JPH08195352A - 半導体製造装置のウエハボート - Google Patents
半導体製造装置のウエハボートInfo
- Publication number
- JPH08195352A JPH08195352A JP458695A JP458695A JPH08195352A JP H08195352 A JPH08195352 A JP H08195352A JP 458695 A JP458695 A JP 458695A JP 458695 A JP458695 A JP 458695A JP H08195352 A JPH08195352 A JP H08195352A
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- JP
- Japan
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- wafer
- wafers
- wafer boat
- boat
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- Pending
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】減圧ＣＶＤ装置あるいは酸化拡散装置などの半
導体製造装置における減圧された高温雰囲気内で複数の
被処理Ｓｉウエハを、各ウエハ間に小間隙を存在させて
段積み状態に保持するウエハボートを、ウエハが大口径
化してもウエハの反りを小さくして結晶欠陥の発生を低
減させることができ、また、ウエハボートへの出し入れ
時のウエハのこすれによるパーティクル発生量を低減で
きる構造とする。 【構成】各ウエハの支持を、ウエハの裏面側から、ウエ
ハの周縁部と，周縁に囲まれた平面部とで行うようにし
て反りを減らすとともに、平面部を支持に利用すること
による支持の容易化，確実化により、支持に面積の大き
い支持面を必要としなくてもすむようにして、ウエハ出
し入れ時のウエハのこすれによるパーティクル発生量を
低減させる。
導体製造装置における減圧された高温雰囲気内で複数の
被処理Ｓｉウエハを、各ウエハ間に小間隙を存在させて
段積み状態に保持するウエハボートを、ウエハが大口径
化してもウエハの反りを小さくして結晶欠陥の発生を低
減させることができ、また、ウエハボートへの出し入れ
時のウエハのこすれによるパーティクル発生量を低減で
きる構造とする。 【構成】各ウエハの支持を、ウエハの裏面側から、ウエ
ハの周縁部と，周縁に囲まれた平面部とで行うようにし
て反りを減らすとともに、平面部を支持に利用すること
による支持の容易化，確実化により、支持に面積の大き
い支持面を必要としなくてもすむようにして、ウエハ出
し入れ時のウエハのこすれによるパーティクル発生量を
低減させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、特に、円筒状反応管
の軸線方向を鉛直方向とした縦型の減圧ＣＶＤ装置ある
いは酸化拡散装置を対象とし、その反応管内で複数の被
処理Ｓｉウエハを、各ウエハ間に小間隙を存在させた段
積み状態に保持するウエハボートの構造に関する。
の軸線方向を鉛直方向とした縦型の減圧ＣＶＤ装置ある
いは酸化拡散装置を対象とし、その反応管内で複数の被
処理Ｓｉウエハを、各ウエハ間に小間隙を存在させた段
積み状態に保持するウエハボートの構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、減圧された高温雰囲気内で複数の
被処理Ｓｉウエハを、各ウエハ間に小間隙を存在させて
段積み状態に保持するウエハボートは、図２に示すよう
に、各ウエハを裏面側から支持するために、複数の被処
理Ｓｉウエハの周縁に共通に沿うように４本あるいは５
本、上下２枚のベース板３の間に周方向に間隔を置いて
ベース板と一体に形成された支柱１に溝１ａを設け、ウ
エハをこの溝に挿入して各ウエハの支持を行っていた。
被処理Ｓｉウエハを、各ウエハ間に小間隙を存在させて
段積み状態に保持するウエハボートは、図２に示すよう
に、各ウエハを裏面側から支持するために、複数の被処
理Ｓｉウエハの周縁に共通に沿うように４本あるいは５
本、上下２枚のベース板３の間に周方向に間隔を置いて
ベース板と一体に形成された支柱１に溝１ａを設け、ウ
エハをこの溝に挿入して各ウエハの支持を行っていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】Ｓｉウエハ上にＬＳＩ
を形成する工程中に１１００℃程度の高温を必要とする
プロセスがある。従来のウエハボートでは、ウエハの支
持を、４本あるいは５本の支柱に形成した溝にウエハを
挿入して行うため、ウエハ径が例えば８インチの大口径
のものになると、ウエハを積載したウエハボートをゆっ
くり反応管内の高温雰囲気中に挿入してウエハに熱応力
が生じないようにしてもなおウエハが反り、微小な断層
状の結晶欠陥いわゆるスリップがウエハの肉厚内で面方
向にみみずのような断面状態に連続して生じ、ＬＳＩを
構成しているＡｌ配線が切断される等の現象が発生し、
ＬＳＩの良品率を低下させる問題があった。しかも、ウ
エハの口径は、今後、１２インチ，１６インチと大口径
化される傾向にあり、国際的な規格化が進行している。
を形成する工程中に１１００℃程度の高温を必要とする
プロセスがある。従来のウエハボートでは、ウエハの支
持を、４本あるいは５本の支柱に形成した溝にウエハを
挿入して行うため、ウエハ径が例えば８インチの大口径
のものになると、ウエハを積載したウエハボートをゆっ
くり反応管内の高温雰囲気中に挿入してウエハに熱応力
が生じないようにしてもなおウエハが反り、微小な断層
状の結晶欠陥いわゆるスリップがウエハの肉厚内で面方
向にみみずのような断面状態に連続して生じ、ＬＳＩを
構成しているＡｌ配線が切断される等の現象が発生し、
ＬＳＩの良品率を低下させる問題があった。しかも、ウ
エハの口径は、今後、１２インチ，１６インチと大口径
化される傾向にあり、国際的な規格化が進行している。
【０００４】一方、ウエハの支持が支持の溝の面で行わ
れており、ウエハと溝との接触面積が支持を確実にする
ために各支持点でそれぞれ約３２ｍｍ2 もあるため、ま
た、支柱の材料には石英等の耐熱性無機絶縁材が用いら
れるため、ウエハの出し入れの際にウエハがこすられ、
ウエハの裏面でパーティクルが比較的多数発生する問題
があった。一方、計測可能なパーティクル（現時点では
０．２μｍ径のパーティクルまで計測可能）は発生個数
を零とする要求も出されはじめている。
れており、ウエハと溝との接触面積が支持を確実にする
ために各支持点でそれぞれ約３２ｍｍ2 もあるため、ま
た、支柱の材料には石英等の耐熱性無機絶縁材が用いら
れるため、ウエハの出し入れの際にウエハがこすられ、
ウエハの裏面でパーティクルが比較的多数発生する問題
があった。一方、計測可能なパーティクル（現時点では
０．２μｍ径のパーティクルまで計測可能）は発生個数
を零とする要求も出されはじめている。
【０００５】本発明の目的は、ウエハが大口径化しても
結晶欠陥の発生を低減させることができ、かつウエハの
ウエハボートの出し入れが搬送装置のアーム操作により
行われることを前提として、パーティクルの発生を極小
とすることのできるウエハボートの構造を提供すること
である。
結晶欠陥の発生を低減させることができ、かつウエハの
ウエハボートの出し入れが搬送装置のアーム操作により
行われることを前提として、パーティクルの発生を極小
とすることのできるウエハボートの構造を提供すること
である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明においては、請求項１に記載のごとく、ウエ
ハボートの構造を、各ウエハの支持を、ウエハの裏面側
から、ウエハの周縁部と，周縁に囲まれた平面部とで行
う構造とする。そして、この構造において、請求項２に
記載のごとく、ウエハ裏面とウエハボートのウエハ支持
部とのウエハ支持のための接触をすべて点接触とすれば
極めて好適である。
に、本発明においては、請求項１に記載のごとく、ウエ
ハボートの構造を、各ウエハの支持を、ウエハの裏面側
から、ウエハの周縁部と，周縁に囲まれた平面部とで行
う構造とする。そして、この構造において、請求項２に
記載のごとく、ウエハ裏面とウエハボートのウエハ支持
部とのウエハ支持のための接触をすべて点接触とすれば
極めて好適である。
【０００７】
【作用】このように、各ウエハの支持を、その周縁部だ
けでなく、周縁に囲まれた平面部でも行うようにすれ
ば、平面部での支持は、搬送装置のアームを挿入できる
間隔で支持点を設けて行われることになるが、この支持
点の間隔を搬送アームの幅ぎりぎりまで狭くすることは
容易に可能であるので、少なくとも、従来の結晶間スリ
ップが問題点とならなかった小口径ウエハにおける反り
程度まで反りを小さくすることが可能になる。また、こ
の支持方法により、ウエハボートへのウエハの出し入れ
が容易化，確実化されるため、支柱の溝の面のような面
積の大きい支持面を必要とせず、出し入れ時にウエハを
こする面の面積を小さくした支持が可能となり、パーテ
ィクルの発生を低減させることができる。
けでなく、周縁に囲まれた平面部でも行うようにすれ
ば、平面部での支持は、搬送装置のアームを挿入できる
間隔で支持点を設けて行われることになるが、この支持
点の間隔を搬送アームの幅ぎりぎりまで狭くすることは
容易に可能であるので、少なくとも、従来の結晶間スリ
ップが問題点とならなかった小口径ウエハにおける反り
程度まで反りを小さくすることが可能になる。また、こ
の支持方法により、ウエハボートへのウエハの出し入れ
が容易化，確実化されるため、支柱の溝の面のような面
積の大きい支持面を必要とせず、出し入れ時にウエハを
こする面の面積を小さくした支持が可能となり、パーテ
ィクルの発生を低減させることができる。
【０００８】そこで、請求項２に記載のごとく、ウエハ
の裏面とウエハボートのウエハ支持部との、ウエハ支持
のための接触をすべて点接触とすれば、搬送アームの操
作時にウエハボートの支持部でウエハの裏面がこすられ
ることがあっても、このこすれはウエハをもち上げなが
らの、あるいはもち下げながらのこすれであり、接触圧
力が存在する状態でのこすれではなく、かつ接触面積は
実質零であるので、パーティクル発生を極小とすること
ができる。
の裏面とウエハボートのウエハ支持部との、ウエハ支持
のための接触をすべて点接触とすれば、搬送アームの操
作時にウエハボートの支持部でウエハの裏面がこすられ
ることがあっても、このこすれはウエハをもち上げなが
らの、あるいはもち下げながらのこすれであり、接触圧
力が存在する状態でのこすれではなく、かつ接触面積は
実質零であるので、パーティクル発生を極小とすること
ができる。
【０００９】
【実施例】図１は８インチ径のＳｉウエハを対象とし
た、本発明によるウエハボート構造の一実施例を示す。
図はウエハボートの要部断面を示すものであるが、Ｓｉ
Ｃからなる上下２枚のベース板３の間にベース板３と一
体に形成した複数の支柱１の間に支柱１の径と同じ幅の
横バー４が渡され、また紙面左右方向のバー４の間にも
縦バー５が渡され、各バー４，５の上面に同図（ｂ）に
示すような突起６が形成されている。また支柱１の溝は
高さ方向に幅の広い溝として、ここにウエハ支持用の突
起１ｂが形成されている。各突起の間隔は、従来結晶間
スリップが問題とならなかった小口径ウエハ用ウエハボ
ートでの支持間隔以下、搬送アームの幅以上とし、この
例では４４ｍｍとしている。なお、ウエハボートの材料
ＳｉＣは昇華点２２００℃，融点２７００℃で、雰囲気
温度１２５０℃までは何らの支障なく常用できる。ウエ
ハボートのウエハ積載高さは、処理時にウエハボートを
位置させる反応管内の均熱領域の大きさから従来のもの
より大きくできないが、本実施例の構造より、大口径ウ
エハを約２５枚程度まで積載可能である。従来は６イン
チのウエハを１００枚程度まで積載させていたので、ウ
エハ径１２インチで総処理面積が等しくなり、１６イン
チでは本実施例の構造によるものの方が装置生産性の面
で有利になる。
た、本発明によるウエハボート構造の一実施例を示す。
図はウエハボートの要部断面を示すものであるが、Ｓｉ
Ｃからなる上下２枚のベース板３の間にベース板３と一
体に形成した複数の支柱１の間に支柱１の径と同じ幅の
横バー４が渡され、また紙面左右方向のバー４の間にも
縦バー５が渡され、各バー４，５の上面に同図（ｂ）に
示すような突起６が形成されている。また支柱１の溝は
高さ方向に幅の広い溝として、ここにウエハ支持用の突
起１ｂが形成されている。各突起の間隔は、従来結晶間
スリップが問題とならなかった小口径ウエハ用ウエハボ
ートでの支持間隔以下、搬送アームの幅以上とし、この
例では４４ｍｍとしている。なお、ウエハボートの材料
ＳｉＣは昇華点２２００℃，融点２７００℃で、雰囲気
温度１２５０℃までは何らの支障なく常用できる。ウエ
ハボートのウエハ積載高さは、処理時にウエハボートを
位置させる反応管内の均熱領域の大きさから従来のもの
より大きくできないが、本実施例の構造より、大口径ウ
エハを約２５枚程度まで積載可能である。従来は６イン
チのウエハを１００枚程度まで積載させていたので、ウ
エハ径１２インチで総処理面積が等しくなり、１６イン
チでは本実施例の構造によるものの方が装置生産性の面
で有利になる。
【００１０】図のＳｉＣボートを用い、反応管内へＮ2
とＯ2 との混合ガスを導入し、拡散温度１１５０℃で８
インチ径のウエハへの拡散処理を行った結果、スリップ
発生率が大きく低減（約５０％に）したことが確認され
た。また、パーティクル発生数が減り、ウエハ裏面とウ
エハボートウエハ支持部との接触を点接触としたことの
パーティクル発生数低減効果を確認できた。
とＯ2 との混合ガスを導入し、拡散温度１１５０℃で８
インチ径のウエハへの拡散処理を行った結果、スリップ
発生率が大きく低減（約５０％に）したことが確認され
た。また、パーティクル発生数が減り、ウエハ裏面とウ
エハボートウエハ支持部との接触を点接触としたことの
パーティクル発生数低減効果を確認できた。
【００１１】
【発明の効果】本発明では、減圧ＣＶＤ装置あるいは酸
化拡散装置などの半導体製造装置に用いられるウエハボ
ートを以上の構造としたので、以下に記載する効果が得
られる。請求項１の構造では、８インチ径以上の大口径
ウエハでも高温雰囲気中での反りが小さくなり、反りに
起因する結晶欠陥（スリップ）の発生を低減させること
ができ、良品ＬＳＩの歩留りが、従来構造のウエハボー
トを使用する場合と比べ顕著に向上した。
化拡散装置などの半導体製造装置に用いられるウエハボ
ートを以上の構造としたので、以下に記載する効果が得
られる。請求項１の構造では、８インチ径以上の大口径
ウエハでも高温雰囲気中での反りが小さくなり、反りに
起因する結晶欠陥（スリップ）の発生を低減させること
ができ、良品ＬＳＩの歩留りが、従来構造のウエハボー
トを使用する場合と比べ顕著に向上した。
【００１２】また、ウエハをその周縁部と平面部とで支
持する支持構造としたので、ウエハの出し入れが容易
化，確実化され、従来のように面積の大きい支持面を必
要とせず、出し入れ時にウエハをこする面の面積の小さ
い支持構造が可能となり、ウエハ出し入れ時のパーティ
クル発生数を低減させることができるようになった。こ
れにより、パーティクル汚損による良品ＬＳＩの歩留り
低下を小さくすることができた。
持する支持構造としたので、ウエハの出し入れが容易
化，確実化され、従来のように面積の大きい支持面を必
要とせず、出し入れ時にウエハをこする面の面積の小さ
い支持構造が可能となり、ウエハ出し入れ時のパーティ
クル発生数を低減させることができるようになった。こ
れにより、パーティクル汚損による良品ＬＳＩの歩留り
低下を小さくすることができた。
【００１３】請求項２の構造では、ウエハ裏面とウエハ
ボートのウエハ支持部との、ウエハ支持のための接触を
点接触としたので、ウエハ支持部によるウエハ裏面のこ
すれがあっても、このこすれは、ウエハの搬送操作面か
ら接触圧力が存在しない状態でのこすれであること、ま
た、接触面積が実質零であることから、こすれによるパ
ーティクルの発生が従来の支持方法の場合と比べ、大幅
に低減し、良品ＬＳＩの歩留りが向上した。
ボートのウエハ支持部との、ウエハ支持のための接触を
点接触としたので、ウエハ支持部によるウエハ裏面のこ
すれがあっても、このこすれは、ウエハの搬送操作面か
ら接触圧力が存在しない状態でのこすれであること、ま
た、接触面積が実質零であることから、こすれによるパ
ーティクルの発生が従来の支持方法の場合と比べ、大幅
に低減し、良品ＬＳＩの歩留りが向上した。
【図１】本発明によるウエハボート構造の一実施例を示
す図であって、同図（ａ）は要部断面図、（ｂ）は
（ａ）におけるＡ−Ａ線位置の構造を示す側面拡大図
す図であって、同図（ａ）は要部断面図、（ｂ）は
（ａ）におけるＡ−Ａ線位置の構造を示す側面拡大図
【図２】従来のウエハボートの構造例を示す要部断面図
１ 支柱 １ｂ 突起 ３ ベース板 ４ 横バー ５ 縦バー ６ 突起
Claims (2)
- 【請求項１】減圧ＣＶＤ装置あるいは酸化拡散装置など
の半導体製造装置における減圧された高温雰囲気内で複
数の被処理Ｓｉウエハを、各ウエハ間に小間隙を存在さ
せて段積み状態に保持するウエハボートにおいて、各ウ
エハの支持を、ウエハの裏面側から、ウエハの周縁部
と，周縁に囲まれた平面部とで行うことを特徴とする半
導体製造装置のウエハボート。 - 【請求項２】請求項１に記載のものにおいて、ウエハ裏
面とウエハボートのウエハ支持部とのウエハ支持のため
の接触をすべて点接触とすることを特徴とする半導体装
置のウエハボート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP458695A JPH08195352A (ja) | 1995-01-17 | 1995-01-17 | 半導体製造装置のウエハボート |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP458695A JPH08195352A (ja) | 1995-01-17 | 1995-01-17 | 半導体製造装置のウエハボート |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08195352A true JPH08195352A (ja) | 1996-07-30 |
Family
ID=11588150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP458695A Pending JPH08195352A (ja) | 1995-01-17 | 1995-01-17 | 半導体製造装置のウエハボート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08195352A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6186344B1 (en) | 1995-09-07 | 2001-02-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Cassette for loading glasses for liquid crystal display device |
| JP2009218583A (ja) * | 2008-02-20 | 2009-09-24 | Tera Semicon Corp | ボート |
-
1995
- 1995-01-17 JP JP458695A patent/JPH08195352A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6186344B1 (en) | 1995-09-07 | 2001-02-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Cassette for loading glasses for liquid crystal display device |
| JP2009218583A (ja) * | 2008-02-20 | 2009-09-24 | Tera Semicon Corp | ボート |
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