JPS59188108A - 端子電極ペ−スト - Google Patents
端子電極ペ−ストInfo
- Publication number
- JPS59188108A JPS59188108A JP6266583A JP6266583A JPS59188108A JP S59188108 A JPS59188108 A JP S59188108A JP 6266583 A JP6266583 A JP 6266583A JP 6266583 A JP6266583 A JP 6266583A JP S59188108 A JPS59188108 A JP S59188108A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal electrode
- electrode paste
- terminal
- mixing ratio
- strength
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａｌ 発明の技術分野
本発明は端子電極ペーストに係り、特に多層セラミック
コンデンサの端子電極形成に用いる端子電極ペースト中
のガラスフリットの組成に関する。
コンデンサの端子電極形成に用いる端子電極ペースト中
のガラスフリットの組成に関する。
（ｂ） 従来技術と問題点
多層セラミックコンデンサの端子電極を形成するために
従来より使用されている端子電極ペーストは、ガラスフ
リットの混合比が必ずしも適切ではなく、また端子電極
ペーストの混練は直径５ 〔ｍ ｍ ）程のアルミナボ
ールを使用してボールミルにより行なっていたので、得
られた端子電極ペーストの混練が十分でなく、更にアル
ミナの微粉末がペースト中に入り込むため、ガラスフリ
ットの正確な組成が不明確となる。そのためかかる端子
電極ペーストを用いて多層セラミックコンデンザ等の端
子電極を形成した場合、接着強度の強いものが得られな
かった。
従来より使用されている端子電極ペーストは、ガラスフ
リットの混合比が必ずしも適切ではなく、また端子電極
ペーストの混練は直径５ 〔ｍ ｍ ）程のアルミナボ
ールを使用してボールミルにより行なっていたので、得
られた端子電極ペーストの混練が十分でなく、更にアル
ミナの微粉末がペースト中に入り込むため、ガラスフリ
ットの正確な組成が不明確となる。そのためかかる端子
電極ペーストを用いて多層セラミックコンデンザ等の端
子電極を形成した場合、接着強度の強いものが得られな
かった。
（Ｃ） 発明の目的
本発明の目的は端子電極ペースト中のガラスフリットの
混合比を最適化し、もって端子電極の接着強度を向上さ
せることにある。
混合比を最適化し、もって端子電極の接着強度を向上さ
せることにある。
（ｄ＋ 発明の構成
本発明の特徴は、銀及びパラジウムの微粉末よりなる貴
金属パウダと、硼珪酸ガラス及び酸化ビスマスとからな
るガラスフリットと、有機バインダと、溶剤とからなり
、且つ前記ガラスフリットの混合比を、前記貴金属パウ
ダの重量に対して硼珪酸ガラスが４．０±０．５％、＠
化ビスマスが１６±２％としたことにある。
金属パウダと、硼珪酸ガラス及び酸化ビスマスとからな
るガラスフリットと、有機バインダと、溶剤とからなり
、且つ前記ガラスフリットの混合比を、前記貴金属パウ
ダの重量に対して硼珪酸ガラスが４．０±０．５％、＠
化ビスマスが１６±２％としたことにある。
（ｅ）発明の実施例
本願の発明者らは、端子電極の接着強度と端子電極ペー
ストの組成との関連を種々検討の結果、ガラスフリ、ト
の混合比に最適値のあることを見出した。本願はその結
果に基づくもので、以下本発明の一実施例を図面を参照
しながら説明する。
ストの組成との関連を種々検討の結果、ガラスフリ、ト
の混合比に最適値のあることを見出した。本願はその結
果に基づくもので、以下本発明の一実施例を図面を参照
しながら説明する。
本実施例の端子電極ペーストを作成するには、まず第１
表に示す組成の貴金属パウダ、／８剤、ガラスフリット
、及び有機バインダをそれぞれ準備する。
表に示す組成の貴金属パウダ、／８剤、ガラスフリット
、及び有機バインダをそれぞれ準備する。
第１表
即ち貴金属パウダは、粒径凡そ３〔μｍ〕の銀（Ａｇ）
及びパラジウム（Ｐｄ）微粉末をそれぞれ凡そ８０（ｇ
ｒ）及び２０（ｇｒ’ｌの割合で混合し、溶剤は例えば
、ジエチレングリコール・モノブチルエーテル・アセタ
ート（ＣＨ３ＣＯＯＣ２Ｈａ ＯＣ２Ｈ４，ｏｃ４Ｈ８
）と２−ブトキシェタノールＣＨ２ｏｃ４Ｈ９ Ｈ２０Ｈ をそれぞれ凡そ２４，１４ Ｃｇｒ）の割合で混合して
作成する。ガラスフリットば硼珪酸ガラス（米国Ｃｏｒ
ｎｉｎｇ Ｇｌａｓｓ Ｗｏｒｋｓ社、グラスコードＮ
ｏ、７０７０を用いる）を４，０± ０．５（ｇｒ’ｌ
と酸化ビスマス（ＢｉＯ３）を１８± ２ ’Ｃｇｒ
）とを混合する。有機バインダは、例えば粘度凡そ４５
（ｃｐ）のエチルセルロース ３ （ｇｒ’ｌ と、ポリビニルブチラール（（Ｃ４
Ｈ６０２ＣＨ−Ｃ３Ｈ７） ） ２ （ｇｒ）と、フ
タル酸ジブチル ５ （ｇｒ）とを混合したものを用いる。
及びパラジウム（Ｐｄ）微粉末をそれぞれ凡そ８０（ｇ
ｒ）及び２０（ｇｒ’ｌの割合で混合し、溶剤は例えば
、ジエチレングリコール・モノブチルエーテル・アセタ
ート（ＣＨ３ＣＯＯＣ２Ｈａ ＯＣ２Ｈ４，ｏｃ４Ｈ８
）と２−ブトキシェタノールＣＨ２ｏｃ４Ｈ９ Ｈ２０Ｈ をそれぞれ凡そ２４，１４ Ｃｇｒ）の割合で混合して
作成する。ガラスフリットば硼珪酸ガラス（米国Ｃｏｒ
ｎｉｎｇ Ｇｌａｓｓ Ｗｏｒｋｓ社、グラスコードＮ
ｏ、７０７０を用いる）を４，０± ０．５（ｇｒ’ｌ
と酸化ビスマス（ＢｉＯ３）を１８± ２ ’Ｃｇｒ
）とを混合する。有機バインダは、例えば粘度凡そ４５
（ｃｐ）のエチルセルロース ３ （ｇｒ’ｌ と、ポリビニルブチラール（（Ｃ４
Ｈ６０２ＣＨ−Ｃ３Ｈ７） ） ２ （ｇｒ）と、フ
タル酸ジブチル ５ （ｇｒ）とを混合したものを用いる。
次に上述の貴金属パウダ、溶剤、硼珪酸ガラス。
酸化ヒスマス、及び有機バインダを、それぞれ１００、
３．５．４．０±、！”＋ １８±２．４（ｇｒ）の割
合で混合し、直径凡そ１５〔μｍ〕のアルミナボールを
用いてボールミルにより約１２時間混練する。ここで上
記アルミナボールはプラスチック・コーティングしたも
のを用いる。
３．５．４．０±、！”＋ １８±２．４（ｇｒ）の割
合で混合し、直径凡そ１５〔μｍ〕のアルミナボールを
用いてボールミルにより約１２時間混練する。ここで上
記アルミナボールはプラスチック・コーティングしたも
のを用いる。
このようにして作成した本実施例の端子電極ペーストを
、例えばチップコンデンサの端部に塗布する。それには
例えば端子電極ペースト中にチップコンデンサの端部を
浸漬する等の方法を用いてよい。次いで凡そ１５０（’
Ｃ）の温度で約１ 〔分〕ないしは凡そ８０（”Ｃ）の
温度で約２０〔分〕乾燥して溶剤を除去する。次いで凡
そ８５０Ｃ”Ｃ）の温度で約１０〔分〕焼成を行うこと
により、端子電極が形成される。
、例えばチップコンデンサの端部に塗布する。それには
例えば端子電極ペースト中にチップコンデンサの端部を
浸漬する等の方法を用いてよい。次いで凡そ１５０（’
Ｃ）の温度で約１ 〔分〕ないしは凡そ８０（”Ｃ）の
温度で約２０〔分〕乾燥して溶剤を除去する。次いで凡
そ８５０Ｃ”Ｃ）の温度で約１０〔分〕焼成を行うこと
により、端子電極が形成される。
第２図は上記本発明にかかる端子電極ペーストの効果を
説明するための図で、縦軸は端子強度〔単位はｋｇ）を
、横軸は金属パウダの量を１００としたときの酸化ビス
マスの重量比〔単位は％〕である。また３本の曲線Ａ、
Ｂ、Ｃば硼珪酸ガラスの金属パウダに対する重量比〔単
位は％〕がそれぞれ３．４．５％の場合を示すものであ
る。
説明するための図で、縦軸は端子強度〔単位はｋｇ）を
、横軸は金属パウダの量を１００としたときの酸化ビス
マスの重量比〔単位は％〕である。また３本の曲線Ａ、
Ｂ、Ｃば硼珪酸ガラスの金属パウダに対する重量比〔単
位は％〕がそれぞれ３．４．５％の場合を示すものであ
る。
第２図は端子強度の測定方法を示す図で、■はチップコ
ンデンサ、２は上記端子電極ペーストを用いて形成した
端子電極層、３はハンダ、４はリード線を示し、上記リ
ード線４を矢印の方向に引っ張り、リード線４が剥離し
たときの引っ張り強度を端子強度とする。
ンデンサ、２は上記端子電極ペーストを用いて形成した
端子電極層、３はハンダ、４はリード線を示し、上記リ
ード線４を矢印の方向に引っ張り、リード線４が剥離し
たときの引っ張り強度を端子強度とする。
同図に見られる如く端子強度は硼珪酸ガラスの混合比に
よって大きく変動し、凡そ４．０％のとき最も安定な特
性を呈する。また酸化ビスマスの混合比によっても大き
く影響され、これの混合比が増大すると硼珪酸ガラスの
混合比が上記４．０％以外の場合５例えば５．０％の場
合でも端子強度は増大する。しかしその特性は急峻な傾
斜特性を呈するので不安定要因となる恐れがあり、実用
的ではない。更に曲線Ｃの二重線の部分はインクロッキ
ング部をしめす。インクロッキングとは剥離を生じた場
合に、リード線４あるいは端子電極層２とその下地との
間が剥離するのではなく、第３図に示すように端子電極
層２にその下地のチップコンデンサ１のセラミックが破
断して破片５が端子電極層２に付着している状態をいう
。これが生じるということは、端子電極Ｍ２のセラミッ
クに対する接着力が、下地のセラミックの破断強度以上
に強固であることを示す。かかるインクロッキングが生
じるのは硼珪酸ガラスの混合比が４．０％の場合のみで
あり、しかも酸化ビスマスの混合比が１６〜２４％の範
囲であった。
よって大きく変動し、凡そ４．０％のとき最も安定な特
性を呈する。また酸化ビスマスの混合比によっても大き
く影響され、これの混合比が増大すると硼珪酸ガラスの
混合比が上記４．０％以外の場合５例えば５．０％の場
合でも端子強度は増大する。しかしその特性は急峻な傾
斜特性を呈するので不安定要因となる恐れがあり、実用
的ではない。更に曲線Ｃの二重線の部分はインクロッキ
ング部をしめす。インクロッキングとは剥離を生じた場
合に、リード線４あるいは端子電極層２とその下地との
間が剥離するのではなく、第３図に示すように端子電極
層２にその下地のチップコンデンサ１のセラミックが破
断して破片５が端子電極層２に付着している状態をいう
。これが生じるということは、端子電極Ｍ２のセラミッ
クに対する接着力が、下地のセラミックの破断強度以上
に強固であることを示す。かかるインクロッキングが生
じるのは硼珪酸ガラスの混合比が４．０％の場合のみで
あり、しかも酸化ビスマスの混合比が１６〜２４％の範
囲であった。
以上によりインクロッキングが発生し且つ一点鎖線（端
子強度の望ましい値）を越える端子強度を得るためには
、貴金属パウダの量１００に対して硼珪酸ガラス及び酸
化ビスマスの混合比をそれぞれ４．０±０．５％及び１
６± ２％とすることが必要であることが理解されよう
。なお二点鎖線は参考のために掲げたもので、ＪＩＳ−
Ｃ−５１０２で定められた端子強度規格値を示す。
子強度の望ましい値）を越える端子強度を得るためには
、貴金属パウダの量１００に対して硼珪酸ガラス及び酸
化ビスマスの混合比をそれぞれ４．０±０．５％及び１
６± ２％とすることが必要であることが理解されよう
。なお二点鎖線は参考のために掲げたもので、ＪＩＳ−
Ｃ−５１０２で定められた端子強度規格値を示す。
（ｆ） 発明の詳細
な説明した如く本発明により、強固且つ安定した端子強
度を得ることの出来る端子電極ペーストが提供される。
度を得ることの出来る端子電極ペーストが提供される。
第１図は本発明の詳細な説明するだめの曲線図、第２図
は端子強度の測定方法を示す断面図、第３図はインクロ
ッキングを説明するための断面図である。 図において、１はチップコンデンサ、２は端子電極層、
３はハンダ、４はリード線を示す。 Ｂｉ２０１ 秀加量（〆） ′第２図 第３図 ？
は端子強度の測定方法を示す断面図、第３図はインクロ
ッキングを説明するための断面図である。 図において、１はチップコンデンサ、２は端子電極層、
３はハンダ、４はリード線を示す。 Ｂｉ２０１ 秀加量（〆） ′第２図 第３図 ？
Claims (1)
- 銀及びパラジウムの微粉末よりなる貴金属パウダと、硼
珪酸ガラス及び酸化ビスマスとからなるガラスフリット
と、有機バインダと、溶剤とからなり、且つ前記ガラス
フリットの混合比を、前記貴金属パウダの重量に対して
硼珪酸ガラスが４．０±０，５％、酸化ビスマスが１６
±２％としたことを特徴とする端子電極ペースト、。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6266583A JPS59188108A (ja) | 1983-04-08 | 1983-04-08 | 端子電極ペ−スト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6266583A JPS59188108A (ja) | 1983-04-08 | 1983-04-08 | 端子電極ペ−スト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59188108A true JPS59188108A (ja) | 1984-10-25 |
Family
ID=13206811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6266583A Pending JPS59188108A (ja) | 1983-04-08 | 1983-04-08 | 端子電極ペ−スト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59188108A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61120413A (ja) * | 1984-11-15 | 1986-06-07 | 株式会社村田製作所 | チツプ型電子部品の外部接続用電極を形成する方法 |
| JPS61139018A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-06-26 | 株式会社村田製作所 | チツプ型電子部品の外部接続用電極を形成する方法 |
| JPS642206A (en) * | 1987-06-24 | 1989-01-06 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Composition for forming conductive film |
-
1983
- 1983-04-08 JP JP6266583A patent/JPS59188108A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61120413A (ja) * | 1984-11-15 | 1986-06-07 | 株式会社村田製作所 | チツプ型電子部品の外部接続用電極を形成する方法 |
| JPH0470768B2 (ja) * | 1984-11-15 | 1992-11-11 | Murata Manufacturing Co | |
| JPS61139018A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-06-26 | 株式会社村田製作所 | チツプ型電子部品の外部接続用電極を形成する方法 |
| JPH0554245B2 (ja) * | 1984-12-10 | 1993-08-12 | Murata Manufacturing Co | |
| JPS642206A (en) * | 1987-06-24 | 1989-01-06 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Composition for forming conductive film |
| JPH0574165B2 (ja) * | 1987-06-24 | 1993-10-15 | Sumitomo Metal Mining Co |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR960001353B1 (ko) | 다층 전자 회로의 제조방법 | |
| US4859364A (en) | Conductive paste composition | |
| US5561587A (en) | Conductive paste and multilayer ceramic capacitor | |
| DE1646904B2 (de) | Metallisierungsmasse | |
| JP2003077336A (ja) | 導電性ペースト及びこれを用いた積層セラミックコンデンサ | |
| JP3237497B2 (ja) | 導電ペースト並びにそれを用いた導電体及びセラミック基板 | |
| JPH05235497A (ja) | 銅導電性ペースト | |
| JP3230394B2 (ja) | 磁器コンデンサ | |
| JPS5848987A (ja) | ホウロウ鉄器素地用の銅の導体組成物 | |
| JPH0955118A (ja) | 導体ペーストおよびセラミック積層コンデンサ | |
| JPS59188108A (ja) | 端子電極ペ−スト | |
| JP3152065B2 (ja) | 導電性ペーストおよび積層セラミックコンデンサ | |
| EP0291064B1 (en) | Conductive paste composition | |
| JP3082154B2 (ja) | セラミック電子部品用焼付型導電性ペースト及びセラミック電子部品 | |
| JP3123315B2 (ja) | 導電性ペーストの製造方法 | |
| JPS6127003A (ja) | 導電性ペ−スト組成物 | |
| JP2931450B2 (ja) | 導体ペースト | |
| JPH05128910A (ja) | 導体ペースト | |
| JP3649775B2 (ja) | 厚膜導電性ペースト組成物 | |
| JPS59188107A (ja) | 端子電極ペ−スト | |
| JPH05174614A (ja) | 配線電極ペースト及び電子部品の製造方法 | |
| JP3079930B2 (ja) | 磁器コンデンサ | |
| JPS6025294A (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| JPH08148029A (ja) | 導電性ペースト及び該導電性ペーストを用いて形成された電子部品の外部電極 | |
| US3667935A (en) | Process for preparing nitrogen-free platinum powders |