JPS59181674A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS59181674A JPS59181674A JP58055841A JP5584183A JPS59181674A JP S59181674 A JPS59181674 A JP S59181674A JP 58055841 A JP58055841 A JP 58055841A JP 5584183 A JP5584183 A JP 5584183A JP S59181674 A JPS59181674 A JP S59181674A
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- Japan
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/80—FETs having rectifying junction gate electrodes
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58055841A JPS59181674A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58055841A JPS59181674A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59181674A true JPS59181674A (ja) | 1984-10-16 |
| JPH0437583B2 JPH0437583B2 (enExample) | 1992-06-19 |
Family
ID=13010225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58055841A Granted JPS59181674A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59181674A (enExample) |
-
1983
- 1983-03-31 JP JP58055841A patent/JPS59181674A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0437583B2 (enExample) | 1992-06-19 |
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