JPS59163851A - セラミツク回路基板およびその製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （ａ）発明の技術分野 本発明は各種電子機器の構成に使用されるセラミ’７り
回路基板、特に厚膜多層導体と薄膜抵抗との混成した基
板の改良およびその製造法に関す。

（ｂｌ技術の背景 各種電子機器の構成に使用される所８１Ｖハイブリット
回路は、導電ペーストと絶縁ペーストをスクリーンマス
クを介しての印刷技術による厚膜回路によるものと、真
空中における導電材料、絶縁材料の蒸着による薄膜回路
によるものとに大別される。

厚膜回路によるものは比較的製作工程が簡易で従って安
価に製作できるが、例えば抵抗値の許容差を厳密に定め
ることは困難であり、又特性の経年変化も薄膜回路の場
合より大きい。

一方薄膜回路は生成される抵抗等の許容偏差も厳密に定
めることができる故に所謂精度の高いものが要求される
場合に通ずるが、真空中の芸者工程の為、設備が大きく
又、マスク合せという厄介な工程も必要で、結果として
経済的には厚膜回路によるものより不利とならざるを得
ない。

［０１従来技術と問題点 上記厚膜回路、薄膜抵抗回路の利点、欠点を勘案して抵
抗回路のみを薄１模技術による方法で作る手段も実施さ
れてきた。この際絶縁体層」二に設られる薄膜抵抗体は
、絶縁体層の表面のあらさが大きいため、面積抵抗の変
動、経年安定性や温度係数の変化も生し易く、密着強度
も充分でないため、アルミナ等の基板上に直接密着して
設ける手段がとられてきた。

殊にこの際生じる不都合を除去した新規な製作方法が本
出願人より提案され特願昭５８−９３９０号として出願
された。

第１図は該製作方法を側断面図（各層の寸法は理解に便
なるよう著しく誇張されている）で工程の順に示すもの
で以下その概要を説明する。

（ａｌ同図（イ）においてアルミナ基板１上に銅ペース
トを厚さ３０μｍで余白部２を残して印刷した後、約１
２０　　°Ｃで１０分間乾燥して後、不活性ガス雰囲気
内で約９００　　°Ｃで１０分間の焼成を行い、第１Ｎ
導体（最下層の導体７９）３ａを形成する。

（ｂｌ第１導体Ｎ３ａの上に絶縁ペーストを前工程形成
される。又この際第１導体層３の端部に後に形成される
薄膜抵抗１ｉの接続部を残１−よう余白部を大きくして
形成される。

ｔｃ）上記２工程ｔａｌ、（ｂｌが交互に所要数繰り返
されて導体層３ｂ、３ｃ、３ｄ、絶縁体ｌＰｔ４ｂ、４
ｃが形成される。

（ｄｌ同図（ロ）に示すように、余白部２を除いたパタ
ーンで第４導体ＦＷａｄ上に絶縁体からなるペーストを
スクリーン印刷して絶縁体層６を作成する。この場合図
示のように端部が余白部２に若干はみでるようにして１
００　　°Ｃで約５分間乾燥する。

焼成は行わない。

ｔｅｌ乾燥後１０　　ゴｏｒｒ　　（］Ｔｏｒｒ＝１ｍ
ｍＨｇ）程度の窒素とアルゴンの混合ガス中においてＴ
ａ　　（タンタル）のスパッタリング、又は蒸着等の工
程を行い、全表面に窒化タンタル（Ｔａ２Ｎ）の薄膜抵
抗体７が形成される。

（ｆ）シかる後、多層基板を純水、あるいは有機溶剤中
に浸し、超音波洗浄を行えば上記乾燥ペース１〜により
作られた絶縁層６ば未焼成状態のため密着力が弱く、同
図（ハ）に示すように上面の薄膜抵抗体７と共に剥離、
除去され、基板１上に形成された薄膜抵抗体７が残留す
る。

ｆｇｌ最後に図示されない搭載部品のための接続ランド
および薄膜抵抗体７を除いて保護用のオーバコー１−１
例えば樹脂を主成分とする絶縁ペーストの保護被ＩＩｆ
ｉ！８が全表面に施され、薄膜抵抗体７には例えば、レ
ーザ光による抵抗値のトリミングが行われて使用に供せ
られる。

以上説明の本出願人が先に提案した新規な「セラミック
多層回路基板の製造法」は薄膜抵抗体の形成に煩雑なマ
スク合せの必要もなく、経済的な方法であるが、最後の
オーバコートに薄膜抵抗の存在のため高温焼結を要する
ガラスを主成分とする強固なオーバコートを施ずことが
できず、特性劣化の危険のある樹脂によらざるを得ない
欠点があった。

（ｄｉ発明の目的 本発明は上記の欠点を改善することをその目的とする。

（ｅ１発明の構成 本発明の上記目的は厚膜導体と薄膜抵抗との混成した基
板において、該薄膜抵抗部と抵抗導体接続部を除いてガ
ラス状絶縁保護被膜、所謂オーバコートを施してなる本
発明による構成のセラミック多層回路基板によって達成
される。

本発明による構成の回路基板の製造に際しては、最終導
体層形成後、薄膜抵抗を設けるべき部分を除き、又搭載
される電子部品接続のための接続ランドを避けてガラス
を主体とする絶縁体層を厚膜印刷技術で設け、その上に
未焼成絶縁体層、最後に全面に薄膜抵抗層を設け、最後
に純水又は有機剤中での超音波洗浄によって未焼成絶縁
体層と不要薄膜抵抗層を除去すれば、薄膜抵抗部分を除
いて強固なオーバコートの施された本発明構成のセラミ
ック回路基板が得られる。

（ｆ１発明の実施例 以下第２図に示す実施例によって本発明の要旨を具体的
に説明する。第１図と共に同一符号は同一対象物を示す
。

アルミナ基板１上に余白部２を残して導体層、絶縁体層
を交互に積層させて最終（第４）導体層３ｄを形成させ
るまでの工程は第１図を参照しての既述の工程ｔａ＋、
　（ｂｉおよび（ｃ）と同じである。

次の工程として本発明では第２図（イ）に示すように（
ｄ゛）後に形成される薄膜抵抗パターン部および導体と
の接続部、および搭載される電子部品のための接続ラン
トを除いて、ガラスを主成分とする絶縁ペーストを印刷
し、１２０　　°Ｃの不活性ガス雰囲気中で１０分乾燥
後、７００　　°Ｃで約６分の焼成を行い強固な保護被
膜８”を形成させる。

（ｅ’　）　Ｊ−記保護被膜８′」二に同様余白部２を
１１ｉｉ’けて絶縁ベース１−をスクリーン印刷して絶
縁体層６を生成させる。この場合図示のように端部が余
白部２に若干はみでるようにして１００　　°Ｃで約５
分間乾燥し、焼成は行わない。本工程は第１図を参照し
ての前述の工程（ｄｌに該当する。

以後は前述の工程（ｅｌによる薄膜抵抗体７の全面形成
、つづいて工程（ｆｌによる不要薄膜抵抗層７を未焼成
絶縁体層６と共に剥離除去する工程によって薄膜抵抗体
７および導体８との接続部、更に部品接続ランドを除い
た全面にオーバコートのための保護被膜８゛を備えた第
２図（ロ）に示す多層回路基板が得られる。

保護被膜８″を備えない薄膜抵抗体７はレーザ光によっ
て短時間でトリミング調整され得る。

以上多層回路基板を対象として本発明の詳細な説明した
が第１導体層３ａのみの単層回路基板にも勿論実施して
効果がある。

（ｇ＋発明の詳細 な説明のように本発明においては、先に提案した特願昭
５８−９３９０号による効果に加え、更に強固な保護被
膜を備えて特性の劣化を防止する工業的効果をもつもの
である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本出願人の先に出願した特願昭５８−９３９０
号によるセラミック多層回路基板製造法の説明のための
側断面図を示し、第２図は本発明による回路基板および
その製造法を説明するための側断面図を示す。 図において１はセラミック基板、２は薄膜抵抗体形成の
ための余白部、３ａ〜３ｄは導体層、４ａ〜４ｃば絶縁
体層、５はバイアホール、６は未焼成絶縁体層、７は薄
膜抵抗体層、８．８゛はオーバコート用保護絶縁被膜を
示す。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）厚膜導体と薄膜抵抗との混成した基板において該
   薄膜抵抗部と抵抗導体接続部を除いて絶縁保護被膜が施
   されてなることを特徴とするセラミック回路基板。
2. （２）厚膜導体と薄膜抵抗との混成したセラミ・ツク回
   路基板の製造法において、薄膜抵抗蒸着工程の前工程と
   して未焼成絶縁体層が薄膜抵抗の施される個所を除いて
   設けられたガラスを主体とする絶縁保護被膜上に塗布さ
   れてなることを特徴とするセラミック回路基板の製造法
   。