JPS59171822A - 温度検出回路 - Google Patents

温度検出回路

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Publication number
JPS59171822A
JPS59171822A JP4627483A JP4627483A JPS59171822A JP S59171822 A JPS59171822 A JP S59171822A JP 4627483 A JP4627483 A JP 4627483A JP 4627483 A JP4627483 A JP 4627483A JP S59171822 A JPS59171822 A JP S59171822A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
current
coupled
circuit
transistors
resistor
Prior art date
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Pending
Application number
JP4627483A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuhiko Sotooka
和彦 外岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP4627483A priority Critical patent/JPS59171822A/ja
Publication of JPS59171822A publication Critical patent/JPS59171822A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/01Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、民生用機器あるいは産業用機器で広く用いら
れる温度検出回路、いわゆる温度センサに関し、とぐに
、オフセット調整が容易で、U」力の温度係数をも微調
整する機能をそなえた温度検出回路に関する。
従来例の構成とその問題点 温度センサは、半導体回路素子の温度依存特注を利用す
ることで比較的容易に実現される。たとえば、第1図の
回路構成はオフセット機能を有する温度検出回路の従来
例である。この回路は、電流源1に結合される同電流源
駆動用トランジスタQ1および安定化用トランジスタQ
2を有する電流源結合部と、トランジスタQ3〜Q7よ
りなる第1の電流ミラー結合トランジスタ対およびトラ
ンジスタQ8〜Q1oよりなシ、前記第1の電流ミラー
結合トランジスタ対の能動負荷として結合された第2の
電流ミラー結合トランジスタ群の出力回路部とをそなえ
、前記第1の電流ミラー結合トランジスタ対の一方のエ
ミッタ回路に、第1の抵抗用および第2の抵抗R2ヲ介
しての前記電流源、駆動用トランジスタQ、のベース回
路を、それぞれ並列に結続し、さらに、前記出力回路部
に、負荷抵抗R5を結続して、トランジスタq+oにミ
ラーされる電流を電圧に変換して検出するものである。
そして、この回路では、前記第2の抵抗R2が無限大の
抵抗値のとき絶対温度に比例する電圧を発生するか、同
抵抗R2が有限値である通常の場合には、出力に一定の
温度オフセットレベルが付随して現われる。この温度オ
フセットレベルは前記第1の抵抗R5,第2の抵抗R2
およびトランジスタQ、に流入する電流、つまり電流源
1の電流工、によって変えることかできる。いま、負荷
抵抗R6の端子間すなわち、出力端子2に現われる出力
電圧v5を零とするよう々温度をTo(0k)  とお
くと、温度T(0k)  における出力電圧v5は、近
似的に次式で与えられる。
ただし、T)To、Vo:半導体のバンドギャップに相
当する電圧である。ここで、電流源1が定電流源であっ
て、電流工、か定電流であるとすると、素子のばらつき
によって、TCが変化し、しだがって、温度オフセット
レベルもそれに依存して変化踵オフセットが安定しない
。電流工、を変化させて、Toの値を補正することは可
能であるか、現実的に、数μA〜数百μAのオーダで電
流を直接制御することはなかなか困難である。
発明の目的 本発明は上述の問題点を解消するものであり、単一の調
整用抵抗によシ、湿度オフセットレベルを任意に設定し
得るとともに、出力の温度係数をも併せて微調整する機
能をそなえた温度検出回路を提供するものである。
発明の構成 本発明は、要約するに、第1の電流ミラー結合トランジ
スタ対の一方のエミッタ電路に、第1の抵抗と、第2の
抵抗を有する電流源駆動用トランジスタのベース回路と
を、それぞれ並列に結続するとともに、前記第1の電流
ミラー結合トランジスタ対に能動負荷結合された第2の
電流ミラー結合出力回路部をそなえ、かつ、前記電流源
、駆動用トランジスタ対に対して、一方のエミッタ電路
にlt制御用抵抗を有する第3の電流ミラー結合トラン
ジスタ対および前記第3の電流ミラー結合トランジスタ
対に能動負荷結合された第4の電流ミラー結合トランジ
スタ対でなる電流源を結合させた温ことか可能である。
実施例の説明 本発明の実施例回路図を第2図に示す。この回路で、ト
ランジスタQ1〜Q1oおよび抵抗へ〜R巡よる回路構
成部は第1図示の従来例回路と同じであり、これにトラ
ンジスタQlj〜Q+7および抵抗R,による回路構成
部をイづ加している。この付加回路部を詳しくみると、
トランジスタQ11〜Q14および抵抗R4は、電流ミ
ラー結合トランジスタ対の一方のトランジスタQ12〜
Q14の共通エミッタ電路に抵抗R4全結続した回路構
成で、通称、ウィトう、型電流ミラー回路として知られ
るものである。
また、トランジスタQI5〜Q、6は、上述のライドラ
型電流ミラー回路に能動負荷として結合される電流ミラ
ー結合トランジスタ対であり、電流源を構成する。そし
て、トランジスタQI7は、上述のトランジスタQj5
〜q+6に電流ミラー結合されて、電流工、を発生させ
るもので、この電流工1が電流強、駆動用トランジスタ
Q1に住人される。
第2図回路構成に用いられる各トランジスタが、その特
注として、次式のような性能、動作条件にただし、v8
゜:ベース・エミッタ間電圧、■、:逆方向飽和電流、
工。:コレクタ′市流、q:電子の電荷、k:ボルノマ
ン定数、T:絶対温度、hl、:エミッタ電路での電流
増幅率、CS、η:比例定数である。このとき、出力端
子3に現われる′電圧v4け次式て与えられる。
ただし、R6,Nは第2図中の電流ミラー結合トランジ
スタ対のうちのミラーさ八るflillのトランジスタ
の個数である。上記(3)式から明らかなように、抵抗
R4の抵抗値を変化させると、l + l’R,に比例
して、V4二〇の温度T1すなわちT。か変化すること
が確認される。
R4−10にΩ、η=3.5.および VG−1−167,02X 10  V (T+110
8 )  ボルト。
の場合の温度Tと出力電圧v4との関係を求めると、次
表の値か得られる。
そして、第3図は上記表をグラフ化したものである。上
記表および第3図から明らかなように、この回路構成に
よると、’71S掻’ii’+附近ては、100度以上
の広い渦変範囲で、非直線率1%以下の直線性を・もっ
て、比例性のよい高感度湿度検出回路が実現される。寸
だ、この回路では、抵抗R4に、1にΩ〜100にΩで
変化さぜることにより、?il□11度係数を±3%程
度、Tさ±10℃程度は変化させ得ることか確認された
実際に本発明の温度検出回路を構成するには、半導体集
積回路技術か適用され、抵抗R1〜R6は拡散工程で基
板内に作り込1れ、抵抗R4は、full(財)用抵抗
として、外付けで回路を組むのが適当である。
しかも、この抵抗R4は可変抵抗で組み付けることによ
−〕で、他の回路要素に製造工程で多少のばらつきか生
じても、そのばらつきを補正し、同時に、’1rrX度
特性をも調整することが可能である。寸だ、この抵抗R
4の抵抗値を変更することによって、温度オフセットレ
ベルを任意に調節することができる。
発明の効果 本発明pてよれば、温度検出回路の7M度係数ならひv
Cijy’+吸オフセットレベルをηへ一抵抗の設定値
でも−フで広範囲に調整することができ、したかつて、
’JI Lll的な調度検出器を実現することかできる
4、図1角の1加中、な説明 第1図は従来例の温度検出回路図、第2図は本発明実施
例の湿度検出回路図、第3図は本発明実施例の特1に図
である。
1  ・電流源、2,3 ・・・出力端子、Q1〜Q+
7トランジスタ、R1−R4・抵抗。
代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)第1の電流ミラー結合トランジスタ対の一方のエ
    ミッタ回路て、第1の抵抗と、第2の抵抗を有する電流
    源駆動用トランジスタのベース回路とを、それぞれ並列
    に結続するとともに、前記第1のミラー結合トランジス
    タ対に能動負荷結合された第2の電流ミラー結合出力回
    路部をそなえ、かつ、前記電流源駆動用トランジスタに
    対して、一方のエミッタ電路に制御用抵抗を有する第3
    の電流ミラー結合トランジスタ対および前記第3の電流
    ミラー結合l・ランジスタ対に能動負荷結合された第4
    の電流ミラー結合トランジスタ対でなる電流源を結合さ
    せた温度検出回路。
  2. (2)制御□□用抵抗が可変抵抗でなる特許請求の範囲
    第1項に記載の温度検出回路。
JP4627483A 1983-03-18 1983-03-18 温度検出回路 Pending JPS59171822A (ja)

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JP4627483A JPS59171822A (ja) 1983-03-18 1983-03-18 温度検出回路

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JPS59171822A true JPS59171822A (ja) 1984-09-28

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ID=12742641

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JP (1) JPS59171822A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007093607A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Hynix Semiconductor Inc 半導体メモリ素子の温度情報出力装置及びその実行方法
JP2007327932A (ja) * 2006-06-07 2007-12-20 Hynix Semiconductor Inc 半導体メモリ素子の温度情報出力装置及びその実行方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007093607A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Hynix Semiconductor Inc 半導体メモリ素子の温度情報出力装置及びその実行方法
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