JPS5951740B2 - タングステン又はモリブデン半導体素子基板の製造方法 - Google Patents
タングステン又はモリブデン半導体素子基板の製造方法Info
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- JPS5951740B2 JPS5951740B2 JP11929679A JP11929679A JPS5951740B2 JP S5951740 B2 JPS5951740 B2 JP S5951740B2 JP 11929679 A JP11929679 A JP 11929679A JP 11929679 A JP11929679 A JP 11929679A JP S5951740 B2 JPS5951740 B2 JP S5951740B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体素子基板の製造方法に関し、さらに詳し
くは、両端が閉じた円筒形容器（バレ・ル）中で半導体
素子基板用粗板を研摩することを特徴とするタングステ
ン又はモリブデン半導体素子基板の製造方法に関するも
のである。
くは、両端が閉じた円筒形容器（バレ・ル）中で半導体
素子基板用粗板を研摩することを特徴とするタングステ
ン又はモリブデン半導体素子基板の製造方法に関するも
のである。
従来、熱保護基板とも呼ばれる半導体素子基板としては
、熱膨張係数がケイ素と近似していることから、タング
ステン基板又はモリブデン基板が、専ら用いられている
。
、熱膨張係数がケイ素と近似していることから、タング
ステン基板又はモリブデン基板が、専ら用いられている
。
これらの基板は、半導体であるケイ素からなる整流素子
と、合金化法等の手法により、一体化するように張り合
せることによつて用いられるが、その張合せ面には高度
の平滑性が要求される。従来、この高度の表面平滑性を
得るために、プレス打抜法もしくは焼結法によつて得ら
れた通常は円板である粗板をラップを用いて仕上げを行
なつているが、ラップ仕上げ法はその効率が良いとは言
えず、大量の半導体素子基板を製造するには、不適当な
ものであつた。本発明者らは、上記した従来法の有する
欠点を解消し、ラップ仕上げ法に代る新しい方法を開発
すべく鋭意研究を行なつた結果、いわゆるバレルを用い
る表面仕上げ法を見出き、本発明を完成するに到つた。
すなわち、本発明の目的は、タングステン又はモリブデ
ン粗板の粗表面を研摩し、高度な表面平滑性を有する半
導体素子基板を効率よく製造する方法を提供することで
ある。
と、合金化法等の手法により、一体化するように張り合
せることによつて用いられるが、その張合せ面には高度
の平滑性が要求される。従来、この高度の表面平滑性を
得るために、プレス打抜法もしくは焼結法によつて得ら
れた通常は円板である粗板をラップを用いて仕上げを行
なつているが、ラップ仕上げ法はその効率が良いとは言
えず、大量の半導体素子基板を製造するには、不適当な
ものであつた。本発明者らは、上記した従来法の有する
欠点を解消し、ラップ仕上げ法に代る新しい方法を開発
すべく鋭意研究を行なつた結果、いわゆるバレルを用い
る表面仕上げ法を見出き、本発明を完成するに到つた。
すなわち、本発明の目的は、タングステン又はモリブデ
ン粗板の粗表面を研摩し、高度な表面平滑性を有する半
導体素子基板を効率よく製造する方法を提供することで
ある。
本発明は、バレル中でタングステン又はモリブデンの粗
板を研摩砥粒と湿式法により混合接触させることにより
、高度な表面平滑性を有する半導体素子基板にすること
を特徴とするタングステン又はモリブデン半導体素子基
板の製造方法である。
板を研摩砥粒と湿式法により混合接触させることにより
、高度な表面平滑性を有する半導体素子基板にすること
を特徴とするタングステン又はモリブデン半導体素子基
板の製造方法である。
本発明方法により研摩されるタングステン又はモリブデ
ンの粗板は、通常は円板（ディスク）であり、タングス
テン又はモリブデン粉末を形成、焼結し、て作られるか
、或いは、タングステン又はモリブデン粉末を成形、焼
結した後、鍛造又はロール加工によつてシート （板）
とし、これをさらにプレス打抜きにより製造されるもの
である。
ンの粗板は、通常は円板（ディスク）であり、タングス
テン又はモリブデン粉末を形成、焼結し、て作られるか
、或いは、タングステン又はモリブデン粉末を成形、焼
結した後、鍛造又はロール加工によつてシート （板）
とし、これをさらにプレス打抜きにより製造されるもの
である。
粗板の厚さは通常１〜２ｍｍであり、大きさは、円板の
もので、通常、７〜４０ｍｍφであるが、大型整流素子
用としては６０ｍｍφ以上のものもある。本発明に用い
られるバレルは両端が閉じた筒形容器のことを指し、そ
の材質は、ステンレスあるいは磁器である。研摩砥粒と
しては、例えば、力ーボランダム（ＳｉＣ）、アルミナ
（Ａｌ２Ｏ３）等が良く、特に、グリーン・カーボラン
ダムが好ましい。粒度としては、要求される表面の平滑
度に応じて６０メツシユ、８０メツシユ、１８０メツシ
ユ、２４０メツシユ等のものが用いられる。更に好まし
くは径３〜１０ｍｍの砥石を混合する。本発明方法は湿
式法によるが、砥粒と共にバレル中に入れられる液体と
しては、通常は水であり、その他油性の液体を用いるこ
ともできる。研摩処理後の洗浄操作の容易さから水を用
いるのが好ましい。研摩操作は、通常、常温で行なわれ
るが、研摩中の摩擦熱により多少の温度上昇があつても
支障はない。研摩中、タングステン又はモリブデンの粗
板、上記の砥粒、および上記の研摩用液体を仕込んだバ
レルは、バレルの軸を中心として回転せしめられ、これ
により、砥粒と粗板表面が接触せしめられて研摩が行な
われるが、バレルの回転数は通常３０〜３００回／分で
ある。１回の研摩に要する時間は砥粒の性質、粗板の表
面粗さ、バレルの回転数によつても異なるが、通常は０
．５〜２時間である。
もので、通常、７〜４０ｍｍφであるが、大型整流素子
用としては６０ｍｍφ以上のものもある。本発明に用い
られるバレルは両端が閉じた筒形容器のことを指し、そ
の材質は、ステンレスあるいは磁器である。研摩砥粒と
しては、例えば、力ーボランダム（ＳｉＣ）、アルミナ
（Ａｌ２Ｏ３）等が良く、特に、グリーン・カーボラン
ダムが好ましい。粒度としては、要求される表面の平滑
度に応じて６０メツシユ、８０メツシユ、１８０メツシ
ユ、２４０メツシユ等のものが用いられる。更に好まし
くは径３〜１０ｍｍの砥石を混合する。本発明方法は湿
式法によるが、砥粒と共にバレル中に入れられる液体と
しては、通常は水であり、その他油性の液体を用いるこ
ともできる。研摩処理後の洗浄操作の容易さから水を用
いるのが好ましい。研摩操作は、通常、常温で行なわれ
るが、研摩中の摩擦熱により多少の温度上昇があつても
支障はない。研摩中、タングステン又はモリブデンの粗
板、上記の砥粒、および上記の研摩用液体を仕込んだバ
レルは、バレルの軸を中心として回転せしめられ、これ
により、砥粒と粗板表面が接触せしめられて研摩が行な
われるが、バレルの回転数は通常３０〜３００回／分で
ある。１回の研摩に要する時間は砥粒の性質、粗板の表
面粗さ、バレルの回転数によつても異なるが、通常は０
．５〜２時間である。
かくして得られるタングステンもしくはモリブデン基板
の表面平滑性は、非常に高く、従来法のラツプ仕上げに
よつて得られるものに比べて同等もしくはそれ以上であ
り、半導体素子基板として実用上問題はない。さらに、
本発明の方法によれば、バレルの容量により、一度に多
量のタングステン又はモリブデンの粗板を研摩すること
が可能であり、１回の研摩に要する時間が比較的短時間
（０．５〜２時間）であることと相俟つて、本発明方法
は、効率のよい半導体素子基板の仕上げ法であると言え
る。以下、実施例を掲げて、本発明方法をさらに詳しく
説明し、本発明方法によつてもたらされる効果を明らか
にする。
の表面平滑性は、非常に高く、従来法のラツプ仕上げに
よつて得られるものに比べて同等もしくはそれ以上であ
り、半導体素子基板として実用上問題はない。さらに、
本発明の方法によれば、バレルの容量により、一度に多
量のタングステン又はモリブデンの粗板を研摩すること
が可能であり、１回の研摩に要する時間が比較的短時間
（０．５〜２時間）であることと相俟つて、本発明方法
は、効率のよい半導体素子基板の仕上げ法であると言え
る。以下、実施例を掲げて、本発明方法をさらに詳しく
説明し、本発明方法によつてもたらされる効果を明らか
にする。
対角線長が約２５ｃｍ、長さ３０ｃｍの六角柱でなるス
テンレス製のバレル容器に、直径１２ｍｍ×厚さ２ｍｍ
のモリブデン粗板（円柱）を容器の１／３程度入れ、さ
らに砥粒グリーンカーボンランダム８０メツシユのもの
と少量のバレル砥石（径５〜１０ｍｍ）とを、モリブデ
ン粗板とほぼ同等量および水とを合わせて総量で容量の
３／４程度に入れて、このバレル容器を７０回転／分で
１時間回転させた。
テンレス製のバレル容器に、直径１２ｍｍ×厚さ２ｍｍ
のモリブデン粗板（円柱）を容器の１／３程度入れ、さ
らに砥粒グリーンカーボンランダム８０メツシユのもの
と少量のバレル砥石（径５〜１０ｍｍ）とを、モリブデ
ン粗板とほぼ同等量および水とを合わせて総量で容量の
３／４程度に入れて、このバレル容器を７０回転／分で
１時間回転させた。
こうして得られたモリブデン粗板の表面状態を表面形状
測定機（表面粗さ計） 〔小坂研究所製（ＳＥ３ＣＡ型
）〕を用いて測定した。この結果の例を第１図および第
２図に示す。また、比較のために同じモリブデン粗板を
従来方法によるラツプ研摩盤により研摩した。
測定機（表面粗さ計） 〔小坂研究所製（ＳＥ３ＣＡ型
）〕を用いて測定した。この結果の例を第１図および第
２図に示す。また、比較のために同じモリブデン粗板を
従来方法によるラツプ研摩盤により研摩した。
ラツプ研摩盤のラツプ部にモリブデン粗板を２０〜５０
枚並べてラツプ研摩を１時間行なつた。こうして得られ
たモリブデン粗板の表面を同様に測定した。この結果の
例を第３図および第４図に示す。第１図ないし第４図を
比較して明らかなように、第１図および第２図（本発明
方法）では表面粗さのばらつきは最大１４μ程度である
のに対し、第３図および第４図（従来方法）においては
表面粗さのばらつきは１７〜２５μと大きい。
枚並べてラツプ研摩を１時間行なつた。こうして得られ
たモリブデン粗板の表面を同様に測定した。この結果の
例を第３図および第４図に示す。第１図ないし第４図を
比較して明らかなように、第１図および第２図（本発明
方法）では表面粗さのばらつきは最大１４μ程度である
のに対し、第３図および第４図（従来方法）においては
表面粗さのばらつきは１７〜２５μと大きい。
この表面粗さのばらつきは、半導体をこの基板に接合す
る際の接合強度の安定性あるいは使用時の熱伝導性に影
響を及ぼすものと考えられ、本発明方法による基板は半
導体素子基板として好ましいものである。
る際の接合強度の安定性あるいは使用時の熱伝導性に影
響を及ぼすものと考えられ、本発明方法による基板は半
導体素子基板として好ましいものである。
なお、本発明方法によれば、基板の平滑度を向上させる
とともに、従来方法と比較して同じ時間内の処理量が２
〜５倍に向上した。
とともに、従来方法と比較して同じ時間内の処理量が２
〜５倍に向上した。
第１図及び第２図は、本発明方法により製造されたモリ
ブデン製半導体素子基板の表面粗さを表面粗さ計を用い
て測定した結果を示し、第３図及び第４図は従来のラツ
プ研摩板によつて製造されたモリブデン半導体素子基板
の表面粗さを表面粗さ計を用いて測定した結果を示す。 縦軸は表面粗さ（１０００倍）、横軸は水平距離（１０
０倍）を表わす。
ブデン製半導体素子基板の表面粗さを表面粗さ計を用い
て測定した結果を示し、第３図及び第４図は従来のラツ
プ研摩板によつて製造されたモリブデン半導体素子基板
の表面粗さを表面粗さ計を用いて測定した結果を示す。 縦軸は表面粗さ（１０００倍）、横軸は水平距離（１０
０倍）を表わす。
Claims (1)
- １ タングステン又はモリブデンの粗板を、バレル中、
研摩砥粒と湿式法により混合接触させることにより、高
度な表面平滑性を有する半導体素子基板にすることを特
徴とするタングステン又はモリブデン半導体素子基板の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11929679A JPS5951740B2 (ja) | 1979-09-19 | 1979-09-19 | タングステン又はモリブデン半導体素子基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11929679A JPS5951740B2 (ja) | 1979-09-19 | 1979-09-19 | タングステン又はモリブデン半導体素子基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5643730A JPS5643730A (en) | 1981-04-22 |
| JPS5951740B2 true JPS5951740B2 (ja) | 1984-12-15 |
Family
ID=14757893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11929679A Expired JPS5951740B2 (ja) | 1979-09-19 | 1979-09-19 | タングステン又はモリブデン半導体素子基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5951740B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6312456A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-19 | トツパン・ム−ア株式会社 | 封書およびその作成方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109926907B (zh) * | 2017-12-19 | 2022-07-22 | 上海瑞钼特科技股份有限公司 | 钨钼合金箔材的抛光方法及获得的产品 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53129399A (en) * | 1977-04-19 | 1978-11-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Surface lapping machine |
-
1979
- 1979-09-19 JP JP11929679A patent/JPS5951740B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6312456A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-19 | トツパン・ム−ア株式会社 | 封書およびその作成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5643730A (en) | 1981-04-22 |
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