JPS59172755A - リ−ドフレ−ム - Google Patents

リ−ドフレ−ム

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JPS59172755A
JPS59172755A JP58047691A JP4769183A JPS59172755A JP S59172755 A JPS59172755 A JP S59172755A JP 58047691 A JP58047691 A JP 58047691A JP 4769183 A JP4769183 A JP 4769183A JP S59172755 A JPS59172755 A JP S59172755A
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JP
Japan
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bed
wire
lead
inner lead
lead frame
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Akira Kuromaru
黒丸　明
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Toshiba Corp
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Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明はＩＣ，ＬＳＩ等の半導体装置に用いられるリー
ドフレームに関するもので、特に樹脂封止される半導体
装置に使用されるものである。
〔発明の技術的背景およびその問題点〕　゛樹脂封止型
（モールドタイプ）半導体装置の製造においては、ウェ
ハプロセスを完了した単導体チップをリードフレーム中
心にあるベッドにダイポンディングし、リードフレーム
の各インナーリードと半導体チップ上の電極間をワイヤ
ボンディングによってワイヤで接続し、その後トランス
ファモールド等によっ′Ｃ樹脂封止を行っている。
従来のリードフレームを使用してワイヤボンディングを
行う様子を第１図の中央縦断面図に示す。
第１図（ａ）は、従来通常に行われている平担なリード
フレーム１を使用したワイヤボンディングを示しており
、ベッド１ａにはウェハプロセスを完了し′Ｃ所定の大
きさにスクライビングされた集積回路チップ（ベレット
）２がグイボンディングされ、集積回路チップ上の電唖
部２ａとリードフレーム１の各インナリード部ｌｂ間は
アルミニウムなどのワイヤ３でワイヤリングされている
。このワイヤボンディングを信頼性を高く行うため、リ
ードフレーム全体はヒータ５の上に載せられて２５０〜
４００ｖの温度で力ｉ熱されている。
このようなワイヤボンディングにおいてはボンディング
ワイヤ３の長さやボンディング時のワイヤ方向などによ
りワイヤ３の一部が畢れ下るいわゆるアンダールーズを
起しゃすく、極端な場合、第１１３Ｊ（ａ、’の右側に
示すよう（こベッドｌａとの接触４を生じ、ショートの
原因となり問題である。またボンディングワイヤ３の長
さが必要以上に長いときには、ワイヤ３が支えらイｔて
いないため、樹脂封止の際にワイヤ３が樹脂の圧力で移
動するいわゆるワイヤ流れを生じ、隣りのインナーリー
ド（こ接触する等の障害を生ずることがあり、問題であ
る。
第１図（ｂ）ないしくｅ）はこのようなワイヤのアンダ
ーループやワイヤ流れを防止するために従来性われてい
る方法であって、第１図（ｂ）では突起部６ａを有する
ヒータ６を用い、この突起部６ａをベッド１ａとインナ
ーリード１ｂとの間から突出させてワイヤ３をボンディ
ングするようにし、ボンディング時の゛アンダーループ
を防止しでいる。第１図（Ｃ）ではベッド１ａの周囲に
絶縁体でできたスペーサ７を取り付けてアンダーループ
を防止している。
第１図（ｄ）ではインナーリード１ｂの先端に厨り曲げ
による突起１ｃをプレス等により設けてワイヤ３を支え
るようにしている。さらに第１図（ｅ）では、リードフ
レーム１１こおいてベッド１ａを支えているベッド支持
リード（図示せず）をプレス等でコイニングし、ベッド
１ａの高さをインナーリード１ｂよりも低い位置になる
ようにし、加熱はこの高低差に合わせた凹部を有するヒ
ータ８を使用して行っている。
しかし、第１図（ｂ）や（ｅ）の場合にはワイヤは何ら
支えられておらず、樹脂封止の際（ごワイヤ流ｎを効果
的（こ防止することができず、また、第１図（ｂ）から
＜６）までの各場合ともインナーリード先端はベッドよ
りも外側にあるため、集積度の増加によりピン数が増加
してインナーリードとベッドとの距離が離れ、ワイヤ長
が増加することに伴って他のインナーリードやワイヤと
接触する可能性が増加しているためショートの発生を防
止することができない。
［発明の目的〕 そこで、本発明はワイヤボンディング時のアンダールー
プや樹脂封止時のワイヤ流れが少なく、ショートの発生
を減少させ歩留の向上を図ることのできるリードフレー
ムを提供することを目的とする。
〔発明の概要〕
上記目的達成のため、本発明に゛かかるリードフレーム
（こおいてはインナーリードの内光端部をベッド部の一
部を切取るように形成し、さらにベッド部がインナーリ
ード部よりも低位置になるようニＬ、でおり、アンダー
ルーズによるベッド部とワイヤの接触が少く、またワイ
ヤをインナーリード先端によって支持できるため、樹脂
封止時のワイヤ流れを減少できるものである。
〔発明の実施例〕
以下本発明の一実施例を図面を参照しながら詳細に説明
する。
第２図は本発明にかかんリードフレームを使用してワイ
ヤボンディングを行う一様子を示す平面図、第３図はそ
の中央縦断面図であって、リードフレーム１１は半導体
チップ１２を搭載するベッドｎａ１複数のインナーリー
ドｌｌｂ、ベッド支持リードｌｌｃを有し、これらは図
示しないリードフレームのフレーム（外枠）でつながっ
ている。また、インナーリードｌｌｂはベッドｉｌａと
もともと一体であるが、インナーリードｌｌｂの先端は
ベッドｌｌａを切取って形成されている。さらｔこ、ベ
ッド１１　ａはベッド支持リード１１　ｅのコイニング
等による成形（、デプレス）によって、インナーリード
１１　ｂよりも寸法ｄだけ低い位置にある。とのｄは半
導体チップ１２の厚さよりも多少多い０．３５７’ｊい
し０．４　ｍｍ程度とすればよい。
第４図は本発明に係るリードフレームの製造工程を示す
平面図であって、まず第４図（ａ）のように、コバール
または銅合金系の薄板をプレス型またはエツチングで抜
き、ベッド部２１、インナーリード部２２、ベッド支持
リード部ハを形成する。また、インナーリード部２２、
ベッド支持リード部詔はフレーム２４と一体（こなって
いる。なお、ベッド部２１の大きさは通常のリードフレ
ームの場合よりも大きい。
次に、半導体チップの太き−さ、ワイヤの長さ等を考慮
して、インナーリード２２／の長さｔおよび先端形状を
定め、ベッド部２１′の一部がインナーリードの先端部
となるようにベッド２１’を切抜く。
次（こ、ベッド支持リード２３に対しコイニングを行い
、ベッド部２１′を所定深さだけ下に下げる。
このとき、インナーリード部２２１はフレーム２４ニ固
定されているため、ベッド部２１／との間に高低差が生
じることになる。
このようなリードフレームを用い′Ｃワイヤポンディン
グを行・う様子を第２因および第３図を用いて説明する
と、リードフレームのベッド１１　ａ上に半導体チップ
１２がダイボンディングされたものを、インナーリード
ｌｌｂとベッドｌｌａの高低差（こ合った凹部を有する
ヒータ８に載せ、このヒータ８でリードフレーム全体を
３５０〜４００　ｔに加熱しながら、半導体チップ１２
上の電極１２ａとインナーリードｌｌｂ上の所定位置で
ワイヤ１３がボンディングされる。この際、ワイヤ１３
は各インナーリード１１ｂに沿って引き出され、特番こ
、インナーリード１１ｂの先端上をワイヤ１３が通過し
、ワイヤ１３のフォーミング状態が変化してもインナー
リードｌｌｂの先端でワイヤ１３が支えられるようをこ
している。
本発明にかかるリードフレームを用いることによる信頼
性の向上結果を第５図および第６図のグラフに示す。こ
れによれば、アンダーループの発生率およびワイヤ流れ
量のいずれもが従来のフレームに比べ著しく減少させる
ことができた。
以上の実施例においては、インナーリードの方向は平行
であったが、これに限られるものではなく、通常のリー
ドフレームのような放射形状でもよい。
また、実施例中では一つの集積回路に対応するリードフ
レームの一単位を示したが、通常行われているように複
数個分を連続して形成したものも容易（こ実現できる。
〔発明の効果〕
以上のような本発明に係るリードフレーム（こよれば、
インナーリード部の内光端部がベッド部の一部を切取る
ことによって形成され、このベッド部がインナーリード
部よりも低位置に形成されているため、ワイヤボンディ
ングされたワイヤがたるんでもベッド部と接触しに＜＜
、またワイヤをインナーリード部ｌこ沿った多くの部分
と先端で支えるこきができるため樹脂封止の際にワイヤ
流れを起しに＜＜、ショートの発生を減少させ、歩留り
の向上を図ることができる。
さらに、インナーリード先端をベッドから切抜くように
しており、ベッド周囲に凹凸が生じることから樹脂封止
時の接着力の増加とこれに伴うクジツクの減少と水分侵
入の減少を図ることができ、半導体装置の高信頼化およ
び品質の安定化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の各ａリードフレームを用いて半導体チッ
プとインナーリード間のワイヤリングを行う様子を示す
中央縦断面図、第２図は本発明に係るリードフレームを
使用してワイヤボンディングを行う様子を示す平面図、
第３図はその中央縦断面図、第４図は本発明に係るリー
ドフレームの製造工程を示す平面図、第５図は本発明に
係るリードフレームを採用したことによるアンダールー
プ発生率の減少を示すグラフ、第６図は同様にワイヤ流
れ量の減少を示すグラフである。 １．１１・・・リードフレーム、ｌ　ａ　、　１１．　
ａ・・・ベッド、ｌｂ、ｌｌｂ・・・インナーリード、
ｌｌｃ・・・ベッド支持リード、２，１２・・・半導体
チップ、３，１３・・・ワイヤ、５．６，８・・・ヒー
タ、２１，２１’・・・ベッド部、２２　、２２　’・
・・インナーリード部、詔・・・ベッド支持リード部、
２４・・・フレーム。 出願人代理人　　猪　股　　　　清 第１図 第２図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 半導体チップを搭載するベッド部と、このベッド部をフ
    レームに対し支持するベッド支持リード部と、インナー
    リード部を有するリードフレームにおいて、 前記インナーリード部の内光端部が前記ベッド部の一部
    を切取って形成され、 前記ベッド部は前記インナーリード部よりもほぼ半導体
    チップの厚さ分だけ低位置に形成されたことを特徴とす
    る一リードフレーム。
JP58047691A 1983-03-22 1983-03-22 リ−ドフレ−ム Pending JPS59172755A (ja)

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JP58047691A JPS59172755A (ja) 1983-03-22 1983-03-22 リ−ドフレ−ム

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JP58047691A JPS59172755A (ja) 1983-03-22 1983-03-22 リ−ドフレ−ム

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ID=12782309

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JP58047691A Pending JPS59172755A (ja) 1983-03-22 1983-03-22 リ−ドフレ−ム

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JP (1) JPS59172755A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008114374A1 (ja) * 2007-03-19 2008-09-25 Renesas Technology Corp. 半導体装置及びその製造方法

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WO2008114374A1 (ja) * 2007-03-19 2008-09-25 Renesas Technology Corp. 半導体装置及びその製造方法

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