JPS59193093A

JPS59193093A - 湿式多層セラミツク基板

Info

Publication number: JPS59193093A
Application number: JP58065567A
Authority: JP
Inventors: 元山　郁夫; 品川　充久; 松本　智三; 茂斉藤; 浅羽　洋史
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1983-04-15
Filing date: 1983-04-15
Publication date: 1984-11-01

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の利用分野〕本発明は湿式多層セラミン′り基板に関するものである
。

〔発明の背景〕

第１図、第２図はそれぞれ第１、第２の従来例の湿式多
層セラミック基本の断面図である。

第１図に示す第１の従来例において、１ａはセラミック
基体、２ａ〜２ｄは絶縁層、６８〜６ｇは導体層で、こ
れら絶縁層と導体層とは印刷積層法により図示のごとく
それぞれ交互に積層状に形成されている。４は絶縁層で
隔てられた導体層どうしを接続するピアホール、５ａ、
５ｂはセラミック基体１ａで隔てられた導体層どうしを
接続するスルーホール、９はコイルやコンデンサ等の内
部部品に接続されたリード線、６は当該セラミソり基板
に穿設され、リード線９を通すためのリード挿入穴、１
ｏはチップ部品等の装着部品、１１はリード線９または
装着部品１ｏを当該セラミック基板の導体層５ｅ、、５
ｅ２にディップ半田等により半田部けして固定した半田
部分、７は半田部分１１どうじの接続を防止するための
オーバーコート、８は抵抗体である。

第２図に示す第２の従来例は、第１の従来例の絶縁層２
ｃの上にさらに厚さ２００μｍ以上の絶縁層（１ｂ）が
形成しである。このことを換言すれば、絶縁層２ｃの上
に、当該セラミック基板の構造上のバランスを良（し、
かつ該基板の反りを防止するために第２のセラミック基
体１ｂを貼り合わせて固着したものである。その他の構
成は第１の従来例とほぼ同様である。

このような構成の従来の湿式多層セラミック基板におい
ては、リード線９を固定するフィレット状の半田部分１
１の所定の機械的強度を得るために、該半田部分１１は
所定の高さと面積、およびその下の導電層５ｅ、は所定
の面積を必要とする。また、隣接した異電位の導ｔｉ３
ｅｌと３ｅ２とがその上に形成されたそれぞれの半田部
分１１によるブリッジによって接続されるのを防ぐため
に、隣接する導体層５ｅ、と３ｅ２との電極パターン間
隔を保つ必要がある。また、隣接した異電位の導電層３
ｅ、と３ｅ２とが高周波電極である場合、導電層３ｅ、
と５ｅ２との電極パターン間隔か狭いと両者がその間の
浮遊容量によって交流的につながってしまい回路損失が
生じるので、それを防ぐために導電層３ｅ、と３ｅ２と
の間隔はできる限り開けるべきである。さらに、当該セ
ラミック基板に開けられたリード挿入穴６とそれに隣接
するスルーホール５ａとの間隔も所定の機械的強度を得
るために所定の距離が必要である。

このように、従来の湿式多層セラミック基板においては
、半田付けされる部分の導体層６ｅ１゜３ｅ２の電極パ
ターンは所定の面積と、パターン間隔が必要であり、か
つリード挿入穴６とスルーホール５ａとは所定の間隔を
要するため、当該セラミック基板の面積は広くなりパタ
ーン設計の高密度化、高集積化の障害となっている。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、このような従来技術の問題点を解決し
、高密度化、高集積化を達成し得る湿式多層セラミック
基板を提供することにある。

〔発明の概要〕

この目的を達成するために、本発明は、セラミック基体
上に導体層と絶縁層とが交互に形成され、リード線が通
る穴を有する湿式多層セラミック基板において、前記穴
の内壁面に電極を設けたことを特徴とする。

〔発明の実施例〕

本発明の一実施例を第６図に基づいて説明する。第６図
は本発明の一実施例の湿式多層セラミック基板の断面図
である。

第５図に示すように、本実施例の湿式多層セラミック基
板は、リード挿入穴６，６′の内壁面に電極１２ａ、１
２ｂが設けられ、該電極１２ａ　、　１２ｂは導電層３
ｇ、　、　３ｄ、　、　５ｅ、と接続形成しである。ま
た、リード挿入穴６．６′は半田部分１１で満たされて
いる。なお、第２のセラミック基体１ｂのリード挿入穴
６′の径は第１のセラミック基体１ａのリード挿入穴乙
の径よりも大きくなっている。

次に、このような構成の本実施例の湿式多層セラミック
基板の製造工程について述べる。まず、未焼成の第１の
セラミック基体１ａに、スルーホール用穴を打ち抜き、
スルーホール５ｂを施こし当該セラミック基板の内部に
おし・て回路の接続、または内部形成コンデンサの電極
を構成する第１の導電層３ａをセラミック基体１ａ上に
印刷形成した後、導体層間を絶縁し、内部形成コンデン
サの誘電体として作用する第１の絶縁層２ａを印刷形成
する。同様に順次導体層６ｂ〜６ｄおよび絶縁層２ｂ　
、　２ｃをそれぞれ父互に積層して印刷形成する。次に
、導体層３　ａ　−３ｄおよび絶縁層２ａ〜２Ｃを積層
したセラミック基体１ａの面と反対の面上に、導体層３
ｆ　、　５ｇおよび絶縁ｊ＠２ｄをそれぞれ交互に積層
して印刷形成した後、リード挿入穴６を打ち抜き、該リ
ード挿入穴６の内壁面に電極１２ａを形成し、該ｔ、＊
１２ａを導体層５ｇ＋および３ｄ、とに接続する。次に
、予め前記リード挿入穴６と一致する位置に該穴の径の
１倍より大きく６倍以下の径のリード挿入穴６′を開け
、該リード挿入穴６′の内壁面に電極１２ｂを形成し、
スルーホール用り（を打ち抜き開け、スルーホール５ｂ
を施こし、かつ表面電極となる導電層６ｅ、。

３ｅ、　＋　３ｅ、を印刷形成した第２のセラミック基
体１ｂを第１のセラミック基体１ａ上の絶縁層２ｃの上
に貼り合わせ、固着された第１および第２のセラミック
基体１ａ　、　１ｂから成る当該セラミック基板を一括
焼成する。次に焼成した該セラミンク基板に抵抗体８を
印刷した後焼付けし、オーバーコート７を施こした湿式
多層セラミック基板のリード挿入穴６，６′にコイル等
の内部部品と接続されるリード線９を挿入した後、接着
剤等で仮止めした装着部品１０と同一工程においてディ
ソゲ半田等により半田付けを行なう。これにより装着部
品１０は半田部分１１により導電層３ｅ２に取付げられ
、一方リード線９を固定するための半田はリード挿入７
６．６’内へ自然に吸い上げられてリード線９と導電層
３ｄ、に接続された電極１２ｂおよび１２ａとの間を満
たし、両者の機械的および電気的接続を行なう。

このようにして↓遺された本実施例の湿式多層セラミッ
ク基板においては、第１．第２の従来例のスルーホール
５ａの代わりにリード挿入穴６．６′の内壁面に電極１
２ａ　、　１２ｂを設けたことにより、スルーホール５
ａが小袋となり第１図、第２図におけるＡ部分の面積だ
け減少することになる。また、電極１２ａ、１２ｂがリ
ード挿入穴６，６′の内壁面全体に設けてあり、かつ半
田部分１１が電極１２ａ、１２ｂとリード線９との間隙
をすべて満たしているので、リード線９の機械的および
電気的接続の信頼性を大幅に向上させることかできる。

また、第２のセラミック基体１ｂのリード挿入穴６′の
径を第１のセラミック基体１ａのリード挿入穴乙の径よ
りも太き（したことから、リード線９０半田付けの際の
半田の吸い上けを良（し、かつ半田部分１１の体積が大
きいことからリード線９を固定する機械的強度をさらに
増大させることかできる。また、内部コンデンサを形成
する導体／ｉ’１Ｊ３ｄｌや表面の電極である導体層３
ｅ。

と電極１２ａ　、　１２ｂとのバスが短くなること、お
よび異電位電極３ｅ、　、　３ｅ２が高周波電極の場合
、両電極の間隔に余裕をもたせることが可能なので両電
極間の浮遊容量の影響を防止し得ることにより、回路損
失を少な（し、高周波特性が良好になる。さらに、半田
部分１１をリード挿入穴６゜６′に充填することにより
リード線９の固定強度が大きくなるので、半田部分１１
０基板上の高さを低くすることができるので、リード線
９の長さを短くでき、製品の薄型化が図れる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明の湿式多層セラミック基板
によれば、リード挿入穴の内壁面に電極を設けたことに
より、当該セラミック基板の面積が縮小でき、高密度化
、高集積化を達成でき、ひいては同量の材料で多数の基
板を得ることが可能で原価低減を図ることができる。ま
た、当該基板内の導体層の引き回しが短くなること、お
よび異電位高周波電極どうしの間隔に余裕をもたせ得る
ことにより、回路損失を少なくし、高周波特性を改良す
ることができる。このように本発明の効果は顕著である
。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図はそれぞれ第１．第２の従来例の湿式多
層セラミック基板の断面図、第６図は本発明の一実施例
の湿式多層セラミック基板の断面図である。１ａ・・・第１のセラミック基体、１ｂ・・・第２のセラミック基体（最上絶縁層）、２３
〜２ｄ・・・絶縁層、５　ａ　−５ｇ・・・導体層、４・・・ピアホール、５ａ　、　５ｂ・スルーホール、
６・・・リード挿入穴（り０．７・・・オーバーコート
、８・・・抵抗体、　　　　　　９・・・リード線、１
０・・・装着部品、　　　　１１・・・半田部分、１２
ａ、１２ｂ　−−・電極。代理人弁理士　高　橋　明　夫

Claims

【特許請求の範囲】

（１）　　セラミンク基体上に導体層と絶縁層とが交互
に形成され、リード線が通る穴を有する湿式多層セラミ
ック基板において、前記穴の内壁面に電極を設けたこと
を特徴とする湿式多層セラミック基板。
（２）　　前記穴を前記リード線固定用の半田で満たし
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の湿式多
層セラミック基板。
（３）　　前記セラミック基体上の最上絶縁層の厚さが
２００μｍ以上であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項または第２項記載の湿式多層セラミック基板。
（４）　　前記セラミック基体上の最上絶縁層の前記穴
の径が前記セラミック基体の前記穴の径よりも大きいこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第６項のい
ずれかに記載の湿式多層セラミック基板。
（５）　　前記電極と前記導体層の少なくとも一層とを
接続形成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項な
いし第４項のいずれかに記載の湿式多層セラミック基板
。