JPS5917885B2 - 電界効果トランジスタ増巾回路 - Google Patents

電界効果トランジスタ増巾回路

Info

Publication number
JPS5917885B2
JPS5917885B2 JP51141519A JP14151976A JPS5917885B2 JP S5917885 B2 JPS5917885 B2 JP S5917885B2 JP 51141519 A JP51141519 A JP 51141519A JP 14151976 A JP14151976 A JP 14151976A JP S5917885 B2 JPS5917885 B2 JP S5917885B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
field effect
effect transistor
transistor
impedance conversion
conversion circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP51141519A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5365645A (en
Inventor
忠男 鈴木
忠雄 吉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP51141519A priority Critical patent/JPS5917885B2/ja
Priority to US05/852,971 priority patent/US4128813A/en
Priority to GB48788/77A priority patent/GB1579849A/en
Priority to AU30884/77A priority patent/AU512565B2/en
Priority to NLAANVRAGE7712933,A priority patent/NL189536C/xx
Priority to FR7735644A priority patent/FR2372545A1/fr
Priority to DE2752739A priority patent/DE2752739C2/de
Publication of JPS5365645A publication Critical patent/JPS5365645A/ja
Publication of JPS5917885B2 publication Critical patent/JPS5917885B2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/217—Class D power amplifiers; Switching amplifiers
    • H03F3/2171—Class D power amplifiers; Switching amplifiers with field-effect devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
    • H03F3/16—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only with field-effect devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/30—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/01—Shaping pulses
    • H03K5/02—Shaping pulses by amplifying
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/01—Shaping pulses
    • H03K5/02—Shaping pulses by amplifying
    • H03K5/023—Shaping pulses by amplifying using field effect transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/511—Many discrete supply voltages or currents or voltage levels can be chosen by a control signal in an IC-block amplifier circuit

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Tone Control, Compression And Expansion, Limiting Amplitude (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は被パルス幅変調信号等のパルス信号（矩形波信
号）の増巾回路に適用して好適な電界効果トランジスタ
増巾回路に関する。
チェプレッション形電界効果トランジスタ、例えば接合
形電界効果トランジスタとしての縦形接合形電界効果ト
ランジスタを増巾素子として使用した被パルス幅変調信
号等のパルス信号（矩形波信号）用の増巾回路は、その
出力波形の立上り及び立下りを良好にするために電界効
果トランジスタを電圧駆動する必要がある。
又、斯るチェプレッション形電界効果トランジスタのゲ
ート入力容量はそのゲートソース間電圧ＶＧｓにより変
動し、例えばＮチャンネル形トランジスタの場合を例に
とると、特にそれが正領域に入るとこのゲート入力容量
が著しく増大し、ドライブパワーが増大する。
従って、斯る増巾回路ではその増巾用電界効果トランジ
スタの駆動をゲートソース間電圧ＶＧＳ−０でその駆動
を停止するようにすれば、そのドレインソース間のオン
抵抗が小さくなると共に、ゲート入力容量の増加が抑え
られるので、ドライブパワーの増大を抑えることができ
る。
斯る点に鑑み本発明は被パルス幅変調信号等のパルス信
号（矩形波信号）の増巾回路に適用して好適な電界効果
トランジスタ増巾回路に関し、特に出力信号の波形の立
上り及び立下りを良好ならしめると共に、オーバードラ
イブを抑圧してそれによるドライブパワーの増大を抑圧
することのできるものを提案せんとするものである。
以下に図を参照して本発明をその一実施例につき詳細に
説明する。
本実施例は被パルス幅変調信号用の電界効果トランジス
タ増巾回路の例であって、この例はプッシュプル増巾回
路の場合であるが、本発明は必ずしもこれに限られるも
のではない。
Ｑｌａ及びＱｘｌ）は夫々Ｐチャンネル形及びＮチャン
ネル形の縦形接合形電界効果トランジスタである。
Ｔ１は信号の入力端子、Ｔ２は信号の出力端子である。
トランジスタＱｌａ及びＱｌｂの ドレインが出力端子
Ｔ２に接続されると共に、各ソースが夫々直流電源８３
ａ及びＢ３ｂを通じて接地されている。
入力端子Ｔ１は一対のＮＰＮ形トランジスタＱ２ａ及び
ＰＮＰ形トランジスタＱ２ｂの各ベースに接続され、そ
の各エミッタが抵抗器Ｒ２を通じて接地されている。
そしてその各コレクタ間に正負の波形を揃えるためのコ
ンデンサＣが接続されると共に、その各コレクタが夫々
負荷抵抗器Ｒ１ａ及びＲｔｂを通じて夫々電源Ｂ１ａ及
びＢｌｂの夫々正極及び負極に接続されている。
直流電源Ｂ１ａの負極は直流電源Ｂ３ａの正極に接続さ
れ、その直流電源Ｂ３ａの負極は接続されている。
直流電源Ｂｔｂの正極は直流電源Ｂ３ｂの負極に接続さ
れ、その直流電源Ｂ３ｂ の負極は接地されている。
そして入力端子Ｔ１に被パルス幅変調入力信号が供給さ
れ、トランジスタＱ２ａ及びＱ２ｂの各コレクタに夫々
その正負の半サイクル分の出力が得られるように成され
ている。
２Ａａ 、２Ｂａ 、２Ａｂ ？ ２Ｂｂは夫々一対の
ＮＰＮ形及びＰＮＰ形のトランジスタの各ベースが互い
に接続されて入力端子とされ、各エミッタが互いに接続
されて出力端子とされて成るインピータンス変換回路で
あって、夫々トランジスタＱ３ａ 、Ｑ４ａ ；Ｑ５ａ
ｔＱａａ ；Ｑ３ｂ ｔＱ４ｂ ；Ｑｉｂ ｙＱ６ｂ
の夫々ＮＰＮ形及びＰＮＰ形トランジスタから成ってい
る。
そしてトランジスタＱ２ａのコレクタがインピーダンス
変換回路２ Ａ ａの入力端子に接続され、そのインピ
ーダンス変換回路２Ａａの出力端子がその後段のインピ
ーダンス変換回路２Ｂａの入力端子に接続され、その出
力端子がトランジスタＱｔａ のゲートに接続されて℃
・る。
尚、トランジスタＱ ３ａ及びＱ５ａの各コレクタは電
源Ｂ１ａの正極に接続されトランジスタＱ＋ａ及びＱ６
ａ の各エミッタは直流電源Ｂ２ａ の負極に接続され
ている。
尚、直流電源Ｂ２ａ の正極は電源Ｂ３ａの正極に接続
されている。
又トランジスタＱ２ｂ のコレクタはインピーダンス
変換回路２Ａｂの入力端子に接続され、その出力端子が
インピータンス変換回路２Ｂｂの入力端子に接続され、
その出力端子がトランジスタＱｔｂ のゲートに接続さ
れている。
そしてトランジスタＱ＋ｂ及びＱａｂ の各コレクタが
電源Ｂｔｂの負極に接続され、その正極が電源Ｂ３ｂ、
の負極に接続される。
更にトランジスタＱ３ｂ及びトランジスタＱｔｂの各コ
レクタが電源Ｂ２ｂの正極に接続され、その負極が電源
Ｂ３ｂ の負極に接続される。
そして、この場合夫々のトランジスタＱ１ａ及びＱｔｂ
の各ゲートにはインピーダンス変換回路が夫々２段
接続されているに鑑み、夫々そのトランジスタＱ４ａ及
びＱａａのエミッタベース間電圧ＶＢＥの和と順方向降
下電圧の和とが等しく成るように２個のダイオードＤ１
ａ及びＤ２ａが直列接続されて、トランジスタＱ１ａ
のソースとトランジスタＱ２ａ のコレクタとの間にア
ノード側がトランジスタＱｔａ のソース側となるよう
に順方向に接続される。
トランジスタＱａｂ ｔＱ５ｂに対しても同様に２個の
ダイオードＤ２ａ及びＤ２ｂの直列回路がそのアノード
がトランジスタＱ２ｂ のコレクタ側となるようにその
コレクタとトランジスタＱｔｂ のソースとの間に順
方向に接続される。
従って、この場合インピーダンス変換回路が夫夫のトラ
ンジスタＱ１ａ及びＱｔｂにＮ（＝１，２゜３、・・・
・・・）個縦続接続される場合には、それに使用するト
ランジスタのＶＢＥ とダイオードの順方向電圧が等
しい場合には、同じ個数のＮ個のダイオードが接続され
ることになる。
この増巾回路に於いては、トランジスタＱ１ａに対して
はトランジスタＱ４ａ及びＱａａによって出力信号の波
形の立上りが良好なさしめられ、トランジスタＱ３ａ及
び（ｌｓａによってその立下りが良好なさしめられると
共に、ダイオードＤ１ａ及びＤ２ａによってトランジス
タＱ＋ａのゲートソース間電圧ＶＧｓがＯを越えないよ
うになされている。
又トランジスタＱｔｂに対してはトランジスタＱａｂ及
びＱｓｂによって出力信号の波形の立上りが良好なさし
められ、トランジスタＱ４ ｂ、Ｑａｂ＋によって出力
信号の波形の立下りが良好なさしめられると共にダイオ
ードＤ２ａ及びＤ２ｂによってトランジスタＱｔｂのゲ
ートソース間電圧が０を越えないようになさしめられる
。
上述せる本発明電界効果トランジスタ増巾回路によれば
、一対のＮＰＮ形及びＰＮＰ形のトランジスタの各ベー
スが互いに接続されて入力端子とされ、各エミッタが互
いに接続されて出力端子とされてなるインピーダンス変
換回路が増巾用電界効果トランジスタの入力側に接続さ
れることによって、出力信号の波形の立上り及び立下り
が良好ならしめられると共に、初段のインピーダンス変
換回路の入力端子と電界効果トランジスタのソースとの
間にダイオードが接続されて電界効果トランジスタのド
ライブがゲートソース間電圧ＶＧＳ＝０で停止せしめら
れるようにしたので、ドレインソース間オン抵抗が小さ
くなると共に、入力容量が大巾に増加することがないの
で、オーバードライブを抑圧してそれによるドライブパ
ワーの増大を抑圧することができる。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の一実施例を示す回路図である。 Ｑｌａ及びＱｔｂは夫々チェプレッション形電界効果ト
ランジスタ、２Ａａ 、２Ｂａ 、２Ａｂ及び２Ｂｂは
夫々インピーダンス変換回路、Ｉ）＋ａｙＤ２ａ、Ｄ１
ｂ、Ｄ２ｂ は夫々ダイオードである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 一対のＮＰＮ形及びＰＮＰ形のトランジスタの各ベ
    ースが互いに接続されて入力端子とされ、各エミッタが
    互いに接続されて出力端子とされて成るインピーダンス
    変換回路がＮ（＝１ 、２ 、３゜・・・・・・）個縦
    続接続され、入力信号が該縦続接続されたインピーダン
    ス変換回路を通じて増巾用デエ′プレッション形電界効
    果トランジスタのゲートに供給されるようになされ、初
    段の上記インピーダンス変換回路の入力端子と上記電界
    効果トランジスタのソースとの間にダイオードが接続さ
    れて上記電界効果トランジスタの駆動をゲートソース間
    電圧Ｖ。 ８＝０で停止させるようにしたことを特徴とする電界効
    果トランジスタ増巾回路。
JP51141519A 1976-11-25 1976-11-25 電界効果トランジスタ増巾回路 Expired JPS5917885B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP51141519A JPS5917885B2 (ja) 1976-11-25 1976-11-25 電界効果トランジスタ増巾回路
US05/852,971 US4128813A (en) 1976-11-25 1977-11-18 Amplifier
GB48788/77A GB1579849A (en) 1976-11-25 1977-11-23 Field effect transistor amplifier circuits
AU30884/77A AU512565B2 (en) 1976-11-25 1977-11-23 Fet pulse amplifier circuit
NLAANVRAGE7712933,A NL189536C (nl) 1976-11-25 1977-11-23 Versterker, voorzien van een veldeffekttransistor.
FR7735644A FR2372545A1 (fr) 1976-11-25 1977-11-25 Amplificateur a transistor a effet de champ
DE2752739A DE2752739C2 (de) 1976-11-25 1977-11-25 Verstärker

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP51141519A JPS5917885B2 (ja) 1976-11-25 1976-11-25 電界効果トランジスタ増巾回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5365645A JPS5365645A (en) 1978-06-12
JPS5917885B2 true JPS5917885B2 (ja) 1984-04-24

Family

ID=15293844

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP51141519A Expired JPS5917885B2 (ja) 1976-11-25 1976-11-25 電界効果トランジスタ増巾回路

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4128813A (ja)
JP (1) JPS5917885B2 (ja)
AU (1) AU512565B2 (ja)
DE (1) DE2752739C2 (ja)
FR (1) FR2372545A1 (ja)
GB (1) GB1579849A (ja)
NL (1) NL189536C (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54102956A (en) * 1978-01-31 1979-08-13 Sony Corp Pulse amplifier circuit
US4311922A (en) * 1979-11-14 1982-01-19 General Electric Company Variable excitation circuit
DE3280350D1 (de) * 1982-08-25 1991-09-26 Ibm Deutschland Transistor-leistungsverstaerker mit verringerten schaltzeiten.
US4992749A (en) * 1988-12-28 1991-02-12 Pioneer Electronic Corporation Pulse-width modulating amplifier circuit
GB0123441D0 (en) * 2001-09-29 2001-11-21 Smiths Group Plc Electrical circuits
US9024507B2 (en) 2008-07-10 2015-05-05 Cornell University Ultrasound wave generating apparatus
CN112886933B (zh) * 2021-01-13 2022-10-04 上海艾为电子技术股份有限公司 D类音频放大器及其自适应脉宽调整方法、电子设备

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2994834A (en) * 1956-02-29 1961-08-01 Baldwin Piano Co Transistor amplifiers
JPS585522B2 (ja) * 1974-12-23 1983-01-31 ソニー株式会社 パルスハバヒヘンチヨウシンゴウゾウフクカイロ

Also Published As

Publication number Publication date
NL189536C (nl) 1993-05-03
NL189536B (nl) 1992-12-01
DE2752739C2 (de) 1986-03-13
JPS5365645A (en) 1978-06-12
US4128813A (en) 1978-12-05
DE2752739A1 (de) 1978-10-12
GB1579849A (en) 1980-11-26
FR2372545A1 (fr) 1978-06-23
NL7712933A (nl) 1978-05-29
AU3088477A (en) 1979-05-31
FR2372545B1 (ja) 1984-05-18
AU512565B2 (en) 1980-10-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4649352A (en) Differential amplifier circuit
GB1497102A (en) Current amplifier
US3825774A (en) Device for converting an input voltage into an output current or vice versa
JPH02104113A (ja) 電圧対電流変換器
JPS5917885B2 (ja) 電界効果トランジスタ増巾回路
US4004245A (en) Wide common mode range differential amplifier
KR940011386B1 (ko) 증폭 회로 및 푸시풀 증폭기
US4755767A (en) High gain amplifier using two current mirrors
JPS5951178B2 (ja) パルス信号制御回路
JPS5946445B2 (ja) 差動増幅器
GB1350352A (en) Differential amplifiers
JPH04196704A (ja) 増幅回路
EP0613243A1 (en) Anti-logarithmic converter with temperature compensation
JPS56137717A (en) Current miller circuit
JPS6151447B2 (ja)
JPH0738981Y2 (ja) 定電流源回路
SU1124427A1 (ru) Дифференциальный усилитель
GB2035003A (en) Differential amplifier
JPH0198307A (ja) トランジスタ増幅器
CA1093163A (en) Amplifier
JPS6138159Y2 (ja)
JPS62117403A (ja) カレントミラ−回路
SU843205A1 (ru) Амлитудный ограничитель импульсов
SU364071A1 (ru) Усилитель мощности
SU439055A1 (ru) Входной дифференциальный каскад усилителя постоянного тока