JPS59190223A - バナジウム―ニオブ系化合物材料及びその製造法 - Google Patents

バナジウム―ニオブ系化合物材料及びその製造法

Info

Publication number
JPS59190223A
JPS59190223A JP58064273A JP6427383A JPS59190223A JP S59190223 A JPS59190223 A JP S59190223A JP 58064273 A JP58064273 A JP 58064273A JP 6427383 A JP6427383 A JP 6427383A JP S59190223 A JPS59190223 A JP S59190223A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vanadium
niobium
compound material
amorphous compound
nozzle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP58064273A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0331649B2 (ja
Inventor
Takeshi Masumoto
健 増本
Kenji Suzuki
謙爾 鈴木
Shuji Masuda
増田 修二
Yukihiro Oota
進啓 太田
Mika Ookubo
美香 大久保
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Science and Technology Agency
Shingijutsu Kaihatsu Jigyodan
Original Assignee
Research Development Corp of Japan
Shingijutsu Kaihatsu Jigyodan
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Research Development Corp of Japan, Shingijutsu Kaihatsu Jigyodan filed Critical Research Development Corp of Japan
Priority to JP58064273A priority Critical patent/JPS59190223A/ja
Publication of JPS59190223A publication Critical patent/JPS59190223A/ja
Publication of JPH0331649B2 publication Critical patent/JPH0331649B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Hard Magnetic Materials (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、新規なバナジウム−ニオブ系非晶質近年エレ
クトロニクス及びその関連技術の発展に伴って、酸化バ
ナジウム(V20s )を主とする酸化物系セラミクス
及びその単結晶の研究が活発に行なわれており、特に光
−電気、音−電気、雰囲気ガス−電気、光音偏光、X線
分光等の分野における変換素子材料として、又触媒材料
、磁性材料等として研究が行なわれている。V2O5と
Nb′205との安定な化合物としては、数種の結晶体
について2〜30文猷に記載されているのみで、これ等
の単結晶化の研究はさかんに行なわれているものの、非
晶質化合物についての研究は行なわれていない。
本発明は、従来全く知られていないバナジウム−ニオブ
系非晶質酸化物を提供するものである。
即ち、本発明は、(V20s)t−x ・(Nb 20
5)x (fflし0.85≧X >O)なる組成を有
する新規なバナジウム−ニオブ系非晶質化合物材料、及
び(V205)+−x ・<Nb205)X(但しXは
上記に同じンに相当する酸化バナジウムと酸化ニオブと
の混合物を加熱溶解した後、超急冷することを特徴とす
る)\プージウムーニオブ系非晶質化合物材料の製造方
法(〔係るものである。
本発明のバナジウム−ニオブ系非晶質酸化物(ま、磁性
材料、光応答性磁性素子、温度応答性磁性素子、磁気メ
モリ材料、イオン伝感材料、磁気テープ、触媒、光透過
性導電材料、誘電体材料、光−電気スイッチング素子、
熱−電気スイッチング素子等として有用である。
本発明は、更に、(V205 )+−X ・(ND20
5)X(但し0.85≧x>O)なる組成を有するバナ
ジウム−ニオブ系非晶質化合物材料をその結晶化温度以
下で加熱処理することを特徴とする配向性多結晶薄膜材
料の製造法をも提供するものである。
この様にして得られる配向性多結晶薄膜材料は光メモリ
−、磁気メモリー、光導波路素子、光音響デバイス、光
スィッチ、光変調素子、無電素子、温度センサー、湿度
センサー、化学センサー等として有用である。
尚、本発明においては、パバナジウムーニオブ系非晶質
化合物″とは、非晶質単独の場合のみならず、非晶質中
に多結晶相を含む場合をも包含するものとする。
本発明のバナジウム−ニオブ系非晶質酸化物は、以下の
様にして製造される。
本発明において使用する原料は、酸化バナジウムと酸化
ニオブとの混合物であり、その組成割合は、(Nl)2
0s)x ・(V205 ) +−X  (但し0.8
5≧×〉O)となる量比である。上記組成比較の原料混
合物を加熱溶融し、これを超急冷する。加熱溶融は、こ
れ等原料混合物が充分に溶融する温度以上で行なえば良
く、好ましくは溶h’s温度よりも50=200℃以上
高い温度範囲特に好ましくは80〜150℃以上高い温
度で加熱する。
加熱詩の雰囲気に対する制限は特に無く、通常空気中で
行う。次いで原料混合物の融液を超急冷する。M3急冷
は、本発明方法の必須の要件であって、これによりはじ
めて非晶質新規化合物を収得することが出来る。超急冷
は通常10’〜108℃/秒程度の冷却速度で行う。こ
の超急冷は、上記冷却速度で冷却出来る手段であれば広
い範囲で各種の手段が採用出来、高速厄垢中のロール表
面上に原料混合物の融液を噴霧して液体状態の原子配置
にて固化せしめる方法を代表例として挙げることが出来
る。
以下図面を参照しつつ本SA明方法の実施に際し使用さ
れる融解原料混合物の急冷装置の一例を説朗する。
第1図は、架台(1ン上に設置された急冷装買太体(3
)の正面図を示ず。急冷装置は、誘電加熱用コイル(5
)、(5〉・・・・、原料加熱用チューブ(7)、該チ
ューブ(7)の支持体(9)、融解原g噴比用のノズル
(11)、急冷用ロール(13)、ノズル(11)の冷
却用ノズル(15)、渦流防止エアノズル<17)、ノ
ズル(11)の微調整気候<19)、エアシリンダー<
21>、冷却されたvJ料の受は箱<23)、冷却材料
取出口(25)等を主要構成部としている。
冷却用ロール(13)の内部に該ロール冷却用のファン
を設置し且つロール表面側端部に空気吹込み口を設ける
ことにより、融解原料の急冷を安定して行なうことが出
来る。第2図は、支持体(9)の詳細を示す。第2図に
おいて、支持体(9)は、バ、ルブ(27)を備えた冷
却水導入路(29)、冷W水排出路(3i>、ニードル
バルブ(33)を1ケコえたブローエア導入路(35)
、ロール(13)の表面とノズル(11)との間隔微調
整611ii(37>及び原料融液を均一に押出す為の
整流用目皿(39)を備えている。
第1図及び第2図に示す急冷装置(3)を使用して本発
明方法を実施する場合、まず所定組成の原料混合物を融
液吹出し用ノズル(11)を有するチューブ(7)内に
収納する。このチューブ(7)は、高温酸化雰囲気状態
で充分耐久性のある材質で作られ、たとえば白金、白金
−ロジウム、イリジウム、窒化ケイ素、窒化ボロン等で
作られたものが好ましい。尚、原料融液と直接接触しな
い部分の材質は、高融点のセラミックス、ガラス、金属
でも良い。ノズル口の形状は、目的製品に応じて適宜に
決定され、たとえば細い線状材料の場合は円い形状で、
巾の広い製品の場合はスリット状の形状のものを使用す
る。ノズル口の形状は、楕円形その他の形状であっても
良い。チューブ(7)内に収納された原料混合物は、次
いでその融点以上の温度に加熱され、n液とされた後、
ノズル(11)の口部から高速回転しているロール(1
3)の面上に一定ガス圧にて吹出され、ロール表面上で
急冷せしめられる。ノズル口とロール面における原料融
液の吹出し角度は、目的化合物の巾が約3nlll!以
下の場合はロール面に対して垂直で良く、またその巾が
約3111m以上の場合はロール面垂線に対してO0〜
45°である。これ等の吹出し角度調整薇溝は、装置自
体に所定の角度を設定可能な機構として組み込むことも
出来るが、好ましくはノズル自体を加工しておくのが良
い。
原料混合物の加熱方法は、特に制限されないが、通常発
熱体を有する炉、誘電加熱炉または集光加熱炉で行う。
原料融液の温度は、その融点より50〜200℃好まし
くは8(、l〜150’C程度高い温度とするのが良い
。この際融点にあまり近過ぎると、融液をロール面上に
吹き出している間にノズル附近で冷却固化する恐れがあ
り逆にあまりにも高くなりすぎると、ロール面上での急
冷が困4iとなる傾向がある。
ロール面上に融液を吹き出すために使用する加圧用ガス
としては、不活性ガスが好ましく、たとえばアルゴン、
窒素、ヘリウム等でも良いが、融液原料をm化状態に相
持する為には、乾燥圧縮空気が好ましい。ガス圧は、ノ
ズル口の大きさにもよるが、通常0.1〜2.0k(]
/cm2好まシクハ0.5〜1 、0 kg/ cm2
程度である。また原料融液を吹き出す際のノス゛ルロと
ロール面間の距離は、0.01〜1.0!l1m程度が
良く、より好ましくは0.05〜0.5+nm程度であ
る。0.01rlIIJ:すも小ざな場合、パj−″ル
色が非常に少なくなり、均一な材料が得られず、一方1
.○m1iIよりも大きい場合、パドル量が過剰になっ
たり、又組成融液の界面張力により形成されるパドル厚
さ以上の場合には、パドルが形成され難くなる傾向が生
ずる場合がある。
ロールの材質は、熱伝導性の良い銅及びその合金、硬質
クロムメッキ層を有する上記材料、ざらには票、ステン
レススチール等である。ロールの周速度を5i、/秒〜
35m/秒、好ましくは10Iil/秒〜20油/秒と
し、原料融液を急冷することにより目的とする良質の非
晶質化合物材料が得られる。この際ロール周速度が51
n/秒以下の場合には、非晶−化し難い傾向が生じるの
で、あまり好ましくない。ロール周速度が35m/秒よ
りも大きくなると、得られる目的物材料の形状が非常に
薄膜化し、すべて鱗片状もしくは細粉状となるが、材料
構造的にはやはり本発明の非晶質上合物材料である。
融液原料を回転ロール面上へ吹き出す雰囲気として減圧
下乃至高真空下、又は不活性ガス雰囲気中で本発明化合
物の製造を行なう場合には、高温状態での原料融液の還
元が発生し、組成原子中の酸素原子の減少が起り、得ら
れる材料に紫色もしくは黒色等の着色が発生する。しか
し乍ら、この着色生成物も物性的には本発明化合物であ
り、着色された状態で使用可能である。
原料混合物をデユープ内で加熱溶融せしめるに際しては
、該混合物をすべて完全に融液化することが必要である
。しかし乍ら、該混合物が完全に融液化する前に、一部
融液化したものが、ノズル先端から流出してしまう恐れ
があるため、ノズル先端を局部的に冷却して融液の流出
を防止することが好ましい。ノズルを局部的に冷却する
代表的手段は、ノズル先端に冷却用ガスを吹きつける手
段であり、ガスとしてはアルゴン、ヘリウム、窟累等の
不活性ガスでも良いが、乾燥冷圧縮空気がより好ましい
本発明に係る新規なる非晶質化合物材料は、通常50〜
10μm程度の厚さであり、非常にもろい材料である。
このためロール面で急冷され、固体化された後、できる
限り材料に応力が加えられない状態にすることが好まし
い。応力付加となる原因の一つに大気中でのロール回転
により発生する風切り現象からくるロール表面空気層の
大きな乱流がある。この乱流を防止するとともに急冷却
ずべき溶融原料混合物とロール面との密着性をより良好
とするために、風切り防止用向流吹出しノズル即ち第1
図に示す渦流防止エアノズル(17)を設置するか、ロ
ール内部にファンを固定設置する。後者の場合は、ロー
ルの自転によりロール表面側@部に設けられた口径可変
式の空気導入口よりロール内部へ発生する乱流をすい込
み、ロール軸正面より排出し、ロール表面上空気をロー
ル内部へ移動せしめ、これにより溶融物をロール面へよ
り押しつけ@着させ、さらに空気の吹込み移動によりロ
ール自体をも空冷することが出来る。また、得られる材
料の寸法均一性を保持させるために、ロール表面に回転
方向とは直角に材料切断用の満を設けておけば、一定寸
法で切断された材料が得られる。
本発明のバナジウム−ニオブ系化合物は、その原料混合
比により化合物の原子配列構造が大きく変化し、具体的
には以下の如くに大別される。先ず、O<X≦0.66
の場合には非晶質化合物100%のものが得られ、0.
66<X≦0.85の範囲ではNb2O5結晶相を含む
多結晶混在非晶質化合物が得られ、又x>0.85では
Nb2O5結晶相を主体とする材料が得られる。
第3図に本発明材料の生成範囲を示す。
使用する急冷装置の急冷用ロールの周速度が、5m/秒
〜351!+/秒の範囲内では、各組成域において得ら
れる材料の構造自体には大きな変化は認められない。
本発明の配向性多結晶薄膜材料は、上述の如くして得ら
れた(V20s ) +−x ・(N1)205 ) 
x  (但しO,,85≧×〉0)なる組成のバナジウ
ム−ニオブ系非晶質化合物材料を熱分析に供してその結
晶化温度<Tc )を求めた後、該化合物材料を結晶化
温度以下の温度で所定時間熱処理することにより得られ
る。
例えば、(V205 )I−X ・(Nb205 )X
においてX =0.33の場合のバナジウム−ニオブ系
非晶質化合物材料の結晶化温度は、440℃であり、こ
れを大気中で以下の条件下に熱処理すると、それぞれ下
記の如き材料となる。尚、結晶化温度以下においても、
91i理時間が長過ぎる場合には、非配向性の多結晶体
となるので、留意する必要がある。
1、 440℃×10分:配向炒多結晶体2、 440
℃X30分:多結晶体 3、 4.20℃〉く10分:非晶質体4、 420℃
×30分:配向性多結晶体5、 420℃X40分:多
結晶体 尚、本発明材料の構造の同定に際しては、X線回折及び
偏光顕微鏡により結晶性の有無の確認及び構造解析を行
ない、走査型電子預微鏡により極少部分の観察を行なっ
た。
以下実施例により本発明の特徴とするところをより一層
明らかにする。
実施例 ■205(純度99.9%)及びNb205(純度99
.9%)を所定の組成で配合し、均一に混合した後、8
50℃で30分間仮焼して組成物原料とした。得られた
組成物原料を白金チューブ(直径10!I1mx長さ1
50mm)に充填し、誘電加熱コイル内に設置して、発
振管戯条電圧13V、N 8 m JI 10 K V
−格子電流120〜150m A。
陽極電流1.2〜1.8Aの条件下に誘電加熱した。完
全に融液化した原料を急冷用回転ロール表面上に乾燥圧
縮空気により吹き出し、急冷させた。
第1表及び第2表に組成及び製造時の諸条件を示す。第
1表及び第2表中試IN0.1〜20.25及び29は
、リボン状の本発明の非晶質酸化物材料を示す。又、N
o、24は、ロールの回転速度が大きい為、3片となっ
ているが、形状に制約がない融媒等の分野では使用可能
である。
尚、ノズル形状Aとあるのは、0 、2 mmx 4 
mmのスリット状ノズルを示し、ノズル形状Bとあるの
は径Q、2mn+の円形ノズルを示す。
参考例1 (V20s )+−X ・(Nb20s )xにおいて
X=0.50に相当で−る上記実施例1の試料No。
8.10.12.13及び15についてのX線回折結果
を第4図に示す。急冷用ロールの周速度が5.18p/
秒(NO,8)から34.54m/秒(No、15)の
範囲内で得られた材料の原子配列構造には、大きな変化
がないことが明らかである。
参考例2 (V205 >+−x ・(Nb20s )xにおいて
x =0.33に相当する上記実施例1の試料N0゜1
7の示差熱分析結果を第5図に示す。
第5図において、Tcは結晶化温度、Tgはガラス転位
点、ipは融点を夫々示す。
参考例3 (V2O5)+−>: ” (Nb205)xにおいて
:<=0.25に相当する上記実施例1の試料No。
7の外観を示す写真を参考図面■として示す。
参考例4 上記実施例1の試料NO67の走査型電子顕微情写真(
20000倍及び870倍)を夫々参考12i面■及び
■として示す。
参考例5 <V2O5)+−x ・CNb 205 )xにおいて
x−0,25に相当する上記実施例1の試料No。
3の赤外線級数スペクトルを第6図として示す。
参考例6 (V205 ) +−x ・(Nb 20s)xにおい
てx =0.33に相当する上記実施例1の試料No。
160)15℃における直流電気伝導度を第7図に示し
、又15℃における周波数に対する誘電率(A)及び誘
電損失(B)を第8図に示す。尚、試料の厚さは0.0
024c!11とし、表裏両面に而f、i!io、 0
491cm2のAu=iをめっきにより形成した。
実施例2 結晶化温度が440℃である実施例1の試料NO,16
を空気中420℃で30分間熱!2!lk理し、た後、
X線回折を行なったところ、回折角(2θ)に1本の鋭
い回折ピークを示し、非晶質構造から配向性多結晶構造
に変化したことが確認された。
熱処理前の非晶質試料においては、1KHzにおける誘
電率ε−75、誘電損失tanδ−45であったのに対
し、熱処理後の配向性多結晶tA造においては、I K
 Hzにおける誘電率ε−115、誘電損失tan6−
0.8となった。
【図面の簡単な説明】
第1図は、不発明方法において使用される融解原料の念
、冷装置の一例の正面図、第2図は、第1図の急冷装置
の一部拡大詳細図面、第3図は、本発明材料の組成範囲
を示す図面、第4図は、本発明材料の若千のX線回折図
面、第5図は、本発明による一材料の示差熱分析図、第
6図は、本発明による他の一材料の赤外線吸収スペクト
ル、第7図は、本発明による他の一材料の直流電気伝導
度を示すグラフ、第8図は、第7図に示すと同様の材料
の周波数に対する誘電率及び誘電損失を示すグラフを夫
々示す。 (1)・・・・・・架台、(3)・・・・・・急冷装置
本体、〈5)、く5)・・・・・・誘電加熱用コイル、
く7)・・・・・・原料加熱用チューブ、(9)・・・
・・・原料加熱用チューブの支持体、(11)・・・・
・・融解原料、吹出用ノズル、(13)・・・・・・急
冷用ロール、(15)・・・・・・ノズル(11)の冷
却用ノズル、(17)・・・・・・渦流防止エアノズル
、(19)・・・・・・ノズル(11)の微調整機椙、
(21)・・・・・・エアシリンダー、(23)・・・
・・・冷却された材料の受は箱、(25)・・・・・・
冷却材料取り出口、(27)・・・・・・バルブ、(2
9)・・・・・・冷却水導入路、(31)・・・・・・
冷却水排出路、(33)・・・・・・ニードルバルブ、
(35)・・・・・・ブローエア導入路、(37)・・
・・・・ロール(13)とノズル(11)との間隔微調
整機構、(39)・・・・・・整流用目皿。 (以 上) 代理人 弁理士 三 枝 英 二   ゛第1図 第 31覆 肘開(分) 第 7 ス 「−一一一一一一一一 第1頁の続き ■出 願 人 増田修二 徳島県板野郡北島町江尻字宮ノ 本27−8 ■出 願 人 太田追啓 徳島県板野郡藍住町東中富字長 江傍示86中富団地F8−148

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ■ (V205 )+−X ・(Nb205’> x 
     (但し0.85≧x>Q)なる組成を有するバナジウ
    ム−ニオブ系非晶質化合物材料。 ■ Q<x≦0.66である特許請求の範囲第1項のバ
    ナジウム−ニオブ系非晶質化合物材料。 ■ 0.66<X≦0.85である特許請求の範囲第1
    項のバナジウム−ニオブ系非晶質化合物材料。 ■ 酸化バナジウムと醸化ニオブとの混合物を加熱溶詐
    した後、融解物を超急冷することを特徴どする(V20
    s ) +〜χ・(Nb20s)χ(但し0.85≧x
    >Q)なる組成を有するバナジウム−ニオブ系非晶質化
    合物材料の製造法。 ■ 101〜10F5℃/秒の冷却速度で超急冷する特
    許請求の範囲第4項のバナジウム−ニオブ■ 原料融解
    物を固体に接触させることにより超急冷する特許請求の
    範囲第4項又は第5項のバナジウム−ニオブ系非晶質化
    合物材料の製造法。 ■ スリット状、円形又は楕円形の吹出し口を設けたノ
    ズルを備えた加熱用デユープに原料混合物を投入し、該
    混合物の融点よりも50〜200’C高い温度で加熱溶
    融させた後、5+++/秒〜35m/秒の周速度で回転
    するロール表面上に上記ノズルを経て該融解物を吹ぎ出
    して超急冷させる特許請求の範囲第4項乃至第6項のい
    ずれかに記載のバナジウム−ニオブ系非晶質化合物材料
    の製造法。 ■ (V205 ) +−x ・(Nt+ 205)x
     (但し0.85≧×〉O)なる組成を有するバナジウ
    ム−ニオブ系非晶質化合物材料をその結晶化温度以下で
    加熱処理することを特徴とする配向性多結晶薄膜材料の
    製造法。
JP58064273A 1983-04-11 1983-04-11 バナジウム―ニオブ系化合物材料及びその製造法 Granted JPS59190223A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58064273A JPS59190223A (ja) 1983-04-11 1983-04-11 バナジウム―ニオブ系化合物材料及びその製造法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58064273A JPS59190223A (ja) 1983-04-11 1983-04-11 バナジウム―ニオブ系化合物材料及びその製造法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS59190223A true JPS59190223A (ja) 1984-10-29
JPH0331649B2 JPH0331649B2 (ja) 1991-05-08

Family

ID=13253438

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58064273A Granted JPS59190223A (ja) 1983-04-11 1983-04-11 バナジウム―ニオブ系化合物材料及びその製造法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59190223A (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0331649B2 (ja) 1991-05-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS59190223A (ja) バナジウム―ニオブ系化合物材料及びその製造法
JPS60112643A (ja) バナジウム−マグネシウム系非晶質化合物材料及びその製造法
JPS59195536A (ja) バナジウム−ケイ素系非晶質化合物材料及びその製造法
JPH0476930B2 (ja)
JPH0435403B2 (ja)
JPS59203706A (ja) テルル−アルミニウム系非晶質化合物材料及びその製造法
JPS5973438A (ja) ビスマス−鉄系非晶質化合物材料及びその製造法
JPS59190222A (ja) バナジウム―チタン系化合物材料及びその製造法
JPH0436097B2 (ja)
JPH0331652B2 (ja)
JPS59199510A (ja) テルル−チタン系非晶質化合物材料及びその製造法
JPH0250055B2 (ja)
JPS59213625A (ja) 鉄―鉛系化合物材料及びその製造法
JPH0422854B2 (ja)
JPS59199511A (ja) テルル−リチウム系非晶質化合物材料及びその製造法
JPH0331653B2 (ja)
JPH0435404B2 (ja)
JPS605015A (ja) テルル−ケイ素系非晶質化合物材料及びその製造法
JPS59203730A (ja) 鉄−バナジウム系非晶質化合物材料及びその製造法
JPS59199512A (ja) テルル−マグネシウム系非晶質化合物材料及びその製造法
JPH0250057B2 (ja)
JPH0331651B2 (ja)
JPS59203708A (ja) テルル−亜鉛系非晶質化合物材料及びその製造法
JPH0451483B2 (ja)
JPS59195509A (ja) テルル−タンタル系非晶質化合物材料及びその製造法