JPS59172201A - 電圧非直線抵抗体素子の絶縁皮膜形成方法 - Google Patents

電圧非直線抵抗体素子の絶縁皮膜形成方法

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JPS59172201A
JPS59172201A JP58045790A JP4579083A JPS59172201A JP S59172201 A JPS59172201 A JP S59172201A JP 58045790 A JP58045790 A JP 58045790A JP 4579083 A JP4579083 A JP 4579083A JP S59172201 A JPS59172201 A JP S59172201A
Authority
JP
Japan
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insulating film
sintering
element body
resistor element
nonlinear resistor
Prior art date
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Pending
Application number
JP58045790A
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English (en)
Inventor
中田 憲明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Meidensha Corp
Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Meidensha Corp
Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd
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Publication date
Application filed by Meidensha Corp, Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd filed Critical Meidensha Corp
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Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、酸化亜鉛(ZnO)を主成分とする電圧非直
線抵抗体素子の絶縁皮膜形成方法に関する。
一般に、電圧非直線抵抗体素子(以下単に「素子」とい
う)は、znOを主成分とする円柱又は厚肉円板状の素
子と、この素体の側面に形成される絶縁皮膜とから構成
されている。従来、素体側面に絶縁皮膜を形成するには
、主に次に示す2つの方法が行なわれている。
第1の方法は、ZnOを主成分とする材料粉末を圧縮成
形等によシ所望形状の成形体にして索体を形成し、この
素体を仮焼結した後、同じく仮焼結し粉砕してペースト
状とした、ZnO、酸化アンモチン(SbsOs)等を
含有する無機化合物の絶縁材を仮焼結した素体側面に塗
布する。その後、この素体を焼結することによシ、同時
に素体側面に絶縁皮膜を形成する方法である。また、第
2の方法は、第1の方法と同様にして得られた成形体の
素体を、sb、 allを含有する無機化合物の絶縁材
を予め散布又は塗布した焼結容器内にて焼結することに
よシ。
同時に素体側面に絶縁皮膜を形成する方法である。
しかしながら、十配第1の方法では、素体と絶縁材との
良好な密着を図るために5両者をそれぞれ仮焼結して収
縮率を一致させる必要がちシ面倒である。また、絶縁材
中の各無機化合物は比重が異なり塗布前に分離しやすく
、特に絶縁皮膜形成に重要なsb、 o、が、塗布され
た絶縁材中に所定量含有されておらず、絶縁材の成分組
成が変化している場合には放電耐量特性が低下する虞れ
がある。
さらに、絶縁材は仮焼結後微粉に粉砕され、ペースト状
にして素体側面に塗布されるが、この際に粒子径の大き
なものが混入していると、ピンホールが発生して絶縁耐
量が低下する虞れがある。しかして、絶縁耐量を同上さ
せるためには、焼結後、再度絶縁材を塗布して2次絶縁
処理を行なう必要がある。
一方、第2の方法では、焼結容器内に散布又は塗布した
絶縁材中のsb、 o、等が昇華することによシ、索体
表面において素体中のZnO等と反応して絶縁皮膜を形
成するために、高濃度にして多量の絶縁材が必要である
。しかし、絶縁材の充填量が多くなると、形成される絶
縁皮膜にむらが生じるという欠点がある。また、焼結後
においてsb、o。
以外の無機化合物が焼結容器内に残っておシ、再度この
焼結容器を用いて焼結を行なう場合に、絶縁材の成分組
成が異なってしまう欠点がある。さらに、素体と絶縁材
充填量との関係、絶縁皮膜形成のための温度および時間
等の条件によジ、焼結パターンが制限されてし甘う。
本発明は、かかる従来の欠点に鑑みてなされたもので、
絶縁材の仮焼結が不要でかつ1次絶縁処理だけで密着性
良好にして高抵抗の絶縁皮膜を形成でき、放電耐量等の
電気的諸特性に優れ、焼結パターンの許容範囲を広くで
きる素子の絶縁皮膜形成方法を提供することを目的とす
る。
本発明は、先ず、ZnOを主成分とする材料粉末を、例
えば圧縮成形により所望形状(円柱又は厚内円板状)の
成形体にして素体を形成する。次に、この素体を仮焼結
した後、素体側面全体に仮焼結前の素体側面1ctIl
当F) 2.8〜10.011vの割合でsb、o。
を塗布する。その後、このsb、o、が塗布された素体
を焼結する。この焼結の際に、素体中のZnO等と塗布
されたsb、o、とが反応して、素体側面に絶縁皮膜が
形成される。
本発明において、sb、o、の塗布量を仮焼結前の素体
側面1 crl尚シ2.6〜10.0 mgに限定した
のは、sb、 o、が2.6 Tn9未満であると放電
耐量等の電気的諸特性が十分でな(、10,0■を越え
ると上記電気的諸特性はほぼ一定で向上がみられず、単
にコスト高となシ、また却って塗装表面に噴火口状・わ
ん形のくぼみ(へこみ)が発生して表面が一様にならな
いという事態を招来するからである。
以下、図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明
する。
実施例 先ず、ZnO91mo1%にsb、o、、酸化ビスマス
(Bi、01l)酸化コバルト(Oo、O,) *酸化
クロム(OrgOll ) +酸化マンガン(Mn01
  ) sシリカ(Sin、 )等合計9 mo1q6
の混合物を加え、さらにポリビニルアルコール(PVA
)等のバインダーを加えて充分混練し、スラリーとした
。次に、このスラリーを造粒機(スプレードライヤー)
のノズルに導くとともに、160℃以上の熱風が旋回し
ているチャンバー中に噴霧して造粒した。その後、造粒
粉体を圧縮成形によシ直径4Qms、厚さ40襲の円柱
状の成形体とした。そして、この成形体を800℃以上
で仮焼結した素体の側面全体に、水を適当量加え湿式混
合して得られたペースト状のsb、 o。
を0.2gsすなわち仮焼結前の素体側面1crI当り
、L9811gに相当する量を塗布した。
しかる後、第1図に示すように、アルミナ質の焼結容器
l内の底に配置された耐熱性セラミック材から成る台座
?の上に、Bb、0.3が塗布された素体lを設置した
。ここに、台座コの材質はアルミナ質又はZnO系の焼
結板等が良く、特にZnO系焼結板は素体lの主成分と
同質なので焼結された素子の特性を損ねる處れがなく好
せしい。次に、焼結容器/の上部開口端にアルミナ質の
蓋5を設け、はぼ密閉状態とし、1000℃〜1400
℃(素子の電気的特性の点からは1100℃〜1800
℃が好ましい)の温度範囲で焼結を行なった。この焼結
によ〕、主に素体l中のZnOと素体lに塗布したSb
、O,、?とが反応し、素体≠の側表面に絶縁皮膜が形
成された。
なお、上記実施例および上記実施例と同様にして得られ
た仮焼結後の素体弘に対してsb、 o、の塗布量を変
化させた場合の例における各素子について、それぞれ放
電耐量試験を行なった。その結果を次表に示す。
本発明におけるsb、o、の塗布量である仮焼結前の素
体側面1−当り2.6〜10.0■を満足する各実施例
においては、良好な放電耐量特性が得られた。
これに対し、比較例の如< 1.99■/dのsb、 
o、塗布では、十分な放電耐量特性が得られなかった。
一方、各実施例および比較例における素子の0.1α1
 mAは80〜40であり、非直線性も良好であった。
以上のように、本発明の素子の絶縁皮膜形成方法によれ
ば、絶縁材であるSb、Ollの仮焼結が不要であシ、
かつ少量のsb、o、による1次絶縁処理だけで密着性
良好にして高抵抗の絶縁皮膜を形成することができる。
また、ピンホール等の発生がなく放電耐量等の電気的緒
特性に優れ、さらには、素体の焼結温度範囲内で絶縁皮
膜を形成でき、焼結パターンの許容範囲を広くすること
ができる等の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の素子の絶縁皮膜形成方法における焼結時の
状態を示す縦断面図である。 3・・・sb、o、、p・・・素体。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)酸化亜鉛を主成分とする電圧非直線抵抗体素子の
    索体側面に絶縁皮膜を形成するにあたシ、前記索体の仮
    焼結後における素体側面全体に仮焼結前の素体側面1 
    ca当り2.6〜10.0yの割合で酸化アンチモンを
    塗布し、その後この索体を焼結して素体側面に絶縁皮膜
    を形成することを特徴とする電圧非直線抵抗体素子の絶
    縁皮膜形成方法。
JP58045790A 1983-03-18 1983-03-18 電圧非直線抵抗体素子の絶縁皮膜形成方法 Pending JPS59172201A (ja)

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JP58045790A JPS59172201A (ja) 1983-03-18 1983-03-18 電圧非直線抵抗体素子の絶縁皮膜形成方法

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6165403A (ja) * 1984-09-07 1986-04-04 株式会社東芝 電圧非直線抵抗体の製造方法
JPS63114104A (ja) * 1986-10-31 1988-05-19 株式会社東芝 非直線抵抗体の製造方法
US4767293A (en) * 1986-08-22 1988-08-30 Copeland Corporation Scroll-type machine with axially compliant mounting
US4877382A (en) * 1986-08-22 1989-10-31 Copeland Corporation Scroll-type machine with axially compliant mounting
JPH02239602A (ja) * 1989-03-14 1990-09-21 Ngk Insulators Ltd 電圧非直線抵抗体の製造法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6165403A (ja) * 1984-09-07 1986-04-04 株式会社東芝 電圧非直線抵抗体の製造方法
US4767293A (en) * 1986-08-22 1988-08-30 Copeland Corporation Scroll-type machine with axially compliant mounting
US4877382A (en) * 1986-08-22 1989-10-31 Copeland Corporation Scroll-type machine with axially compliant mounting
JPS63114104A (ja) * 1986-10-31 1988-05-19 株式会社東芝 非直線抵抗体の製造方法
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