JPS59191925A - 矩形電圧発生回路 - Google Patents

矩形電圧発生回路

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Publication number
JPS59191925A
JPS59191925A JP6552283A JP6552283A JPS59191925A JP S59191925 A JPS59191925 A JP S59191925A JP 6552283 A JP6552283 A JP 6552283A JP 6552283 A JP6552283 A JP 6552283A JP S59191925 A JPS59191925 A JP S59191925A
Authority
JP
Japan
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circuit
voltage
output
input
rectangular wave
Prior art date
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Pending
Application number
JP6552283A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatsuhiro Suzuki
鈴木 達洋
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS59191925A publication Critical patent/JPS59191925A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/08Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
    • H03K19/094Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors
    • H03K19/0944Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors using MOSFET or insulated gate field-effect transistors, i.e. IGFET
    • H03K19/09441Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors using MOSFET or insulated gate field-effect transistors, i.e. IGFET of the same canal type

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、小信号ドライブ入力により、大電力の矩形電
圧出力を得る矩形電圧発生回路に関するものである。
〔発明の背景〕
ルチャネルのMUS−FETを用いた従来の矩形電圧波
形を得る回路は、第1図に示すととぐ、個々のFET1
,1にそれぞれドライブ回路2.2を接続し、交互にF
ET 1.1がON、 OFFするように回路を構成す
るか、または第2図のととく、ブートストラップ回路と
呼ばれる回路を構成し、一つのドライブ信号Sd、にて
FET1,1を交互にON 。
OFF L、必要な出力Soを得ていた。
しかしながら、第1図の回路では、ドライブ回路2ごと
にドライブ信号Sdを入力する必要があり、また電源も
個々に供給する必要がある。
したがって電源部をも含めた全体の回路が非常に複雑な
回路となる。これを一つの電源にて矩形波を実現しよう
としたのが第2図の回路である。しかしながら、この回
路では、出力部からクランプ用入力を得る構成とガって
おり、出力電圧が大きくなった場合FETのゲートソー
ス間に破壊防止のために工夫する必要があること、また
負荷として、抵抗の場合はよいが、インダクタンスやキ
ャパシタンスの成分を含む場合には、フランツ動作に好
ましからざる影響を受ける場合がある。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、上記欠点をなくし、安定な動作を行な
う矩形電圧発生回路を提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明は、ブートスラップ回路に、クランプ入力用回路
として、ツェナーダイオードとスイッチ素子及び抵抗か
らなる回路を付加したことを特徴とする。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例を第3図にょシ説明する。ドラ
イブ信号Sd、は、3つのルチャネルMO5−FET 
10α、 N、 12 (7) 0N−OFF f制御
fる;16の信号であり、第4図(α)に示すような波
形とする。ココテVdtd MOS−FET 10α、
 11.12 fON動作するに十分な電圧とする。こ
のとき初段出力は、第4図(Alに示すととぐツェナー
ダイオード13のツェナー電圧VZで決まるような矩形
波となる。
この出力が、ダイオード14トコンテンサ15、MO5
FET11からなるクランプ回路の入力となり、クラン
プ部の出力としては第4図(c)に示すような波形とな
る。この出力が、トーテンボールに構成すh * 2 
つノNET ノ+ V側(7)FATlob(7)ゲー
ト入力となり、入力にあわせて0N−OFF を繰り返
す。また−V側のFET10(Lば+V側のFET10
bがONのときOFF、OFFのときONと交互の動作
をする。第4図(diは出力波形である。
〔発明の効果〕
本発明によれば、ツェナーダイオードとスイッチ1子か
らなる反転回路を設けたことにょ9、出力端子からクラ
ンプ入力を得た場合に比べ、負荷によるクランプ回路に
対する影響を、あらかじめ防ぐことができる。また、電
源は矩形波用の電源と共有でき、全体回路の大幅な簡単
化が図れる。
さらにここで述べた反転回路は、抵抗とスイッチ素子の
みによって反転回路を構成した場合に比べ、立上り立下
′り特性がよくしかも低消費電力の回路となる。特に電
源電圧が1ooVから600Vの値では、その効果は非
常に太きい。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図は従来の矩形電圧発生回路、第3図は本
発明による矩形電圧発生回路の一実施例回路図、第4図
は第3図の動作波形図である。 I Da、10h、11. I J−MOS−FET1
3・・・ツェナーダイオード 14・・・ダイオード 15・・・コンデンサ 16・・・抵抗 艷1 図 第2図 +V 第37

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. トーテンボール形に接続された2つのルチャネルMO5
    、FETと、ダイオードとコンデンサと抵抗及びスイッ
    チ素子よりなるクランプ段、!:全備えたブートストラ
    ップ回路において、ツェナーダイオードと抵抗及びスイ
    ッチよりなる反転回路を設け、この反転回路の出力を上
    記クランプ段の入力とするように構成したことを特徴と
    する矩形電圧発生回路。
JP6552283A 1983-04-15 1983-04-15 矩形電圧発生回路 Pending JPS59191925A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109474246A (zh) * 2018-10-31 2019-03-15 西安微电子技术研究所 电压箝位保护结构及运算放大器输入级结构

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109474246A (zh) * 2018-10-31 2019-03-15 西安微电子技术研究所 电压箝位保护结构及运算放大器输入级结构

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