JPS59188101A - ヒ−トシンク付高密度複合抵抗体構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野と背景技術〕 本発明は、複合抵抗体構造に関するもので、特に複政個
の抵抗体を高密度に搭載可能であシ、妙・つ、熱特性の
良好なヒートンンク付複合抵抗体構造に関するものであ
る。

近年、コンピュータの性能はますます高速度のものが要
求されてきており、そのため、電子回路は高速度、高集
積度のＬＳＩチップ、およびこれらのＬＳＩチップを高
密度に実装したマルチチップＬＳＩパッケージによ多構
成されている。また、論理電子回路も高速化のためにＥ
ＣＬ（エミッタカップルドロジック）が多く使用されて
いる。そのため、このような高速度の電子回路を搭載し
たマルチテップＬＳＩパッケージでは、基板上において
ＬＳＩチップ間の高密度配線を形成するとともに、それ
ぞれの配線に第１図に示すような複合抵抗体構造からな
る終端抵抗を接続しなければならなかった。

第１図に示す従来の複合抵抗体構造１工は、アルミナ七
ラミック基板２、抵抗体３、抵抗用電極６、配線９接続
端子１０によ多構成されている。

しかし、この従来の複合抵抗体構造は、抵抗体の配置に
際し、基板内［ｉ−ける発熱に対する配慮（温度分布の
均一化）をしなければならないばかりでなく、基板光り
の電力も放熱に限界があるため高めらり、ないという欠
点があった。さらに、接続端子が全て基板の側面に形成
されているため、抵抗体からの配線は全て基板の側面ま
で引張っていかなけり、ばならず、配線が長くなると基
に配線が複雑化するだめ、これらを緩和するには複合抵
抗体基板の占有面積を増大させなければならないといっ
た欠点があった。このように従来の複合抵抗体構造によ
り、ば複合抵抗体基板での抵抗体の高集積化が図れない
ばかりでなく、前記マルチＬＳＩパッケージ上において
は、配線領域が制限され配線密度を高くできないといっ
た問題点もあった。

〔発明の開示〕

本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、セラミッ
ク基板と、との七ラミック基板の表面に複数個形成され
た抵抗体と、裏面に形成された複数個の外部接続パッド
と、セラミック基板の表と裏を貫通し抵抗体と外部接続
パッドを接続する導通ビアと、上記抵抗体の形成面に取
付けた熱放散用ヒートシンクとによって構成することに
よ如、熱放散が効率よく行なえ抵抗体の高集積、高電力
化を可能とし、且つ抵抗体付着面の配線の長さの短縮化
を可能とし、さらに、マルチチップＬＳＩパッケージ上
において、該パッケージの配線領域の拡大と配線の高密
度化とを合せて可能としたヒートシンク付高密度複合抵
抗体構造の開示を目的とする。

〔実施例の説明〕

第２図は、本発明の実施例の断面図である。図面に示す
ヒートシンク付高密度複合抵抗体構造罠おいて、２はア
ルミナセラミック基板（平板）、３は抵抗体、４は導通
ビア、５は外部接続パッド、６は抵抗用電極、７は接着
剤、８にヒートシンクである。そして、抵抗体３の抵抗
用電極６は、アルミナセラミンク基板２の上に厚膜導体
ペーストをスクリーン印刷した後、約９００℃前後の高
温で焼成するＪ’７．　Ｂ９導体印刷法により形成され
ている。

抵抗体３は、この抵抗用電極６の上に厚膜抵抗ペースト
を印刷し焼成して形成している。アルミナセラミック基
板２の裏面にある外部接続パッド５も同様の方漬により
形成されている。又、導通ビア４け、アルミナセラミッ
ク基板２の各々に設けられた貫通孔に上記厚膜導体ペー
ストを埋め込み焼成して形成されており、これにより抵
抗体３の抵抗用電極５と外部接続パッド５とを接続して
いる。接着剤７は、電気的絶縁を有し良熱伝導性材Ｆｌ
からなるもので、基板表面の抵抗体３及び抵抗用電極６
を完全に彷い、櫛形状のヒートシンク８を固着している
。

なお、抵抗体３．抵抗用電極６．外部接続ベッド５を、
本実施例では厚膜ペーストを印刷し、焼成することによ
り形成しているが、蒸着あるいはスパッタにより形成す
るとともできる。

このようにして、アルミナセラミック基板２と、複数個
の抵抗体３と、これら各々の抵抗体３及び複数個の導通
ビア４の各々を接続した複数個の抵抗用電極６と、前記
導通ビア４と接続せしめる複数個９外部接続パッド５と
からなるセラミック複合抵抗体基板と、前記抵抗体３と
抵抗用電ｆｉｉ６とを電気的絶縁を有し良熱伝導材料か
らなる接着剤７で完全に彷い、ヒートシンク８を固着し
てなる本実施例のヒートシンク付高密度複合抵抗体構造
１を実現することができる。

以上に述べた本実施例のヒートシンク付高密度複合抵抗
体構造１を使用することにより、複合抵抗体基板からの
熱放散を飛躍的に向上させることが可能となり、しかも
、抵抗体の高集積化と、複合抵抗体基板内における配線
の長さの短縮、配線の効率化が実現できる。父、マルチ
チップＬＳＩパッケージ上においても、配線領域の拡大
と配線の高密度化を実現することが可能となる。

〔発明の効果〕

以上の如く本発明によれば、複合抵抗体基板からの熱放
散を飛躍的に向上させることが可能となり、抵抗体の高
集積化が実現でき、配線長さの短縮化と配線の効率化を
実現し、さらには、マルチチップＬＳＩパッケージ上に
おいてパッケージ内の配線領域の拡大と配線の高密度化
を可能ならしめるといった効果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来技術による複合抵抗体構造の実施例を示す
斜視図であり、第２図は本発明のヒートシンク付高密度
複合抵抗体構造を示す断面図である。 １・・・ヒートシンク付高密度複合抵抗体構造２・・・
アルミナセラミック基板（平板）３・・・抵抗体　　　
　　　４・・・漢通ビア５・・・外部接続パッド　　６
・・・抵抗用電極７・パ接着剤　　　　　　８・・・ヒ
ートシンク出願人　　日本電気株式会社

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. セラミック基板の表面に複数個の抵抗体を形成すると共
   に、該セラミック基板の裏面に複数個の外部接続パッド
   を形成し、且つセラミック基板の内部を貫通して前記複
   数個の抵抗体と複数個の外部接続パッド間とを接続する
   導通ビアを有するセラミック複合抵抗体基板と、前記セ
   ラミック複合抵抗体基板の抵抗体形成面に熱放散用ヒー
   トシンクを取付けたことを特徴とするヒートシンク付高
   密度複合抵抗体構造。