JPS59170175A - 非晶質酸化アルミニウム表面の化学的−機械的研摩方法 - Google Patents

非晶質酸化アルミニウム表面の化学的−機械的研摩方法

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JPS59170175A
JPS59170175A JP58224563A JP22456383A JPS59170175A JP S59170175 A JPS59170175 A JP S59170175A JP 58224563 A JP58224563 A JP 58224563A JP 22456383 A JP22456383 A JP 22456383A JP S59170175 A JPS59170175 A JP S59170175A
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aluminum oxide
polishing
slurry
citric acid
polished
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、完全に研摩さnた非晶質酸化アルミニウム表
面を形成するために、化学的及び機械的研摩技術を同時
に用いて、上記表面を研摩する方法に係る。
〔従来技術〕
種々の機械部品、特に他の部品に関して移動している機
械部品は、完全に研摩さ牡た表面を必要とする。従来、
炭化チタンの粉末のみより成る・又は酸化アルミニウム
或は同様な材料の粒子と組合わされた炭化チタンの粉末
より成る、高温圧縮さt′した部品である、機械部品を
形成することが提案さnている。それらの部品の表面に
は、非晶質酸化アルミニウムの層が形成さnる。その結
果得られた部品は、優nた耐破壊性、改良された機械加
工、及び良好な耐摩耗性等の所望の特性を有しているが
、その様な機械部品は更に完全に研摩さnていることが
望ましい。
酸化アルミニウムは、化学的に反応しない、比較的硬質
の材料である。機械部品の表面に付着さ扛たその様な層
の研摩は従来行わtていない。
半導体部品に於ける極めて硬質の材料の研摩に於ては、
例えば米国特許第4011099号明細書等に記載され
ている如き、多くの提案が成さ扛ている。特に、ンリコ
ン及びサファイアのウェハは、その技術分野に於て完全
に研摩さnている。
〔本発明の目的及び概要〕
本発明の目的は、完全に研摩さnた非晶質酸化アルミニ
ウムの表面を形成するために、軟質研摩材を含むくえん
酸及び水より成るスラリを用い且つ上記表面を硬質面で
絶えず摩擦して、上記表面を化学的−機械的に研摩する
方法を提供することである。
本発明の方法に従って、完全に研摩さfl−た非晶質酸
化アルミニウムの表面が形成さnる。本発明の方法は、
軟質研摩材を含むくえん酸及び水より成るスラリで酸化
アルミニウムの表面を絶えず湿潤させ、上記表面の突出
部からの酸化アルミニウムが上記くえん酸及び水と反応
して生じた生成物を除去するためK、上記表面と硬質面
とを相対的に運動させ乍ら、相互間に圧力を加え、上記
硬質面で上記表面を絶えず摩擦することを含む。この方
法は、完全に研摩さ、f′した表面が形成さnる迄、続
けらnる。典型的には、上記スラリは、くえん酸を含む
水の中に分散されたコロイド状二酸化シリコンより成る
〔実施例〕
第1図は、本発明の方法により研摩される機械部品25
を示す縦断面図である。部品25は、基板8及び該基板
上に形成さ、f′した約5乃至8ミクロンの厚さを有す
る非晶質酸化アルミニウム層9を含む。本発明の方法の
1実施例に於ては、基板8として、圧縮して焼結した又
は高温圧縮した酸化アルミニウムと炭化チタンとの微粒
子混合物が用いら扛る。しかしながら、炭化チタンの粒
子だけでも、同様にして所望の部品に圧縮される。上記
混合物は、約5ミクロンよりも小さい平均粒度を有する
ことを特徴とし、そ牡らの粒子は1乃至2ミクロンの長
さを有することが好ましい。好ましい混合物は、約60
乃至80重量係の酸化アルミニウム及び20乃至40重
量係の炭化チタンを含む。
その高密度の混合物は、低い多孔率を有し、改良さnた
ヤング率及びずn弾性率並びに破壊係数を示す。
所望の特性を有する基板8のための材料を形成するため
K、そnらの材料が所望の粒度の粉末に粉砕され、20
乃至40重量係の炭化チタンに対して約60乃至80重
量係の酸化アルミニウムの所望の組成で混合さnて、均
質な混合物にさ牡る。
その乾燥した粉末が計量され、グラファイトの崖縮用押
型に注入されて充填さnる。その充填さnた粉末が、略
70乃至210 Kl/ an2の荷重を加えらnて、
予備成形される。押型中の予備成形体が、高温圧縮装置
中に装填さ牡て、1400乃至1650℃の範囲の温度
に加熱される。その圧縮さ扛る部品は、280乃至42
0 Kl/cm2の圧力に1於て所望の温度に達したと
きに高温圧縮さ扛る。
その圧縮さ2″した部品は、応力のない状態を保つため
に望ましい時間の間室源に冷やされる。その冷やさnた
部品が、押型から取り出され、余分なグラファイトを除
くために砂吹きさ牡る。そtからその部品が、従来のダ
イアモンドによる機械加工及び機械的粗研摩の方法を用
いて、所望の形状及び寸法に機械加工さnる。
非晶質酸化アルミニウム層は、化学的気相付着又は高周
波スパッタリングの方法によって付着さnる。概して、
高周波スパッタリング方法は、高純度の誘電体ターゲッ
トを用いることを必要とする。酸化アルミニウム層を付
着する場合には、高純度の酸化アルミニウムの円板が用
いらnる。上記ターゲットの一方の側が金属化さ汎、銀
〜エポキシ接着剤又は他の適当な導電性接着剤を用いて
、水で冷却されている平坦なアルミニウムの円板に接着
される。その水で冷却されているアルミニウムの円板は
、真空封止部及び絶縁リングの系によって真空チェンバ
の壁の一部を形成する。金属の保護ンールドが、上記の
水で冷却さnているアルミニウムの円板の露出された領
域を略0.5cn1の間隔で包囲して、その領域からの
スパッタリングを防ぐ。電力の源は、高周波発生装置で
ある。典型的な装置に於ては、電力密度が付着速度、密
度、誘電定数、導電率及び表面%性に影響を与えるので
、放電のための電力が監視及び制御さ扛る。
高周波スパッタリングに関しては、J。
Electrochemical  Soc、、197
0年7月、第117巻、第913頁乃至第917頁に於
けるC、 A、 T、 Salamaにょる’ RF 
SputteredAluminum  0xide 
 Filrns  on  5ilicon11と題す
る文献に於て、更に詳細に記載さnている。
第2図及び第6図は各々、酸化アルミニウム又は同様な
材料の表面を研摩するための本発明による方法を実施す
るために有用な研摩装置を示す縦断面図及び平面図であ
る。その研摩装置は、スラリ排出口12及び駆動される
回転プレート14を有する研摩ボウル10を有している
。回転プレート14上にはポロメリック(porome
ric)材料より成る、軟かく、丈夫な表面即ちパッド
16が、任意の適当な手段(図示せず)により装着さn
る。
用いらnているパッド材料は、上部被膜のボロメリック
材及び基板である。上部被膜の厚さは厳密さを要する。
上部被膜の厚さは0.4乃至o5+IIIIであり、基
板の厚さは05乃至0.6−+nである。そのパッケー
ジ全体の厚さは1±0.05mである。その上部被膜は
、巨視的及び微視的な孔をランダムに有する構造体が得
らnる様に、凝集法によって形成されている。巨視的な
孔は、不規則な形状を有し、上部被膜中に何ら配向さn
ずにランダムに分散されている。微視的な孔は、上部被
膜中の他の部分を構成している。この様な材料に関して
は、Extended  Abstracts  of
  Elec。
Chem、Soc、Spring Meeting、B
ostOn。
Mass、、1979年5月6日〜11日、第79−1
巻、Abs、No、186、第488頁乃至第490頁
に於けるEpic  Mende’1等による’ Pa
dMaterials  for  Chemical
  −Mechanicalpolishjng”と題
する文献に於て、更に詳細に記載さnている。一般に入
手され得るこの種の研摩パッドには、Rod’e1社製
Rodel  210 (商品名)、GEO8社製PO
LTEX(商品名)、G、Newman社製NE、WM
AN(商品名)等がある。回転プレート14は、軸18
を経て結合されている適当な駆動手段(図示せず)Kよ
り回転される。研摩される機械部品25は、適当な接着
剤又は他の適当な方法によって、プレート20上に装着
される。プレート20は、その上に装着さ扛ている部品
とともに、ベアリング表面26を有するアーム22によ
ってパッド26に対して保持さn、そnらの部品がパッ
ド16に対して強く押し付けられる様に相当な圧力Pが
軸28を経て加えらnる。その好ましい圧力は約150
乃至4259m/1yn2である。アーム22は、研摩
ボウル10の端部から吊り出さnており、回転プレート
24の回転によって生じるプレート20の通常の回転径
路内に於てプレート20の側面に位置付けられている。
限定された開口62を有する管60を経て多量の研摩ス
ラリを回転プレート14のパッド16上に流すことによ
り、部品25の酸化アルミニウム表面が上記研摩スラリ
で絶えず湿潤さ扛る。
ポンプ64が管60を経てスラリを移動させる。
余分なスラリは、回転プレート14の端部から振り落さ
nて、スラリ排出口12から流出する。
二酸化シリコンが分散さnたくえん酸及び水は、簡便に
は、6乃至16重量%の濃度で1乃至500ミリミクロ
ンの範囲の粒度の2酸化シリコンを有するシリカ・ゾル
及びシリカ・ゲルの形で用因らnる。二酸化シリ、コン
が分散さ2″した水の簡便な源には、E、r、Dupo
nt 社製LUDOX(商品。
名)のコロイド状シリカ、Na1co  Chem、社
製NALCOAG  1034A(商品名)のコロイド
状シリカ、Ph1ladelphia  Quartz
社製QUSO(商品名)のシリカ、Davison C
hem。
Div、 of W、 R,Grace and Co
、製5YLOID  701’(商品名)のウェハ研摩
材、Mon5anto社製”5yton  HT−50
(商品名)′等の一般に入手さn得るシリカ・ゾル組成
物である。
二酸化シリコンが分酸さnたくえん酸及び水即ち二酸化
シリコンのスラリは、約7乃至9の範囲のpHを有する
必要がある。上記スラリは、僅かに塩基性である、pH
8程度のpHを有することが好−ましい。その塩基性の
pHは、17Iの水に対して802mのくえん酸より成
る少量の溶液を、所望のpHが得ら扛る様に、上記の希
釈さ′nた二酸化ノリコンのスラリに加えることによっ
て得らnる。上記くえん酸を含む上記スラリは、ゲル化
又は沈澱を何ら生じることなく、48、時間の間安定で
ある。塩酸の如き他の酸を含むスラリは、短期制の間し
か安定でない。9よりも高いpHに於ては、表面が粗面
化さnて、オレンジの麦秋の表面状態が生じる。より低
いpHに於ける研摩は、望ましくない遅い研摩速度を生
じる。研摩時間は、予備研摩さnた表面の荒さの状態に
も依存する。
研摩さ扛る機械部品の表面の荒さは予め約010μm(
山−谷の高さ)に減少されていることが好ましい。その
予備研摩さfl−た表面の荒さは、アルミナが付着さn
る基板の荒さ及びその付着方法に依存する。その理由は
、完全に研摩された基板を要するためである。又、酸化
アルミニウム層は、薄すぎて粗研摩することが出来ず、
即ち上記理由及び損傷のために研摩することが出来ない
酸化アルミニウムの化学的−機械的研摩方法は、極めて
効果的に働いて、0005μm(山−谷の高さ)程度よ
りも小さい表面仕上げを生じる。実際には、この測定値
は装置の下限であるので、その表面仕上げは上記の00
05μmよりも良い。
その表面仕上げは従来のスタイラス技法によって測定さ
れる。
その化学反応は完全には理解さ扛てぃないが、上記のく
えん酸及び水のスラリは、酸化アルミニウムと上記スラ
リ中のくえん酸とを反応させて試料表面上に酸化アルミ
ニウムとくえん酸との錯体を形成するものと考えらn、
その錯体が上記二酸化シリコンのスラリ及び研摩パッド
によって除去される。その化学反応は次式で示されるも
のと考えらnる。
A 71203 + ’ <えん酸−Al1203とく
えん酸との錯体これらの条件の下で行わnた研摩は、酸
化アルミニウムの粒界に浮彫構造を有していない、極め
て完全な表面を生じる。
次に示す例は単に本発明の理解を助けるために示さf′
したものであって、種々の変更が可能なことは明らかで
ある。
例    1 前述の高温圧縮成型技術により形成さ乳た酸化アルミニ
ウムー炭化チタンの機械部品の表面に、厚さ5乃至8ミ
クロンの非晶質酸化アルミニウム層が形成さ扛た。上記
酸化アルミニウム層は上記表面に前述の如くスパッタリ
ング方法によって形成さrた。そ扛らの部品が、第2図
及び第3図に示さnている研摩装置中に配置さ、f′1
.た。1部のシリカ・ゾルと4部の脱イオン水との混合
物が形成された。そのシリカ・ゾルは、40乃至45ミ
リミクロ/の最大粒度を有する、約50重置部の含有量
のシリカを有する。そのスラリは、10重量置部ソリ力
の固型分を有する。11の脱イオン水中に802mのく
えん酸を含む溶液が、シリカ・ゾルのスラリ中に、該ス
ラリのpHを監視し乍ら、加えられた。上記スラリはそ
の様にしてpH8に調整された。研摩のために用いらf
した圧力は2252m、ン  であった。除去速度は1
.5ミクロン/時間であった。研摩さnた表面が脱イオ
ン水で洗浄さnた。研摩された表面の仕上げ(山−谷の
高さ)は、Rank  Taylor Hobson 
DivisionLeicesters Englan
d  1944発行のRlE、Reason等による”
Report  on  theMeasuremen
t  of  5urface  Finishby 
 5tylus  Methods″ と題する文献に
記載されている、従来のスタイラス技法により測定さn
て、0.005ミクロンであった。
得らnた表面は、部品の表面に1ミクロンよりも平滑な
平坦さを有し、研摩により誘起される欠陥を何ら有して
いなかった。研摩領域は、干渉縞当り1ミクロンの感度
に設定さゎた干渉計を用いて測定さnたとき、典型的に
は1つの干渉縞しか示さず、こtはテストされたぞnら
の縞が1ミクロンの平坦さを有することを意味する。そ
れらの試料は、シリコン技術に於ける今日のレベルの表
面の平坦さについても同様な結果を生じる。
例    2 例1の場合と同1MKして、非晶質酸化アルミニウム層
が形成さnた。そnらが、例1の場合と同様にして、9
5及び11のpHを用いて研摩さ九た。そnらの表面は
、ピット及びオレンジの麦秋の表面状態を示し、視覚的
に許容さ扛なかった。
除去速度に関するデータはとら扛なかった。
例    ろ くえん酸の添加により、pHが調整さ2″した。pH6
に於ける研摩は極めて遅く、正確に測定することが不6
Theであった。最も好ましいpH乃至pH9に於て、
除去速度は、375 frn/cm2の圧力で2乃至6
ミクロン/時間であった。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の方法により研摩される機械部品を示す
縦断面図、第2図及び第3図は各々本発明の方法を実施
するために有用な研摩装置を示す縦断面図及び平面図で
ある。 8・・・・基板、9・・・・非晶質酸化アルミニウム層
、10・・・・研摩ボウル、12・・・・スラリ排出口
、14・・・・回転プレート、16・・・・研摩パッド
、18.28・・・・軸、20・・・・プレート、22
・・・・アーム、25・・・・研摩される機械部品・、
26・・・・ベアリング表面、60・・・・管、32・
・・・開口、34・・・・ポンプ。 出−人 インターナンヨナル・ビンネス・マシーンズ・
コーポレーション代理人 弁理士  岡   1)  
次   生(外1名)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 軟質研摩材、くえん酸及び水より成るスラリで非晶質酸
    化アルミニウム表面を絶えず湿潤させ、上記酸化アルミ
    ニウム表面の突出部から酸化アルミニウムが上記くえん
    酸と反応して生じた生成物を除去するために、上記酸化
    アルミニウム表面と硬質面とを相対的に運動させ乍も、
    相互間に圧力を加え、上記硬質面で上記酸化アルミニウ
    ム表面を絶えず摩擦することを含む、非晶質酸化アルミ
    ニウム表面の化学的−機械的研摩方法っ
JP58224563A 1983-03-10 1983-11-30 非晶質酸化アルミニウム表面の化学的−機械的研摩方法 Expired JPS5953317B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US47412083A 1983-03-10 1983-03-10
US474120 1983-03-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS59170175A true JPS59170175A (ja) 1984-09-26
JPS5953317B2 JPS5953317B2 (ja) 1984-12-24

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ID=23882264

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JP (1) JPS5953317B2 (ja)
DE (1) DE3473846D1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6579153B2 (en) 2000-01-12 2003-06-17 Jsr Corporation Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing and chemical mechanical polishing process

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5232875A (en) * 1992-10-15 1993-08-03 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for improving planarity of chemical-mechanical planarization operations
US5643053A (en) * 1993-12-27 1997-07-01 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus with improved polishing control
US5582534A (en) * 1993-12-27 1996-12-10 Applied Materials, Inc. Orbital chemical mechanical polishing apparatus and method
US5650039A (en) * 1994-03-02 1997-07-22 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus with improved slurry distribution
US5527423A (en) * 1994-10-06 1996-06-18 Cabot Corporation Chemical mechanical polishing slurry for metal layers
US5858813A (en) * 1996-05-10 1999-01-12 Cabot Corporation Chemical mechanical polishing slurry for metal layers and films
US6910948B2 (en) * 2001-09-27 2005-06-28 Nsk Ltd. Needle bearing and method for grinding bearing parts thereof

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE549314A (ja) * 1955-07-08
DE1009884B (de) * 1955-07-08 1957-06-06 Vaw Ver Aluminium Werke Ag Verfahren zur Vorbehandlung von Werkstuecken aus Aluminium oder Aluminiumlegierungen zur Herstellung hochglaenzender, anodisch oxydierter Oberflaechen
CH356000A (de) * 1955-07-08 1961-07-31 Vaw Ver Aluminium Werke Ag Verfahren zur Herstellung haltbarer hochglänzender Oberflächen auf Werkstücken aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung
US2940228A (en) * 1956-07-03 1960-06-14 Vaw Ver Aluminium Werke Ag Apparatus for polishing metals
US2942956A (en) * 1958-10-13 1960-06-28 Wyandotte Chemicals Corp Aluminum brightener compositions
US3053646A (en) * 1960-07-15 1962-09-11 Dow Chemical Co Grinding and polishing compositions and method of making same
DE1271288B (de) * 1965-02-23 1968-06-27 Monsanto Co Verfahren zum Polieren von Werkstoffen mittels eines Siliciumdioxyd enthaltenden Poliermittels
GB1109892A (en) * 1965-03-12 1968-04-18 Marshall Wolverhampton A new or improved metal polishing composition
US3906678A (en) * 1972-09-14 1975-09-23 Buehler Ltd Automatic specimen polishing machine and method
US3931696A (en) * 1974-03-04 1976-01-13 Veb Rathenower Optische Werke Device for making sections for specimens and specimen supports therefor
JPS6013788B2 (ja) * 1981-02-06 1985-04-09 住友特殊金属株式会社 単結晶フエライトの精密加工方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6579153B2 (en) 2000-01-12 2003-06-17 Jsr Corporation Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing and chemical mechanical polishing process

Also Published As

Publication number Publication date
EP0121707B1 (en) 1988-09-07
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EP0121707A2 (en) 1984-10-17
JPS5953317B2 (ja) 1984-12-24

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