JPS59188378A - インバ−タ - Google Patents
インバ−タInfo
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- JPS59188378A JPS59188378A JP58062461A JP6246183A JPS59188378A JP S59188378 A JPS59188378 A JP S59188378A JP 58062461 A JP58062461 A JP 58062461A JP 6246183 A JP6246183 A JP 6246183A JP S59188378 A JPS59188378 A JP S59188378A
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- Japan
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- arm
- diode
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- feedback diode
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
- H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M7/505—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means
- H02M7/515—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means using semiconductor devices only
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、自己消弧型スイッチング素子をアー素子と
して用いるインバータに関する。
して用いるインバータに関する。
第１図に、自己消弧型スイッチング素子をブリッジ接続
して構成される従来のインバータ主回路を示す。同図に
おいて、Ｐ、Ｎは直流電源のそれぞれ正極、負極、ＩＵ
、１ｘ、ＩＶ及びＩＹはアーム素子であるゲートターン
オフサイリスタ（以下、ＧＴＯと略記する）であって、
ＧＴＯＩ ＵとＩＹ、ＧＴＯＩＶとＩＸはそれぞれ同時
に、ＧＴｏｌｔＪとＩＸ、ＧＴＯｌＶとＩＹはそれぞれ
交互にオン・オフするようにオンゲート信号を受ける。
して構成される従来のインバータ主回路を示す。同図に
おいて、Ｐ、Ｎは直流電源のそれぞれ正極、負極、ＩＵ
、１ｘ、ＩＶ及びＩＹはアーム素子であるゲートターン
オフサイリスタ（以下、ＧＴＯと略記する）であって、
ＧＴＯＩ ＵとＩＹ、ＧＴＯＩＶとＩＸはそれぞれ同時
に、ＧＴｏｌｔＪとＩＸ、ＧＴＯｌＶとＩＹはそれぞれ
交互にオン・オフするようにオンゲート信号を受ける。
２Ｕ、２Ｘはりアクドルであって直列接続された上ＧＴ
ＯＩ Ｕ、ＧＴＯＩ Ｘ間に挿入されている。３Ｕ、３
Ｘは帰還ダイオードであって帰還ダイオード３ＵはＧＴ
ＯＩ Ｕ、リアクトル２Ｕ、２Ｘの直列路に対して並列
に、帰還ダイオード３ＸはＧＴＯＩ Ｕ、リアクトル２
Ｕ、２Ｘの直列路に対して並列に接続されている。４Ｕ
、４Ｘはヒュ−ズであって、それぞれ、ＧＴＯＩ Ｕと
正極１間、ＧＴＯＩＸと負極Ｎ間に挿入されている。２
Ｖ、２Ｙばリアクトルであって直列接続された上ＧＴ０
１Ｖ＝ＧＴＯＩＹ間にの挿入されている。３ｖ、３Ｙは
帰還ダイオードであってダイオ−ｆ’３ＶはＧ’ｌ”Ｏ
ＩＶ、リアク１−ル２Ｖ、２Ｙの直列路に対して並列に
、帰還ダイオード３ＹはＧＴＯＩＹ、リアクトル２Ｙ、
２■の直列路に対して並列に接続されている。４■、４
Ｙはヒユーズであって、それぞれ、ＧＴＯＩＶと正極１
間、ＧＴＯＩＹと負極Ｎ間に挿入されている。５はコン
デンサであって、直流電源の正極Ｐ、負極Ｎ間に挿入さ
れている。Ｕ、■は交流出力端子であって、それぞれ、
リアクトル２Ｕと２Ｘの接続点、リアクトル２■と２Ｙ
の接続点から引き出されている。なお、この実施例では
説明の便宜上、各ＧＴＯＩ Ｕ〜１Ｙに並列される過電
圧抑制用のスナバを省略しである。
ＯＩ Ｕ、ＧＴＯＩ Ｘ間に挿入されている。３Ｕ、３
Ｘは帰還ダイオードであって帰還ダイオード３ＵはＧＴ
ＯＩ Ｕ、リアクトル２Ｕ、２Ｘの直列路に対して並列
に、帰還ダイオード３ＸはＧＴＯＩ Ｕ、リアクトル２
Ｕ、２Ｘの直列路に対して並列に接続されている。４Ｕ
、４Ｘはヒュ−ズであって、それぞれ、ＧＴＯＩ Ｕと
正極１間、ＧＴＯＩＸと負極Ｎ間に挿入されている。２
Ｖ、２Ｙばリアクトルであって直列接続された上ＧＴ０
１Ｖ＝ＧＴＯＩＹ間にの挿入されている。３ｖ、３Ｙは
帰還ダイオードであってダイオ−ｆ’３ＶはＧ’ｌ”Ｏ
ＩＶ、リアク１−ル２Ｖ、２Ｙの直列路に対して並列に
、帰還ダイオード３ＹはＧＴＯＩＹ、リアクトル２Ｙ、
２■の直列路に対して並列に接続されている。４■、４
Ｙはヒユーズであって、それぞれ、ＧＴＯＩＶと正極１
間、ＧＴＯＩＹと負極Ｎ間に挿入されている。５はコン
デンサであって、直流電源の正極Ｐ、負極Ｎ間に挿入さ
れている。Ｕ、■は交流出力端子であって、それぞれ、
リアクトル２Ｕと２Ｘの接続点、リアクトル２■と２Ｙ
の接続点から引き出されている。なお、この実施例では
説明の便宜上、各ＧＴＯＩ Ｕ〜１Ｙに並列される過電
圧抑制用のスナバを省略しである。
第２図は、このインバータ主回路の動作波形を示したも
のである。第２図において、ＴｕはＧＴＯＩ Ｕ、ＧＴ
ＯＩ Ｖのオン期間、′ＦｘはＧＴｏｌ Ｘ、ＧＴＯＩ
Ｙのオン期間、Ｅｗは交流出力電圧、ＩＷは負荷（この
例では、遅相負荷）を流れる負荷電流、ＩｕｙばＧＴＯ
Ｉ Ｕ、 ＧＴＯＩ Ｙに流れる電流、ＪｖｘはＧＴＯ
Ｉ Ｘ、 ＧＴＯＩ Ｖに流れる電流、Ｉｕｄはダイオ
ード３Ｕ、３Ｙにながれる電流、Ｔｘｄはダイオード３
Ｘ、３Ｖに流れる電流、Ｉｕｃはヒユーズ４Ｕ、４Ｙに
流れる電流、［ｘｃはヒユーズ４ ］、 Ｘ、４１Ｖに
流れる電流の波形をしめす。
のである。第２図において、ＴｕはＧＴＯＩ Ｕ、ＧＴ
ＯＩ Ｖのオン期間、′ＦｘはＧＴｏｌ Ｘ、ＧＴＯＩ
Ｙのオン期間、Ｅｗは交流出力電圧、ＩＷは負荷（この
例では、遅相負荷）を流れる負荷電流、ＩｕｙばＧＴＯ
Ｉ Ｕ、 ＧＴＯＩ Ｙに流れる電流、ＪｖｘはＧＴＯ
Ｉ Ｘ、 ＧＴＯＩ Ｖに流れる電流、Ｉｕｄはダイオ
ード３Ｕ、３Ｙにながれる電流、Ｔｘｄはダイオード３
Ｘ、３Ｖに流れる電流、Ｉｕｃはヒユーズ４Ｕ、４Ｙに
流れる電流、［ｘｃはヒユーズ４ ］、 Ｘ、４１Ｖに
流れる電流の波形をしめす。
この構成においては、ＧＴＯＩ Ｕ、 ＧＴＯＩ Ｙと
ＧＴＯＩ Ｘ、ＧＴＯＩ Ｖが交互にオンゲート信号を
受けて導通し、出力端子Ｕ−Ｖ間から交流電圧ＥＷが取
り出され、負荷に負荷電流１ｗが流れる。
ＧＴＯＩ Ｘ、ＧＴＯＩ Ｖが交互にオンゲート信号を
受けて導通し、出力端子Ｕ−Ｖ間から交流電圧ＥＷが取
り出され、負荷に負荷電流１ｗが流れる。
今、負荷が遅相負荷である為、時刻も１〜ｔ３の半サイ
クルでは、負荷電流１ｗは、時刻ｔ２−ｔ３間はＧＴＯ
ＩＵ、ＩＹを通して流れるが、時刻ｔ１−ｔ２間では帰
還ダイオード３Ｕ、３Ｙを通して流れ、ヒユーズ４Ｕ、
４ＹにはＧＴＯＩ Ｕ、ＩＹＯ通流時にも、帰還ダイオ
ード３Ｕ、３Ｙの通流時にも負荷電流１ｗが流れる。次
の半サイクル（時刻ｔ３〜ｔ５）では、負荷電流１ｗは
、時刻ｔ４−ｔ５間はＧＴＯＩＶ、ＩＸを流れるが、時
刻ｔ３−ｔ４間では帰還ダイオード４Ｘ、３Ｖを通して
流れるが、ヒユーズ４■、４Ｘには、ＧＴＯＩＶ、１ｘ
の通流時にも帰還ダイオード３Ｖ、３Ｘの通流時にも負
荷電流１ｗが流れる。
クルでは、負荷電流１ｗは、時刻ｔ２−ｔ３間はＧＴＯ
ＩＵ、ＩＹを通して流れるが、時刻ｔ１−ｔ２間では帰
還ダイオード３Ｕ、３Ｙを通して流れ、ヒユーズ４Ｕ、
４ＹにはＧＴＯＩ Ｕ、ＩＹＯ通流時にも、帰還ダイオ
ード３Ｕ、３Ｙの通流時にも負荷電流１ｗが流れる。次
の半サイクル（時刻ｔ３〜ｔ５）では、負荷電流１ｗは
、時刻ｔ４−ｔ５間はＧＴＯＩＶ、ＩＸを流れるが、時
刻ｔ３−ｔ４間では帰還ダイオード４Ｘ、３Ｖを通して
流れるが、ヒユーズ４■、４Ｘには、ＧＴＯＩＶ、１ｘ
の通流時にも帰還ダイオード３Ｖ、３Ｘの通流時にも負
荷電流１ｗが流れる。
出力端子Ｕ−Ｖ間が短絡する等して直流短絡が発生した
場合には、過電流保護用のりアクドル２Ｕ〜２Ｙがある
為、直流電源側或いはコンデンサ５から突入する短絡電
流が低くく抑制されるので、該短絡電流を検出して瞬時
にＧＴＯをターンオフすればＧＴＯの短絡破壊を防ぐこ
とができるが、ＧＴＯのターンオフが遅れたり、ターン
オフ失敗が生じたりしてＧＴＯが破損する恐れがあるの
で、ヒユーズ４ Ｕ〜４Ｙを設けて直流短絡に対するＧ
ＴＯの保護の確実を期している。しかし、このヒユーズ
には、常時電流で溶断せず、短絡電流に対してはＧＴＯ
が破損しない許容電流値以下でこれを遮断する特性を持
たせる必要があるが、」二記のようにヒユーズにはＧＴ
Ｏを通る電流と帰還ダイオードを通る電流とが流れ、自
己消弧型スイッチング素子は一般にその過電流耐量が小
さいので、」二記許容電流値と過電流遮断値との中が狭
くなり、ヒユーズがあっても十分な直流短絡保護が得ら
れないと云う欠点があった。
場合には、過電流保護用のりアクドル２Ｕ〜２Ｙがある
為、直流電源側或いはコンデンサ５から突入する短絡電
流が低くく抑制されるので、該短絡電流を検出して瞬時
にＧＴＯをターンオフすればＧＴＯの短絡破壊を防ぐこ
とができるが、ＧＴＯのターンオフが遅れたり、ターン
オフ失敗が生じたりしてＧＴＯが破損する恐れがあるの
で、ヒユーズ４ Ｕ〜４Ｙを設けて直流短絡に対するＧ
ＴＯの保護の確実を期している。しかし、このヒユーズ
には、常時電流で溶断せず、短絡電流に対してはＧＴＯ
が破損しない許容電流値以下でこれを遮断する特性を持
たせる必要があるが、」二記のようにヒユーズにはＧＴ
Ｏを通る電流と帰還ダイオードを通る電流とが流れ、自
己消弧型スイッチング素子は一般にその過電流耐量が小
さいので、」二記許容電流値と過電流遮断値との中が狭
くなり、ヒユーズがあっても十分な直流短絡保護が得ら
れないと云う欠点があった。
この発明は、上記した従来の欠点を除去する為になされ
たもので、各アームの帰還ダイオードを、その接続点間
に、直列をなす少なくとも自己消弧型スイッチング素子
とヒユーズが含まれるように接続することにより、従来
に比して、過電流保護の信頼性を高めることができるイ
ンバータを提供することを目的とする。
たもので、各アームの帰還ダイオードを、その接続点間
に、直列をなす少なくとも自己消弧型スイッチング素子
とヒユーズが含まれるように接続することにより、従来
に比して、過電流保護の信頼性を高めることができるイ
ンバータを提供することを目的とする。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第３図において、１３０．１’ ３ Ｘ、１３Ｖ、１３
Ｙは帰還ダイオードである。帰還ダイオード１３ＵはＧ
ＴＯＩ Ｕ、リアクトル２Ｕ、２Ｘ及びヒユーズ４Ｕか
らなる直列回路に対して並列に挿入されている。帰還ダ
イオード１３ＸはＧＴＯＩＸ、リアクトル２Ｕ、２ｘ〜
ヒユーズ４Ｘの直列回路に並列に挿入されている。帰還
ダイオード１３ＶはＧＴＯＩＹ、リアクトル２■、２Ｙ
、ヒユーズ４■の直列間１？δと閉回路を形成するよう
に、又、帰還ダイオード１３ＹはＧＴＯＩＹ、リアクト
ル２Ｙ、２Ｙ、ヒユーズ４Ｙからなる直列回路と閉回路
を形成するように、それぞれ接続される。
Ｙは帰還ダイオードである。帰還ダイオード１３ＵはＧ
ＴＯＩ Ｕ、リアクトル２Ｕ、２Ｘ及びヒユーズ４Ｕか
らなる直列回路に対して並列に挿入されている。帰還ダ
イオード１３ＸはＧＴＯＩＸ、リアクトル２Ｕ、２ｘ〜
ヒユーズ４Ｘの直列回路に並列に挿入されている。帰還
ダイオード１３ＶはＧＴＯＩＹ、リアクトル２■、２Ｙ
、ヒユーズ４■の直列間１？δと閉回路を形成するよう
に、又、帰還ダイオード１３ＹはＧＴＯＩＹ、リアクト
ル２Ｙ、２Ｙ、ヒユーズ４Ｙからなる直列回路と閉回路
を形成するように、それぞれ接続される。
他の構成は第１図のものと同じであるので同じ符号を付
しである。
しである。
次に、このインバータの動作を第４図を参照して説明す
る。
る。
負荷が遅相負荷である場合、時刻ｔ１〜ｔ３の半サイク
ルでは、前記従来の場合と同様に、負荷電流１ｗは、時
刻ｔ２−ｔ３間はＧＴＯＩＵ、ＩＹを通して流れ、時刻
ｔ１−ｔ２間では帰還ダイオード３ ｔＪ、３Ｙを通し
て流れる。ヒユーズ４Ｕ、４Ｙには前記従来の場合と異
なって、負荷電流１ｗはＧＴＯＩ Ｕ、ＩＹの通流時に
は流れるが、帰還ダイオード３Ｕ、３Ｙの通流時には流
れない。次の半サイクル（時刻し３〜ｔ５）でも、負荷
電流ＩＷは、時刻ｔ４−ｔ５間は、ヒユーズ４Ｖ、４Ｘ
を通して流れるが、帰還ダイオード３Ｖ、３ｘの通流時
には流れない。
ルでは、前記従来の場合と同様に、負荷電流１ｗは、時
刻ｔ２−ｔ３間はＧＴＯＩＵ、ＩＹを通して流れ、時刻
ｔ１−ｔ２間では帰還ダイオード３ ｔＪ、３Ｙを通し
て流れる。ヒユーズ４Ｕ、４Ｙには前記従来の場合と異
なって、負荷電流１ｗはＧＴＯＩ Ｕ、ＩＹの通流時に
は流れるが、帰還ダイオード３Ｕ、３Ｙの通流時には流
れない。次の半サイクル（時刻し３〜ｔ５）でも、負荷
電流ＩＷは、時刻ｔ４−ｔ５間は、ヒユーズ４Ｖ、４Ｘ
を通して流れるが、帰還ダイオード３Ｖ、３ｘの通流時
には流れない。
このように、帰還ダイオード３Ｕ、３Ｙ及び３Ｘ、３■
の通流時には負荷電流がヒユーズ４Ｕ、４Ｙ及び４Ｘ、
４Ｖを通らないので、これらヒユーズの通電々流値が前
記従来の場合より低減し、この為、ヒユーズ４Ｕ〜４Ｙ
の許容通電々流値と過電流遮断電流値の巾が広くなる。
の通流時には負荷電流がヒユーズ４Ｕ、４Ｙ及び４Ｘ、
４Ｖを通らないので、これらヒユーズの通電々流値が前
記従来の場合より低減し、この為、ヒユーズ４Ｕ〜４Ｙ
の許容通電々流値と過電流遮断電流値の巾が広くなる。
更に、インバータで負荷電力を直流電源側に返還するよ
うな場合には第４図に一点鎖線で示す如く負荷電流が電
圧より９０度以上遅相となるので、ヒユーズ４Ｕ〜４■
の許容通電々流値と過電流遮断電流値の巾が一層広くな
る。
うな場合には第４図に一点鎖線で示す如く負荷電流が電
圧より９０度以上遅相となるので、ヒユーズ４Ｕ〜４■
の許容通電々流値と過電流遮断電流値の巾が一層広くな
る。
この実施例では、単相ブリッジ接続の場合について説明
したが、３相ブリッジ接続等多相ブリッジ接続の場合に
ついても同様の効果が得られる。
したが、３相ブリッジ接続等多相ブリッジ接続の場合に
ついても同様の効果が得られる。
第５図〜第８図は、この発明の他の実施例をハーフブリ
ッジで示したもので、これら各実施例においても、帰還
ダイオード１３ Ｕ、１３Ｘの通流時にはヒユーズ４Ｕ
、４Ｘには負荷電流は流れない。
ッジで示したもので、これら各実施例においても、帰還
ダイオード１３ Ｕ、１３Ｘの通流時にはヒユーズ４Ｕ
、４Ｘには負荷電流は流れない。
第５図の実施例では、帰還ダイオード１４０．１４Ｘを
Ｇ’Ｆ０１ ｔＪ、 Ｉ Ｘに対してそれぞれ逆並列
に設＆Ｊて、リアクトル２Ｕと２Ｘの直列路に対し並列
にフライホイールダイオード１５を接続しである。この
ダイオード１５にはＧＴＯＩＵ或いはＩＸがターンオフ
した後にリアクトル２Ｕ或いは２Ｘの蓄積エネルギーが
放出される。
Ｇ’Ｆ０１ ｔＪ、 Ｉ Ｘに対してそれぞれ逆並列
に設＆Ｊて、リアクトル２Ｕと２Ｘの直列路に対し並列
にフライホイールダイオード１５を接続しである。この
ダイオード１５にはＧＴＯＩＵ或いはＩＸがターンオフ
した後にリアクトル２Ｕ或いは２Ｘの蓄積エネルギーが
放出される。
第６図、第７図及び第８図の実施例では、ヒユーズ４Ｕ
＝ＧＴＯＩＵ及びリアクトル２Ｕの直列路、ヒユーズ４
Ｘ＝ ＧＴＯＩ Ｘ及びリアクトル２Ｘの直列路に対し
それぞれ並列に帰還ダイオード１６Ｕ、１６Ｘを設けた
上、第６図ではりアクドル２Ｕ、２Ｘの直列路に対して
並列にフライホイールダイオードｌ ９ ｕ ｘを接続
し、第７図ではりアクドル２０，２Ｘにそれぞれ並列に
フライホイールダイオード１７Ｕ、１７Ｘを設け、更に
第８図ではりアクドル２Ｕとヒユーズ４Ｕの直列路、リ
アクトル２Ｘとヒユーズ４Ｘの直列路にそれぞれ並列に
フライホイールダイオード−１８Ｕ、１、８ Ｘを接続
しである。これらのフライホイールダイオードには、Ｇ
ＴＯＩ Ｕ或いはＩＸのクーンオフ後にリアクトル２Ｕ
、２Ｘの蓄積エネルギー放出される。 なお、自己消弧
型スイソチンク素子としてはトランジスタ等の自己消弧
能力を持つものであればよい。
＝ＧＴＯＩＵ及びリアクトル２Ｕの直列路、ヒユーズ４
Ｘ＝ ＧＴＯＩ Ｘ及びリアクトル２Ｘの直列路に対し
それぞれ並列に帰還ダイオード１６Ｕ、１６Ｘを設けた
上、第６図ではりアクドル２Ｕ、２Ｘの直列路に対して
並列にフライホイールダイオードｌ ９ ｕ ｘを接続
し、第７図ではりアクドル２０，２Ｘにそれぞれ並列に
フライホイールダイオード１７Ｕ、１７Ｘを設け、更に
第８図ではりアクドル２Ｕとヒユーズ４Ｕの直列路、リ
アクトル２Ｘとヒユーズ４Ｘの直列路にそれぞれ並列に
フライホイールダイオード−１８Ｕ、１、８ Ｘを接続
しである。これらのフライホイールダイオードには、Ｇ
ＴＯＩ Ｕ或いはＩＸのクーンオフ後にリアクトル２Ｕ
、２Ｘの蓄積エネルギー放出される。 なお、自己消弧
型スイソチンク素子としてはトランジスタ等の自己消弧
能力を持つものであればよい。
以上の如く、この発明によれば、帰還ダイオードを流れ
る電流はヒユーズに流さず直接直流電源側に帰還させる
構成としたことにより、該ヒユーズの許容通電々流値と
過電流遮断電流値との中を従来に比して大きくすること
が出来るので、過電流耐量の小さいＧ自己消弧型スイッ
チング素子からなるインバータの過電流保護に対する信
頼性を大巾に高めることが出来る。
る電流はヒユーズに流さず直接直流電源側に帰還させる
構成としたことにより、該ヒユーズの許容通電々流値と
過電流遮断電流値との中を従来に比して大きくすること
が出来るので、過電流耐量の小さいＧ自己消弧型スイッ
チング素子からなるインバータの過電流保護に対する信
頼性を大巾に高めることが出来る。
第１図は従来のインバータのハーフブリッジの回路図、
第２図は上記インバータの各部の動作波形図、第３図は
この発明によるインバータの実施例の回路図、第４図は
上記実施例の各部の動作波形図、第５図〜第８図はこの
発明の他の実施例の回路図である。 図において、 ■Ｕ〜１Ｙ・・・自己消弧型スイッチング素子２Ｕ〜２
Ｙ・・・リアクトル ４Ｕ〜４Ｙ・・・ヒブーース １、３ Ｕ〜１３Ｙ・・帰還ダイオード１４Ｕ、１４Ｘ
・・帰還ダイオード １６Ｕ、１６Ｘ・・帰還ダイオード １１ｕ、１７ｘ・・フライホイールダイオード１８ｕ、
１８Ｘ・・フライホイールダイオード１９ｕｘ・・・・
・フライホイールダイオードなお、図中、同一符号は同
一または相当部分を示す。 第２図 第４図 第５図 第７図
第２図は上記インバータの各部の動作波形図、第３図は
この発明によるインバータの実施例の回路図、第４図は
上記実施例の各部の動作波形図、第５図〜第８図はこの
発明の他の実施例の回路図である。 図において、 ■Ｕ〜１Ｙ・・・自己消弧型スイッチング素子２Ｕ〜２
Ｙ・・・リアクトル ４Ｕ〜４Ｙ・・・ヒブーース １、３ Ｕ〜１３Ｙ・・帰還ダイオード１４Ｕ、１４Ｘ
・・帰還ダイオード １６Ｕ、１６Ｘ・・帰還ダイオード １１ｕ、１７ｘ・・フライホイールダイオード１８ｕ、
１８Ｘ・・フライホイールダイオード１９ｕｘ・・・・
・フライホイールダイオードなお、図中、同一符号は同
一または相当部分を示す。 第２図 第４図 第５図 第７図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｆｉｌ 自己消弧型スイッチング素子をアーム素子と
し、各アームに過電流抑制用のりアクドルとヒユーズを
具えるインバータにおいて、正負各アームに対して設げ
られる帰還ダイオードが、当該アームの上記ヒユーズ、
アーム素子、リアクトルに相手アームのりアクドルを含
む直列路に対して並列に設けられていることを特徴とす
るインバータ。 （２） 自己消弧型スイッチング素子をアーム素子と
し、各アームに過電流抑制用のりアクドルとヒユーズを
具えるインバータにおいて、正負各アームに対して設け
られる帰還ダイオードが、当該アームの少なくとも上記
ヒユーズ、アーム素子からなる直列路に対して並列に設
けられると共に、正負アームの上記リアクトル対してフ
ライホイールダイオードが設けられていることを特徴と
するインバータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58062461A JPS59188378A (ja) | 1983-04-07 | 1983-04-07 | インバ−タ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58062461A JPS59188378A (ja) | 1983-04-07 | 1983-04-07 | インバ−タ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59188378A true JPS59188378A (ja) | 1984-10-25 |
Family
ID=13200863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58062461A Pending JPS59188378A (ja) | 1983-04-07 | 1983-04-07 | インバ−タ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59188378A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02119574A (ja) * | 1988-10-26 | 1990-05-07 | Kyushu Univ | スイッチング電源 |
| JPH03112370A (ja) * | 1989-09-21 | 1991-05-13 | Hitachi Ltd | 電力変換装置 |
| EP0485154A2 (en) * | 1990-11-06 | 1992-05-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Power conversion device |
| JPH0498891U (ja) * | 1991-01-30 | 1992-08-26 |
-
1983
- 1983-04-07 JP JP58062461A patent/JPS59188378A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02119574A (ja) * | 1988-10-26 | 1990-05-07 | Kyushu Univ | スイッチング電源 |
| JPH03112370A (ja) * | 1989-09-21 | 1991-05-13 | Hitachi Ltd | 電力変換装置 |
| JP2709739B2 (ja) * | 1989-09-21 | 1998-02-04 | 株式会社日立製作所 | 電力変換装置 |
| EP0485154A2 (en) * | 1990-11-06 | 1992-05-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Power conversion device |
| JPH0498891U (ja) * | 1991-01-30 | 1992-08-26 |
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