JPS5916356A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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Publication number
JPS5916356A
JPS5916356A JP12542182A JP12542182A JPS5916356A JP S5916356 A JPS5916356 A JP S5916356A JP 12542182 A JP12542182 A JP 12542182A JP 12542182 A JP12542182 A JP 12542182A JP S5916356 A JPS5916356 A JP S5916356A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead
cut
outer leads
semiconductor device
top end
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12542182A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsutomu Yamashita
力 山下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP12542182A priority Critical patent/JPS5916356A/ja
Publication of JPS5916356A publication Critical patent/JPS5916356A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541Geometry of the lead-frame
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置の製造方法、特にリード一体化枠の
リード部を半導体装置の独立の外部リードに切断する切
断工程を含む半導体装置の製造方法に関する。
第1図は従来の製造方法で作られた半導体装置の側面図
である。図において、半導体素子?内部に含み、キャッ
プ3をかぶせられたセラミックの容器本体1の側部から
、外部に引き出された外部リード2の先端は、リードの
長さ方向に対し、単に直角に切断されていたので、この
半導体装置をプリント基板やソケットに実装し難く、リ
ード部り、オープン不良の原因となっていた。
本発明の目的は、プリント基板やソケットなどに実装す
る際に、リード部9やオーブン不良を起すことなくスム
ースに実装できるようにされた半導体装置の製造方法?
提供するにある。
本発明の半導体装置の製造方法は、個別の半導体装置の
リード一体化枠部から独立リードにリード部を切断する
際、該半導体装置のリード間ピッチに合せた波状切断刃
を用い、切断後のリード先端幅方向中央部が山形の頂部
となって突出した形に切断する工程を含む構成を有する
つぎに本発明を実施列により説明する。
第2図は本発明の一実施例に係る半導体装置の外部リー
ド切断方法を説明するための側面図である。図において
、外部リード一体化枠4の各外部リード2の内方向に向
う先端部が、容器本体1の中に封じ込まれた状態におけ
る外部リード一体化枠4の端辺部?、位置決めの基準と
なるストッパ5に当接させて、外部リード間のピッチP
lと同一ピッチP2全もつ台6の波状部の山側の各頂上
部が各外部リード2の幅方向中央部に一致するように位
置合せ?する。このように位置合せ固定後、台6の波状
部と噛合う波状切断刃(図示してない)を押し下げるこ
とにより、各リードの外方に向う先端部が山形に突き出
た形に切断できる。このようにして、片方の側の外部リ
ードを切断し、つぎに同様にして他の片方の側の外部リ
ード?切断すれば、両側の外部リードが相対的に少しず
れていても、両側の外部リード共に正確に先端の幅方向
中央位置が山形の頂舒となった形に切断できる。
第3図は、ガラスシール部1aでシールされているガラ
スシールタイプパッケージの半導体装置について、本発
明方法を適用する途中工程の側面図である。図において
、波状台6に外部リード一体化枠4?載せ、第2図と同
様にストッパ5を基準点として両者の位置合せを行い、
波状台6に噛み合う波状切断刃(図示せず)の押し下げ
により、リード先端の幅方向中央部において山形の頂g
トが位置する形に切断できる。
第4図は本発明の詳細な説明する側面図で、本例では、
波状切断刃とリードとの位置合せは、半導体装置容器本
体1の端辺部?ストッパ5に当接することで決めている
第5図と第6図はそれぞれ波状切断刃の形状を示す図で
あり、第5図はリード先端の角形の頂点となる箇所ai
僅かに水平に切り落した形状の列?示し、第6図は、正
弦波のように、頂上となる箇所すが滑らかに変化してい
る形状の列である。
第7図は、第5図に示す形状の切断刃によりリード一体
化枠部から独立リード部に各リードが切断して切り離さ
れ几半導体装置の側面図であり、各リード2,2・・・
の外方に向う先端は幅方向中央位置全山形のtする形に
なっているので、この半導体装置全プリント基板やソケ
ットに実装する際に、プリント基板またはソケットのリ
ード差し込み穴へのこの半導体装置のリードの差し込み
が極めて容易に可能となり、先端が平らなリードをもつ
従来の半導体装置におけるような、リード曲り、オーブ
ン不良などの発生がない。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の製造方法により作られた半導体装置の側
面図、第2図は本発明の一実施例の製造工程途中の側面
図、第3図は本発明の池の実施例の工程途中の側面図、
第4図は本発明のさらに他の実施列の工程途中の側面図
、第5図および第6図は本発明方法に用いられる波状切
断刃の形状の一列および池の一例金示す側面図、第7図
は本5発明方法により作られた半導体装置の側面図であ
る。 1・・・・・・容器本体、2・・・・・・外部リード、
4・川・・リード一体化枠、訃・・・・・ストッパ、6
・・・・・・波状台。 芋−ノ 図 卆−21 #3図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 内部に半導体素子を含む容器本体を個別のリード一体化
    枠部の中央部に組込み、前記容器本体から外部に引き出
    された独立のリードに前記リード一体化枠部からリード
    部を切断する工程金倉む半導体装置の製造方法において
    、前記半導体装置のリード間ピッチに合せた波状切断刃
    を用いて前記リード部全切断すること全特徴とする半導
    体装置の製造方法。
JP12542182A 1982-07-19 1982-07-19 半導体装置の製造方法 Pending JPS5916356A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12542182A JPS5916356A (ja) 1982-07-19 1982-07-19 半導体装置の製造方法

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JPS5916356A true JPS5916356A (ja) 1984-01-27

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JP12542182A Pending JPS5916356A (ja) 1982-07-19 1982-07-19 半導体装置の製造方法

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JP (1) JPS5916356A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4845842A (en) * 1987-11-25 1989-07-11 National Semiconductor Corporation Process for reducing lead sweep in integrated circuit packages
JPH0736014B1 (ja) * 1988-05-07 1995-04-19

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4845842A (en) * 1987-11-25 1989-07-11 National Semiconductor Corporation Process for reducing lead sweep in integrated circuit packages
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