JPS639936A - ドライエツチング装置 - Google Patents
ドライエツチング装置Info
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- JPS639936A JPS639936A JP15434886A JP15434886A JPS639936A JP S639936 A JPS639936 A JP S639936A JP 15434886 A JP15434886 A JP 15434886A JP 15434886 A JP15434886 A JP 15434886A JP S639936 A JPS639936 A JP S639936A
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- etching
- chamber
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Links
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔々既要〕
ダウンフロー型ドライエツチング装置において、放電室
を二つにし、エツチング室を挟んで対向させることによ
り、 ウェーハに対する両面同時エツチングの達成を図ったも
のである。
を二つにし、エツチング室を挟んで対向させることによ
り、 ウェーハに対する両面同時エツチングの達成を図ったも
のである。
本発明は、ドライエツチング装置に係り、特に、ダウン
フロー型ドライエツチング装置の構成に関す。
フロー型ドライエツチング装置の構成に関す。
ドライエツチング装置は、半導体装置などの製造におい
て、ウェーハプロセスにおける表面層のパターン化や平
坦化のためのエツチングに使用される。
て、ウェーハプロセスにおける表面層のパターン化や平
坦化のためのエツチングに使用される。
その中のダウンフロー（Ｄｏｗｎ Ｇｌｏ＠）型ドライ
エツチング装置（アフターグロー型とも称する）は、他
の装置に比してエツチング面の損傷が少ない特徴を有す
ることから、加エバターンの微細化が進むに従い賞用さ
れるようになってきた。
エツチング装置（アフターグロー型とも称する）は、他
の装置に比してエツチング面の損傷が少ない特徴を有す
ることから、加エバターンの微細化が進むに従い賞用さ
れるようになってきた。
そして微細化パターンの加工においてはウェーハの反り
を嫌うので、使用するエツチング装置においても反り防
止に対する対応が望まれている。
を嫌うので、使用するエツチング装置においても反り防
止に対する対応が望まれている。
従来のダウンフロー型ドライエツチング装置は第１図の
要部側断面図に示すが如くである。
要部側断面図に示すが如くである。
即ち、エツチング室１の上に放電室２が設けられ、放電
室２は、マグネトロン３から導波管４を介して導入され
たマイクロ波により、ガス導入口５から流入するエツチ
ングガス６をプラズマ化し、そのガスを開ロアを通して
エツチング室１に送る。
室２は、マグネトロン３から導波管４を介して導入され
たマイクロ波により、ガス導入口５から流入するエツチ
ングガス６をプラズマ化し、そのガスを開ロアを通して
エツチング室１に送る。
エツチング室１内には、放電室２に対向したウェーハス
テージ８が設けられて、放電室２から送られたエツチン
グガス６がウェーハステージ８上に載置したウェーハＷ
をエツチングする。図示の９はエツチングガスを排出す
るガス排出口である。
テージ８が設けられて、放電室２から送られたエツチン
グガス６がウェーハステージ８上に載置したウェーハＷ
をエツチングする。図示の９はエツチングガスを排出す
るガス排出口である。
従ってこの装置では、ウェーハＷのウェーハステージ８
に接しない面のみ即ち片面のみをエツチングする。
に接しない面のみ即ち片面のみをエツチングする。
なおこの装置は、エツチング室１に送られるエツチング
ガス６に含まれるものが主としてラジカルになるので、
ウェーハＷのエツチング面に与える損傷が少ない特徴を
有する。
ガス６に含まれるものが主としてラジカルになるので、
ウェーハＷのエツチング面に与える損傷が少ない特徴を
有する。
半導体装置の製造における上記のエツチングは、多くの
場合１、シリコンウェーハ上に、二酸化シリコン、窒化
シリコン、多結晶シリコン、金属、金属シリサイドなど
の付加層が形成されたウェーハＷが対象となる。
場合１、シリコンウェーハ上に、二酸化シリコン、窒化
シリコン、多結晶シリコン、金属、金属シリサイドなど
の付加層が形成されたウェーハＷが対象となる。
そして、ウェーハＷの中には、上記付加層に内部応力を
保有し然もその付加層がウェーハの両面に形成されてい
るために、両面の応力がバランスして反らない状態にな
っているものがある。
保有し然もその付加層がウェーハの両面に形成されてい
るために、両面の応力がバランスして反らない状態にな
っているものがある。
従ってこのようなウェーハＷは、片面のみをエツチング
すれば、エツチングがパターン化であれ平坦化であって
もその面のみが応力緩和されて反りが発生する。この反
りは、後程の露光工程などを困難にさせるものである。
すれば、エツチングがパターン化であれ平坦化であって
もその面のみが応力緩和されて反りが発生する。この反
りは、後程の露光工程などを困難にさせるものである。
そしてこの反りを除去するためには反対面もエツチング
すれば良い。
すれば良い。
先に述べた従来のエツチング装置を使用した場合には、
片面しかエツチングしないので、上記のような反りに遭
遇する際にはエツチングを２回行う必要があり、然もそ
の際には先にエツチングした面を保護する必要もあって
、繁雑になると共にスループットを低下させる。
片面しかエツチングしないので、上記のような反りに遭
遇する際にはエツチングを２回行う必要があり、然もそ
の際には先にエツチングした面を保護する必要もあって
、繁雑になると共にスループットを低下させる。
この問題を解決する策として、第３図の部分側面図に示
すように、ステージ８の上面に突起１０を設けてウェー
ハＷの下側に間隙を作り、その間隙に廻り込むエツチン
グガス６によるエツチングを加えて両面同時エツチング
を行う提案がある（例えば、特願昭５７−１８１１７９
号）。
すように、ステージ８の上面に突起１０を設けてウェー
ハＷの下側に間隙を作り、その間隙に廻り込むエツチン
グガス６によるエツチングを加えて両面同時エツチング
を行う提案がある（例えば、特願昭５７−１８１１７９
号）。
しかしながら、この提案では、エツチングガス６を上記
間隙に充分に廻り込まずのが困難でウェーハＷの下側面
のエツチングが不足勝ちになり、上記反りの除去に対し
て不充分である。
間隙に充分に廻り込まずのが困難でウェーハＷの下側面
のエツチングが不足勝ちになり、上記反りの除去に対し
て不充分である。
上記問題点は、ウェーハＷの下側面に対するエツチング
ガス６の流れを上側面と同様になるようにすることによ
って解決される。
ガス６の流れを上側面と同様になるようにすることによ
って解決される。
それは、流入したエツチングガスをプラズマ化し、且つ
開口を通して該ガスをエツチング室に送る二つの放電室
が、該エツチング室を挟んで対向し、該エツチング室の
中に、エツチング対象のウェーハが両面を該放電室に対
向させて配置される本発明のドライエツチング装置によ
って達成される。
開口を通して該ガスをエツチング室に送る二つの放電室
が、該エツチング室を挟んで対向し、該エツチング室の
中に、エツチング対象のウェーハが両面を該放電室に対
向させて配置される本発明のドライエツチング装置によ
って達成される。
本エツチング装置は、上記構成によりウェーハＷの両面
のそれぞれに対向して放電室が設けられた形態になって
、ウェーハＷの両面のそれぞれが共に従来装置における
ウェーハＷのエツチング面と同様な状態になる。
のそれぞれに対向して放電室が設けられた形態になって
、ウェーハＷの両面のそれぞれが共に従来装置における
ウェーハＷのエツチング面と同様な状態になる。
従って、ウェーハＷの両面のそれぞれに対するエツチン
グガスの流れが、従来装置のエツチング面に対するエツ
チングガスの流れと同様になり、ウェーハＷの両面に対
して従来装置のエツチングと同様なエツチングを同時に
行うことが出来る。
グガスの流れが、従来装置のエツチング面に対するエツ
チングガスの流れと同様になり、ウェーハＷの両面に対
して従来装置のエツチングと同様なエツチングを同時に
行うことが出来る。
かくして、片面エツチングによる反りの発生に起因する
繁雑さとスループット低下を防止することが可能になる
。
繁雑さとスループット低下を防止することが可能になる
。
〔実施例〕
以下、本発明によるドライエツチング装置の実雄側につ
いて第１図の要部側断面図を用い説明する。全図を通じ
同一符号は同一対象物を示す。
いて第１図の要部側断面図を用い説明する。全図を通じ
同一符号は同一対象物を示す。
同図に示すエツチング装置は、第２図図示従来装置のウ
ェーハＷに対する放電室２１１の構成を、ウェーハＷの
両面のそれぞれの側に設けたものである。
ェーハＷに対する放電室２１１の構成を、ウェーハＷの
両面のそれぞれの側に設けたものである。
即ち、エツチング室１ａの上下のそれぞれに放電室２が
互いに対向して設けられ、各放電室２は、従来装置と同
様に、マグネトロン３から導波管４を介して導入された
マイクロ波により、ガス導入口５から流入するエツチン
グガス６をプラズマ化し、そのガスを開ロアを通してエ
ツチング室１ａに送る。エツチング室ｌａ内には、中央
部においてウェーハＷの両面が放電室２に対向するよう
につ工−ハＷをその周縁部で支持するウェーハ支持具８
ａが設けられて、各放電室２から送られたエツチングガ
ス６が、ウェーハ支持具８ａに支持されたウェーハＷの
各放電室２に対向する面をエツチングする。図示の９８
はエツチングガスを排出するガス排１出口である。
互いに対向して設けられ、各放電室２は、従来装置と同
様に、マグネトロン３から導波管４を介して導入された
マイクロ波により、ガス導入口５から流入するエツチン
グガス６をプラズマ化し、そのガスを開ロアを通してエ
ツチング室１ａに送る。エツチング室ｌａ内には、中央
部においてウェーハＷの両面が放電室２に対向するよう
につ工−ハＷをその周縁部で支持するウェーハ支持具８
ａが設けられて、各放電室２から送られたエツチングガ
ス６が、ウェーハ支持具８ａに支持されたウェーハＷの
各放電室２に対向する面をエツチングする。図示の９８
はエツチングガスを排出するガス排１出口である。
従ってこの装置では、ウェーハＷの両面を同時に同様に
エツチングすることが出来る。言うまでもなく、片方の
放電室２のみを作動させることにより、ウェーハＷの片
面を主としたエツチングも可能である。
エツチングすることが出来る。言うまでもなく、片方の
放電室２のみを作動させることにより、ウェーハＷの片
面を主としたエツチングも可能である。
そしてこの装置は、従来装置と同様に、エツチング室１
ａに送られるエツチングガス６に含まれるものが主とし
てラジカルになり、ウェーハＷのエツチング面に与える
損傷が少ない特徴を有する。
ａに送られるエツチングガス６に含まれるものが主とし
てラジカルになり、ウェーハＷのエツチング面に与える
損傷が少ない特徴を有する。
なおこの装置は、片面エツチングで反りの発生に遭遇す
る場合の対応のみならず、両面に付加層が形成されたウ
ェーハＷの背面側付加層を反りに関係なく除去したい場
合にも、その除去を主面のエツチングと同時に行うのに
使用することが出来る。
る場合の対応のみならず、両面に付加層が形成されたウ
ェーハＷの背面側付加層を反りに関係なく除去したい場
合にも、その除去を主面のエツチングと同時に行うのに
使用することが出来る。
またこの装置は、全体を９０度傾けてウェーハＷの面を
垂直にしても良い。その場合は、エツチング室１ａの内
部に浮遊する異物がウェーハＷの面に落下付着するのを
防止出来る利点がある。
垂直にしても良い。その場合は、エツチング室１ａの内
部に浮遊する異物がウェーハＷの面に落下付着するのを
防止出来る利点がある。
以上説明したように本発明の構成によれば、ダウンフロ
ー型ドライエツチング装置において、ウェーハに対する
両面同時エツチングを達成することが出来て、例えば片
面エツチングによる反りの発生に起因する繁雑さとスル
ープット低下の防止を可能にさせる効果がある。
ー型ドライエツチング装置において、ウェーハに対する
両面同時エツチングを達成することが出来て、例えば片
面エツチングによる反りの発生に起因する繁雑さとスル
ープット低下の防止を可能にさせる効果がある。
第１図は本発明装置実施例の要部側断面図、第２図は従
来装置の要部側断面図、 第３図は両面同時エツチングのための改良案を示す部分
側面図、 である。 図において、 １、ｌａはエツチング室、 ２は放電室、 ６はエツチングガス、 ７は開口、 ８はウェーハステージ、 ８ａはウェーハ支持具、 Ｗはウェーハ、 である。 第 ２ 図 １υ 両ｉｎ時エッ手ンゲのためめ
来装置の要部側断面図、 第３図は両面同時エツチングのための改良案を示す部分
側面図、 である。 図において、 １、ｌａはエツチング室、 ２は放電室、 ６はエツチングガス、 ７は開口、 ８はウェーハステージ、 ８ａはウェーハ支持具、 Ｗはウェーハ、 である。 第 ２ 図 １υ 両ｉｎ時エッ手ンゲのためめ
Claims (1)
- 流入したエッチングガスをプラズマ化し、且つ開口を通
して該ガスをエッチング室に送る二つの放電室が、該エ
ッチング室を挟んで対向し、該エッチング室の中に、エ
ッチング対象のウェーハが両面を該放電室に対向させて
配置されることを特徴とするドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15434886A JPS639936A (ja) | 1986-07-01 | 1986-07-01 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15434886A JPS639936A (ja) | 1986-07-01 | 1986-07-01 | ドライエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS639936A true JPS639936A (ja) | 1988-01-16 |
Family
ID=15582197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15434886A Pending JPS639936A (ja) | 1986-07-01 | 1986-07-01 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS639936A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01258426A (ja) * | 1988-04-08 | 1989-10-16 | Hitachi Ltd | 光アツシヤー |
| JPH0443557U (ja) * | 1990-08-17 | 1992-04-14 | ||
| JP2008227534A (ja) * | 2002-11-08 | 2008-09-25 | Hitachi Metals Ltd | ＳｉＣ基板 |
-
1986
- 1986-07-01 JP JP15434886A patent/JPS639936A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01258426A (ja) * | 1988-04-08 | 1989-10-16 | Hitachi Ltd | 光アツシヤー |
| JPH0443557U (ja) * | 1990-08-17 | 1992-04-14 | ||
| JP2008227534A (ja) * | 2002-11-08 | 2008-09-25 | Hitachi Metals Ltd | ＳｉＣ基板 |
| JP4678039B2 (ja) * | 2002-11-08 | 2011-04-27 | 日立金属株式会社 | ＳｉＣ基板 |
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