JPS59171177A - 光センサの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） とのシロ明は、非晶質シリコン半導体１＠を用いだ光セ
ンサの製造方法に関するものである。

（従来技術） この褌の冗センサの従来の製造方法を第１図を用いて説
明する。

第１図（ａ）において、１１はガラスなどからなる絶縁
物基板であり、まず、この基板ＩＪ上に、ホスフィン（
ＰＨ，）を１〜３　ｐｐｍ程度混合したシラン（Ｓ　ｉ
Ｈ４）ガスのグロー放電法により非晶質シリコン半導体
層（ｎ層）１２を堆積させる。次に、■）１１、を１０
００〜２０００　ｐｐｍ程度混合させた５ｉｎ４ガスの
グロー放電法により、高濃度に不純物ド＝−ピングされ
た低抵抗非晶質シリコン層（ｎ層）１３を１００〜１０
００　Ａ程度、前記非晶質シリコン半導体層１２上に堆
積させる。さらに、その上に電子ビーム＃着法などによ
りアルミニウム１４１４を形成する。そｌ−で、受光層
となる非晶質シリコン半？、Ｉ）体層上以外のアルミニ
ウム層１４を除去し、さらに残存アルミニウム層１４下
以外の不４ｔｌな低抵抗非晶質シリコン層１３および非
晶質シリコン半導体層１２を除去する。これにより、絶
縁物基板１１上には、島状の非晶質シリコン半導体層１
２、低抵抗非晶質シリコン層１３、アルミニウム層１４
が形成される。第１図（ａ）は、層１２，１３．１４が
島状に形成され終った状態を示している。

次に、アルミニウム層１４　ｗバターニングして、第１
図（ｂＪに示すように一対のアルミニウム１１Ｌ他１４
′を形成する。

最後に、アルミニウム電極１４′ヲマスクトシて、その
一対のアルミニウム電極１４’間の低抵抗非晶質シリコ
ン層】３を、５％酸素添加のフレオンガス（ＣＦ’４）
を用いたプラズマエツチング法で第１図（ｃｌに示すよ
うに除去する。以上で光センサが完成する。

このようにして製造された光センサは、入射光によって
非晶質シリコン半褥体層１２中で発生する電子−正孔体
によシ、その非晶質シリコン半導体層１２の導電率が変
化するので、その導電率の変化分を、外部から注入され
た電流の変化として信号検出するものである。

この光センサにおいては、電気応答の点から）ｆｆ電極
１４′オーミックであることが望ましく、そのためには
前記電極１４′と非晶質シリコン半導体層１２との界面
にはバリアが存在してはならない。

このために、低抵抗非晶質シリコン層（ｎ層）１３を介
在させることでオー　ミック竹性を４ｉ１ｉ保すること
が必須となる。

しかるに、上述した従来の製造方法では、第１図（ｃ）
の工程におけるプラズマエツチング時に、受光層の非晶
質シリコン半導体層１２に損傷ができ、また、プラズマ
エツチングにより非晶質シリコン半導体層１２衣面が粗
され表面積が増加するため神々のガス吸着が起こシ易く
なる。そのため、電極１４′間にリーク電流が流れ易く
な夕、光を照射しない時の暗電流が高くなる。このため
、光電流と暗電流の比が小となり、信号検出が滅しくな
るという欠点があった。

（発明の目的） この発明は上６ピの点に鑑みなされたもので、・侍性の
よい光センサを製造することができ、かっ歩箱りも向く
できる光センサの製造方法を提供することを目的とする
５、 実施例 以下この発明の一実施例を第２図をｈ照して説明する。

第２図（ａＪにおいて、２１はガラスなどからなる透明
Ｐ３縁物基板であシ、まず、この基板２１上にアルミニ
ウムを電子ビーム蒸着する。そして、そのアルミニウム
の電極となる部分以外をホトリンエツチングによって除
去することにより、前記第２図（ａ）に示すように、残
存アルミニウムからなる一対の電極２２を前記基板２１
上に形成する。

次に、電極２２上を含む基板２１上の全面に、ＰＨ，を
１０００〜２０００　ｐｐｍａ度ンｊモ合したＳｉＨ４
ガスのグロー放電法により低抵抗非晶質シリコン層＜　
ｎ）層）２３を１００〜１０００λ程度堆積させる。

さらに、その低抵抗非晶質シリコン層２３」二に図示し
ないがポジ型しソストを塗布する。そして、そのレジス
トを、透明絶縁物基板２１の裏面ｆ１１１１から前記′
颯極２２′ｆ：マスクとして霧光し、現象することによ
り、前記低抵抗非晶質７９３７層２３土に’Ｋ１１Ａ２
２と同じ形にレノストマスクを形成する。

しかる後、酸素を５％添加したフレオンガス（ＣＦ４）
で、前記レノストマスクをマスクとして低抵抗非晶質シ
リコン層２３ｆ：プラズマエッチングすることにより、
レノストマスクの下取外の低抵抗非晶質シリコン層２３
を除去する。そして、ア七トンなどによりレノストマス
クを取り去４）と、第２図（ｃ）に示すように′電極２
２の上に、それと回（２形の低抵抗非晶質シリコン層２
３が形成される。

その後、低抵抗非晶質シリコン層２３」−を＊Ｌｒ基板
２１上の全面に、　ＰＨ，を１へ一３ｐｐｍ稈ｊ↓Ｌ混
含した５ｉ）１４ガスのグロー放電法により非晶質シリ
コン半導体層２４を堆積させる。そして、その堆積佐、
ノ句辺の不要な非晶質シリコン半導体層２４をプラズマ
エツチングで除去することにより、非晶タタシリコン半
導体層２４′ｆ、、一対の低抵抗非晶質２９３７層２３
土およびその間の基板２１上にのみ第２図（ｄ）に示す
ように残す。以上で光センサが完成する。

このようにして製造された光センサは、従来と同様にし
て信号検出を行う。その場合、光の入射は、製造過程に
おいて非晶質シリコン半導体層２４の表面がプラズマに
さらされなかったので、透明１７Ｊ５縁物基板２１側か
らでも、非晶質シリコン半纏体層２４側からでもよい。

以上のように一実施例によれば、非晶賀シリコン半導体
層２４０表向を面接グラス゛マにさらすことノ）＜光セ
ンサを製造できる。したがって、従来の技術で述べた（
ｈ傷やガス吸着が起こらず、ゆえに電極２２間のリ−り
′１■、流が生じないので、光電流と暗電流の比が小さ
くなることがなく良好な特性を維持できる。したがって
、製品の製造歩留υも向上する。、 なお、上記一実施例では、電極（光を透過させない）に
アルミニウムを用いたが、アルミニウムの代りにニクロ
ムなどを用いることもできる。

（発明の効果） 以上詳述し／こようにこの発明の製１６方法においでは
、前もって１代抵抗非晶質シリコン層のエツチング全行
うことで、出、極間の非晶質シリコン半導体層がプラズ
マによる損揚やガス吸渚による影響を受けないようにし
たので、特性のよい元センサを製造することができ、製
造歩留りも尚めることかできる。

【図面の簡単な説明】

第１図ば１疋来の光センサの製造方法ケ示す断面図、第
２図はこの発明の光センサの勅遣方法の一実Ｍ［１０１
１′ｆ：示す断面図である。 ２１・・透明絶縁物基板、２２・・・電極、２３・・・
低抵抗非晶質シリコン層、２４・・非晶質シリコン半導
体層。 特５′１−出願人　沖電気工業株式会社第１図 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 透明絶縁物基板上に蒸着とバターニングにより電極を形
   成する工程と、堆積とノ（ターニングにより前日己電惨
   上に低抵抗非晶質シリコン層を形成する工程と、堆積と
   バターニングによシ前記低抵抗非晶質シリコン層上を含
   む所定の領域に非晶質シリコン半導体層を形成する工程
   とを具備してなる光センサの製造方法。