JP3126382B2 - 回路の製造方法 - Google Patents
回路の製造方法Info
- Publication number
- JP3126382B2 JP3126382B2 JP03514315A JP51431591A JP3126382B2 JP 3126382 B2 JP3126382 B2 JP 3126382B2 JP 03514315 A JP03514315 A JP 03514315A JP 51431591 A JP51431591 A JP 51431591A JP 3126382 B2 JP3126382 B2 JP 3126382B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- circuit
- contact connection
- green tape
- contact
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 77
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 39
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical group [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 17
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 2
- YCKOAAUKSGOOJH-UHFFFAOYSA-N copper silver Chemical compound [Cu].[Ag].[Ag] YCKOAAUKSGOOJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000156 glass melt Substances 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
- H01L23/5385—Assembly of a plurality of insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
- H05K3/4614—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards the electrical connections between the circuit boards being made during lamination
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
- H05K3/4626—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
- H05K3/4629—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials laminating inorganic sheets comprising printed circuits, e.g. green ceramic sheets
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
- H05K2201/09372—Pads and lands
- H05K2201/09481—Via in pad; Pad over filled via
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09818—Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
- H05K2201/09909—Special local insulating pattern, e.g. as dam around component
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4038—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
- H05K3/4053—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 従来の技術 本発明は、例えば厚膜構造によって被覆され、接触接
続面を有する相応の導体路がプリントされたセラミック
基板からなる第１の回路平面を含む回路の製造方法に関
する。
続面を有する相応の導体路がプリントされたセラミック
基板からなる第１の回路平面を含む回路の製造方法に関
する。
将来のハイブリッド回路に対する複雑性の要求と、導
体路長を短くするという要求は多層回路によってのみ実
現されるものである。工程に起因する欠点、例えば非平
坦な形状および基板湾曲による幾何学的制限、およびプ
リント誘電体を備えた多層厚膜回路での工程ステップが
多数であることによる歩留まりの低下のため、新たな方
法が開発された。これにはいわゆるグリーンテープ法も
含まれる。このグリーンテープ法またはグリーンシート
法では、回路素子および導体路を備えた、焼結されてい
ないセラミックシートがプリントされ（通常は多層にま
とめられる）、プレスされ、焼結される。この低温焼結
（約850℃で）されるガラスセラミックシートの開発に
より、歩留まりの高い、複雑な多層回路が実現される。
体路長を短くするという要求は多層回路によってのみ実
現されるものである。工程に起因する欠点、例えば非平
坦な形状および基板湾曲による幾何学的制限、およびプ
リント誘電体を備えた多層厚膜回路での工程ステップが
多数であることによる歩留まりの低下のため、新たな方
法が開発された。これにはいわゆるグリーンテープ法も
含まれる。このグリーンテープ法またはグリーンシート
法では、回路素子および導体路を備えた、焼結されてい
ないセラミックシートがプリントされ（通常は多層にま
とめられる）、プレスされ、焼結される。この低温焼結
（約850℃で）されるガラスセラミックシートの開発に
より、歩留まりの高い、複雑な多層回路が実現される。
一方、この多層回路の熱伝導率は、例えばAl2O3から
なるセラミックの約15％しかない。同様に機械的強度は
Al2O3セラミックのそれを下回り、半分にまで低下す
る。従いこのグリーンテープ回路は自動車技術における
頑丈性の要求される適用には適しない。
なるセラミックの約15％しかない。同様に機械的強度は
Al2O3セラミックのそれを下回り、半分にまで低下す
る。従いこのグリーンテープ回路は自動車技術における
頑丈性の要求される適用には適しない。
発明の利点 本発明の実施態様によれば、セラミック基板がグリー
ンテープ基板からなる第２の回路面と接合される。例え
ば多層回路としてのグリーンテープ基板は厚膜ハイブリ
ッド回路の信号部を形成する。このために特に信頼性の
高い電気的および機械的接合が２つの基板間で必要であ
る。この接合が以下に述べる方法ステップの対象であ
る。
ンテープ基板からなる第２の回路面と接合される。例え
ば多層回路としてのグリーンテープ基板は厚膜ハイブリ
ッド回路の信号部を形成する。このために特に信頼性の
高い電気的および機械的接合が２つの基板間で必要であ
る。この接合が以下に述べる方法ステップの対象であ
る。
多層回路は一般的に、セラミック基板の回路面の部分
だけが覆われている。多層回路、すなわちグリーンテー
プ基板も、電力構成素子の差し込まれる切欠部を有する
ことができる。この電力構成素子は次に回路と電気的
に、例えばボンディングワイヤにより接合される。
だけが覆われている。多層回路、すなわちグリーンテー
プ基板も、電力構成素子の差し込まれる切欠部を有する
ことができる。この電力構成素子は次に回路と電気的
に、例えばボンディングワイヤにより接合される。
本発明の回路により、グリーンテープ法の欠点が回避
される。なぜなら、回路全体の熱伝導率および強度はセ
ラミック基板により定まるからである。
される。なぜなら、回路全体の熱伝導率および強度はセ
ラミック基板により定まるからである。
本発明によれば、セラミック基板とグリーンテープ基
板の接合の前に、グリーンテープ基板にヴィアが成形さ
れ、銀等の導電接触接続物質が充填される。この接触接
続物質の表面は、セラミック基板上の接触接続面に相応
する対向接触接続面をグリーンテープ基板上に形成す
る。ヴィアは、通常のように打ち抜かれたグリーンテー
プ基板の穿孔である。典型的なヴィアの直径は約0.2mm
である。
板の接合の前に、グリーンテープ基板にヴィアが成形さ
れ、銀等の導電接触接続物質が充填される。この接触接
続物質の表面は、セラミック基板上の接触接続面に相応
する対向接触接続面をグリーンテープ基板上に形成す
る。ヴィアは、通常のように打ち抜かれたグリーンテー
プ基板の穿孔である。典型的なヴィアの直径は約0.2mm
である。
さらに２つの基板の接合の前に、セラミック基板上の
接触接続面に接続層がプリントされる。接続層として
は、ガラス成分の少ないまたはない銀ペーストが使用さ
れる。接続層として銅が選択されたならば、セラミック
基板上の銀接触接続面と、グリーンテープ基板上の接触
接続面との間に信頼性の高い接続が得られる。
接触接続面に接続層がプリントされる。接続層として
は、ガラス成分の少ないまたはない銀ペーストが使用さ
れる。接続層として銅が選択されたならば、セラミック
基板上の銀接触接続面と、グリーンテープ基板上の接触
接続面との間に信頼性の高い接続が得られる。
接触接続面の直径および、ひいては接続層の直径はい
ずれの場合でも対向接触接続面の直径（0.2mm）よりも
大きくなければならない（例えば1mm）。これにより、
グリーンテープ基板をセラミック基板に載置する際、対
向接触接続面が接触接続面に達しても所定の公差が得ら
れる。
ずれの場合でも対向接触接続面の直径（0.2mm）よりも
大きくなければならない（例えば1mm）。これにより、
グリーンテープ基板をセラミック基板に載置する際、対
向接触接続面が接触接続面に達しても所定の公差が得ら
れる。
本発明の別の構成では同様に、セラミック基板とグリ
ーンテープ基板の接合の前に、セラミック基板またはグ
リーンテープ基板または両方は、相互に接合されるべき
面上でガラス性のウェッブでプリントされる。ここでは
十字形のガラスウェッブが有利であることが示された。
ガラスの場合、約500℃で溶融するガラスが使用され
る。ウェッブの典型的な寸法は長さ5mm、幅0.5mmであ
る。
ーンテープ基板の接合の前に、セラミック基板またはグ
リーンテープ基板または両方は、相互に接合されるべき
面上でガラス性のウェッブでプリントされる。ここでは
十字形のガラスウェッブが有利であることが示された。
ガラスの場合、約500℃で溶融するガラスが使用され
る。ウェッブの典型的な寸法は長さ5mm、幅0.5mmであ
る。
その際、有利には十字形のガラスウェッブの乾燥厚さ
は接触接続面と接続層との合計厚さ、約40μｍを著しく
越えることができる。
は接触接続面と接続層との合計厚さ、約40μｍを著しく
越えることができる。
このように前処理された基板は、接触接続面と対向接
触接続面とができるだけ対向するように重ね合わされ
る。その後、通過炉において約850℃（銀ペースト接続
層の場合）から770℃（銅ペースト接続層の場合）で、
回路全体の焼成が行われる。
触接続面とができるだけ対向するように重ね合わされ
る。その後、通過炉において約850℃（銀ペースト接続
層の場合）から770℃（銅ペースト接続層の場合）で、
回路全体の焼成が行われる。
焼成の際に接触接続面と対向接触接続面は被着された
接続層により焼結し、15μｍだけ高い台座が形成され
る。銀と銅は780℃において共融組織を形成し、装置構
成がこの温度よりも約10℃低い温度で焼成される際に特
に信頼性の高い接合が達成される。約850℃（銀ペース
ト）から770℃（銅ペースト）の焼成温度において粘度
の低くなるウェッブのガラスは、形成された約15μｍ幅
の空隙内で２つの基板を接合する。その際、約２倍まで
ガラスが溶けて流出する。そのため２つの基板間の間隔
は減少し、接触接続面と対向接触接続面との確実な接合
が保証される。
接続層により焼結し、15μｍだけ高い台座が形成され
る。銀と銅は780℃において共融組織を形成し、装置構
成がこの温度よりも約10℃低い温度で焼成される際に特
に信頼性の高い接合が達成される。約850℃（銀ペース
ト）から770℃（銅ペースト）の焼成温度において粘度
の低くなるウェッブのガラスは、形成された約15μｍ幅
の空隙内で２つの基板を接合する。その際、約２倍まで
ガラスが溶けて流出する。そのため２つの基板間の間隔
は減少し、接触接続面と対向接触接続面との確実な接合
が保証される。
グリーンテープ基板のガラス成分が多いため（約40重
量％）、850℃の焼成温度においてグリーンテープ基板
は軟化し、それによりすべての接触個所の合成焼成が、
セラミック基板が研磨されていなくても保証される。焼
成温度（約850℃）と機械的接合に使用するガラスの溶
融温度（約500℃）との差は、実際上は制御することの
できない、接触接続点とガラスウェッブとのクリティカ
ルな層厚関係を和らげる。
量％）、850℃の焼成温度においてグリーンテープ基板
は軟化し、それによりすべての接触個所の合成焼成が、
セラミック基板が研磨されていなくても保証される。焼
成温度（約850℃）と機械的接合に使用するガラスの溶
融温度（約500℃）との差は、実際上は制御することの
できない、接触接続点とガラスウェッブとのクリティカ
ルな層厚関係を和らげる。
本発明の別の利点は、適用される工程が厚膜回路の大
量生産に既使用されている工程にほぼ相応することであ
る。さらにセラミック上の厚膜回路の利点がグリーンテ
ープ回路の利点と組み合わされる。高い機械的強度と熱
伝導率はそのまま保証される。
量生産に既使用されている工程にほぼ相応することであ
る。さらにセラミック上の厚膜回路の利点がグリーンテ
ープ回路の利点と組み合わされる。高い機械的強度と熱
伝導率はそのまま保証される。
本発明は、上に述べた方法に従い製造された回路を含
むものである。
むものである。
図面 本発明の利点を図面に基づき詳細に説明する。
図１は、本発明の回路全体の正面図、 図２は、図１の線II−IIに沿った全体回路断面の一部
拡大図である。
拡大図である。
本発明の全体回路Ｒは、導体路２により被覆されたセ
ラミック基板１を有する。このセラミック基板１は第１
の回路平面を形成する。このセラミック基板１上にはこ
れを一部覆う第２の回路平面が配置されている。第２の
回路平面はグリーンテープ基板３として構成されてい
る。このグリーンテープ基板３は相互に重なり合うセラ
ミックシートからなり、導体路のプリントされた複数の
シートを積み重ねることにより多層回路が形成されてい
る。この多層回路は例えば第１の回路平面に対する信号
部を形成することができる。この第１の回路平面は厚膜
回路とすることができる。
ラミック基板１を有する。このセラミック基板１は第１
の回路平面を形成する。このセラミック基板１上にはこ
れを一部覆う第２の回路平面が配置されている。第２の
回路平面はグリーンテープ基板３として構成されてい
る。このグリーンテープ基板３は相互に重なり合うセラ
ミックシートからなり、導体路のプリントされた複数の
シートを積み重ねることにより多層回路が形成されてい
る。この多層回路は例えば第１の回路平面に対する信号
部を形成することができる。この第１の回路平面は厚膜
回路とすることができる。
セラミック基板１には導体路２の端部に接触接続面４
が設けられている。接触接続面４の直径は例えば1mmま
でであることができる。いずれの場合でも、接触接続面
の直径は、第２の回路平面３の対向接触接続面５よりも
大きい（図２参照）。対向接触接続面はヴィア７の銀充
填部６からなる。このヴィア７は、第２の回路平面を形
成するグリーンテープ基板３に打ち抜かれるか、または
穿たれた孔部である。この孔部には後で銀が充填され
る。
が設けられている。接触接続面４の直径は例えば1mmま
でであることができる。いずれの場合でも、接触接続面
の直径は、第２の回路平面３の対向接触接続面５よりも
大きい（図２参照）。対向接触接続面はヴィア７の銀充
填部６からなる。このヴィア７は、第２の回路平面を形
成するグリーンテープ基板３に打ち抜かれるか、または
穿たれた孔部である。この孔部には後で銀が充填され
る。
接触接続面４には次いで、接続層８がプリントされ
る。この接続層はガラス成分の少ないかまたはない銀ペ
ーストからなることができる。前記の理由から銅ペース
トも非常に有利であることがわかった。
る。この接続層はガラス成分の少ないかまたはない銀ペ
ーストからなることができる。前記の理由から銅ペース
トも非常に有利であることがわかった。
次に、セラミック基板１またはグリーンテープ基板３
の下側９または両方に十字形のウェッブ10がプリントさ
れる。このウェッブは500℃で溶融するガラスからな
る。このウェッブの典型的寸法は長さ5mm、幅0.5mmであ
る。プリントされ乾燥した後のウェッブの厚さは接触接
続面４と接続層８の厚さの合計（約40μｍ）を明らかに
上回ることができる。
の下側９または両方に十字形のウェッブ10がプリントさ
れる。このウェッブは500℃で溶融するガラスからな
る。このウェッブの典型的寸法は長さ5mm、幅0.5mmであ
る。プリントされ乾燥した後のウェッブの厚さは接触接
続面４と接続層８の厚さの合計（約40μｍ）を明らかに
上回ることができる。
ウェッブ10と特に接続層８が乾燥した後、グリーンテ
ープ基板３はセラミック基板１に載置される。これによ
り対向接触接続面５は、それに所属する接続層８ないし
接触接続面４上に来るようになる。
ープ基板３はセラミック基板１に載置される。これによ
り対向接触接続面５は、それに所属する接続層８ないし
接触接続面４上に来るようになる。
次に相互に重ね合わされた基板１と３の焼成が、例え
ば、約850℃（接続層として銀ペーストが使用された場
合）ないし約770℃（接続層として銅ペーストが使用さ
れた場合）の通過炉で行われる。焼成の際に、接触接続
面４および対向接触接続面５は被着された接続層８によ
り焼結し、その際約15μｍの高さの台座を形成する。約
850℃（銀ペースト）ないし約770℃（銅ペースト）の接
合温度の際に、低粘度のガラスからなるウェッブ10も溶
けて溶出し、ほぼ２倍まで広がる。これにより対向接触
接続面５と接続層８との所要の接触が生成され、２つの
基板１と３の接合も行われる。接触接続面４の直径は対
向接触接続面５の直径よりも格段に大きいから、グリー
ン基板３をセラミック基板１に載置する際に部分的に発
生するずれも補償することができる。
ば、約850℃（接続層として銀ペーストが使用された場
合）ないし約770℃（接続層として銅ペーストが使用さ
れた場合）の通過炉で行われる。焼成の際に、接触接続
面４および対向接触接続面５は被着された接続層８によ
り焼結し、その際約15μｍの高さの台座を形成する。約
850℃（銀ペースト）ないし約770℃（銅ペースト）の接
合温度の際に、低粘度のガラスからなるウェッブ10も溶
けて溶出し、ほぼ２倍まで広がる。これにより対向接触
接続面５と接続層８との所要の接触が生成され、２つの
基板１と３の接合も行われる。接触接続面４の直径は対
向接触接続面５の直径よりも格段に大きいから、グリー
ン基板３をセラミック基板１に載置する際に部分的に発
生するずれも補償することができる。
フロントページの続き (72)発明者 シュタインレ，クラウス ドイツ連邦共和国 Ｄ−7032 ジンデル フィンゲン エッシェンブリュンレシュ トラーセ 90 (72)発明者 シュピッツェンベルガー，クルト ドイツ連邦共和国 Ｄ−7256 メルクリ ンゲン アウグ レムレ ヴェーク （番地なし) (72)発明者 シュテッヒャー，ギュンター ドイツ連邦共和国 Ｄ−7140 ルートヴ ィヒスブルク ゼーシュトラーセ 64 (56)参考文献 特開 平１−282890（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−220598（ＪＰ，Ａ) 特公 昭56−25038（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05K 3/46 H01L 23/12
Claims (22)
- 【請求項１】セラミック基板からなる第１の回路平面を
有する回路の製造方法であって、該セラミック基板は厚
膜構造を有し、接触接続面を有する相応の導電路がプリ
ントされており、 前記第１の回路平面は、グリーンテープ基板からなる第
２の回路平面に接合されており、該グリーンテープ基板
は、相互に重なり合うセラミックシートからなり、導体
路のプリントされた複数のシートを積み重ねることによ
り多層回路を形成しており、相応する対向接触接続面を
有する形式の回路の製造方法において、 前記グリーンテープにヴィアを形成し、該ヴィアを導電
性接触接続材料を充填し、これにより前記対向接触接続
面を形成するステップと、 前記セラミック基板と、前記グリーンテープ基板の下側
のうちの少なくとも１つにガラスウェッブをプリントす
るステップと、 前記セラミック基板を、前記グリーンテープ基板に隣接
して配置して、これにより前記ガラスウェッブが前記２
つの基板の間に配置され、かつ、前記２つの基板に接触
するようにするステップと、 前記セラミック基板と前記グリーンテープ基板とを、前
記接触接続面と前記対向接触接続面とが接合する温度に
相応する温度かつ前記ガラスウェッブの溶融温度よりも
高い温度で焼成するステップとを有することを特徴とす
る回路の製造方法。 - 【請求項２】前記セラミック基板上の前記接触接続面の
直径は、前記グリーンテープ基板上の相応する前記対向
接触接続面の直径よりも大きい請求の範囲第１項に記載
の製造方法。 - 【請求項３】前記接触接続面をそれぞれ、相応する接続
層でプリントする請求の範囲第１項に記載の製造方法。 - 【請求項４】前記接続層は、ガラス成分の少ないまたは
ない銀ペーストである請求の範囲第３項に記載の製造方
法。 - 【請求項５】前記焼成温度が約850℃である請求の範囲
第４項に記載の製造方法。 - 【請求項６】前記接触接続物質が銀である請求の範囲第
４項に記載の製造方法。 - 【請求項７】前記接続層が銅ペーストである請求の範囲
第３項に記載の製造方法。 - 【請求項８】前記焼成温度が約770℃である請求の範囲
第７項に記載の製造方法。 - 【請求項９】前記接触接続物質は銀である請求の範囲第
７項に記載の製造方法。 - 【請求項１０】前記セラミック基板を前記グリーンテー
プ基板に隣接して配置する前記ステップは、前記接触接
続面と相応する前記接続層とが、相応する前記対向接触
接続面上に、前記セラミック基板と前記グリーンテープ
基板の焼成の前に配置されるように前記基板を配置する
ことを含む請求の範囲第３項に記載の製造方法。 - 【請求項１１】前記接触接続面物質が銀である請求の範
囲第１項に記載の製造方法。 - 【請求項１２】前記ガラスウェブは、十字形である請求
項１に記載の製造方法。 - 【請求項１３】セラミック基板を有する第１の回路平面
と、グリーンテープ基板によって形成された第２の基板
からなる第２の回路平面とを有する回路において、 前記セラミック基板は厚膜ハイブリッドを有し、接触接
続面を有する相応する導電路がプリントされており、 前記グリーンテープ基板は焼成されており、相互に重な
り合うセラミックシートからなり、導体路のプリントさ
れた複数のシートを積み重ねることによって多層回路が
形成されており、前記グリーンテープ基板は、導体接触
接続材料が充填されたヴィアを有し、該ヴィアは対向接
触接続面を形成しており、 第２の基板は前記セラミック基板の上部に配置されてお
り、ガラスウェブによって前記セラミック基板に接合さ
れており、 前記ガラスウェブは、前記セラミック基板と前記グリー
ンテープ基板の少なくとも１つにプリントされており、
前記基板の焼成中に溶融することを特徴とする回路。 - 【請求項１４】前記接触接続面および第２基板の相応の
対向接触接続面の各々に対して相応する接続層を有し、 前記対向接触接続面は、相応する前記接続層を介して相
応する前記接触接続層に接合されている請求の範囲第13
項に記載の回路。 - 【請求項１５】前記接続層はガラス成分の少ないまたは
ない銀ペーストである請求の範囲第14項に記載の回路。 - 【請求項１６】前記対向接触接続面は、第２の基板のヴ
ィアに充填された銀である請求の範囲第14項に記載の回
路。 - 【請求項１７】前記対向接触接続面の直径は、前記接触
接続面の直径よりも小さい請求の範囲第14項に記載の回
路。 - 【請求項１８】前記対向接触接続面はそれぞれ、相応す
る前記接続層を介して焼結によって、相応する前記接触
接続面に接合されている請求の範囲第14項に記載の回
路。 - 【請求項１９】前記接続層は銅ペーストである請求の範
囲第14項に記載の回路。 - 【請求項２０】前記対向接触接続層はそれぞれ、相応す
る前記接続層を介して銅銀共融接合の形成によって、相
応する前記接触接続面に接合されている請求の範囲第19
項に記載の回路。 - 【請求項２１】前記ガラスウェッブは、ガラスから成
り、該ガラスは約500℃で溶融する請求の範囲第13項に
記載の回路。 - 【請求項２２】前記ガラスウェブは十字形である請求項
13に記載の回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4030055A DE4030055A1 (de) | 1990-09-22 | 1990-09-22 | Verfahren zum herstellen einer schaltung |
| DE4030055.2 | 1990-09-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06500666A JPH06500666A (ja) | 1994-01-20 |
| JP3126382B2 true JP3126382B2 (ja) | 2001-01-22 |
Family
ID=6414768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03514315A Expired - Fee Related JP3126382B2 (ja) | 1990-09-22 | 1991-09-06 | 回路の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5416277A (ja) |
| EP (1) | EP0549619B1 (ja) |
| JP (1) | JP3126382B2 (ja) |
| DE (2) | DE4030055A1 (ja) |
| WO (1) | WO1992005677A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT1252949B (it) * | 1991-09-30 | 1995-07-06 | Gisulfo Baccini | Procedimento per la lavorazione di circuiti tipo green-tape e dispositivo adottante tale procedimento |
| US5412539A (en) * | 1993-10-18 | 1995-05-02 | Hughes Aircraft Company | Multichip module with a mandrel-produced interconnecting decal |
| JP3322199B2 (ja) * | 1998-01-06 | 2002-09-09 | 株式会社村田製作所 | 多層セラミック基板およびその製造方法 |
| DE10146865B4 (de) * | 2001-09-22 | 2005-04-21 | Mergeoptics Gmbh | Anordnung für ein System zur Datenübertragung |
| DE102014211558A1 (de) * | 2014-06-17 | 2015-12-17 | Robert Bosch Gmbh | Mikroelektromechanisches System und Verfahren zum Herstellen eines mikroelektromechanischen Systems |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5328266A (en) * | 1976-08-13 | 1978-03-16 | Fujitsu Ltd | Method of producing multilayer ceramic substrate |
| US4130722A (en) * | 1977-01-10 | 1978-12-19 | Globe-Union Inc. | Thick-film circuit module including a monolithic ceramic cross-over device |
| JPS6136962A (ja) * | 1984-07-30 | 1986-02-21 | Nec Corp | 電子回路パツケ−ジ |
| JPS6142159A (ja) * | 1984-08-02 | 1986-02-28 | Nec Corp | 電子回路パツケ−ジ |
| US4652977A (en) * | 1984-09-13 | 1987-03-24 | Schlumberger Technology Corporation | Microelectronics module |
| US4645552A (en) * | 1984-11-19 | 1987-02-24 | Hughes Aircraft Company | Process for fabricating dimensionally stable interconnect boards |
| US4799984A (en) * | 1987-09-18 | 1989-01-24 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method for fabricating multilayer circuits |
| EP0399265B1 (en) * | 1989-05-22 | 1995-01-18 | Mitsubishi Materials Corporation | Substrate used for fabrication of thick film circuit |
| US5176772A (en) * | 1989-10-05 | 1993-01-05 | Asahi Glass Company Ltd. | Process for fabricating a multilayer ceramic circuit board |
| US5176773A (en) * | 1990-07-09 | 1993-01-05 | Motorola, Inc. | Method of manufacturing a ceramic carrier |
-
1990
- 1990-09-22 DE DE4030055A patent/DE4030055A1/de not_active Ceased
-
1991
- 1991-09-06 JP JP03514315A patent/JP3126382B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1991-09-06 EP EP91915510A patent/EP0549619B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-09-06 WO PCT/DE1991/000709 patent/WO1992005677A1/de active IP Right Grant
- 1991-09-06 US US08/033,326 patent/US5416277A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-09-06 DE DE59104091T patent/DE59104091D1/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06500666A (ja) | 1994-01-20 |
| US5416277A (en) | 1995-05-16 |
| EP0549619A1 (de) | 1993-07-07 |
| WO1992005677A1 (de) | 1992-04-02 |
| DE59104091D1 (de) | 1995-02-09 |
| DE4030055A1 (de) | 1992-03-26 |
| EP0549619B1 (de) | 1994-12-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR940009175B1 (ko) | 다층 프린트기판의 제조방법 | |
| JP3059568B2 (ja) | 多層プリント回路基板の製造方法 | |
| JP2857237B2 (ja) | 多層回路基板の製造方法 | |
| JP2606110B2 (ja) | 多層基板およびその製造方法 | |
| JP3126382B2 (ja) | 回路の製造方法 | |
| TW200528000A (en) | Electronic component mounting method and electronic component mounting structure | |
| JP2630293B2 (ja) | 多層配線基板 | |
| JP2005268672A (ja) | 基板 | |
| JPH0754778B2 (ja) | コンデンサ内蔵型セラミツク基板 | |
| JP4646779B2 (ja) | 積層コンデンサ、積層コンデンサの実装構造および積層コンデンサの製造方法 | |
| JP2961859B2 (ja) | 多層セラミック基板 | |
| JP2000068149A (ja) | 積層電子部品及びその製造方法 | |
| JPH05327169A (ja) | 金属ベース多層回路基板 | |
| JPH0955336A (ja) | 複合電子部品 | |
| JPH0217957B2 (ja) | ||
| JP2000188475A (ja) | セラミック多層基板の製造方法 | |
| JPS63239999A (ja) | セラミツク多層積層体の製造方法 | |
| JP2737652B2 (ja) | 多層セラミック基板およびその製造方法 | |
| JPH11298142A (ja) | 多層セラミック基板の実装構造と実装方法 | |
| JPH0433396A (ja) | 空気層を有するセラミック多層プリント板 | |
| JPH04137660A (ja) | 電子回路装置 | |
| JPH0432298A (ja) | 多層プリント配線板 | |
| JPS635594A (ja) | 多層セラミツク基板 | |
| JPH0821780B2 (ja) | 積層複合セラミック基板およびその製造方法 | |
| JPS6261399A (ja) | 多層プリント配線板の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |