JPS59167043A - 半導体装置のワイヤ・ボンデイング用金または金合金細線 - Google Patents

半導体装置のワイヤ・ボンデイング用金または金合金細線

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JPS59167043A
JPS59167043A JP58040290A JP4029083A JPS59167043A JP S59167043 A JPS59167043 A JP S59167043A JP 58040290 A JP58040290 A JP 58040290A JP 4029083 A JP4029083 A JP 4029083A JP S59167043 A JPS59167043 A JP S59167043A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、半導体装置の製造に際して施されるワイヤ
・？ンｒイングに使用するのに適したＡｕまたはＡｕ合
金細線に関するものである。
一般に、半導体装置としては、トランジスタやＩＣ，さ
らにＬＳＩなどが知られているが、例えばＩＣなどの半
導体装置は、 （ａ）　　Ｃｕ合金の板材または条材の片面に、Ａｕ　
、　Ａｇ　。
Ｎｉ、およびその合金などのメッキ層を形成したものか
らなるリード集材を用意し、 （ト））　上記リード集材にプレス打抜き加工を施して
製造すんとする半導体装置の形状に適合したリードフレ
ームとし、 （Ｃ）　　上記リードフレームの所定個所に高純度Ｓｉ
またはＧｅなどの半導体素子を上記メッキ層を介して熱
圧着し、 （ｄ）　　上記リードフレームと上記半導体素子に対し
て、ＡｕまたはＡｕ合金細線を用い、熱圧着または超音
波熱圧着法にてワイヤ・ボンディングを施し、 Ｃｅ）　　上記半導体素子、上記ＡｕまたはＡｕ合金細
線、および半導体素子が取付けられている部分のリード
フレームをプラスチックでパックし、（ｆ）　　最終的
に１上記リードフレームにおける相互に連なる部分を切
除してリード材とする、以上（ａ）〜（ｆ）の主要工程
によって製造されている。
このように半導体装置の製造に際しては、上記の（ｄ）
工程において、ＡｕまたはＡｕ合金細線を用いてワイヤ
・ポンディングを施こし、従来そのボンディング線とし
て、添附図面の第１図に示されるように、アルミスプー
ル上に一層に巻取られたＡｕまたはＡｕ合金細線が使用
され、手動式または自動式のがンディングマシンを用い
て半導体菓子とリードフレームとの結線が行なわれてき
た。しかし、最近では生産性をあげるためにポンディン
グマシンの改良や生産技術の向上がはかられ、ポンディ
ング速度は高速化し、より長尺のポンディング線が要求
されてきている。
したがって、従来から使用されてきた一層巻では、巻取
量は精々１００〜２００ｍが限度であるところから、上
記の要求に応えるため、最近では添附図面の第２図に示
されるようなりロス巻の多層巻線が用いられるよう罠な
り、巻取量も５００〜１０００２１１へと長尺化してき
ているが、このような多層巻を使用すると、次のような
トラブルが発生するものである。すなわち第１図の一層
巻の場合には、ボンディング線は線どうしが互に接触し
ている個所がないため、線の取り出しの際Ａｕ線が引っ
掛かり折れることはないが、多層巻の場合は、第２図か
ら明らかなように、取り出されるＡｕ線が下層のＡｕ線
上でこすられて取り出されるため、取り出されたＡｕ線
に折れ（曲り）が発生しやすくなる。この折れは、その
ままポンディングされるため、ポンディングループが変
形され、たれや曲、りが生じ、ショートを起こして製品
不良の原因となる。
そこで、本発明者は、上記のような観点から、ワイヤ・
ポンディング用の多層巻線において上記のような折れを
無くすべく鋭意研究を重ねた結果、ＡｕまたはＡｕ合金
細線の表面に有機化合物系の帯電防止剤であるポリオキ
シエチレンアルキルアミンのコーティング処理を施こし
、その被膜の平均膜厚ヲ０．５μｇ〜５０Ａ＆すると、
取り出されるＡｕまたはＡｕ合金細線の折れ・が無くな
り、ポンディングが高速で、かつ正常なループ形状で行
なわれるという知見を得たのである。
この発明は、上記知見にもとづいてなされたものであっ
て、スプール上に多層巻に巻かれた、半導体装置のワイ
ヤ・ポンディング用ＡｕまたはＡｕ合金細線の表面に、
平均膜厚：０．５μｍ〜５０Ａとなるよう！／ｃｆ！リ
オキシエチレンアルキルアミンの被膜をコーティングす
ることを特徴とするものである。
以下に被膜の平均膜厚を上記の通りに限定した理由を述
べる。
通常ワイヤ・ポンディングに際しては、前記の通り、熱
圧着法や超音波熱圧着法が用いられるが、このコーティ
ング被膜が厚すぎると、ポンディング不良を生じて圧着
部の剥１ＩｌｌＩを招き、他方被膜が薄すぎると、コー
ティングの効果がなく、前述のような折れが発生してメ
ンディングループの変形が起きてショートにつながると
ころから、被膜の平均膜厚を、コーティングの効果が現
われる５０＾から剥離の起きない０．５μｍまでの範囲
とした。
またポリオキンエチレンアルキルアミンの塗布液を形成
させるための溶媒としては、これを溶解することができ
る周知の揮発性溶剤、例えば、フロン、アセトン等を使
用することができ、このような溶媒にポリオキシエチレ
ンアルキルアミンを溶かした塗布液ヲＡｕまたはＡｕ合
金細線上に塗布した後溶媒を蒸発させると、Ａｕまたは
Ａｕ合金細線の表面にきわめて薄匹コーティング膜を形
成させることができる。
つぎに、この発明のＡｕ細線を実施例により具体的に説
明する。
実施例 第１表に示される種々の濃度のポリオキシエチレンアル
キルアミンの水溶液をｉｌ！径：２５μｍφのＡｕ線表
面に連続的に塗布し、乾燥することにより形成した本発
明コーティングＡｕ線１〜６を、アルミスゾール上にク
ロス・多層巻で１０００ｍ巻取Ｑ、巻取０，０００回の
高速ポンディングにおいて取り出されたこの巻線の変形
ループの発生回数を調査することＫより、ポンディング
・テストを行ない、さらに比較のため、上記コーティン
グ処理を施こさない同じ太さの従来Ａｕ線を直接アルミ
スゾール上へクロス・多層巻で巻取り、上記と同じボン
ディング・テストヲ行った。
これらの結果を第１表に示す。
第１表に示される結果から、多層巻に巻取られるＡｕ線
表面にポリオキシエチレンアルキルアミンのコーティン
グ被膜を形成させることによって、製品不良につながる
変形ループの発生を極度に減少できることがわかる。
上述のよう罠、この発明のＡｕおよびＡｕ合金細線は、
■Ｃなどの半導体装置のワイヤ・ボンディングにおいて
折れの発生を回避して製品歩留りの向上をもたらすとと
もに、デンディングの高速化を達成して生産性の向上に
役立つものである。
【図面の簡単な説明】
第１図はアルミスプール上に一層巻に巻取られたＡｕ１
Ｉｉ！を取り出す場合の状順を模式的に示す図であり、
第２図はクロス・多層巻に巻取られている場合の図であ
る。図面において、 １・・・アルミスプール、２・・・スペーサー、３・・
・金線。 出願人　　三菱金属株式会社 代理人　　富　１）和　夫　外１名

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. Ｉｌ＋　　金または金合金細線の表面に有機化合物系の
    帯電防止剤であるポリオキシエチレンアルキルアミンを
    コーティングし、平均膜厚：０．５μｍ〜５０Ａのポリ
    オキシエチレンアルキルアミン（Ｄｌ膜を形成させたこ
    とを特徴とする、スプール上に多層巻に巻かれた、半導
    体装置のワイヤ・ボンディング用金または金合金細線。
JP58040290A 1983-03-11 1983-03-11 半導体装置のワイヤ・ボンデイング用金または金合金細線 Granted JPS59167043A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03165044A (ja) * 1989-11-22 1991-07-17 Tanaka Denshi Kogyo Kk 被覆線

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH03165044A (ja) * 1989-11-22 1991-07-17 Tanaka Denshi Kogyo Kk 被覆線

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