고온 베이크가 진행되는 핫 플레이트 전용 배기관을 구비하는 배기장치를 제공한다. 상기 배기관에 나노미터와 플로우 미터가 순차적으로 설치되어 고온 베이트 공정이 진행되는 핫 플레이트의 배기압 조절이 가능하므로 상기 고온 베이크 공정에서 발생되는 퓸이나 가스등을 충분한 배기압으로 배기함으로써 상기 핫 플레이트 커버나 배기관에 상기 퓸등이 부착되어 웨이퍼에 떨어지는 것을 방지할 수 있다.
Description
본 발명은 반도체 장치의 제조설비에 관한 것으로서, 특히 포토레지스트 플로우 공정에 사용되는 배기장치에 관한 것이다.
반도체 장치의 고집적화에 따라 노광장치의 i 라인을 이용한 콘택 형성 공정이 어려워진다. 이를 극복하기 위한 방법으로, 포토레지스트가 도포된 웨이퍼를 과도 노출하여 원하는 사이즈보다 큰 콘택을 형성한 다음 포토레지스트를 플로우하여 원하는 사이즈의 콘택을 형성하는 방법이다.
포토레지스트 플로우 공정은 통상의 베이크 공정보다 높은 온도하에서 실시된다. 즉, 포토레지스트 플로우 공정은 고온 베이크 공정이다. 이때, 고온 베이크가 실시되는 핫 플레이트(hot plate) 내에 퓸(Fume) 및 가스가 발생된다. 따라서 고온 베이크 공정 뿐만 아니라 후속 공정의 안정성을 위해서도 이러한 가스는 배기되어야 한다.
이를 위해, 종래 기술은 다음과 같은 배기설비를 제시하고 있다.
이하, 종래 기술에 의한 포토레지스트 플로우 공정에 사용되는 배기장치를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.
도 1을 참조하면, 참조번호 10, 12는 각각 핫 플레이트(hot plate) 부 및 쿨 플레이트(cool plate) 부를 나타낸다. 핫 플레이트 부(10)와 쿨 플레이트 부(12)는 각각 여섯 개의 핫 플레이트와 네 개의 쿨 플레이트로 구성되어 있고 각각 분리되어 있다. 또한, 각 핫 플레이트는 모두 부 배기관들(14a, 14b)을 통해서 메인 배기관(14)에 연결되어 있다. 제1 부 배기관(14a)과 제1 부 배기관(14b)는 각각 3개의 핫 플레이트에 의해 공유된다. 다시 말해, 3개의 핫 플레이트에서 발생되는 배기가스는 모두 제1 또는 제2 부 배기관(14a, 14b)를 통해서 배기된다.
이와 같이, 종래 기술은 메인 배기관(14)이 모든 핫 플레이트에 동등하게 연결되어 있다. 따라서, 배기가 불안정하게 되어 어느 정도 이상의 배기압을 얻기 힘들다. 따라서, 핫 플레이트부(10)를 구성하는 핫 플레이트중 어느 한 플레이트에서 고온 베이크 공정 즉, 포토레지스트 플로우 공정이 진행되는 경우, 이러한 공정은 일반적인 공정과 달리 퓸이나 가스등이 발생되는데, 종래 기술에 의한 배기장치로는 완전한 배기가 어려워진다. 따라서, 배기되는 과정에서 포토레지스트 성분의 퓸들이 배기관 및 핫 플레이트 커버에 부착되어 웨이퍼 상에 떨어지게 되고 그 결과 공정 불량이 유발된다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상술한 문제를 해결하기 위한 것으로서, 고온 베이크 공정에서 발생되는 가스성분들을 공정에 영향을 주지 않게 완전히 배기할 수 있는 포토레지스트 플로우 공정에 사용되는 배기장치를 제공함에 있다.
도 1은 종래 기술에 의한 포토레지스트 플로우 공정에 사용되는 배기장치를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 의한 포토레지스트 플로우 공정에 사용되는 배기장치를 나타낸 도면이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호설명*
40:핫(hot) 플레이트부. 42:쿨(cool) 플레이트부.
44:배기구. 46:나노미터(nano meter).
48:플로우 미터. 50:메인 배기관.
50a:부 배기관.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 복수개의 핫 플레이트와 쿨 플레이트 및 상기 핫 플레이트로부터 배출되는 가스들을 배기하기 위한 메인 배기관과 상기 메인 배기관과 핫 플레이트들은 연결하는 부 배기관들을 구비하는 반도체 장치의 제조설비에 있어서,
상기 부 배기관들중 선택된 하나는 상기 핫 플레이트중 선택된 어느 하나와 상기 메인 배기관만을 연결하는 전용 부 배기관이고 상기 전용 부 배기관에 배기가스 조절용 나노미터와 상기 메인 배기관을 통한 배기의 강, 약을 조절하기 위한 플로우 미터가 설치되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기 나노미터는 디지털 또는 아나로그형이다.
본 발명은 고온 베이크가 진행되는 핫 플레이트 전용 배기관을 구비하는 배기장치를 제공한다. 따라서, 상기 고온 베이트 공정이 진행되는 핫 플레이트의 배기압 조절이 가능하므로 상기 고온 베이크 공정에서 발생되는 퓸이나 가스등을 충분한 배기압으로 배기함으로써 상기 핫 플레이트 커버나 배기관에 상기 퓸등이 부착되어 웨이퍼에 떨어지는 것을 방지할 수 있으므로 공정 불량이 방지된다.
이하, 본 발명의 실시예에 의한 포토레지스트 플로우 공정에 사용되는 배기장치를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 의한 포토레지스트 플로우 공정에 사용되는 배기장치를 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, 참조번호 40, 42는 각각 핫 플레이트부와 쿨 플레이트부이다. 상기 핫 플레이트부(40)는 복수개의 핫 플레이트, 예컨대 4개의 핫 플레이트로 구성되고, 상기 쿨 플레이트부(42) 또한 마찬가지이다. 상기 핫 플레이트부(40)를 구성하는 핫 플레이트중 선택된 어느 하나의 배기구(44)는 메인 배기관(50)과 부 배기관(50a)을 통해서 연결되어 있다. 상기 부 배기관(50a)는 상기 선택된 핫 플레이트와 상기 메인 배기관(50)만을 연결하는 전용 부 배기관이다. 도면에 도시하지는 않았지만, 상기 선택된 핫 플레이트이외의 다른 핫 플레이트들과 상기 메인 배기관(50)을 연결하는 부 배기관이 더 설치되어 있다. 상기 부 배기관(50a)에 나노미터(46)와 플로우 미터(48)가 상기 선택된 핫 플레이트에서 메인 배기관(50) 방향으로 순차적으로 설치되어 있다. 상기 나노미터(46)는 상기 선택된 핫 플레이트에서 배기되는 배기가스의 흐름량을 조절하는 수단으로서, 디지털 또는 아날로그 형 나노미터가 사용된다. 또한, 상기 플로우 미터(48)는 상기 메인 배기관(50)을 통한 배기의 강, 약을 조절하는 수단이다. 상기 나노미터(46)와 플로우 미터(48)가 구비되어 있음으로 해서 상기 선택된 핫 플레이트로부터 배기되는 가스의 배기량과 배기압을 충분히 조절할 수 있으므로 상기 선택된 핫 플레이트에서 포토레지스트 플로우 공정 즉, 고온 베이크 공정이 진행되고 그 결과 퓸이나 가스등이 배기되더라도 배기되는 퓸이나 가스를 완전히 배기할 수 있고 아울러, 상기 핫 플레이트의 커버나 배기관에 퓸등이 부착되는 것을 방지할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 고온 베이크가 진행되는 핫 플레이트 전용 배기관을 구비하는 배기장치를 제공한다. 따라서, 상기 고온 베이트 공정이 진행되는 핫 플레이트의 배기압 조절이 가능하므로 상기 고온 베이크 공정에서 발생되는 퓸이나 가스등을 충분한 배기압으로 배기함으로써 상기 핫 플레이트 커버나 배기관에 상기 퓸등이 부착되어 웨이퍼에 떨어지는 것을 방지할 수 있으므로 공정 불량이 방지된다.
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 많은 변형이 본 발명의 기술적 사상내에서 당분야에서의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 실시 가능함은 명백하다.
Claims (3)
- 복수개의 핫 플레이트와 쿨 플레이트 및 상기 핫 플레이트로부터 배출되는 가스들을 배기하기 위한 메인 배기관과 상기 메인 배기관과 핫 플레이트들은 연결하는 부 배기관들을 구비하는 반도체 장치의 제조설비에 있어서,상기 부 배기관들중 선택된 하나는 상기 핫 플레이트중 선택된 어느 하나와 상기 메인 배기관만을 연결하는 전용 부 배기관이고 상기 전용 부 배기관에 배기가스 조절용 나노미터와 상기 메인 배기관을 통한 배기의 강, 약을 조절하기 위한 플로우 미터가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 플로우 공정에 사용되는 배기장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 나노미터는 디지털형 나노미터인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 플로우 공정에 사용되는 배기장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 나노미터는 아날로그형 나노미터인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 플로우 공정에 사용되는 배기장치.
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